JPH0132372Y2 - - Google Patents
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- JPH0132372Y2 JPH0132372Y2 JP271382U JP271382U JPH0132372Y2 JP H0132372 Y2 JPH0132372 Y2 JP H0132372Y2 JP 271382 U JP271382 U JP 271382U JP 271382 U JP271382 U JP 271382U JP H0132372 Y2 JPH0132372 Y2 JP H0132372Y2
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- Japan
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- circuit
- laser diode
- drive circuit
- bias
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- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、集積回路化されたレーザーダイオー
ド駆動回路に関する。
ド駆動回路に関する。
レーザーダイオード（LD）駆動回路は、パル
ス電流を供給するパルス駆動回路と、直流バイア
ス電流を供給する直流バイアス供給回路からな
る。近年光中継器等の集積回路（IC）化に伴な
い、LD駆動回路もIC化されて、パルス駆動回路
および直流バイアス供給回路が一体化されたIC
として実現されている。
ス電流を供給するパルス駆動回路と、直流バイア
ス電流を供給する直流バイアス供給回路からな
る。近年光中継器等の集積回路（IC）化に伴な
い、LD駆動回路もIC化されて、パルス駆動回路
および直流バイアス供給回路が一体化されたIC
として実現されている。
第１図は、このようなIC化されたレーザーダ
イオード駆動回路の一例を示す。すなわち、トラ
ンジスタT1，T2のエミツタを共通に接続して定
電流回路i1（IC内蔵回路である）に接続し、トラ
ンジスタT1のコレクタは抵抗を介して電源Ｖに
接続し、トランジスタT2のコレクタは抵抗およ
びレーザーダイオード１を通して電源Ｖに接続さ
れている。トランジスタT1，T2等はパルス駆動
回路を構成していて、トランジスタT1，T2のベ
ースに正負パルスを印加することにより一定電流
のパルスをレーザーダイオード１に流すことがで
きる。トランジスタT3，T4のエミツタは共通に
接続されて、定電流回路i2に接続され、トランジ
スタT3のコレクタは抵抗を通して前記レーザー
ダイオード１のカソードに接続され、トランジス
タT4のコレクタは抵抗を通して電源Ｖに接続さ
れる。トランジスタT3，T4等で直流バイアス供
給回路を構成し、トランジスタT3，T4のベース
には自動電力制御回路２の出力が接続される。そ
して、レーザーダイオード１の発光パルスを自動
電力制御回路（APC回路）２で受けて、光パル
ス電力が一定になるようにトランジスタT3に流
れる電流を制御する。トランジスタT3に流れる
電流、すなわちレーザーダイオードの直流バイア
ス電流は、トランジスタT3，T4のベースに印加
する電圧によつて定電流回路i2に流れる定電流の
分配比を増減することにより制御される。従つ
て、レーザーダイオード１が例えば経年変化によ
つて劣化し、一定パワーを出力するためにより大
きな直流バイアス電流を必要とするときは、
APC回路２の出力によつて直流バイアス電流を
制御することにより、出力光パルスが一定に保た
れる。
イオード駆動回路の一例を示す。すなわち、トラ
ンジスタT1，T2のエミツタを共通に接続して定
電流回路i1（IC内蔵回路である）に接続し、トラ
ンジスタT1のコレクタは抵抗を介して電源Ｖに
接続し、トランジスタT2のコレクタは抵抗およ
びレーザーダイオード１を通して電源Ｖに接続さ
れている。トランジスタT1，T2等はパルス駆動
回路を構成していて、トランジスタT1，T2のベ
ースに正負パルスを印加することにより一定電流
のパルスをレーザーダイオード１に流すことがで
きる。トランジスタT3，T4のエミツタは共通に
接続されて、定電流回路i2に接続され、トランジ
スタT3のコレクタは抵抗を通して前記レーザー
ダイオード１のカソードに接続され、トランジス
タT4のコレクタは抵抗を通して電源Ｖに接続さ
れる。トランジスタT3，T4等で直流バイアス供
給回路を構成し、トランジスタT3，T4のベース
には自動電力制御回路２の出力が接続される。そ
して、レーザーダイオード１の発光パルスを自動
電力制御回路（APC回路）２で受けて、光パル
ス電力が一定になるようにトランジスタT3に流
れる電流を制御する。トランジスタT3に流れる
電流、すなわちレーザーダイオードの直流バイア
ス電流は、トランジスタT3，T4のベースに印加
する電圧によつて定電流回路i2に流れる定電流の
分配比を増減することにより制御される。従つ
て、レーザーダイオード１が例えば経年変化によ
つて劣化し、一定パワーを出力するためにより大
きな直流バイアス電流を必要とするときは、
APC回路２の出力によつて直流バイアス電流を
制御することにより、出力光パルスが一定に保た
れる。
しかし、レーザーダイオードは、その発光波長
によつても異なるが、未だ開発段階のものが多
く、また製品化されたものでも特性のバラツキが
大である。特に、発光開始電流が個々の製品によ
つて大へん異なつている。発光開始電流の製品ご
との差は、従来のデイスクリートな駆動回路で
は、LD駆動回路の抵抗を取り換えること等によ
つて対処していたが上述のIC化された駆動回路
では、上述の直流バイアス供給回路に印加する
APC出力によつて修正している。従つて、上述
の従来の駆動回路は、LDの経年変化、温度変化
等に対応する直流バイアス変化のみならず、個々
の製品の初期特性の相違をも補償しなければなら
ない。個個の製品の初期特性をAPC回路によつ
て補償するということは、換言すれば、APC回
路の動作中心をずらせるということであり、
APC回路本来の機能であるLDの経年変化、温度
変化に対する補償機能を低下させることになる。
すなわち、APCの実質的な調整可能幅が減少す
るという重大な欠点がある。
によつても異なるが、未だ開発段階のものが多
く、また製品化されたものでも特性のバラツキが
大である。特に、発光開始電流が個々の製品によ
つて大へん異なつている。発光開始電流の製品ご
との差は、従来のデイスクリートな駆動回路で
は、LD駆動回路の抵抗を取り換えること等によ
つて対処していたが上述のIC化された駆動回路
では、上述の直流バイアス供給回路に印加する
APC出力によつて修正している。従つて、上述
の従来の駆動回路は、LDの経年変化、温度変化
等に対応する直流バイアス変化のみならず、個々
の製品の初期特性の相違をも補償しなければなら
ない。個個の製品の初期特性をAPC回路によつ
て補償するということは、換言すれば、APC回
路の動作中心をずらせるということであり、
APC回路本来の機能であるLDの経年変化、温度
変化に対する補償機能を低下させることになる。
すなわち、APCの実質的な調整可能幅が減少す
るという重大な欠点がある。
本考案の目的は、上述の従来の欠点を解決し、
LDの経年変化、温度変化特性を充分補償するこ
とが可能なレーザーダイオード駆動回路を提供す
ることにある。
LDの経年変化、温度変化特性を充分補償するこ
とが可能なレーザーダイオード駆動回路を提供す
ることにある。
本考案の駆動回路、レーザーダイオードにパル
ス電流叉はパルス電流とバイアス電流を供給する
集積回路化されたレーザーダイオード駆動回路に
おいて、該駆動回路の外部に並列に接続され可変
の定電流回路を含む外部直流バイアス電流供給回
路を備えたことを特徴とする。
ス電流叉はパルス電流とバイアス電流を供給する
集積回路化されたレーザーダイオード駆動回路に
おいて、該駆動回路の外部に並列に接続され可変
の定電流回路を含む外部直流バイアス電流供給回
路を備えたことを特徴とする。
なお、上記外部直流バイアス供給回路を自動電
力制御回路の出力によつて制御可能な回路とすれ
ば、IC化された駆動回路には直流バイアス供給
回路を設ける必要がない。
力制御回路の出力によつて制御可能な回路とすれ
ば、IC化された駆動回路には直流バイアス供給
回路を設ける必要がない。
次に、本考案について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第２図は、本考案の一実施例を示す回路図であ
る。すなわち、トランジスタT1〜T4、定電流回
路i1，i2等を内蔵する従来と同様にIC化されたレ
ーザーダイオード駆動回路３に並列に、トランジ
スタT5，T6定電流回路i3等で構成される外部バ
イアス電流供給回路４を接続する。トランジスタ
T1，T2等でパルス駆動回路を構成し、トランジ
スタT1，T2のベースに正負パルスを印加するこ
とにより、トランジスタT2がオンした期間に一
定電流のパルスによりレーザーダイオード１を駆
動することおよびAPC回路２の出力により、ト
ランジスタT3，T4等で構成される直流バイアス
供給回路の直流バイアス電流を制御することがで
きる。しかし、本実施例では外部直流バイアス供
給回路４によつて、設定時におけるLDの特性の
相異を補償することが可能である。すなわち、ト
ランジスタT5，T6のエミツタは共通に接続して
定電流回路i3に接続し、トランジスタT5のコレク
タは抵抗を介してレーザーダイオード１のカソー
ドに接続し、トランジスタT6のコレクタは抵抗
を通して電源Ｖに接続する。また、トランジスタ
T5，T6のベースはAPC回路２の出力に接続す
る。定電流回路i3の定電流は、トランジスタT7の
ベースに供給する電圧VRを可変することにより
可変である。従つて、例えば初期設定時におい
て、APC回路の制御出力が零になるように、定
電流回路i3を調整することにより、レーザーダイ
オード１の初期特性のバラツキを補償することが
できる。すなわち、その後の経年変化、温度変化
等に基づく特性の変化は、IC化された駆動回路
３内の直流バイアス供給回路および外部直流バイ
アス供給回路４に供給されるAPC回路２の制御
電圧によつて直流バイアス電流が制御されて補償
される。従つて、本来のレーザーダイオードの経
年変化および温度変化による特性変化は、APC
回路２の動作範囲によつて充分補償され、一定パ
ワーの光パルスを発生させることが可能である。
上述の外部直流バイアス供給回路４は、例えば単
なる可変抵抗をレーザーダイオードのカソードと
電源Ｖの負側間に接続したものであつても一応の
目的を達成させることが可能である。すなわち、
単なる可変抵抗のみであつても良い。この場合抵
抗は不完全ながら定電流回路を構成している。し
かし、上述の実施例のように、APC回路によつ
て制御されるものである場合は、IC化された駆
動回路内の直流バイアス供給回路と協動すること
により、より効果的にその後の経年変化等に対応
することができる。また、IC化された駆動回路
３内の直流バイアス供給回路を省略して、第３図
に示すように構成することも可能である。
る。すなわち、トランジスタT1〜T4、定電流回
路i1，i2等を内蔵する従来と同様にIC化されたレ
ーザーダイオード駆動回路３に並列に、トランジ
スタT5，T6定電流回路i3等で構成される外部バ
イアス電流供給回路４を接続する。トランジスタ
T1，T2等でパルス駆動回路を構成し、トランジ
スタT1，T2のベースに正負パルスを印加するこ
とにより、トランジスタT2がオンした期間に一
定電流のパルスによりレーザーダイオード１を駆
動することおよびAPC回路２の出力により、ト
ランジスタT3，T4等で構成される直流バイアス
供給回路の直流バイアス電流を制御することがで
きる。しかし、本実施例では外部直流バイアス供
給回路４によつて、設定時におけるLDの特性の
相異を補償することが可能である。すなわち、ト
ランジスタT5，T6のエミツタは共通に接続して
定電流回路i3に接続し、トランジスタT5のコレク
タは抵抗を介してレーザーダイオード１のカソー
ドに接続し、トランジスタT6のコレクタは抵抗
を通して電源Ｖに接続する。また、トランジスタ
T5，T6のベースはAPC回路２の出力に接続す
る。定電流回路i3の定電流は、トランジスタT7の
ベースに供給する電圧VRを可変することにより
可変である。従つて、例えば初期設定時におい
て、APC回路の制御出力が零になるように、定
電流回路i3を調整することにより、レーザーダイ
オード１の初期特性のバラツキを補償することが
できる。すなわち、その後の経年変化、温度変化
等に基づく特性の変化は、IC化された駆動回路
３内の直流バイアス供給回路および外部直流バイ
アス供給回路４に供給されるAPC回路２の制御
電圧によつて直流バイアス電流が制御されて補償
される。従つて、本来のレーザーダイオードの経
年変化および温度変化による特性変化は、APC
回路２の動作範囲によつて充分補償され、一定パ
ワーの光パルスを発生させることが可能である。
上述の外部直流バイアス供給回路４は、例えば単
なる可変抵抗をレーザーダイオードのカソードと
電源Ｖの負側間に接続したものであつても一応の
目的を達成させることが可能である。すなわち、
単なる可変抵抗のみであつても良い。この場合抵
抗は不完全ながら定電流回路を構成している。し
かし、上述の実施例のように、APC回路によつ
て制御されるものである場合は、IC化された駆
動回路内の直流バイアス供給回路と協動すること
により、より効果的にその後の経年変化等に対応
することができる。また、IC化された駆動回路
３内の直流バイアス供給回路を省略して、第３図
に示すように構成することも可能である。
第３図は、本考案の他の実施例を示す回路図で
あつて、IC化された駆動回路３′はパルス駆動回
路のみとされている。すなわち、トランジスタ
T1，T2および定電流回路i1等によつて構成され、
トランジスタT1，T2のベースに印加される正負
パルスによつてレーザーダイオード１に駆動パル
スを供給する。この駆動回路に、外部直流バイア
ス供給回路４を並列接続して、レーザーダイオー
ド１に直流バイアス電流を供給する。外部直流バ
イアス供給回路４は、トランジスタT5，T6のエ
ミツタを共通に接続して定電流回路i3に接続し、
トランジスタT5のコレクタは抵抗を通してレー
ザーダイオード１のカソードに接続し、トランジ
スタT6のコレクタは抵抗を介して電源Ｖに接続
する。トランジスタT5，T6のベースにはAPC回
路２から制御信号が入力されている。この場合、
外部直流バイアス供給回路４は、トランジスタ
T7のベースに供給する電圧VRによつて、定電流
回路i3の供給する定電流値が可変される。この定
電流値の可変によつて、個々のレーザーダイオー
ドの初期特性の差異を補償することが可能であ
り、トランジスタT5，T6のベースに供給される
制御信号によつて、経年変化、温度変化等に対す
る特性変化に対応することが可能である。すなわ
ち、IC化された駆動回路３′は、パルス駆動回路
のみで構成され簡略化されている。ICの発熱量
を減少させICの信頼性が向上し、寿命が延長さ
れるという利点もある。
あつて、IC化された駆動回路３′はパルス駆動回
路のみとされている。すなわち、トランジスタ
T1，T2および定電流回路i1等によつて構成され、
トランジスタT1，T2のベースに印加される正負
パルスによつてレーザーダイオード１に駆動パル
スを供給する。この駆動回路に、外部直流バイア
ス供給回路４を並列接続して、レーザーダイオー
ド１に直流バイアス電流を供給する。外部直流バ
イアス供給回路４は、トランジスタT5，T6のエ
ミツタを共通に接続して定電流回路i3に接続し、
トランジスタT5のコレクタは抵抗を通してレー
ザーダイオード１のカソードに接続し、トランジ
スタT6のコレクタは抵抗を介して電源Ｖに接続
する。トランジスタT5，T6のベースにはAPC回
路２から制御信号が入力されている。この場合、
外部直流バイアス供給回路４は、トランジスタ
T7のベースに供給する電圧VRによつて、定電流
回路i3の供給する定電流値が可変される。この定
電流値の可変によつて、個々のレーザーダイオー
ドの初期特性の差異を補償することが可能であ
り、トランジスタT5，T6のベースに供給される
制御信号によつて、経年変化、温度変化等に対す
る特性変化に対応することが可能である。すなわ
ち、IC化された駆動回路３′は、パルス駆動回路
のみで構成され簡略化されている。ICの発熱量
を減少させICの信頼性が向上し、寿命が延長さ
れるという利点もある。
以上のように、本考案においては、IC化され
たレーザーダイオード駆動回路に並列に、外部直
流バイアス電流供給回路を接続し、該外部直流バ
イアス供給回路は可変の定電流回路を含んだ構成
としたから、個々のレーザーダイオードの初期特
性の相異は、該外部直流バイアス供給回路によつ
て補償することができる。従つて、本来の経年変
化、温度変化等による特性変動に対して充分対応
することができる。なお、上記外部直流バイアス
供給回路自体を、APC回路の出力する制御信号
によつて制御可能に構成すれば、IC化された駆
動回路をパルス駆動回路のみで構成することが可
能となり、ICの簡略化、低発熱化が可能で、信
頼性の向上、寿命の延長等の利点を生じる。
たレーザーダイオード駆動回路に並列に、外部直
流バイアス電流供給回路を接続し、該外部直流バ
イアス供給回路は可変の定電流回路を含んだ構成
としたから、個々のレーザーダイオードの初期特
性の相異は、該外部直流バイアス供給回路によつ
て補償することができる。従つて、本来の経年変
化、温度変化等による特性変動に対して充分対応
することができる。なお、上記外部直流バイアス
供給回路自体を、APC回路の出力する制御信号
によつて制御可能に構成すれば、IC化された駆
動回路をパルス駆動回路のみで構成することが可
能となり、ICの簡略化、低発熱化が可能で、信
頼性の向上、寿命の延長等の利点を生じる。
第１図は従来のIC化されたレーザーダイオー
ド駆動回路の一例を示す回路図、第２図は本考案
の一実施例を示す回路図、第３図は本考案の他の
実施例を示す回路図である。 図において、１……レーザーダイオード、２…
…自動電力制御回路、３，３′……IC化されたレ
ーザーダイオード駆動回路、４……外部直流バイ
アス供給回路、T1〜T6……トランジスタ、i1〜i3
……定電流回路。
ド駆動回路の一例を示す回路図、第２図は本考案
の一実施例を示す回路図、第３図は本考案の他の
実施例を示す回路図である。 図において、１……レーザーダイオード、２…
…自動電力制御回路、３，３′……IC化されたレ
ーザーダイオード駆動回路、４……外部直流バイ
アス供給回路、T1〜T6……トランジスタ、i1〜i3
……定電流回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) レーザーダイオードにパルス電流叉はパルス
電流とバイアス電流を供給する集積回路化され
たレーザーダイオード駆動回路において、該駆
動回路の外部に並列に接続され可変の定電流回
路を含む外部直流バイアス電流供給回路を備え
たことを特徴とするレーザーダイオード駆動回
路。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項記載のレーザ
ーダイオード駆動回路において、前記外部直流
バイアス電流供給回路は、自動電力制御回路の
出力によつてバイアス電流が制御されることを
特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP271382U JPS58106962U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP271382U JPS58106962U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106962U JPS58106962U (ja) | 1983-07-21 |
| JPH0132372Y2 true JPH0132372Y2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=30015675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP271382U Granted JPS58106962U (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106962U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145680A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
| WO2014045440A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP271382U patent/JPS58106962U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58106962U (ja) | 1983-07-21 |
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