JP2962263B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JP2962263B2 JP2962263B2 JP9044757A JP4475797A JP2962263B2 JP 2962263 B2 JP2962263 B2 JP 2962263B2 JP 9044757 A JP9044757 A JP 9044757A JP 4475797 A JP4475797 A JP 4475797A JP 2962263 B2 JP2962263 B2 JP 2962263B2
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- current
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ；レーザダイオード）の駆動回路に関し、特に光ファ
イバ通信用光送信器に用いて好適とされる、ＬＤを高速
駆動する駆動回路に関する。
Ｄ；レーザダイオード）の駆動回路に関し、特に光ファ
イバ通信用光送信器に用いて好適とされる、ＬＤを高速
駆動する駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＤ駆動回路において、ＡＰＣ回
路（自動光出力制御回路）の出力電圧等で、差動対トラ
ンジスタの電流源となるトランジスタを制御して、周囲
温度の変化に応じてＬＤのパルス駆動電流を調整してい
た。図２は、この従来のＬＤ駆動回路の回路構成の一例
を示す図である。
路（自動光出力制御回路）の出力電圧等で、差動対トラ
ンジスタの電流源となるトランジスタを制御して、周囲
温度の変化に応じてＬＤのパルス駆動電流を調整してい
た。図２は、この従来のＬＤ駆動回路の回路構成の一例
を示す図である。
【０００３】図２を参照すると、この従来のＬＤ駆動回
路は、エミッタ電極を共通接続したトランジスタ対から
なる差動対トランジスタ１と、差動対トランジスタ１の
各ベース電圧を供給するエミッタフォロワー構成のトラ
ンジスタ２、３と、ＬＤにバイアス電流を供給するため
のトランジスタ４と、差動対トランジスタ１の電流源と
なるトランジスタ５と、トランジスタ２、３、４、５の
それぞれに一端が接続され他端が低位側電源に接続され
たエミッタ抵抗１０、１１、８、９と、ＡＰＣ回路１２
と、ＬＤ１３と、から構成されている。
路は、エミッタ電極を共通接続したトランジスタ対から
なる差動対トランジスタ１と、差動対トランジスタ１の
各ベース電圧を供給するエミッタフォロワー構成のトラ
ンジスタ２、３と、ＬＤにバイアス電流を供給するため
のトランジスタ４と、差動対トランジスタ１の電流源と
なるトランジスタ５と、トランジスタ２、３、４、５の
それぞれに一端が接続され他端が低位側電源に接続され
たエミッタ抵抗１０、１１、８、９と、ＡＰＣ回路１２
と、ＬＤ１３と、から構成されている。
【０００４】差動対トランジスタ１の一方のトランジス
タのコレクタ電極は、ＬＤバイアス電流供給源トランジ
スタ４のコレクタ電極と共通にＬＤ１３のカソード電極
に接続されており、電流源トランジスタ５のコレクタ電
極は差動対トランジスタ１の共通エミッタ電極に接続さ
れており、トランジスタ４、５のベース電極は、ＡＰＣ
回路１２からの制御電圧出力に接続されている。
タのコレクタ電極は、ＬＤバイアス電流供給源トランジ
スタ４のコレクタ電極と共通にＬＤ１３のカソード電極
に接続されており、電流源トランジスタ５のコレクタ電
極は差動対トランジスタ１の共通エミッタ電極に接続さ
れており、トランジスタ４、５のベース電極は、ＡＰＣ
回路１２からの制御電圧出力に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示した従来のＬ
Ｄ駆動回路においては、ＬＤ１３のパルス駆動電流を増
減すると、ＬＤ駆動用の差動対トランジスタ１の帯域が
変化してしまい、その結果、ＬＤのパルス電流波形が変
化し、その結果、周囲温度の変化によって、リンギング
等に代表されるように、光出力波形が変化してしまう、
という問題点があった。
Ｄ駆動回路においては、ＬＤ１３のパルス駆動電流を増
減すると、ＬＤ駆動用の差動対トランジスタ１の帯域が
変化してしまい、その結果、ＬＤのパルス電流波形が変
化し、その結果、周囲温度の変化によって、リンギング
等に代表されるように、光出力波形が変化してしまう、
という問題点があった。
【０００６】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、ＬＤのパルス電
流波形が変化した場合でも、光出力波形のスピードを維
持することを可能としたＬＤ駆動回路を提供することに
ある。
てなされたものであって、その目的は、ＬＤのパルス電
流波形が変化した場合でも、光出力波形のスピードを維
持することを可能としたＬＤ駆動回路を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のＬＤ駆動回路は、半導体レーザに駆動電流
を供給する差動対トランジスタと、レーザダイオードに
バイアス電流を供給するトランジスタと、前記差動対ト
ランジスタを駆動するエミッタフォロワートランジスタ
対と、を備え、前記前記半導体レーザを交流的に駆動す
るパルス駆動電流をＡＰＣ電圧で制御するようにした半
導体レーザの駆動回路において、前記エミッタフォロワ
ートランジスタ対に電流制御用トランジスタをそれぞれ
接続し、前記電流制御用トランジスタのベース端子に前
記ＡＰＣ電圧を供給するとともに、前記差動対トランジ
スタの共通エミッタに接続する電流源トランジスタのベ
ース端子にも前記ＡＰＣ電圧が供給され、前記差動対ト
ランジスタのパルス駆動電流が変化し前記差動対トラン
ジスタのスピードが変動した場合でも、前記エミッタフ
ォロワートランジスタのスピードが可変し、これにより
前記差動対トランジスタのスピードの変動分を相殺す
る、ことを特徴とする。
め、本発明のＬＤ駆動回路は、半導体レーザに駆動電流
を供給する差動対トランジスタと、レーザダイオードに
バイアス電流を供給するトランジスタと、前記差動対ト
ランジスタを駆動するエミッタフォロワートランジスタ
対と、を備え、前記前記半導体レーザを交流的に駆動す
るパルス駆動電流をＡＰＣ電圧で制御するようにした半
導体レーザの駆動回路において、前記エミッタフォロワ
ートランジスタ対に電流制御用トランジスタをそれぞれ
接続し、前記電流制御用トランジスタのベース端子に前
記ＡＰＣ電圧を供給するとともに、前記差動対トランジ
スタの共通エミッタに接続する電流源トランジスタのベ
ース端子にも前記ＡＰＣ電圧が供給され、前記差動対ト
ランジスタのパルス駆動電流が変化し前記差動対トラン
ジスタのスピードが変動した場合でも、前記エミッタフ
ォロワートランジスタのスピードが可変し、これにより
前記差動対トランジスタのスピードの変動分を相殺す
る、ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、エミッタ電極を共通接続
してなる差動対トランジスタと、差動対トランジスタを
駆動する第１、第２のエミッタフォロワートランジスタ
と、レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタ
と、前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、
ＡＰＣ回路と、レーザダイオードと、前記差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通に前記
レーザダイオードのカソード電極に接続されてなる半導
体レーザ駆動回路において、前記第１、第２のエミッタ
フォロワートランジスタの電流をそれぞれ設定する第
１、第２の電流制御トランジスタを備え、前記ＬＤバイ
アス電流供給トランジスタと、前記差動対トランジスタ
の電流源トランジスタと、前記第１、第２の電流制御ト
ランジスタのベース電極は前記ＡＰＣ回路からの制御電
圧出力と接続されたことを特徴とする。
してなる差動対トランジスタと、差動対トランジスタを
駆動する第１、第２のエミッタフォロワートランジスタ
と、レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタ
と、前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、
ＡＰＣ回路と、レーザダイオードと、前記差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通に前記
レーザダイオードのカソード電極に接続されてなる半導
体レーザ駆動回路において、前記第１、第２のエミッタ
フォロワートランジスタの電流をそれぞれ設定する第
１、第２の電流制御トランジスタを備え、前記ＬＤバイ
アス電流供給トランジスタと、前記差動対トランジスタ
の電流源トランジスタと、前記第１、第２の電流制御ト
ランジスタのベース電極は前記ＡＰＣ回路からの制御電
圧出力と接続されたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明のＬＤ駆動回路は、その好ましい実
施の形態において、エミッタ電極を共通接続してなる差
動対トランジスタ（図１の１）と、差動対トランジスタ
を駆動する第１、第２のエミッタフォロワートランジス
タ（図１の２、３）と、ＬＤバイアス電流供給トランジ
スタ（図１の４）と、差動対トランジスタの電流源とな
るトランジスタ（図１の５）と、ＡＰＣ回路（図１の１
２）と、ＬＤ（図１の１３）と、を備え、差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通にＬＤ
のカソード電極に接続され、第１、第２のエミッタフォ
ロワートランジスタ（図１の２、３）の電流をそれぞれ
設定するためのエミッタフォロワートランジスタに接続
された第１、第２の電流制御トランジスタ（図１の６、
７）を備え、ＬＤバイアス電流供給トランジスタ（図１
の４）と、差動対トランジスタの電流源トランジスタ
（図１の５）と、第１、第２の電流制御トランジスタ
（図１の６、７）のベース電極はＡＰＣ回路（図１の１
２）からの制御電圧出力と接続され、ＡＰＣ回路からの
制御電圧出力で、差動対トランジスタを駆動するエミッ
タフォロワートランジスタのエミッタ電流を制御する、
構成とされている。
に説明する。本発明のＬＤ駆動回路は、その好ましい実
施の形態において、エミッタ電極を共通接続してなる差
動対トランジスタ（図１の１）と、差動対トランジスタ
を駆動する第１、第２のエミッタフォロワートランジス
タ（図１の２、３）と、ＬＤバイアス電流供給トランジ
スタ（図１の４）と、差動対トランジスタの電流源とな
るトランジスタ（図１の５）と、ＡＰＣ回路（図１の１
２）と、ＬＤ（図１の１３）と、を備え、差動対トラン
ジスタの一方のコレクタ電極は、レーザダイオードバイ
アス電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通にＬＤ
のカソード電極に接続され、第１、第２のエミッタフォ
ロワートランジスタ（図１の２、３）の電流をそれぞれ
設定するためのエミッタフォロワートランジスタに接続
された第１、第２の電流制御トランジスタ（図１の６、
７）を備え、ＬＤバイアス電流供給トランジスタ（図１
の４）と、差動対トランジスタの電流源トランジスタ
（図１の５）と、第１、第２の電流制御トランジスタ
（図１の６、７）のベース電極はＡＰＣ回路（図１の１
２）からの制御電圧出力と接続され、ＡＰＣ回路からの
制御電圧出力で、差動対トランジスタを駆動するエミッ
タフォロワートランジスタのエミッタ電流を制御する、
構成とされている。
【００１０】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図１は、本発明の一実施例のＬＤ駆
動回路の回路構成を示す図である。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図１は、本発明の一実施例のＬＤ駆
動回路の回路構成を示す図である。
【００１１】図１を参照すると、本実施例のＬＤ駆動回
路は、エミッタ電極を共通接続した差動対トランジスタ
１と、差動対トランジスタ１のベース電圧を供給するエ
ミッタフォロワー構成トランジスタ２、３と、ＬＤバイ
アス電流供給トランジスタ４と、差動対トランジスタ１
の電流源となるトランジスタ５と、エミッタフォロワー
構成のトランジスタ２、３に流れる電流を設定するため
のトランジスタ６、７と、トランジスタ４、５、６、７
のそれぞれのエミッタ抵抗８、９、１０、１１と、ＡＰ
Ｃ回路１２と、ＬＤ１３と、から、構成されている。
路は、エミッタ電極を共通接続した差動対トランジスタ
１と、差動対トランジスタ１のベース電圧を供給するエ
ミッタフォロワー構成トランジスタ２、３と、ＬＤバイ
アス電流供給トランジスタ４と、差動対トランジスタ１
の電流源となるトランジスタ５と、エミッタフォロワー
構成のトランジスタ２、３に流れる電流を設定するため
のトランジスタ６、７と、トランジスタ４、５、６、７
のそれぞれのエミッタ抵抗８、９、１０、１１と、ＡＰ
Ｃ回路１２と、ＬＤ１３と、から、構成されている。
【００１２】差動対トランジスタ１の一方のトランジス
タのコレクタ電極は、ＬＤバイアス電流供給源トランジ
スタ４のコレクタ電極と共通に、ＬＤ１３のカソード電
極に接続されており、電流源トランジスタ５のコレクタ
電極は、差動対トランジスタ１の共通エミッタ電極に接
続されており、差動対トランジスタ１を駆動するエミッ
タフォロワー構成のトランジスタ２、３のエミッタ電極
は、それぞれトランジスタ５、６のコレクタ電極と接続
されており、また、トランジスタ４、５、６、７のエミ
ッタ電極は、それぞれ、エミッタ抵抗８、９、１０、１
１を介して、低電位側電源に接続されており、トランジ
スタ４、５、６、７のベース電極は、共通に、ＡＰＣ回
路１２からの制御電圧出力と接続されており、ＡＰＣ回
路１２からの制御電圧出力で、差動対トランジスタ１を
駆動するエミッタフォロワー構成のトランジスタ２、３
のエミッタ電流を制御している。
タのコレクタ電極は、ＬＤバイアス電流供給源トランジ
スタ４のコレクタ電極と共通に、ＬＤ１３のカソード電
極に接続されており、電流源トランジスタ５のコレクタ
電極は、差動対トランジスタ１の共通エミッタ電極に接
続されており、差動対トランジスタ１を駆動するエミッ
タフォロワー構成のトランジスタ２、３のエミッタ電極
は、それぞれトランジスタ５、６のコレクタ電極と接続
されており、また、トランジスタ４、５、６、７のエミ
ッタ電極は、それぞれ、エミッタ抵抗８、９、１０、１
１を介して、低電位側電源に接続されており、トランジ
スタ４、５、６、７のベース電極は、共通に、ＡＰＣ回
路１２からの制御電圧出力と接続されており、ＡＰＣ回
路１２からの制御電圧出力で、差動対トランジスタ１を
駆動するエミッタフォロワー構成のトランジスタ２、３
のエミッタ電流を制御している。
【００１３】高温の場合、ＡＰＣ回路１２からの出力電
圧は高電位となるので、差動対トランジスタ１のパルス
駆動電流は増大し、このため差動対トランジスタ１のス
ピードは低減することになる。
圧は高電位となるので、差動対トランジスタ１のパルス
駆動電流は増大し、このため差動対トランジスタ１のス
ピードは低減することになる。
【００１４】しかしながら、本実施例においては、この
場合、ＡＰＣ回路１２の出力を共通にベース入力とする
トランジスタ６、７のベース電圧は高くなっているの
で、エミッタ電流は増大し、エミッタフォロワー構成の
トランジスタ２、３のスピードは増大して、差動対トラ
ンジスタ１のスピード低減分と相殺することとなり、高
温でも、光波形のスピードは維持されることとなる。
場合、ＡＰＣ回路１２の出力を共通にベース入力とする
トランジスタ６、７のベース電圧は高くなっているの
で、エミッタ電流は増大し、エミッタフォロワー構成の
トランジスタ２、３のスピードは増大して、差動対トラ
ンジスタ１のスピード低減分と相殺することとなり、高
温でも、光波形のスピードは維持されることとなる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＤ駆動
回路によれば、ＬＤのパルス電流波形が変化した場合で
も、光出力波形のスピードを維持することができる、と
いう効果を奏する。
回路によれば、ＬＤのパルス電流波形が変化した場合で
も、光出力波形のスピードを維持することができる、と
いう効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例の回路構成を示す図である。
【図２】従来のＬＤ駆動回路の回路構成の一例を示す図
である。
である。
１ 差動対トランジスタ ２ トランジスタ ３ トランジスタ ４ トランジスタ ５ トランジスタ ６ トランジスタ ７ トランジスタ ８ 抵抗器 ９ 抵抗器 １０ 抵抗器 １１ 抵抗器 １２ ＡＰＣ回路 １３ ＬＤ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザに駆動電流を供給する差動対
トランジスタと、 レーザダイオードにバイアス電流を供給するトランジス
タと、 前記差動対トランジスタを駆動するエミッタフォロワー
トランジスタ対と、を備え、 前記半導体レーザを交流的に駆動するパルス駆動電流を
ＡＰＣ電圧で制御するようにした半導体レーザの駆動回
路において、 前記エミッタフォロワートランジスタ対に電流制御用ト
ランジスタをそれぞれ接続し、前記電流制御用トランジ
スタのベース端子に前記ＡＰＣ電圧を供給するととも
に、前記差動対トランジスタの共通エミッタに接続する
電流源トランジスタのベース端子にも前記ＡＰＣ電圧が
供給され、前記差動対トランジスタのパルス駆動電流が
変化し前記差動対トランジスタのスピードが変動した場
合でも、前記エミッタフォロワートランジスタのスピー
ドが可変し、これにより前記差動対トランジスタのスピ
ードの変動分を相殺する、ことを特徴とする半導体レー
ザの駆動回路。 - 【請求項２】前記差動対トランジスタのパルス駆動電流
が増大／減少して前記差動対トランジスタのスピードが
低減／増大した場合に、前記エミッタフォロワートラン
ジスタのスピードが増大／低減し、これにより前記差動
対トランジスタのスピードの低減／増大分を相殺する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザの駆動回
路。 - 【請求項３】エミッタ電極を共通接続してなる差動対ト
ランジスタと、 前記差動対トランジスタを駆動する第１、第２のエミッ
タフォロワートランジスタと、 レーザダイオードバイアス電流供給トランジスタと、 前記差動対トランジスタの電流源トランジスタと、 ＡＰＣ回路と、 レーザダイオードと、を備え前記差動対トランジスタの
一方のコレクタ電極は、前記レーザダイオードバイアス
電流供給トランジスタのコレクタ電極と共通に前記レー
ザダイオードのカソード電極に接続されてなる半導体レ
ーザ駆動回路において、 前記第１、第２のエミッタフォロワートランジスタの電
流をそれぞれ設定する第１、第２の電流制御トランジス
タを備え、 前記ＬＤバイアス電流供給トランジスタと、前記差動対
トランジスタの電流源トランジスタと、前記第１、第２
の電流制御トランジスタのベース電極は前記ＡＰＣ回路
からの制御電圧出力と接続され、前記差動対トランジス
タのパルス駆動電流が増大／減少して前記差動対トラン
ジスタのスピードが低減／増大した場合に、前記エミッ
タフォロワートランジスタのスピードが増大／低減し、
これにより前記差動対トランジスタのスピードの低減／
増大分を相殺する、ことを特徴とする半導体レーザ駆動
回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044757A JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US09/023,085 US6072816A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-13 | Laser-diode drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044757A JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229232A JPH10229232A (ja) | 1998-08-25 |
| JP2962263B2 true JP2962263B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=12700313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044757A Expired - Lifetime JP2962263B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072816A (ja) |
| JP (1) | JP2962263B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3668612B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール |
| JP3740291B2 (ja) | 1998-08-24 | 2006-02-01 | 日本オプネクスト株式会社 | 光送信器 |
| WO2002037622A2 (en) | 2000-11-06 | 2002-05-10 | Vitesse Semiconductor Corporation | Method of controlling the turn off characteristics of a vcsel diode |
| JP2005340517A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザモジュール |
| US20080117944A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Nlight Photonics Corporation | Diode laser ramping power supply |
| US9305237B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-04-05 | Polestar Technologies, Inc. | Methods and systems for detection and identification of concealed materials |
| CN102593713B (zh) * | 2012-03-07 | 2014-05-07 | 山东大学 | 一种模拟半导体激光器自动功率控制的电路 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4594717A (en) * | 1984-03-27 | 1986-06-10 | Optical Storage International-U.S. | Driver circuit for laser diode |
| JPS62502300A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-09-03 | ベル・コミュニケ−ションズ・リサ−チ・インコ−ポレ−テッド | 注入レ−ザ温度安定化装置 |
| JPH01115181A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザの駆動回路 |
| JPH06103766B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1994-12-14 | 日本電気株式会社 | レーザダイオード駆動回路 |
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