JPH05259563A - 半導体レーザ光出力制御回路 - Google Patents
半導体レーザ光出力制御回路Info
- Publication number
- JPH05259563A JPH05259563A JP5129392A JP5129392A JPH05259563A JP H05259563 A JPH05259563 A JP H05259563A JP 5129392 A JP5129392 A JP 5129392A JP 5129392 A JP5129392 A JP 5129392A JP H05259563 A JPH05259563 A JP H05259563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- resistance
- thermistor
- resistor
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】パルス電流供給回路を交互にオンオフするベ−
スをパルス信号入力端子とし、コレクタに抵抗Ｒ１を接
続したトランジスタＱ１とベ−スにリファレンス電圧を
印加し、コレクタに半導体レ−ザを接続したトランジス
タＱ２とさらに抵抗と半導体レ−ザに交互に流れるパル
ス電流の和がそのエミッタに流れる定電流源トランジス
タＱ３とで構成したとき、トランジスタＱ３のエミッタ
に、抵抗Ｒ４を接続し、抵抗Ｒ４の両端電位差を増幅す
るサ−ミスタを帰還抵抗としたオペアンプ増幅回路を設
け、その出力をトランジスタＱ３のベ−スに接続した。 【効果】半導体レ−ザ２の温度に係らず、常にバイアス
電流値と発振しきい値との比αが一定で安定な光出力波
形を得ることができる。さらに、光出力安定化回路を簡
略化できる。
スをパルス信号入力端子とし、コレクタに抵抗Ｒ１を接
続したトランジスタＱ１とベ−スにリファレンス電圧を
印加し、コレクタに半導体レ−ザを接続したトランジス
タＱ２とさらに抵抗と半導体レ−ザに交互に流れるパル
ス電流の和がそのエミッタに流れる定電流源トランジス
タＱ３とで構成したとき、トランジスタＱ３のエミッタ
に、抵抗Ｒ４を接続し、抵抗Ｒ４の両端電位差を増幅す
るサ−ミスタを帰還抵抗としたオペアンプ増幅回路を設
け、その出力をトランジスタＱ３のベ−スに接続した。 【効果】半導体レ−ザ２の温度に係らず、常にバイアス
電流値と発振しきい値との比αが一定で安定な光出力波
形を得ることができる。さらに、光出力安定化回路を簡
略化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レ−ザの光出力
を安定化制御するのに用いられる光出力制御回路付き半
導体レ−ザ駆動回路に関する。
を安定化制御するのに用いられる光出力制御回路付き半
導体レ−ザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レ−ザの光出力を制御する
のに用いられる半導体レ−ザの光出力制御回路は、図２
及び特公平１−３０４７９２に記載されている図３の回
路により構成されている。図２中ＶEEは負電源を表す。
Ｓin端子から入力された半導体レ−ザ２を駆動する変調
用パルス電圧により、トランジスタＱ１とそのベ−スに
リファレンス電圧Ｖref が印加されたトランジスタＱ２
が交互にオンオフし、半導体レ−ザ２に出射光強度変調
用パルス電流ｉｍが流れる。抵抗Ｒ１と半導体レ−ザ２
に流れるパルス電流は、ともにベ−ス電圧がＶIb一定の
トランジスタＱ３にて構成される定電流源エミッタ端子
に接続された抵抗Ｒ４に流れる。
のに用いられる半導体レ−ザの光出力制御回路は、図２
及び特公平１−３０４７９２に記載されている図３の回
路により構成されている。図２中ＶEEは負電源を表す。
Ｓin端子から入力された半導体レ−ザ２を駆動する変調
用パルス電圧により、トランジスタＱ１とそのベ−スに
リファレンス電圧Ｖref が印加されたトランジスタＱ２
が交互にオンオフし、半導体レ−ザ２に出射光強度変調
用パルス電流ｉｍが流れる。抵抗Ｒ１と半導体レ−ザ２
に流れるパルス電流は、ともにベ−ス電圧がＶIb一定の
トランジスタＱ３にて構成される定電流源エミッタ端子
に接続された抵抗Ｒ４に流れる。
【０００３】その電流は、上記ｉｍのピ−ク値ｉｍppに
等しい直流定電流となる。
等しい直流定電流となる。
【０００４】また半導体レ−ザ２には、エミッタに抵抗
Ｒ３が接続されたトランジスタＱ４より直流バイアス電
流ＩBが供給される。直流バイアス電流ＩBは、半導体レ
−ザ２の出射光の一部を受光し、光電流を抵抗Ｒ２に流
す受光素子３と抵抗Ｒ２の受光素子３側の電位が一定と
なるべく半導体レ−ザ２への直流バイアス電流を制御す
る光出力制御回路４により、半導体レ−ザ２の出射光が
一定となるようトランジスタＱ４のベ−ス電圧ＶBbを制
御し、チョ−クコイル５を介して直流バイアス電流ＩB
のみが制御される。
Ｒ３が接続されたトランジスタＱ４より直流バイアス電
流ＩBが供給される。直流バイアス電流ＩBは、半導体レ
−ザ２の出射光の一部を受光し、光電流を抵抗Ｒ２に流
す受光素子３と抵抗Ｒ２の受光素子３側の電位が一定と
なるべく半導体レ−ザ２への直流バイアス電流を制御す
る光出力制御回路４により、半導体レ−ザ２の出射光が
一定となるようトランジスタＱ４のベ−ス電圧ＶBbを制
御し、チョ−クコイル５を介して直流バイアス電流ＩB
のみが制御される。
【０００５】図３の従来例では，光出力制御回路４の出
力を図２と同様、トランジスタＱ４のベ−ス電圧ＶBｂ
を介して直流バイアス電流ＩBを制御するル−プと、ト
ランジスタＱ３のベ−ス電圧ＶIｂを介し出射光強度変
調用パルス電流iｍをも制御する２つのル−プにて、光
出力の安定化を図っている。
力を図２と同様、トランジスタＱ４のベ−ス電圧ＶBｂ
を介して直流バイアス電流ＩBを制御するル−プと、ト
ランジスタＱ３のベ−ス電圧ＶIｂを介し出射光強度変
調用パルス電流iｍをも制御する２つのル−プにて、光
出力の安定化を図っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記図２における従来
例では、図５に記すように、レ−ザの温度変化により半
導体レ−ザ２の発光効率が変化した場合においても、常
に一定振幅であるｉｍpp２の出射光強度変調用パルス電
流が半導体レ−ザ２に供給される。従って、半導体レ−
ザ２の光出力を一定に保つ制御機能として、半導体レ−
ザ２からの出射光の一部を受光し、電気信号に変換する
受光素子３と、該受光素子３の出力信号から半導体レ−
ザ２への直流バイアス電流を制御する光出力制御回路４
より、直流バイアス電流ＩB のみが半導体レ−ザ２に供
給される。よって、各々の温度における直流バイアス電
流値ＩB と半導体レ−ザ２の発振しきい値Ｉth の比α
は、０℃のとき ＩB4／Ｉth1、２５℃のときＩB2／Ｉth
2、６５℃のときＩB5／Ｉth3となりαの値が温度により
変化する。従って、図２の従来技術を採用した半導体レ
−ザ２の光出力波形は、αの変化に起因する温度依存性
を持つ。特に、図５中６５℃の場合のように発光効率が
低下した時、ＩB5＞Ｉth3 となり半導体レ−ザ２の光出
力波形の消光比が劣化する。
例では、図５に記すように、レ−ザの温度変化により半
導体レ−ザ２の発光効率が変化した場合においても、常
に一定振幅であるｉｍpp２の出射光強度変調用パルス電
流が半導体レ−ザ２に供給される。従って、半導体レ−
ザ２の光出力を一定に保つ制御機能として、半導体レ−
ザ２からの出射光の一部を受光し、電気信号に変換する
受光素子３と、該受光素子３の出力信号から半導体レ−
ザ２への直流バイアス電流を制御する光出力制御回路４
より、直流バイアス電流ＩB のみが半導体レ−ザ２に供
給される。よって、各々の温度における直流バイアス電
流値ＩB と半導体レ−ザ２の発振しきい値Ｉth の比α
は、０℃のとき ＩB4／Ｉth1、２５℃のときＩB2／Ｉth
2、６５℃のときＩB5／Ｉth3となりαの値が温度により
変化する。従って、図２の従来技術を採用した半導体レ
−ザ２の光出力波形は、αの変化に起因する温度依存性
を持つ。特に、図５中６５℃の場合のように発光効率が
低下した時、ＩB5＞Ｉth3 となり半導体レ−ザ２の光出
力波形の消光比が劣化する。
【０００７】また、図３の実施例では、理想的には上記
α値は温度により変化しない。すなわち、図４に記す直
流バイアス電流値ＩB と半導体レ−ザ２の発振しきい値
Ｉthの比は、半導体レ−ザ２の発光効率が低下する６５
℃のときでも、出射光強度変調用パルス電流振幅がｉｍ
pp３と２５℃のときのｉｍpp２より大きくなるよう制御
されるため、２５℃のときのα値ＩB2／Ｉth2 に等しい
ＩB3／Ｉth3 が得られる。しかし、図３の光出力制御回
路４は、その構成が複雑であり、前記直流バイアス電流
制御ル−プと出射光強度変調用パルス電流振幅制御ル−
プとを同時に機能させる両ル−プの時定数の設定は、極
めて困難である。
α値は温度により変化しない。すなわち、図４に記す直
流バイアス電流値ＩB と半導体レ−ザ２の発振しきい値
Ｉthの比は、半導体レ−ザ２の発光効率が低下する６５
℃のときでも、出射光強度変調用パルス電流振幅がｉｍ
pp３と２５℃のときのｉｍpp２より大きくなるよう制御
されるため、２５℃のときのα値ＩB2／Ｉth2 に等しい
ＩB3／Ｉth3 が得られる。しかし、図３の光出力制御回
路４は、その構成が複雑であり、前記直流バイアス電流
制御ル−プと出射光強度変調用パルス電流振幅制御ル−
プとを同時に機能させる両ル−プの時定数の設定は、極
めて困難である。
【０００８】本発明は、直流バイアス電流制御ル−プの
みで簡潔に図４に記したよう、温度に対し上記α値が一
定の安定した光送信波形が得られる半導体レ−ザ出力制
御装置を提供することを目的としている。
みで簡潔に図４に記したよう、温度に対し上記α値が一
定の安定した光送信波形が得られる半導体レ−ザ出力制
御装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的は、光出力制御
回路４を中心とした制御ル−プを半導体レ−ザ２の直流
バイアス電流のみを制御する１ル−プとし、さらに図
２，３中の抵抗Ｒ１と半導体レ−ザ２に流れるパルス信
号の和が流れる図２，３中の抵抗Ｒ４の両端電位差を増
幅するサ−ミスタを帰還抵抗としたオペアンプ増幅回路
を設け、その出力をトランジスタＱ３のベ−スに接続
し、高温時には出射光強度変調用パルス電流振幅を大き
くし、低温時には出射光強度変調用パルス電流振幅を小
さくすることによりより達成できる。
回路４を中心とした制御ル−プを半導体レ−ザ２の直流
バイアス電流のみを制御する１ル−プとし、さらに図
２，３中の抵抗Ｒ１と半導体レ−ザ２に流れるパルス信
号の和が流れる図２，３中の抵抗Ｒ４の両端電位差を増
幅するサ−ミスタを帰還抵抗としたオペアンプ増幅回路
を設け、その出力をトランジスタＱ３のベ−スに接続
し、高温時には出射光強度変調用パルス電流振幅を大き
くし、低温時には出射光強度変調用パルス電流振幅を小
さくすることによりより達成できる。
【００１０】
【作用】以下本発明の作用につき図１，４を用いて説明
する。
する。
【００１１】図１の半導体レ−ザ２の発光効率ηは、周
囲温度等により半導体レ−ザ２の温度が上昇すると低下
し、逆に下降すると増大する。このとき、サ−ミスタ１
の温度も半導体レ−ザ２と同じく上昇，下降し、その抵
抗値は、温度上昇時には小さく、温度下降時には大きく
なる。図１は、上記オペアンプ増幅回路として、抵抗Ｒ
４の両端とオペアンプ６の反転，非反転両入力端子間に
各々抵抗Ｒ５を、非反転入力端子と出力端子間に帰還抵
抗としてサ−ミスタ１を、反転入力端子と接地間に同じ
くサ−ミスタ１を接続した差動増幅回路を設けた回路構
成例である。
囲温度等により半導体レ−ザ２の温度が上昇すると低下
し、逆に下降すると増大する。このとき、サ−ミスタ１
の温度も半導体レ−ザ２と同じく上昇，下降し、その抵
抗値は、温度上昇時には小さく、温度下降時には大きく
なる。図１は、上記オペアンプ増幅回路として、抵抗Ｒ
４の両端とオペアンプ６の反転，非反転両入力端子間に
各々抵抗Ｒ５を、非反転入力端子と出力端子間に帰還抵
抗としてサ−ミスタ１を、反転入力端子と接地間に同じ
くサ−ミスタ１を接続した差動増幅回路を設けた回路構
成例である。
【００１２】トランジスタＱ３のエミッタ、ベ−ス間電
圧をＶBEとすると、抵抗Ｒ４に流れる半導体レ−ザ２の
出射光強度変調用パルス電流振幅値ｉｍppと、トランジ
スタＱ３のベ−ス電位をＶIbとの関係は、次式数１で表
わせる。
圧をＶBEとすると、抵抗Ｒ４に流れる半導体レ−ザ２の
出射光強度変調用パルス電流振幅値ｉｍppと、トランジ
スタＱ３のベ−ス電位をＶIbとの関係は、次式数１で表
わせる。
【００１３】
【数１】ＶIb−ＶBE−ＶEE ＝Ｒ4×ｉｍpp またＶIbは、上記差動増幅回路の動作原理より、サ−ミ
スタ１のサ−ミスタ抵抗値をＲfとして、数２式で表わ
せる。
スタ１のサ−ミスタ抵抗値をＲfとして、数２式で表わ
せる。
【００１４】
【数２】ＶIb＝−Ｒ4×Ｒf／Ｒ5×ｉｍpp 数１，数２式よりＶIbを消去して次式数３を得る。
【００１５】
【数３】 ｉｍpp＝−（ＶBE＋ＶEE）／(Ｒ4×（１＋Ｒf／Ｒ5）) 数３式より、ｉｍppすなわち出射光強度変調用パルス電
流振幅値は、サ−ミスタ１の抵抗値Ｒf の増加に伴い小
さくなり、減少に伴い大きくなる。従って、図４に記し
たように、半導体レ−ザ２の発光効率ηが低下する高温
時例えば６５℃のときは、出射光強度変調用パルス電流
振幅値ｉｍppが半導体レ−ザ２の温度が２５℃のときの
その値ｉｍpp２より大きなｉｍpp３となり、逆に半導体
レ−ザ２の発光効率ηが増大する低温時例えば０℃のと
きは、出射光強度変調用パルス電流振幅値ｉｍppが半導
体レ−ザ２の温度が２５℃のときのその値ｉｍpp２より
小さなｉｍpp１となる。
流振幅値は、サ−ミスタ１の抵抗値Ｒf の増加に伴い小
さくなり、減少に伴い大きくなる。従って、図４に記し
たように、半導体レ−ザ２の発光効率ηが低下する高温
時例えば６５℃のときは、出射光強度変調用パルス電流
振幅値ｉｍppが半導体レ−ザ２の温度が２５℃のときの
その値ｉｍpp２より大きなｉｍpp３となり、逆に半導体
レ−ザ２の発光効率ηが増大する低温時例えば０℃のと
きは、出射光強度変調用パルス電流振幅値ｉｍppが半導
体レ−ザ２の温度が２５℃のときのその値ｉｍpp２より
小さなｉｍpp１となる。
【００１６】さらに、半導体レ−ザ２の光出力が、一定
となるよう受光素子３，抵抗Ｒ２，光出力制御回路４に
より構成されたバイアス電流制御ル−プにより、上記半
導体レ−ザ２の発振しきい値電流の変化分を補正するよ
うにバイアス電流が制御される。このとき、サ−ミスタ
１のサ−ミスタ定数値を半導体レ−ザ２の発光効率ηの
変化分が完全に補正できる値に設定することにより、各
温度におけるバイアス電流値ＩBと半導体レ−ザ２の発
振しきい値Ｉthの比αにおいては、ＩB1／Ｉth1＝ＩB2
／Ｉth2＝ＩB3／Ｉth3が成立し、半導体レ−ザ２の光出
力波形は、温度上昇による消光比劣化もなく、安定した
光送信波形が得られる。
となるよう受光素子３，抵抗Ｒ２，光出力制御回路４に
より構成されたバイアス電流制御ル−プにより、上記半
導体レ−ザ２の発振しきい値電流の変化分を補正するよ
うにバイアス電流が制御される。このとき、サ−ミスタ
１のサ−ミスタ定数値を半導体レ−ザ２の発光効率ηの
変化分が完全に補正できる値に設定することにより、各
温度におけるバイアス電流値ＩBと半導体レ−ザ２の発
振しきい値Ｉthの比αにおいては、ＩB1／Ｉth1＝ＩB2
／Ｉth2＝ＩB3／Ｉth3が成立し、半導体レ−ザ２の光出
力波形は、温度上昇による消光比劣化もなく、安定した
光送信波形が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１，３，６により
説明する。半導体レ−ザ２の発光効率ηが、０℃のとき
η＝０．２５mW/mA、２５℃のときη＝０．２mW/mＡ、
６５℃のときη＝0.15mW/mA と変化するとき、このηの
変化分を出射光強度変調用パルス電流振幅値にて完全に
補正するためには、２５℃における電流振幅値ｉｍpp２
＝４０ｍＡの場合、０℃のときはｉｍpp１＝３２ｍＡ，
６５℃のときはｉｍpp３＝５３．３ｍＡとすれば良い。
いまトランジスタＱ３をシリコントランジスタとしてＶ
BE＝０．７Ｖ、ＶEEをＥＣＬ電源として−５．２Ｖ、Ｒ
４を従来実績値である１０Ωとすると、数３式より、上
記の図６に示した出射光強度変調用パルス電流振幅値を
得るサ−ミスタ１のサ−ミスタ抵抗値は、０℃のとき１
３．０６×Ｒ５（Ω）、２５℃のとき１０．２５×Ｒ５
（Ω）、６５℃のとき７．４４×Ｒ５（Ω）となる。但
し，Ｒ５は正の実数とする。
説明する。半導体レ−ザ２の発光効率ηが、０℃のとき
η＝０．２５mW/mA、２５℃のときη＝０．２mW/mＡ、
６５℃のときη＝0.15mW/mA と変化するとき、このηの
変化分を出射光強度変調用パルス電流振幅値にて完全に
補正するためには、２５℃における電流振幅値ｉｍpp２
＝４０ｍＡの場合、０℃のときはｉｍpp１＝３２ｍＡ，
６５℃のときはｉｍpp３＝５３．３ｍＡとすれば良い。
いまトランジスタＱ３をシリコントランジスタとしてＶ
BE＝０．７Ｖ、ＶEEをＥＣＬ電源として−５．２Ｖ、Ｒ
４を従来実績値である１０Ωとすると、数３式より、上
記の図６に示した出射光強度変調用パルス電流振幅値を
得るサ−ミスタ１のサ−ミスタ抵抗値は、０℃のとき１
３．０６×Ｒ５（Ω）、２５℃のとき１０．２５×Ｒ５
（Ω）、６５℃のとき７．４４×Ｒ５（Ω）となる。但
し，Ｒ５は正の実数とする。
【００１８】この条件を満たすサ−ミスタ１のサ−ミス
タ定数は、約８００である。本実施例によれば、温度変
化による半導体レ−ザ２の発光効率の変化は、出射光強
度変調用パルス電流振幅値により完全に補正でき、かつ
発振しきい値電流の変化は、受光素子３，抵抗Ｒ２，光
出力制御回路４により構成されたバイアス電流制御ル−
プによるバイアス電流の制御により補正できる。
タ定数は、約８００である。本実施例によれば、温度変
化による半導体レ−ザ２の発光効率の変化は、出射光強
度変調用パルス電流振幅値により完全に補正でき、かつ
発振しきい値電流の変化は、受光素子３，抵抗Ｒ２，光
出力制御回路４により構成されたバイアス電流制御ル−
プによるバイアス電流の制御により補正できる。
【００１９】従って、半導体レ−ザ２の温度に係らず、
常にバイアス電流値と発振しきい値との比αが一定で安
定な光出力波形を得ることができる。
常にバイアス電流値と発振しきい値との比αが一定で安
定な光出力波形を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レ−ザ２の温度
に係らず、常にバイアス電流値と発振しきい値との比α
が一定で安定な光出力波形を得ることができる。
に係らず、常にバイアス電流値と発振しきい値との比α
が一定で安定な光出力波形を得ることができる。
【００２１】さらに、光出力制御ル−プをバイアス電流
制御ル−プのみとしたため、光出力安定化回路を簡略化
できる効果もある。
制御ル−プのみとしたため、光出力安定化回路を簡略化
できる効果もある。
【図１】本発明の実施例を表す半導体レ−ザ光出力制御
回路図である。
回路図である。
【図２】従来技術例の半導体レ−ザ光出力制御回路図で
ある。
ある。
【図３】従来技術例の半導体レ−ザ光出力制御回路図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例の半導体レ−ザの発振しきい値
とバイアス電流と変調信号振幅電流の関係を表す図であ
る。
とバイアス電流と変調信号振幅電流の関係を表す図であ
る。
【図５】図２における従来例の半導体レ−ザの発振しき
い値とバイアス電流と変調信号振幅電流の関係を表す図
である。
い値とバイアス電流と変調信号振幅電流の関係を表す図
である。
【図６】本発明の実施例の変調信号振幅電流値とサ−ミ
スタ抵抗の値の関係を表す図である。
スタ抵抗の値の関係を表す図である。
【符号の説明】 １…サ−ミスタ、 ２…半導体レ−ザ、 ３…受光素
子、４…光出力制御回路、 ５…チョ−クコイル、 ６
…オペアンプ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４…トランジス
タ、 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗。
子、４…光出力制御回路、 ５…チョ−クコイル、 ６
…オペアンプ、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４…トランジス
タ、 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レ−ザと、該半導体レ−ザに光強度
変調パルス電流を供給するパルス電流供給回路と、該半
導体レ−ザからの出射光の一部を受光し、電気信号に変
換する受光素子と、該受光素子の出力信号から該半導体
レ−ザへの直流バイアス電流を制御する光出力制御回路
とから成る半導体レ−ザ光出力制御回路において、 上記パルス電流供給回路を交互にオンオフする、ベ−ス
をパルス信号入力端子とし、コレクタに抵抗Ｒ１を接続
したトランジスタＱ１と、ベ−スにリファレンス電圧を
印加し、コレクタに該半導体レ−ザを接続したトランジ
スタＱ２と、さらに該抵抗Ｒ１と該半導体レ−ザに交互
に流れる上記パルス電流の和がそのエミッタに流れる定
電流源トランジスタＱ３とで構成したとき、トランジス
タＱ３のエミッタに、抵抗Ｒ４を接続し、該抵抗Ｒ４の
両端電位差を増幅するサ−ミスタを帰還抵抗としたオペ
アンプ増幅回路を設け、その出力をトランジスタＱ３の
ベ−スに接続したことを特徴とする半導体レ−ザ光出力
制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129392A JPH05259563A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体レーザ光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129392A JPH05259563A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体レーザ光出力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259563A true JPH05259563A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12882877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129392A Pending JPH05259563A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体レーザ光出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259563A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316560A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Nec Telecom Syst Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
| WO1998038557A1 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Aktiebolaget Electrolux | A temperature control circuit |
| US6977949B2 (en) | 2002-09-20 | 2005-12-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Control circuit for constantly setting optical output of semiconductor laser |
| JP2007158022A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2007300429A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Omron Corp | 発光素子回路、光伝送システム、光伝送モジュール、電子機器 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5129392A patent/JPH05259563A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316560A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Nec Telecom Syst Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
| WO1998038557A1 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Aktiebolaget Electrolux | A temperature control circuit |
| US6977949B2 (en) | 2002-09-20 | 2005-12-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Control circuit for constantly setting optical output of semiconductor laser |
| JP2007158022A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2007300429A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Omron Corp | 発光素子回路、光伝送システム、光伝送モジュール、電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5761230A (en) | Laser-diode driving circuit with temperature compensation | |
| US4813048A (en) | Semiconductor laser driving device | |
| JP3130571B2 (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| US6977949B2 (en) | Control circuit for constantly setting optical output of semiconductor laser | |
| JP3449898B2 (ja) | 発光素子駆動回路 | |
| US4484331A (en) | Regulator for bias current of semiconductor laser diode | |
| EP0982880A2 (en) | Optical transmitter having temperature compensating function and optical transmission system | |
| US20040028099A1 (en) | Drive circuit and drive method of semiconductor laser module provided with electro-absorption type optical modulator | |
| EP0215311A2 (en) | Laser diode driving circuit | |
| JP3320900B2 (ja) | レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気／光信号変換ユニット | |
| JPS5991746A (ja) | レ−ザ送信機とその動作方法 | |
| JP4354680B2 (ja) | 出力オーバーシュートを制御するためのバイアス回路を備える光源ドライバ | |
| JPH0936810A (ja) | 光信号送信装置 | |
| JPH05259563A (ja) | 半導体レーザ光出力制御回路 | |
| JPS6190487A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JPH11121851A (ja) | 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置 | |
| JPS6151887A (ja) | 半導体レ−ザの駆動装置 | |
| JPH0837331A (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
| JPS63110685A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
| JPH05167170A (ja) | 集積型半導体レーザアレイの光出力安定化装置 | |
| JPH07212158A (ja) | 関数発生回路 | |
| JP2773484B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP6922505B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH03214935A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JPH04286384A (ja) | レーザダイオードの出力制御回路 |