JPS6151887A - 半導体レ−ザの駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動装置Info
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- JPS6151887A JPS6151887A JP17361484A JP17361484A JPS6151887A JP S6151887 A JPS6151887 A JP S6151887A JP 17361484 A JP17361484 A JP 17361484A JP 17361484 A JP17361484 A JP 17361484A JP S6151887 A JPS6151887 A JP S6151887A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- temperature
- pulse
- currents
- bias
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザの駆動装置ｕ、特にパルス変調駆
動装行に関するものである。
動装行に関するものである。
（従来の技術）
半導体レーザはパルス変調動作として使用されることが
多い。この場合、半導体レーザの駆動装置としては、編
２図のように基本的には直流バイアス電源回路とパルス
発生回路よ多構成している。
多い。この場合、半導体レーザの駆動装置としては、編
２図のように基本的には直流バイアス電源回路とパルス
発生回路よ多構成している。
被変調用半導体レーザ１０の直流バイアス電源回路は、
直流布ｍ１ｌｌ、抵抗１２及びパルス阻止用インダクタ
１２で成っている。一方、パルス発生回路はパルス発生
源１４と直流阻止用コンデンサ１５と抵抗１６より成っ
ている。
直流布ｍ１ｌｌ、抵抗１２及びパルス阻止用インダクタ
１２で成っている。一方、パルス発生回路はパルス発生
源１４と直流阻止用コンデンサ１５と抵抗１６より成っ
ている。
ここで該半導体レーザのバイアス設定は、次のように行
なう。
なう。
１）直流バイアスは半２３ｉ、体レーザの発振閾電流値
以下に設定し、直流バイアス電流ではレーザ発振を起さ
ない。
以下に設定し、直流バイアス電流ではレーザ発振を起さ
ない。
２）パルスは直流バイアス電流に重畳させ、必要な光出
力を得；ＬＩ。
力を得；ＬＩ。
第３図は半導体レーザの司゛流（Ｉ）−光出力（３）特
性を示したもので直６１しくイアスミ流Ｉｎとパルス電
流ＩＰ の設足状態例を示した。
性を示したもので直６１しくイアスミ流Ｉｎとパルス電
流ＩＰ の設足状態例を示した。
ところで半導体レーザでは温度が上昇すると、第３図中
に示すように、１）発振閾電流の増加、２）電流−光出
力特性の傾斜すなわち微分発光効率の低下が見られる。
に示すように、１）発振閾電流の増加、２）電流−光出
力特性の傾斜すなわち微分発光効率の低下が見られる。
第３図の特性は温度Ｔ１ のものと温度がＴ２ に増加
した場合のものを示している。したがって半導体レーザ
の駆動電流が一定であっても温度が変化すると光出力も
変化する。
した場合のものを示している。したがって半導体レーザ
の駆動電流が一定であっても温度が変化すると光出力も
変化する。
このため、実際では半導体レーザからの光出力の一部を
検出し、この信号を駆動装置へ帰還し直流バイアス電流
を変化させて光出力を一定に保つような定出力ｌＪＥ動
（Ａ’ＰＣ）動作を行なっている。
検出し、この信号を駆動装置へ帰還し直流バイアス電流
を変化させて光出力を一定に保つような定出力ｌＪＥ動
（Ａ’ＰＣ）動作を行なっている。
（発明が解決しようとする問題点）
以上が従来の駆動装置であるが、この方式ではパルス電
流は常に一定であるため、上述したように温度変化によ
る半導体レーザの微分発光効率の低下が起きた時、直流
バイアス電流が発振閾電流近傍に最悪の場合にはそれ以
上になることがある。
流は常に一定であるため、上述したように温度変化によ
る半導体レーザの微分発光効率の低下が起きた時、直流
バイアス電流が発振閾電流近傍に最悪の場合にはそれ以
上になることがある。
この場合ピーク光出力対直流バイアス時の光出力比すな
わち消光比の低下が起き、光出力信号の質が低下し、光
通信システムでは受光側で最小受光レベルが低下してく
る。
わち消光比の低下が起き、光出力信号の質が低下し、光
通信システムでは受光側で最小受光レベルが低下してく
る。
本発明の目的は従来技術の欠点に鑑み、温度変化に対し
、安定なバイアス電流を供給する半導体レーザの駆動装
置を提供することである。
、安定なバイアス電流を供給する半導体レーザの駆動装
置を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、半導体レーザに並列に正特性サーミス
タをａむ回路を接続する半導体レーザの駆動装置を１見
る。
タをａむ回路を接続する半導体レーザの駆動装置を１見
る。
（実施例）
次に、本発明を図面を参照して説明する。
本発明の一実施例を第１図に示す。１は半導体レーザ、
２は正特注サーミスタ、３は抵抗でこれら正特性サーミ
スタ２と抵抗３とで０．７４度補償回路を構成している
。４は直流電源、５は抵抗、６はパルス阻止用インダク
タで、これら直流電源４、抵抗５、インダクタ６とで直
流バイアス電源を構成している。７はパルス発生器で８
は直流阻止用コンデンサ、９は抵抗で、パルス発生器７
で発生したパルスを半導体レーザ１に加えるパルス発生
源を構成している。半導体レーザｌは第３図に示すよう
に、温度Ｔｌ で直流バイアス電流値及びパルスバイア
ス電流（直をそれぞれ’ Ｌ１１＋ ＩＰｌに調整さ
れているものとする。ここで温度がΔＴだけ上昇し、温
ＵＴｚになったとする。パルス発生器７は定電流動作を
しておυそのパルス電流は半導体レーザ１と温度補償回
路へ流れている。したがつて温度が上昇すると正特性サ
ーミスタ２の抵抗は増加し、よって半導体レーザｌへの
パルス′屯流カ増加する。つまり温度増加分による微分
発光効率の低下分だけ温度補償回路による半導体レーザ
１のパルス電流を増やすことによって直流バイアス電流
値を常に発振閾′電流より低く保っている。
２は正特注サーミスタ、３は抵抗でこれら正特性サーミ
スタ２と抵抗３とで０．７４度補償回路を構成している
。４は直流電源、５は抵抗、６はパルス阻止用インダク
タで、これら直流電源４、抵抗５、インダクタ６とで直
流バイアス電源を構成している。７はパルス発生器で８
は直流阻止用コンデンサ、９は抵抗で、パルス発生器７
で発生したパルスを半導体レーザ１に加えるパルス発生
源を構成している。半導体レーザｌは第３図に示すよう
に、温度Ｔｌ で直流バイアス電流値及びパルスバイア
ス電流（直をそれぞれ’ Ｌ１１＋ ＩＰｌに調整さ
れているものとする。ここで温度がΔＴだけ上昇し、温
ＵＴｚになったとする。パルス発生器７は定電流動作を
しておυそのパルス電流は半導体レーザ１と温度補償回
路へ流れている。したがつて温度が上昇すると正特性サ
ーミスタ２の抵抗は増加し、よって半導体レーザｌへの
パルス′屯流カ増加する。つまり温度増加分による微分
発光効率の低下分だけ温度補償回路による半導体レーザ
１のパルス電流を増やすことによって直流バイアス電流
値を常に発振閾′電流より低く保っている。
（発明の効果）
本発明によると、以上の説明のように半導体レーザの直
流バイアスを温度変化に対し、常に発振閾電流値以下に
することが可能とすることが出来、また消光比の低下も
防止が可能となり温度に対し安定な駆動装置が実現でき
る。
流バイアスを温度変化に対し、常に発振閾電流値以下に
することが可能とすることが出来、また消光比の低下も
防止が可能となり温度に対し安定な駆動装置が実現でき
る。
第１図は本発明の一実施例を示した回路図である。８ｇ
２図は従来の半導体レーザの駆動装置を示 ゛す回路
図である。第３図は半導体レーザの電流−光出力特性を
示すグラフで横軸は＊流で縦軸は光出力である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・正特性サ
ーミスタ、３、 ５． ９．１２．１６・・・・・・抵
抗、４．１１・・・・・・直流電源、６．１５・・・・
・・パルスｌｉＵ止用インダクタ、７．１４・・−・・
・パルス発生器、８．１５・・・・・・直流阻止用コン
デンサ。 −＋−一、ノ
２図は従来の半導体レーザの駆動装置を示 ゛す回路
図である。第３図は半導体レーザの電流−光出力特性を
示すグラフで横軸は＊流で縦軸は光出力である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・正特性サ
ーミスタ、３、 ５． ９．１２．１６・・・・・・抵
抗、４．１１・・・・・・直流電源、６．１５・・・・
・・パルスｌｉＵ止用インダクタ、７．１４・・−・・
・パルス発生器、８．１５・・・・・・直流阻止用コン
デンサ。 −＋−一、ノ
Claims (1)
- 半導体レーザに並列に正特性サーミスタを含んだ回路を
接続したことを特徴とする半導体レーザの駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361484A JPS6151887A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361484A JPS6151887A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151887A true JPS6151887A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15963874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17361484A Pending JPS6151887A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151887A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254777A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-10-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| EP0848466A2 (en) * | 1996-12-14 | 1998-06-17 | Toshiba Corporation | Semiconductor light emitting element and optical fiber transmission system |
| KR100286399B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-03-15 | 무라타 야스타카 | 반도체 레이저 장치 및 그에 따른 펌핑 회로 |
| KR100290262B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 레이저 다이오드 구동회로의 온도변화에 따른 광출력 소광비 보상회로 |
| JP2005302895A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2010519774A (ja) * | 2007-02-27 | 2010-06-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 制御方法、制御装置および制御装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP17361484A patent/JPS6151887A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254777A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-10-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| JP2713413B2 (ja) * | 1987-02-28 | 1998-02-16 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | レーザダイオード制御方法と装置 |
| EP0848466A2 (en) * | 1996-12-14 | 1998-06-17 | Toshiba Corporation | Semiconductor light emitting element and optical fiber transmission system |
| EP0848466A3 (en) * | 1996-12-14 | 2001-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and optical fiber transmission system |
| KR100286399B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-03-15 | 무라타 야스타카 | 반도체 레이저 장치 및 그에 따른 펌핑 회로 |
| KR100290262B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2001-05-15 | 권문구 | 레이저 다이오드 구동회로의 온도변화에 따른 광출력 소광비 보상회로 |
| JP2005302895A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2010519774A (ja) * | 2007-02-27 | 2010-06-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 制御方法、制御装置および制御装置の製造方法 |
| US8519633B2 (en) | 2007-02-27 | 2013-08-27 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing a control device for operating a radiation-emitting semiconductor component |
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