JPH03214935A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザダイオード駆動回路Info
- Publication number
- JPH03214935A JPH03214935A JP2010212A JP1021290A JPH03214935A JP H03214935 A JPH03214935 A JP H03214935A JP 2010212 A JP2010212 A JP 2010212A JP 1021290 A JP1021290 A JP 1021290A JP H03214935 A JPH03214935 A JP H03214935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- diode
- current
- transistor
- current source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 abstract 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザダイオード駆動回路に関する。
より詳細には、本発明は、より安定した出力特性を備え
た新規なレーザダイオード駆動回路の構成に関するもの
であり、光通信システムの光送信器等に利用することが
できる。
た新規なレーザダイオード駆動回路の構成に関するもの
であり、光通信システムの光送信器等に利用することが
できる。
従来の技術
光通信等に使用する光送信器では、駆動回路において送
信すべきデータに対応して変調した駆動電流をレーザダ
イオードに供給して光信号によるデータ送信を実現して
いる。受信側では、この変調された光信号を復調してデ
ータの再生を行うが、ここで受信側の感度に深く影響す
る特性として光信号の消光比がある。即ち、消光比とは
、2値信号のそれぞれに対応した2種の光強度の比をい
い、受信側で2種の強度からなる光信号を有効に検出す
るためには、送信側で出力する光信号の消光比が安定し
ていることが極めて重要である。
信すべきデータに対応して変調した駆動電流をレーザダ
イオードに供給して光信号によるデータ送信を実現して
いる。受信側では、この変調された光信号を復調してデ
ータの再生を行うが、ここで受信側の感度に深く影響す
る特性として光信号の消光比がある。即ち、消光比とは
、2値信号のそれぞれに対応した2種の光強度の比をい
い、受信側で2種の強度からなる光信号を有効に検出す
るためには、送信側で出力する光信号の消光比が安定し
ていることが極めて重要である。
第4図は、従来のレーザダイオード駆動回路の典型的な
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
同図に示すように、この駆動回路は、互いに相補的な人
力信号Sおよび百をベースに引加される1対のトランジ
スタQlおよびQ2から主に構成されている。トランジ
スタQI およびQ2のコレクタは、それぞれ抵抗R,
およびレーザダイオードLDを介して電源電圧Vccに
接続されており、トランジスタQ,およびQ2のエミッ
タは共通接続されて、レーザダイオード駆動用電流源を
構成するトランジスタQ,および抵抗R2を介して接地
に接続されている。このトランジスタQ,のベースには
、抵抗R,およびR,で構成された分圧回路により生成
された所定のバイアス電圧が印加されている。更に、こ
の回路は、トランジスタQ2のコレクタとレーザダイオ
ードLDとの接続点に接続された、レーザダイオードL
Dの光出力の一部を受けるフォトダイオードPDを含む
自動出力制御回路(APC)を備えており、トランジス
タQ2およびレーザダイオードLDを流れる駆動電流を
補償している。
力信号Sおよび百をベースに引加される1対のトランジ
スタQlおよびQ2から主に構成されている。トランジ
スタQI およびQ2のコレクタは、それぞれ抵抗R,
およびレーザダイオードLDを介して電源電圧Vccに
接続されており、トランジスタQ,およびQ2のエミッ
タは共通接続されて、レーザダイオード駆動用電流源を
構成するトランジスタQ,および抵抗R2を介して接地
に接続されている。このトランジスタQ,のベースには
、抵抗R,およびR,で構成された分圧回路により生成
された所定のバイアス電圧が印加されている。更に、こ
の回路は、トランジスタQ2のコレクタとレーザダイオ
ードLDとの接続点に接続された、レーザダイオードL
Dの光出力の一部を受けるフォトダイオードPDを含む
自動出力制御回路(APC)を備えており、トランジス
タQ2およびレーザダイオードLDを流れる駆動電流を
補償している。
以上のように構成されたレーザダイオード駆動回路では
、入力信号Sおよび百のうち、反転入力端子百がハイレ
ベルの場合にトランジスタQ2が導通してレーザダイオ
ードLDを駆動され、非反転入力端子Sがハイレベルの
場合にトランジスタQ1が導通ずる一方トランジスタQ
2が非導通状態となり、レーザダイオードLDは消光す
る。従って、入力SJよび百に印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、電流源を構成するトランジスタ
Q,により規定された駆動電流がレーザダイオードLD
を間歇的に駆動する。
、入力信号Sおよび百のうち、反転入力端子百がハイレ
ベルの場合にトランジスタQ2が導通してレーザダイオ
ードLDを駆動され、非反転入力端子Sがハイレベルの
場合にトランジスタQ1が導通ずる一方トランジスタQ
2が非導通状態となり、レーザダイオードLDは消光す
る。従って、入力SJよび百に印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、電流源を構成するトランジスタ
Q,により規定された駆動電流がレーザダイオードLD
を間歇的に駆動する。
更に、自動出力制御回路APCは、フォトダイオードに
よりレーザダイオードLDの光出力を検出し、バイパス
電流路の電流量を制御する。即ち、レーザダイオードL
Dの光出力が不足している場合はレーザダイオードLD
を流れる電流を増大させ、レーザダイオードLDの光出
力が過大な場合にはレーザダイオードLDを流れる電流
を減少させるようにフィードバック制御を行い、光出力
の平均値を常に一定に保つように動作する。
よりレーザダイオードLDの光出力を検出し、バイパス
電流路の電流量を制御する。即ち、レーザダイオードL
Dの光出力が不足している場合はレーザダイオードLD
を流れる電流を増大させ、レーザダイオードLDの光出
力が過大な場合にはレーザダイオードLDを流れる電流
を減少させるようにフィードバック制御を行い、光出力
の平均値を常に一定に保つように動作する。
上述のような構成のレーザダイオード駆動回路は、レー
ザダイオードLDに供給するバイアス電流を変化させる
ことにより、レーザダイオードLDの平均光出力を一定
に保つように構成されており、このような制御の下では
、発光時も消光時も電流を同じ量だけ出力が増大したり
減少したりする。
ザダイオードLDに供給するバイアス電流を変化させる
ことにより、レーザダイオードLDの平均光出力を一定
に保つように構成されており、このような制御の下では
、発光時も消光時も電流を同じ量だけ出力が増大したり
減少したりする。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、例えばレーザダイオードLDの周囲温度
が上昇した場合にはレーザダイオードLDの微分効率η
が劣化するので、レーザダイオードLDの消光比が劣化
する。
が上昇した場合にはレーザダイオードLDの微分効率η
が劣化するので、レーザダイオードLDの消光比が劣化
する。
第5図は、第4図に示したレーザダイオード駆動回路に
おける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであ
る。
おける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであ
る。
即ち、低い温度T+から高い温度T,にレーザダイオー
ドの温度が変化した場合、同図に示すように、レーザダ
イオードの微分効率が変化し、同じ変調電流を印加して
も、出力される光信号の信号振幅が変化してしまう。
ドの温度が変化した場合、同図に示すように、レーザダ
イオードの微分効率が変化し、同じ変調電流を印加して
も、出力される光信号の信号振幅が変化してしまう。
これに対して、前述のようなAPC回路によってバイア
ス電流を調整しても、発光時も消光時も駆動電流は同じ
ように増減するので、レーザダイオードLDの消光比の
劣化に対して有効な補償にはならない。
ス電流を調整しても、発光時も消光時も駆動電流は同じ
ように増減するので、レーザダイオードLDの消光比の
劣化に対して有効な補償にはならない。
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、レ
ーザダイオードの温度特性よる微分効率ηの変動に起因
する消光比の劣化に有効に補償し、出力光信号の特性を
より安定させることができる新規な・レーザダイオード
駆動回路を提供することをその目的としている。
ーザダイオードの温度特性よる微分効率ηの変動に起因
する消光比の劣化に有効に補償し、出力光信号の特性を
より安定させることができる新規な・レーザダイオード
駆動回路を提供することをその目的としている。
課題を解決するための手段
即ち、本発明に従うと、一方のトランジスタに負荷とし
てレーザダイオードが接続され且つエミッタが共通接続
された1対のトランジスタからなり、該l対のトランジ
スタの各ペースに互いに相補的な信号を受ける差動増幅
回路と、該l対のトランジスクの共通接続されたエミッ
タにコレクタが接続され、エミッタが低電圧側に接続さ
れて、前記差動増幅回路を流れる電流を制御する電流源
トランジスタとを備えたレーザダイオード駆動回路にお
いて、該電流源トランジスタのベースが、電源と接地と
の間に直列に接続されたダイオードと定電流源回路との
間の接続点に接続されており、該ダイオードが、該レー
ザダイオードの光出力振幅を一定に保つような温度特性
を有することを特徴とするレーザダイオード駆動回路が
提供される。
てレーザダイオードが接続され且つエミッタが共通接続
された1対のトランジスタからなり、該l対のトランジ
スタの各ペースに互いに相補的な信号を受ける差動増幅
回路と、該l対のトランジスクの共通接続されたエミッ
タにコレクタが接続され、エミッタが低電圧側に接続さ
れて、前記差動増幅回路を流れる電流を制御する電流源
トランジスタとを備えたレーザダイオード駆動回路にお
いて、該電流源トランジスタのベースが、電源と接地と
の間に直列に接続されたダイオードと定電流源回路との
間の接続点に接続されており、該ダイオードが、該レー
ザダイオードの光出力振幅を一定に保つような温度特性
を有することを特徴とするレーザダイオード駆動回路が
提供される。
罫亙
本発明に従うレーザダイオード駆動回路は、信号振幅電
流を制御することによって、レーザダイオードの消光比
の変動を有効に補償することができるように構成されて
いることを特徴としている。
流を制御することによって、レーザダイオードの消光比
の変動を有効に補償することができるように構成されて
いることを特徴としている。
即ち、従来のレーザダイオード駆動回路のように、バイ
アス電流を変化させて出力光信号レベルを制御する場合
は、発光時も消光時も駆動電流を同じ量増減して、レー
ザダイオードLDの光出力を安定化している。従って、
出力光信号の平均レベルは一定に維持されるが、発光時
の駆動電流と消光時の駆動電流との差が変化しない。従
って、微分効率ηの変化による消光比の変動を有効に補
償することができなかった。
アス電流を変化させて出力光信号レベルを制御する場合
は、発光時も消光時も駆動電流を同じ量増減して、レー
ザダイオードLDの光出力を安定化している。従って、
出力光信号の平均レベルは一定に維持されるが、発光時
の駆動電流と消光時の駆動電流との差が変化しない。従
って、微分効率ηの変化による消光比の変動を有効に補
償することができなかった。
これに対して、本発明に係る補償回路は、レーザダイオ
ードと同じように温度特性を有するダイオードを使用し
た電流源回路を使用し、この電流源回路によって信号振
幅電流を変化させることによって、レーザダイオードL
Dの消光比の変動を補償できるように構成されている。
ードと同じように温度特性を有するダイオードを使用し
た電流源回路を使用し、この電流源回路によって信号振
幅電流を変化させることによって、レーザダイオードL
Dの消光比の変動を補償できるように構成されている。
即ち、信号振幅電流を増大または減少させることにより
、発光時の駆動電流と消光時の駆動電流との差を増大ま
たは減少せしめ、微分効率の変動に関わらず、出力光信
号の信号振幅を一定に保つことができる。
、発光時の駆動電流と消光時の駆動電流との差を増大ま
たは減少せしめ、微分効率の変動に関わらず、出力光信
号の信号振幅を一定に保つことができる。
以下、図面を参照して本発明に係るレーザダイオード駆
動回路について具体的に説明するが、以下の開示は本発
明の一実施例に過ぎず、本発明に技術的範囲を何ら限定
するものではない。
動回路について具体的に説明するが、以下の開示は本発
明の一実施例に過ぎず、本発明に技術的範囲を何ら限定
するものではない。
実施例
第1図は、本発明に従うレーザダイオード駆動回路の具
体的な構成例を示す回路図である。
体的な構成例を示す回路図である。
同図に示すように、この駆動回路は、互いに相補的な人
力信号Sおよび百をベースに引加される1対のトランジ
スタQ1およびQ2から主に構成されている。トランジ
スタQ1およびQ2のコレクタは、それぞれ抵抗R1お
よびレーザダイオードLDを介して電源電圧VCcに接
続されており、トランジスタQ1およびQ2のエミッタ
は共通接続されて、レーザダイオード駆動用電流源を構
成するトランジスタQ3および抵抗R2を介して接地に
接続されている。
力信号Sおよび百をベースに引加される1対のトランジ
スタQ1およびQ2から主に構成されている。トランジ
スタQ1およびQ2のコレクタは、それぞれ抵抗R1お
よびレーザダイオードLDを介して電源電圧VCcに接
続されており、トランジスタQ1およびQ2のエミッタ
は共通接続されて、レーザダイオード駆動用電流源を構
成するトランジスタQ3および抵抗R2を介して接地に
接続されている。
また、この回路は、トランジスタQ2のコレクタとレー
ザダイオードLDとの接続点に接続された、レーザダイ
オードLDの光出力の一部を受けるフォトダイオードP
Dを含む自動出力制御回路(APC)を備えており、ト
ランジスタQ2およびレーザダイオードLDを流れる駆
動電流を補償している。
ザダイオードLDとの接続点に接続された、レーザダイ
オードLDの光出力の一部を受けるフォトダイオードP
Dを含む自動出力制御回路(APC)を備えており、ト
ランジスタQ2およびレーザダイオードLDを流れる駆
動電流を補償している。
一方、トランジスタQ3のベースは、アノードを電源電
圧V ccに接続されたダイオードDのカソードと、一
端を接地された定電流源■゛の他端とが接続されている
。従って、トランジスタQ3のベースには、定電流源I
の生成する定電流11とダイオードDの順方向電圧によ
り決定されるバイアス電圧が印加されている。
圧V ccに接続されたダイオードDのカソードと、一
端を接地された定電流源■゛の他端とが接続されている
。従って、トランジスタQ3のベースには、定電流源I
の生成する定電流11とダイオードDの順方向電圧によ
り決定されるバイアス電圧が印加されている。
以上のように構成されたレーザダイオード駆動回路では
、入力信号Sおよび百のうち、反転入力端子百がハイレ
ベルの場合にトランジスタQ2が導通してレーザダイオ
ードLDを駆動され、非反転入力端子Sがハイレベルの
場合にトランジスタQ,が導通ずる一方トランジスタQ
2が非導通状態となり、レーザダイオードLDは消光す
る。従って、人力Sおよび百に印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、電流源を構成するトランジスタ
Q,により規定された駆動電流がレーザダイオードLD
を間歇的に駆動する。
、入力信号Sおよび百のうち、反転入力端子百がハイレ
ベルの場合にトランジスタQ2が導通してレーザダイオ
ードLDを駆動され、非反転入力端子Sがハイレベルの
場合にトランジスタQ,が導通ずる一方トランジスタQ
2が非導通状態となり、レーザダイオードLDは消光す
る。従って、人力Sおよび百に印加されるデジタル電気
信号のレベルに応じて、電流源を構成するトランジスタ
Q,により規定された駆動電流がレーザダイオードLD
を間歇的に駆動する。
また、自動出力制御回路APCは、フォトダイオードに
よりレーザダイオードLDの光出力を検出し、バイパス
電流路の導通抵抗を制御する。即ち、レーザダイオード
LDの光出力が不足している場合はレーザダイオードL
Dを流れる電流を増大させ、レーザダイオードLDの光
出力が過大な場合にはレーザダイオードLDを流れる電
流を減少させるようにフィードバック制御を行い、光出
力の平均値を常に一定に保つように動作する。
よりレーザダイオードLDの光出力を検出し、バイパス
電流路の導通抵抗を制御する。即ち、レーザダイオード
LDの光出力が不足している場合はレーザダイオードL
Dを流れる電流を増大させ、レーザダイオードLDの光
出力が過大な場合にはレーザダイオードLDを流れる電
流を減少させるようにフィードバック制御を行い、光出
力の平均値を常に一定に保つように動作する。
第3図は、ダイオードDの温度特性を示すグラフである
。
。
即ち、同図に示すように、ダイオードの順方向電圧VF
と温度との間には、このダイオードを流れる電流が一定
であると考えると、一般に下記の式(1)に示すような
関係がある。
と温度との間には、このダイオードを流れる電流が一定
であると考えると、一般に下記の式(1)に示すような
関係がある。
V,(Tυ一(VF To)= k(T+ To
)・・・・(1) To二室温く25℃》 T1:ダイオードの温度 VF (To) : To ニオケルタ{オー}’(
7)順方向電圧 VF (TI): Tlにおけるダイオードの順方向電
圧 k:温度係数(V/t) シリコンダイオードでk=2mV/t このように、ダイオードDは、温度の上昇と共に順方向
電圧が減少する。従って、トランジスタQ3のベースに
印加される電圧が上昇して、レーザダイオードLDに印
加される変調電流12が増加する。
)・・・・(1) To二室温く25℃》 T1:ダイオードの温度 VF (To) : To ニオケルタ{オー}’(
7)順方向電圧 VF (TI): Tlにおけるダイオードの順方向電
圧 k:温度係数(V/t) シリコンダイオードでk=2mV/t このように、ダイオードDは、温度の上昇と共に順方向
電圧が減少する。従って、トランジスタQ3のベースに
印加される電圧が上昇して、レーザダイオードLDに印
加される変調電流12が増加する。
第2図は、上述のような特性を有するダイオードを使用
して構成された、第1図に示すレーザダイオード駆動回
路の動作を説明するための図である。
して構成された、第1図に示すレーザダイオード駆動回
路の動作を説明するための図である。
即ち、低い温度T1から高い温度T2にレーザダイオー
ドの温度が変化した場合、前述のようにレーザダイオー
ドの微分効率が変化する。しかしながら、第1図に示し
た回路においては、前述のように、レーザダイオードL
Dの微分効率の変化と同時にダイオー!−′Dの電圧降
下が減少し、トランジスタQ,のベースに印加される電
圧が上昇して、レーザダイオードLDに印加される変調
電流i,が増加する。従って、レーザダイオードLDの
微分効率の変動にも係わらず、出力される光信号の信号
振幅は変化しない。
ドの温度が変化した場合、前述のようにレーザダイオー
ドの微分効率が変化する。しかしながら、第1図に示し
た回路においては、前述のように、レーザダイオードL
Dの微分効率の変化と同時にダイオー!−′Dの電圧降
下が減少し、トランジスタQ,のベースに印加される電
圧が上昇して、レーザダイオードLDに印加される変調
電流i,が増加する。従って、レーザダイオードLDの
微分効率の変動にも係わらず、出力される光信号の信号
振幅は変化しない。
尚、温度補償用ダイオードDを、直列に接続した複数の
ダイオード素子によって構成することにより、変調電流
の増加量を適宜調節することができる。
ダイオード素子によって構成することにより、変調電流
の増加量を適宜調節することができる。
発明の効果
以上説明したように、本発明に係るレーザダイオード駆
動回路は、ペルチェ効果素子等を使用した複雑な温度調
節回路なしに、温度変動に対して出力光信号の振幅を一
定に保つ機能がある。従って、特に、光通信の分野で、
小型且つ低消費電力なレーザダイオード駆動回路が必要
とされる光送信器に有利に使用することができる。
動回路は、ペルチェ効果素子等を使用した複雑な温度調
節回路なしに、温度変動に対して出力光信号の振幅を一
定に保つ機能がある。従って、特に、光通信の分野で、
小型且つ低消費電力なレーザダイオード駆動回路が必要
とされる光送信器に有利に使用することができる。
第1図は、本発明に係るレーザダイオード駆動回路の構
成例を示す回路図であり、 第2図は、本発明に係るレーザダイオード駆動回路にお
ける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであり
、 第3図は、ダイオードの温度特性を示すグラフであり、 第4図は、従来のレーザダイオード駆動回路の典型的な
構成を示す回路図であり、 第5図は、第4図に示したレーザダイオード駆動回路に
おける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであ
る。 〔主な参照符号〕 D・ ・ ・ ・ダイオード、 ■・・・・電流源、 LD・・・レーザダイオード、 Q1、Q2、Q3 ・・・・トランジスタ、R1、R2
、R,、R,・・・抵抗
成例を示す回路図であり、 第2図は、本発明に係るレーザダイオード駆動回路にお
ける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであり
、 第3図は、ダイオードの温度特性を示すグラフであり、 第4図は、従来のレーザダイオード駆動回路の典型的な
構成を示す回路図であり、 第5図は、第4図に示したレーザダイオード駆動回路に
おける、出力光信号の振幅の温度特性を示すグラフであ
る。 〔主な参照符号〕 D・ ・ ・ ・ダイオード、 ■・・・・電流源、 LD・・・レーザダイオード、 Q1、Q2、Q3 ・・・・トランジスタ、R1、R2
、R,、R,・・・抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方のトランジスタに負荷としてレーザダイオードが接
続され且つエミッタが共通接続された1対のトランジス
タからなり、該1対のトランジスタの各ベースに互いに
相補的な信号を受ける差動増幅回路と、該1対のトラン
ジスタの共通接続されたエミッタにコレクタが接続され
、エミッタが低電圧側に接続されて、前記差動増幅回路
を流れる電流を制御する電流源トランジスタとを備えた
レーザダイオード駆動回路において、 該電流源トランジスタのベースが、電源と接地との間に
直列に接続されたダイオードと定電流源回路との間の接
続点に接続されており、該ダイオードが、該レーザダイ
オードの光出力振幅を一定に保つような温度特性を有す
ることを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010212A JPH03214935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レーザダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010212A JPH03214935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03214935A true JPH03214935A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11743961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010212A Pending JPH03214935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03214935A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037832A (en) * | 1997-07-31 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same |
EP2169789A1 (en) * | 2007-07-13 | 2010-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical transmitter |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2010212A patent/JPH03214935A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037832A (en) * | 1997-07-31 | 2000-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same |
EP2169789A1 (en) * | 2007-07-13 | 2010-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical transmitter |
EP2169789A4 (en) * | 2007-07-13 | 2012-01-04 | Mitsubishi Electric Corp | OPTICAL TRANSMITTER |
US8242709B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-08-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical transmitter |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0982880A2 (en) | Optical transmitter having temperature compensating function and optical transmission system | |
JP3449898B2 (ja) | 発光素子駆動回路 | |
US4819241A (en) | Laser diode driving circuit | |
JP3130571B2 (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
US4277846A (en) | Circuit for stabilizing the output of an injection laser | |
EP0939468A2 (en) | Drive circuit for light emitting element | |
US4799224A (en) | Driver for a semiconductor laser | |
JP2002511658A (ja) | レーザダイオードの温度補償 | |
JPH08316560A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
JP3320900B2 (ja) | レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気/光信号変換ユニット | |
JP3423115B2 (ja) | 光信号送信装置 | |
US5107362A (en) | Optical transmission apparatus | |
US5999551A (en) | Optical transmitter with a temperature-compensating means | |
CA2224727C (en) | Laser drive circuit | |
JP3130825B2 (ja) | Ld駆動回路 | |
JPH03214935A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
US6072816A (en) | Laser-diode drive circuit | |
JPS6396979A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
JPH05259563A (ja) | 半導体レーザ光出力制御回路 | |
JPH10209538A (ja) | 光送信回路 | |
JPS6151887A (ja) | 半導体レ−ザの駆動装置 | |
JP2710974B2 (ja) | 光送信装置 | |
JPS61224385A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
JP2573426B2 (ja) | バースト型光通信回路 | |
JPH0738185A (ja) | 発光素子の駆動回路 |