JP2001156719A - 光送信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の光送信器では、−４０〜８５℃の広範
囲温度動作条件下では、特に８５℃での高温度動作のよ
うに、一般的な冷却素子の冷却限界温度ΔＴ＝４０℃を
超えた条件で動作させた場合、外気温の上昇に併せて発
光素子の温度も上昇してしまうため、ＡＰＣ回路だけで
は消光比が悪くなるという問題があった。 【解決手段】 発光素子の温度を検出し、ある一定の温
度を超えたところで、変調電流が増加するように温度補
償機能を追加した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、特に光通信にお
ける光送信器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の光送信器としては、例えば図１０
に示す構成のものがある。図において、１は送信データ
信号を入力するデータ入力端子、２はデータ入力端子１
から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電流
を供給する変調回路、３は半導体レーザなどの発光素
子、４は発光素子３の出力背面光を受光して光電変換す
る検出受光素子、５は発光素子３が発光するために必要
な電流を供給する基準電流源、６は検出受光素子４にて
変換された検出受光素子電流と基準電流源５の基準電流
との差に比例した発光素子３へのバイアス電流を供給す
るＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔ
ｒｏｌ）回路、７は検出受光素子４のバイアス電源、８
は発光素子の温度を検出するサーミスタ、９は発光素子
３の温度を制御するための冷却素子、１０は冷却素子９
の温度を制御する冷却素子制御回路である。

【０００３】データ入力端子１に入力された送信データ
信号は変調回路２に入力される。この変調回路２は送信
データ信号に対応した電流を発生し発光素子３に変調電
流を出力する。基準電流源５は発光素子３の出力パワー
が、必要とされるパワーとなるように基準電流をＡＰＣ
回路６へ供給する。検出受光素子４は発光素子３の出力
背面光を受光することにより光電変換により検出受光素
子電流が流れ、ＡＰＣ回路６へ出力する。ＡＰＣ回路６
には基準電流と検出受光素子電流の差電流が入力され、
一定倍率で増幅されて発光素子３へバイアス電流として
出力する。このＡＰＣ回路６への入力電流の変化によ
り、発光素子３へのバイアス電流が制御される。つま
り、発光素子３の光出力が大きくなると、検出受光素子
４から流れる検出受光素子電流が大きくなり、ＡＰＣ回
路６の出力電流が小さくなり、発光素子３の光出力は小
さくなる。逆に、発光素子３の光出力が小さくなると、
検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さくな
り、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素子３
の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光素子
３の光出力が一定となるように制御される。冷却素子９
とサーミスタ８はそれぞれ発光素子３の冷却、温度検出
のために発光素子３と接触するように設置される。冷却
素子制御回路１０はサーミスタ８により検出された温度
を基に、発光素子３の温度を一定に保つように負帰還動
作により冷却素子９の冷却温度を制御する冷却素子制御
回路である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の光送信器は上記
のように構成されているため、外気温が−４０〜８５℃
の広範囲温度動作条件下では、特に８５℃の高温度での
動作のように、一般的な冷却素子の冷却限界温度ΔＴ＝
４０℃を超えた条件で動作させた場合、外気温の上昇に
併せて発光素子の温度も上昇してしまう。例えば、発光
素子の温度を２５℃に設定し、冷却素子の冷却限界温度
ΔＴ＝４０℃の場合、外気温が６５℃までは冷却素子に
より発光素子の温度が２５℃に保たれるが、外気温が８
５℃においては、発光素子の温度が４５℃に上昇する。
レーザダイオードなどの発光素子は、図９に示すように
高温で順方向電流対光出力変換特性（以下、Ｐ−Ｉ特性
と略す）のカーブが傾きを持つことが知られている。こ
のため、発光素子を高温で動作させる場合は、発光素子
の光出力パワーを一定に保つために、バイアス電流と、
変調電流をともに増加させる必要がある。バイアス電流
については、ＡＰＣ回路の負帰還動作により、光出力パ
ワーを一定に保つように増加される。しかし、変調電流
は、変調器への帰還機能がないため、最初に設定された
変調電流値のままで動作するが、変調器自身が高温のた
め熱劣化を起こし、最初に設定された変調電流より低い
電流しか流せないことが生じる。

【０００５】この様に、光出力パワーは一定の状態で、
変調電流が少なくなると、発光素子の出力光の消光比が
悪くなり、最悪の場合、システムとして機能しなくなる
ことがある。なお、低温側で使用する場合は、冷却素子
の冷却限界温度ΔＴ＝４０℃のものを用いても、発光素
子を暖める場合には、冷却限界温度を２０〜３０℃程度
超えて暖めることが出来るため、−４０℃で動作して
も、発光素子の温度を２５℃程度に設定されている場合
は、発光素子の温度が大きく変化することはないため、
問題にはならない。従来の構成のままで、８５℃の高温
で動作させるためには、（１）発光素子の設定温度を４
５℃に設定し、８５℃でも発光素子の温度を４５℃に保
ち、一定の光出力、消光比を保つようにする、（２）発
光素子を広温度動作時もＰ−Ｉ特性の劣化の少ないもの
を使用して高温動作時は、発光素子温度が上昇したまま
で使用する、（３）冷却素子の冷却限界温度ΔＴ＝６０
℃のものを使用する、或いは、（４）動作温度範囲を−
１５〜６５℃に限定して使用する、などがあげられる。

【０００６】しかし、（１）発光素子の温度を４５℃に
上げて使用した場合、発光素子の信頼性に影響が生じ
る。また、−４０℃などの低温では冷却素子が８５℃ま
での加熱能力はないため発光素子の温度も大きく下がっ
てしまい、一定の変調電流駆動下では、消光比が増大す
ることになる。消光比が増大することにより、光出力波
形が汚くなり、また、出力ジッタ特性も悪くなるため、
光送信器として温度特性の悪いものとなる。また、温度
特性の悪い光送信器からの出力を受信した場合、光受信
器に於いては、長距離伝送特性などが劣化するという問
題が生じることになり、光通信システム全体として不安
定になる、或いは、システムとして成り立たないことに
なり、（２）Ｐ−Ｉ特性の劣化の少ない発光素子は高額
となり、Ｐ−Ｉ特性の劣化が少ないとはいえ、少なから
ず劣化が生じるため、消光比の劣化や、変動が生じるこ
とになり、この光出力を受信する光受信器に於いては、
受信感度劣化、変動が生じるため、光通信システムとし
て不安定となり、（３）冷却限界温度の高い冷却素子を
使用する場合、冷却素子が高額になること、また、冷却
素子の消費電流が増加するため消費電力の増加に繋が
り、（４）動作温度を制限してしまうと、システム要求
動作温度範囲を満たせなくなるため、システムとして成
り立たなくなるという課題があった。

【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、発光素子の温度、また
は、発光素子の周囲温度の検出を行い、この検出した温
度を基に、変調電流を調整するように変調器に帰還を追
加する、或いは、バイアス電流と変調電流の比が一定と
なるように制御する帰還機能をＡＰＣ回路、及び、変調
器に追加することにより、高温度動作時においても、光
出力パワー、及び、消光比を一定に保つ温度補償機能を
持った光送信器を構成することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の発明の光送信器
は、送信データ信号を入力するデータ入力端子と、この
データ入力端子から入力された送信データ信号を変調制
御し、変調電流を供給する変調回路と、半導体レーザな
どの発光素子と、この発光素子の出力背面光を受光して
光電変換する検出受光素子と、発光素子が発光するため
に必要な電流を供給する基準電流源と、検出受光素子に
て変換された検出受光素子電流と基準電流源の基準電流
との差に比例した発光素子へのバイアス電流を供給する
ＡＰＣ回路と、検出受光素子のバイアス電源と、発光素
子の温度を検出するサーミスタと、発光素子を冷却する
冷却素子と、冷却素子の温度を制御する冷却素子制御回
路と、この冷却素子制御回路でモニターした発光素子の
温度モニター値を基に、発光素子が設定された温度から
高い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇してい
た場合には変調回路から出力される変調電流を調整する
ように制御信号を出力する温度変動検出回路により構成
されている。

【０００９】また、第２の発明の光送信器は、送信デー
タ信号を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端
子から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電
流を供給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子
と、この発光素子の出力背面光を受光して光電変換する
検出受光素子と、発光素子が発光するために必要な電流
を供給する基準電流源と、検出受光素子にて変換された
検出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例
した発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路
と、検出受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を
検出するサーミスタと、発光素子を冷却する冷却素子
と、冷却素子の温度を制御する冷却素子制御回路と、発
光素子の周囲温度を検出し、この検出した温度を基に、
発光素子が設定された温度から高い温度に上昇していな
いか検出し、温度が上昇していた場合には変調回路から
出力される変調電流を調整するように制御信号を出力す
る温度検出回路により構成されている。

【００１０】また、第３の発明の光送信器は、送信デー
タ信号を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端
子から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電
流を供給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子
と、この発光素子の出力背面光を受光して光電変換する
検出受光素子と、発光素子が発光するために必要な電流
を供給する基準電流源と、検出受光素子にて変換された
検出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例
した発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路
と、検出受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を
検出するサーミスタと、発光素子を冷却する冷却素子
と、冷却素子の温度を制御する冷却素子制御回路と、変
調回路の出力である変調電流値と、ＡＰＣ回路の出力で
あるバイアス電流値をモニターし、変調電流とバイアス
電流の比が設定されたある値に一定となるように、変調
回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力する演算回路により
構成されている。

【００１１】また、第４の発明の光送信器は、送信デー
タ信号を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端
子から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電
流を供給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子
と、この発光素子の出力背面光を受光して光電変換する
検出受光素子と、発光素子が発光するために必要な電流
を供給する基準電流源と、検出受光素子にて変換された
検出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例
した発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路
と、検出受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を
検出するサーミスタと、発光素子を冷却する冷却素子
と、冷却素子の温度を制御する冷却素子制御回路と、こ
の冷却素子制御回路でモニターした発光素子の温度モニ
ター値を基に、発光素子が設定された温度から高い温度
に上昇していないか検出し、温度が上昇していた場合に
は変調回路から出力される変調電流を調整するように制
御信号を出力する温度変動検出回路と、変調回路の出力
である変調電流値と、ＡＰＣ回路の出力であるバイアス
電流値をモニターし、変調電流とバイアス電流の比が設
定されたある値に一定となるように、変調回路とＡＰＣ
回路に制御信号を出力する演算回路により構成されてい
る。

【００１２】第５の発明の光送信器は、送信データ信号
を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端子から
入力された送信データ信号を変調制御し、変調電流を供
給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子と、こ
の発光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受
光素子と、発光素子が発光するために必要な電流を供給
する基準電流源と、検出受光素子にて変換された検出受
光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例した発
光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路と、検出
受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を検出する
サーミスタと、発光素子を冷却する冷却素子と、冷却素
子の温度を制御する冷却素子制御回路と、発光素子の周
囲温度を検出し、この検出した温度を基に、発光素子が
設定された温度から高い温度に上昇していないか検出
し、温度が上昇していた場合には変調回路から出力され
る変調電流を調整するように制御信号を出力する温度検
出回路と、変調回路の出力である変調電流値と、ＡＰＣ
回路の出力であるバイアス電流値をモニターし、変調電
流とバイアス電流の比が設定されたある値に一定となる
ように、変調回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力する演
算回路により構成されている。

【００１３】また、第６の発明の光送信器は、送信デー
タ信号を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端
子から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電
流を供給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子
と、この発光素子の出力背面光を受光して光電変換する
検出受光素子と、発光素子が発光するために必要な電流
を供給する基準電流源と、検出受光素子にて変換された
検出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例
した発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路
と、検出受光素子のバイアス電源と、変調回路の出力で
ある変調電流値と、ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電
流値をモニターし、変調電流とバイアス電流の比が設定
されたある値に一定となるように、変調回路とＡＰＣ回
路に制御信号を出力する演算回路により構成されてい
る。

【００１４】第７の発明の光送信器は、送信データ信号
を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端子から
入力された送信データ信号を変調制御し、変調電流を供
給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子と、こ
の発光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受
光素子と、発光素子が発光するために必要な電流を供給
する基準電流源と、検出受光素子にて変換された検出受
光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例した発
光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路と、検出
受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を検出する
サーミスタと、変調回路の出力である変調電流値と、Ａ
ＰＣ回路の出力であるバイアス電流値をモニターし、変
調電流とバイアス電流の比が設定されたある値に一定と
なるように、変調回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力す
る演算回路と、サーミスタにより発光素子の温度を検出
し、この検出した温度を基に、変調回路から出力される
変調電流を調整するように制御信号を出力する発光素子
温度検出回路により構成されている。

【００１５】また、第８の発明の光送信器は、送信デー
タ信号を入力するデータ入力端子と、このデータ入力端
子から入力された送信データ信号を変調制御し、変調電
流を供給する変調回路と、半導体レーザなどの発光素子
と、この発光素子の出力背面光を受光して光電変換する
検出受光素子と、発光素子が発光するために必要な電流
を供給する基準電流源と、検出受光素子にて変換された
検出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に比例
した発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ回路
と、検出受光素子のバイアス電源と、発光素子の周囲温
度を検出し、この検出した温度を基に、変調回路から出
力される変調電流を調整するように制御信号を出力する
温度検出回路と、変調回路の出力である変調電流値と、
ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電流値をモニターし、
変調電流とバイアス電流の比が設定されたある値に一定
となるように、変調回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力
する演算回路により構成されている。

【００１６】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１による光送信器を示す構成図である。図に
おいて１から１０は従来の光送信器の構成と同一であ
り、１１は冷却素子制御回路１０でモニターした発光素
子３の温度モニター値を基に、変調回路２から出力され
る変調電流を調整するように制御信号を出力する温度変
動検出回路である。

【００１７】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。逆に、発光素子
３の光出力が小さくなると、検出受光素子４から流れる
検出受光素子電流が小さくなり、ＡＰＣ回路６の出力電
流が大きくなり、発光素子３の光出力は大きくなる。こ
の負帰還動作により発光素子３の光出力が一定となるよ
うに制御される。サーミスタ８と冷却素子９はそれぞれ
発光素子３の温度検出、冷却（温度制御）のために発光
素子３と接触するように設置される。冷却素子制御回路
１０はサーミスタ８により検出された温度を基に、発光
素子３の温度を一定に保つように負帰還動作により冷却
素子９の冷却温度を制御する。温度変動検出回路１１は
冷却素子制御回路１０でモニターした発光素子３の温度
モニター値を基に、発光素子３が設定された温度から高
い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇していた
場合には変調回路２から出力される変調電流を調整し、
発光素子３の出力光の消光比を一定に保つように制御信
号を出力する。

【００１８】上記のように、冷却素子制御回路１０でモ
ニターした発光素子３の温度モニター値を基に、温度変
動検出回路１１により発光素子３の温度変動を検出し、
消光比を一定に保つように制御信号を変調回路２へ出力
する帰還機能を追加することにより、高温動作時に発光
素子３の温度が設定値よりも上昇した場合においても、
この変調回路２への帰還機能とＡＰＣ回路６の動作によ
り、発光素子３の光出力パワーと消光比を常に一定に保
つことができる。

【００１９】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２による光送信器を示す構成図である。図において１
から１０は従来の光送信器の構成と同一であり、１２は
発光素子３の周囲温度をモニターするために、発光素子
３の近辺に設置され、この温度モニター値を基に、変調
回路２から出力される変調電流を調整するように制御信
号を出力する温度検出回路である。

【００２０】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。逆に、発光素子
３の光出力が小さくなると、検出受光素子４から流れる
検出受光素子電流が小さくなり、ＡＰＣ回路６の出力電
流が大きくなり、発光素子３の光出力は大きくなる。こ
の負帰還動作により発光素子３の光出力が一定となるよ
うに制御される。サーミスタ８と冷却素子９はそれぞれ
発光素子３の温度検出、冷却のために発光素子３と接触
するように設置される。冷却素子制御回路１０はサーミ
スタ８により検出された温度を基に、発光素子３の温度
を一定に保つように負帰還動作により冷却素子９の冷却
温度を制御する。温度検出回路１２は発光素子３の周囲
温度をモニターし、このモニターした周囲温度を基に、
変調回路２から出力される変調電流を調整し、発光素子
３の出力光の消光比を一定に保つように制御信号を出力
する。

【００２１】上記のように、温度検出回路１２でモニタ
ーした発光素子３の周囲温度モニター値を基に、消光比
を一定に保つように制御信号を変調回路２へ出力する帰
還機能を追加することにより、高温動作時に発光素子３
の温度が上昇した場合においても、この変調回路２への
帰還機能とＡＰＣ回路６の動作により、発光素子３の光
出力パワーと消光比を常に一定に保つことができる。

【００２２】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３による光送信器を示す構成図である。図において１
から１０は従来の光送信器の構成と同一であり、１３は
変調回路２の出力である変調電流とＡＰＣ回路６の出力
であるバイアス電流をモニターし、バイアス電流と変調
電流の比が一定となるように演算し、制御信号を変調回
路２とＡＰＣ回路６に出力する演算回路である。

【００２３】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。逆に、発光素子
３の光出力が小さくなると、検出受光素子４から流れる
検出受光素子電流が小さくなり、ＡＰＣ回路６の出力電
流が大きくなり、発光素子３の光出力は大きくなる。こ
の負帰還動作により発光素子３の光出力が一定となるよ
うに制御される。サーミスタ８と冷却素子９はそれぞれ
発光素子３の温度検出、冷却のために発光素子３と接触
するように設置される。冷却素子制御回路１０はサーミ
スタ８により検出された温度を基に、発光素子３の温度
を一定に保つように負帰還動作により冷却素子９の冷却
温度を制御する。演算回路１３は変調回路２の出力であ
る変調電流と、ＡＰＣ回路６の出力であるバイアス電流
をモニターし、この変調電流とバイアス電流が高温にお
ける発光素子３のＰ−Ｉ特性から、最適な消光比と光出
力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比を決
めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められた比
の値となるように変調回路２とＡＰＣ回路６の制御信号
を出力し、発光素子３の出力光の消光比を一定に保つよ
うに制御信号を出力する。

【００２４】上記のように、演算回路１３でモニターし
た変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光比、
光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比
を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められ
た比の値を保つように制御信号を変調回路２とＡＰＣ回
路６に出力する機能を追加することにより、高温動作時
に発光素子３の温度が設定値よりも上昇した場合におい
ても、変調電流とバイアス電流が常に一定の比となるよ
うに変調回路２とＡＰＣ回路６へ帰還が掛かるようにな
り、発光素子３の光出力パワーと消光比を常に一定に保
つことができる。

【００２５】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４による光送信器を示す構成図である。図において１
から１０は従来の光送信器の構成と同一であり、１１は
冷却素子制御回路１０でモニターした発光素子３の温度
モニター値を基に、変調回路２から出力される変調電流
を調整するように制御信号を出力する温度変動検出回路
であり、１３は変調回路２の出力である変調電流とＡＰ
Ｃ回路６の出力であるバイアス電流をモニターし、バイ
アス電流と変調電流の比が一定となるように演算し、制
御信号を変調回路２とＡＰＣ回路６に出力する演算回路
である。

【００２６】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。

【００２７】逆に、発光素子３の光出力が小さくなる
と、検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さ
くなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素
子３の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光
素子３の光出力が一定となるように制御される。サーミ
スタ８と冷却素子９はそれぞれ発光素子３の温度検出、
冷却のために発光素子３と接触するように設置される。
冷却素子制御回路１０はサーミスタ８により検出された
温度を基に、発光素子３の温度を一定に保つように負帰
還動作により冷却素子９の冷却温度を制御する。温度変
動検出回路１１は冷却素子制御回路１０でモニターした
発光素子３の温度モニター値を基に、発光素子３が設定
された温度から高い温度に上昇していないか検出し、温
度が上昇していた場合には変調回路２から出力される変
調電流を調整し、発光素子３の出力光の消光比を一定に
保つように制御信号を出力する。

【００２８】演算回路１３は変調回路２の出力である変
調電流と、ＡＰＣ回路６の出力であるバイアス電流をモ
ニターし、この変調電流とバイアス電流が高温における
発光素子３のＰ−Ｉ特性から、最適な消光比と光出力パ
ワーとなるような変調電流とバイアス電流の比を決めて
おき、変調電流とバイアス電流がこの決められた比の値
となるように変調回路２とＡＰＣ回路６の制御信号を出
力し、発光素子３の出力光の消光比を一定に保つように
制御信号を出力する。

【００２９】上記のように、冷却素子制御回路１０でモ
ニターした発光素子３の温度モニター値を基に、温度変
動検出回路１１により発光素子３の温度変動を検出し、
消光比を一定に保つように制御信号を変調回路２へ出力
する帰還機能と、演算回路１３でモニターした変調電流
とバイアス電流を基に、常に最適な消光比、光出力パワ
ーとなるような変調電流とバイアス電流の比を決めてお
き、変調電流とバイアス電流がこの決められた比の値を
保つように制御信号を変調回路２とＡＰＣ回路６に出力
する機能を組み合わせて使用することにより、高温動作
時に発光素子３の温度が設定値よりも上昇した場合にお
いても、発光素子３の温度変動とともに変調電流が調整
され、かつ、調整された変調電流を基に、変調電流とバ
イアス電流が常に一定の比となるように変調回路２とＡ
ＰＣ回路６へ帰還が掛かるようになるため、発光素子３
の温度変化に併せて変調電流とバイアス電流が制御でき
るようになり、発光素子３の光出力パワーと消光比を常
に一定に保つことができる。

【００３０】実施の形態５．図５はこの発明の実施の形
態５による光送信器を示す構成図である。図において１
から１０は従来の光送信器の構成と同一であり、１２は
発光素子３の周囲温度をモニターするために、発光素子
３の近辺に設置され、この温度モニター値を基に、変調
回路２から出力される変調電流を調整するように制御信
号を出力する温度検出回路であり、１３は変調回路２の
出力である変調電流とＡＰＣ回路６の出力であるバイア
ス電流をモニターし、バイアス電流と変調電流の比が一
定となるように演算し、制御信号を変調回路２とＡＰＣ
回路６に出力する演算回路である。

【００３１】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。

【００３２】逆に、発光素子３の光出力が小さくなる
と、検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さ
くなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素
子３の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光
素子３の光出力が一定となるように制御される。サーミ
スタ８と冷却素子９はそれぞれ発光素子３の温度検出、
冷却のために発光素子３と接触するように設置される。
冷却素子制御回路１０はサーミスタ８により検出された
温度を基に、発光素子３の温度を一定に保つように負帰
還動作により冷却素子９の冷却温度を制御する。温度検
出回路１２は発光素子３の周囲温度をモニターし、この
モニターした周囲温度を基に、変調回路２から出力され
る変調電流を調整し、発光素子３の出力光の消光比を一
定に保つように制御信号を出力する。演算回路１３は変
調回路２の出力である変調電流と、ＡＰＣ回路６の出力
であるバイアス電流をモニターし、この変調電流とバイ
アス電流が高温における発光素子３のＰ−Ｉ特性から、
最適な消光比と光出力パワーとなるような変調電流とバ
イアス電流の比を決めておき、変調電流とバイアス電流
がこの決められた比の値となるように変調回路２とＡＰ
Ｃ回路６の制御信号を出力し、発光素子３の出力光の消
光比を一定に保つように制御信号を出力する。

【００３３】上記のように、温度検出回路１２でモニタ
ーした発光素子３の周囲温度モニター値を基に、消光比
を一定に保つように制御信号を変調回路２へ出力する帰
還機能と、演算回路１３でモニターした変調電流とバイ
アス電流を基に、常に最適な消光比、光出力パワーとな
るような変調電流とバイアス電流の比を決めておき、変
調電流とバイアス電流がこの決められた比の値を保つよ
うに制御信号を変調回路２とＡＰＣ回路６に出力する機
能を組み合わせて使用することにより、高温動作時に発
光素子３の温度が上昇した場合においても、発光素子３
の温度変動とともに変調電流が調整され、かつ、調整さ
れた変調電流を基に、変調電流とバイアス電流が常に一
定の比となるように変調回路２とＡＰＣ回路６へ帰還が
掛かるようになるため、発光素子３の温度変化に併せて
変調電流とバイアス電流が制御できるようになり、発光
素子３の光出力パワーと消光比を常に一定に保つことが
できる。

【００３４】実施の形態６．図６はこの発明の実施の形
態６による光送信器を示す構成図である。図において１
から７は従来の光送信器の構成と同一であり、１３は変
調回路２の出力である変調電流とＡＰＣ回路６の出力で
あるバイアス電流をモニターし、バイアス電流と変調電
流の比が一定となるように演算し、制御信号を変調回路
２とＡＰＣ回路６に出力する演算回路である。

【００３５】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。

【００３６】逆に、発光素子３の光出力が小さくなる
と、検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さ
くなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素
子３の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光
素子３の光出力が一定となるように制御される。演算回
路１３は変調回路２の出力である変調電流と、ＡＰＣ回
路６の出力であるバイアス電流をモニターし、この変調
電流とバイアス電流が高温における発光素子３のＰ−Ｉ
特性から、最適な消光比と光出力パワーとなるような変
調電流とバイアス電流の比を決めておき、変調電流とバ
イアス電流がこの決められた比の値となるように変調回
路２とＡＰＣ回路６の制御信号を出力し、発光素子３の
出力光の消光比を一定に保つように制御信号を出力す
る。

【００３７】上記のように、演算回路１３でモニターし
た変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光比、
光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比
を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められ
た比の値を保つように制御信号を変調回路２とＡＰＣ回
路６に出力する機能を追加することにより、高温動作時
に発光素子３の温度が上昇した場合においても、変調電
流とバイアス電流が常に一定の比となるように変調回路
２とＡＰＣ回路６へ帰還が掛かるようになり、発光素子
３の光出力パワーと消光比を常に一定に保つことができ
る。

【００３８】実施の形態７．図７はこの発明の実施の形
態７による光送信器を示す構成図である。図において１
から８は従来の光送信器の構成と同一であり、１３は変
調回路２の出力である変調電流とＡＰＣ回路６の出力で
あるバイアス電流をモニターし、バイアス電流と変調電
流の比が一定となるように演算し、制御信号を変調回路
２とＡＰＣ回路６に出力する演算回路である。１４は発
光素子３温度検出のために発光素子３と接触するように
設置されたサーミスタ８により検出された温度モニター
値を基に、変調回路２から出力される変調電流を調整す
るように制御信号を出力する発光素子温度検出回路であ
る。

【００３９】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。

【００４０】逆に、発光素子３の光出力が小さくなる
と、検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さ
くなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素
子３の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光
素子３の光出力が一定となるように制御される。サーミ
スタ８と冷却素子９はそれぞれ発光素子３の温度検出、
冷却のために発光素子３と接触するように設置される。
冷却素子制御回路１０はサーミスタ８により検出された
温度を基に、発光素子３の温度を一定に保つように負帰
還動作により冷却素子９の冷却温度を制御する。演算回
路１３は変調回路２の出力である変調電流と、ＡＰＣ回
路６の出力であるバイアス電流をモニターし、この変調
電流とバイアス電流が高温における発光素子３のＰ−Ｉ
特性から、最適な消光比と光出力パワーとなるような変
調電流とバイアス電流の比を決めておき、変調電流とバ
イアス電流がこの決められた比の値となるように変調回
路２とＡＰＣ回路６の制御信号を出力し、発光素子３の
出力光の消光比を一定に保つように制御信号を出力す
る。発光素子温度検出回路１４はサーミスタ８により検
出された発光素子３の温度モニター値を基に、発光素子
３の温度を検出し、温度が上昇している場合には変調回
路２から出力される変調電流を調整し、発光素子３の出
力光の消光比を一定に保つように制御信号を出力する。

【００４１】上記のように、演算回路１３でモニターし
た変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光比、
光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比
を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められ
た比の値を保つように制御信号を変調回路２とＡＰＣ回
路６に出力する機能と、発光素子温度検出回路１４でモ
ニターした発光素子３の温度モニター値を基に、発光素
子３の温度を検出し、消光比を一定に保つように制御信
号を変調回路２へ出力する帰還機能を組み合わせて使用
することにより、高温動作時に発光素子３の温度が上昇
した場合においても、発光素子３の温度変動とともに変
調電流が調整され、かつ、調整された変調電流を基に、
変調電流とバイアス電流が常に一定の比となるように変
調回路２とＡＰＣ回路６へ帰還が掛かるようになるた
め、発光素子３の温度変化に併せて変調電流とバイアス
電流が制御できるようになり、発光素子３の光出力パワ
ーと消光比を常に一定に保つことができる。

【００４２】実施の形態８．図８はこの発明の実施の形
態８による光送信器を示す構成図である。図において１
から７は従来の光送信器の構成と同一であり、１２は発
光素子３の周囲温度をモニターするために、発光素子３
の近辺に設置され、この温度モニター値を基に、変調回
路２から出力される変調電流を調整するように制御信号
を出力する温度検出回路であり、１３は変調回路２の出
力である変調電流とＡＰＣ回路６の出力であるバイアス
電流をモニターし、バイアス電流と変調電流の比が一定
となるように演算し、制御信号を変調回路２とＡＰＣ回
路６に出力する演算回路である。

【００４３】次に動作について説明する。データ入力端
子１に入力された送信データ信号は変調回路２に入力さ
れる。この変調回路２は送信データ信号に対応した電流
を発生し発光素子３に変調電流を印加する。基準電流源
５は発光素子３の出力パワーが、必要とされるパワーと
なるように基準電流をＡＰＣ回路６へ出力する。検出受
光素子４は発光素子３の出力背面光を受光することによ
り光電変換により検出受光素子電流が流れ、ＡＰＣ回路
６へ出力される。ＡＰＣ回路６には基準電流と検出受光
素子電流の差電流が入力され、一定倍率で増幅されて発
光素子３へバイアス電流として出力される。このＡＰＣ
回路６への入力電流の変化により、発光素子３へのバイ
アス電流が制御される。つまり、発光素子３の光出力が
大きくなると、検出受光素子４から流れる検出受光素子
電流が大きくなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が小さくな
り、発光素子３の光出力は小さくなる。

【００４４】逆に、発光素子３の光出力が小さくなる
と、検出受光素子４から流れる検出受光素子電流が小さ
くなり、ＡＰＣ回路６の出力電流が大きくなり、発光素
子３の光出力は大きくなる。この負帰還動作により発光
素子３の光出力が一定となるように制御される。温度検
出回路１２は発光素子３の周囲温度をモニターし、この
モニターした周囲温度を基に、変調回路２から出力され
る変調電流を調整し、発光素子３の出力光の消光比を一
定に保つように制御信号を出力する。演算回路１３は変
調回路２の出力である変調電流と、ＡＰＣ回路６の出力
であるバイアス電流をモニターし、この変調電流とバイ
アス電流が高温における発光素子３のＰ−Ｉ特性から、
最適な消光比と光出力パワーとなるような変調電流とバ
イアス電流の比を決めておき、変調電流とバイアス電流
がこの決められた比の値となるように変調回路２とＡＰ
Ｃ回路６の制御信号を出力し、発光素子３の出力光の消
光比を一定に保つように制御信号を出力する。

【００４５】上記のように、温度検出回路１２でモニタ
ーした発光素子３の周囲温度モニター値を基に、消光比
を一定に保つように制御信号を変調回路２へ出力する帰
還機能と、演算回路１３でモニターした変調電流とバイ
アス電流を基に、常に最適な消光比、光出力パワーとな
るような変調電流とバイアス電流の比を決めておき、変
調電流とバイアス電流がこの決められた比の値を保つよ
うに制御信号を変調回路２とＡＰＣ回路６に出力する機
能を組み合わせて使用することにより、高温動作時に発
光素子３の温度が上昇した場合においても、発光素子３
の温度変動とともに変調電流が調整され、かつ、調整さ
れた変調電流を基に、変調電流とバイアス電流が常に一
定の比となるように変調回路２とＡＰＣ回路６へ帰還が
掛かるようになるため、発光素子３の温度変化に併せて
変調電流とバイアス電流が制御できるようになり、発光
素子３の光出力パワーと消光比を常に一定に保つことが
できる。

【００４６】

【発明の効果】第１の発明によれば、発光素子の温度モ
ニター値を基に、温度変動検出回路により発光素子の温
度変動を検出し、消光比を一定に保つように制御信号を
変調回路へ出力する帰還機能を追加することにより、高
温動作時に発光素子の温度が設定値よりも上昇した場合
においても、この変調回路への帰還機能とＡＰＣ回路の
動作により、発光素子の光出力パワーと消光比を常に一
定に保つことができる。

【００４７】第２の発明によれば、発光素子の周囲温度
モニター値を基に、消光比を一定に保つように制御信号
を変調回路へ出力する帰還機能を追加することにより、
高温動作時に発光素子の温度が上昇した場合において
も、この変調回路への帰還機能とＡＰＣ回路の動作によ
り、発光素子の光出力パワーと消光比を常に一定に保つ
ことができる。

【００４８】第３の発明によれば、演算回路でモニター
した変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光
比、光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流
の比を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決め
られた比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ
回路に出力する機能を追加することにより、高温動作時
に発光素子の温度が設定値よりも上昇した場合において
も、変調電流とバイアス電流が一定の比となるように変
調回路２とＡＰＣ回路へ帰還が掛かるようになり、発光
素子の光出力パワーと消光比を常に一定に保つことがで
きる。

【００４９】第４の発明によれば、発光素子の温度モニ
ター値を基に、温度変動検出回路により発光素子の温度
変動を検出し、消光比を一定に保つように制御信号を変
調回路へ出力する帰還機能と、演算回路でモニターした
変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光比、光
出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比を
決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められた
比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ回路に
出力する機能を組み合わせて使用することにより、高温
動作時に発光素子の温度が設定値よりも上昇した場合に
おいても、発光素子の温度変動とともに変調電流が調整
され、かつ、調整された変調電流を基に、変調電流とバ
イアス電流が常に一定の比となるように変調回路とＡＰ
Ｃ回路へ帰還が掛かるようになるため、発光素子の温度
変化に併せて変調電流とバイアス電流が制御できるよう
になり、発光素子の光出力パワーと消光比を一定に保つ
ことができる。

【００５０】第５の発明によれば、発光素子の周囲温度
モニター値を基に、消光比を一定に保つように制御信号
を変調回路へ出力する帰還機能と、演算回路でモニター
した変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光
比、光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流
の比を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決め
られた比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ
回路に出力する機能を組み合わせて使用することによ
り、高温動作時に発光素子の温度が上昇した場合におい
ても、発光素子の温度変動とともに変調電流が調整さ
れ、かつ、調整された変調電流を基に、変調電流とバイ
アス電流が常に一定の比となるように変調回路とＡＰＣ
回路へ帰還が掛かるようになるため、発光素子の温度変
化に併せて変調電流とバイアス電流が制御できるように
なり、発光素子の光出力パワーと消光比を一定に保つこ
とができる。

【００５１】第６の発明によれば、演算回路でモニター
した変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光
比、光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流
の比を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決め
られた比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ
回路に出力する機能を追加することにより、高温動作時
に発光素子の温度が上昇した場合においても、変調電流
とバイアス電流が一定の比となるように変調回路とＡＰ
Ｃ回路へ帰還が掛かるようになり、発光素子の光出力パ
ワーと消光比を一定に保つことができる。

【００５２】第７の発明によれば、演算回路でモニター
した変調電流とバイアス電流を基に、常に最適な消光
比、光出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流
の比を決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決め
られた比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ
回路に出力する機能と、発光素子の温度モニター値を基
に、発光素子の温度を検出し、消光比を一定に保つよう
に制御信号を変調回路へ出力する帰還機能を組み合わせ
て使用することにより、高温動作時に発光素子の温度が
上昇した場合においても、発光素子の温度変動とともに
変調電流が調整され、かつ、調整された変調電流を基
に、変調電流とバイアス電流が常に一定の比となるよう
に変調回路とＡＰＣ回路へ帰還が掛かるようになるた
め、発光素子の温度変化に併せて変調電流とバイアス電
流が制御できるようになり、発光素子の光出力パワーと
消光比を一定に保つことができる。

【００５３】第８の発明によれば、発光素子の周囲温度
モニター値を基に、消光比を一定に保つように制御信号
を変調回路へ出力する帰還機能と、演算回路でモニター
した変調電流とバイアス電流を基に、適切な消光比、光
出力パワーとなるような変調電流とバイアス電流の比を
決めておき、変調電流とバイアス電流がこの決められた
比の値を保つように制御信号を変調回路とＡＰＣ回路に
出力する機能を組み合わせて使用することにより、高温
動作時に発光素子の温度が上昇した場合においても、発
光素子の温度変動とともに変調電流が調整され、かつ、
調整された変調電流を基に、変調電流とバイアス電流が
一定の比となるように変調回路とＡＰＣ回路へ帰還が掛
かるようになるため、発光素子の温度変化に併せて変調
電流とバイアス電流が制御できるようになり、発光素子
の光出力パワーと消光比を一定に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明による光送信器の実施の形態１を示
す図である。

【図２】 この発明による光送信器の実施の形態２を示
す図である。

【図３】 この発明による光送信器の実施の形態３を示
す図である。

【図４】 この発明による光送信器の実施の形態４を示
す図である。

【図５】 この発明による光送信器の実施の形態５を示
す図である。

【図６】 この発明による光送信器の実施の形態６を示
す図である。

【図７】 この発明による光送信器の実施の形態７を示
す図である。

【図８】 この発明による光送信器の実施の形態８を示
す図である。

【図９】 従来の送信器における発光素子の順方向電流
対光出力変換特性を示す図である。

【図１０】 従来の光送信器を示す図である。

【符号の説明】

１ データ入力端子、２ 変調回路、３ 発光素子、４
検出受光素子、５基準電流源、６ ＡＰＣ回路、７
バイアス電源、８ サーミスタ、９ 冷却素子、１０
冷却素子制御回路、１１ 温度変動検出回路、１２ 温
度検出回路、１３ 演算回路、１４ 発光素子温度検出
回路。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、発光素子が発光するために必要な電流を供給する
   基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検出受
   光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応した発
   光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔｏｍ
   ａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、前記検
   出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の温度を検
   出する温度検出素子と、前記発光素子の温度を制御する
   ための温度制御素子と、この温度制御素子の温度を制御
   する制御回路と、この制御回路でモニターした発光素子
   の温度モニター値を基に、発光素子が設定された温度か
   ら高い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇して
   いた場合には前記変調回路から出力される変調電流を調
   整するように制御信号を出力する温度変動検出回路とを
   備えたことを特徴とする光送信器。
2. 【請求項２】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の温度を
   検出する温度検出素子と、前記発光素子の温度を制御す
   るための温度制御素子と、この温度制御素子の温度を制
   御する制御回路と、前記発光素子の周囲温度を検出し、
   この検出した温度を基に、発光素子が設定された温度か
   ら高い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇して
   いた場合には前記変調回路から出力される変調電流を調
   整するように制御信号を出力する温度検出回路とを備え
   たことを特徴とする光送信器。
3. 【請求項３】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の温度を
   検出する温度検出素子と、前記発光素子の温度を制御す
   るための温度制御素子と、この温度制御素子の温度を制
   御する制御回路と、前記変調回路の出力である変調電流
   値と前記ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電流値をモニ
   ターし、変調電流とバイアス電流の比が設定されたある
   値に一定となるように、前記変調回路とＡＰＣ回路に制
   御信号を出力する演算回路とを備えたことを特徴とする
   光送信器。
4. 【請求項４】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の温度を
   検出する温度検出素子と、発光素子の温度を制御するた
   めの温度制御素子と、この温度制御素子の温度を制御す
   る制御回路と、この制御回路でモニターした発光素子の
   温度モニター値を基に、前記発光素子が設定された温度
   から高い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇し
   ていた場合には変調回路から出力される変調電流を調整
   するように制御信号を出力する温度変動検出回路と、前
   記変調回路の出力である変調電流値と、ＡＰＣ回路の出
   力であるバイアス電流値をモニターし、変調電流とバイ
   アス電流の比が設定されたある値に一定となるように、
   前記変調回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力する演算回
   路とを備えたことを特徴とする光送信器。
5. 【請求項５】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の温度を
   検出する温度検出素子と、前記発光素子の温度を制御す
   るための温度制御素子と、この温度制御素子の温度を制
   御する制御回路と、前記発光素子の周囲温度を検出し、
   この検出した温度を基に、発光素子が設定された温度か
   ら高い温度に上昇していないか検出し、温度が上昇して
   いた場合には前記変調回路から出力される変調電流を調
   整するように制御信号を出力する温度検出回路と、前記
   変調回路の出力である変調電流値と、ＡＰＣ回路の出力
   であるバイアス電流値をモニターし、変調電流とバイア
   ス電流の比が設定されたある値に一定となるように、前
   記変調回路とＡＰＣ回路に制御信号を出力する演算回路
   とを備えたことを特徴とする光送信器。
6. 【請求項６】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、発光素子が発光するために必要な電流を供給する
   基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検出受
   光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応した発
   光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔｏｍ
   ａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、検出受
   光素子のバイアス電源と、前記変調回路の出力である変
   調電流値と、ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電流値を
   モニターし、変調電流とバイアス電流の比が設定された
   ある値に一定となるように、前記変調回路とＡＰＣ回路
   に制御信号を出力する演算回路とを備えたことを特徴と
   する光送信器。
7. 【請求項７】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、発光素子の温度を検出
   する温度検出素子と、前記変調回路の出力である変調電
   流値と、ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電流値をモニ
   ターし、変調電流とバイアス電流の比が設定されたある
   値に一定となるように、前記変調回路とＡＰＣ回路に制
   御信号を出力する演算回路と、前記温度検出素子で検出
   した温度を基に、前記変調回路から出力される変調電流
   を調整するように制御信号を出力する発光素子温度検出
   回路とを備えたことを特徴とする光送信器。
8. 【請求項８】 入力された送信データ信号を変調制御
   し、変調電流を発光素子へ出力する変調回路と、前記発
   光素子の出力背面光を受光して光電変換する検出受光素
   子と、前記発光素子が発光するために必要な電流を供給
   する基準電流源と、前記検出受光素子にて変換された検
   出受光素子電流と基準電流源の基準電流との差に対応し
   た発光素子へのバイアス電流を供給するＡＰＣ（Ａｕｔ
   ｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路と、
   検出受光素子のバイアス電源と、前記発光素子の周囲温
   度を検出し、この検出した温度を基に、前記変調回路か
   ら出力される変調電流を調整するように制御信号を出力
   する温度検出回路と、前記変調回路の出力である変調電
   流値と、ＡＰＣ回路の出力であるバイアス電流値をモニ
   ターし、変調電流とバイアス電流の比が設定されたある
   値に一定となるように、前記変調回路とＡＰＣ回路に制
   御信号を出力する演算回路とを備えたことを特徴とする
   光送信器。