JPS6188530A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPS6188530A JPS6188530A JP21091884A JP21091884A JPS6188530A JP S6188530 A JPS6188530 A JP S6188530A JP 21091884 A JP21091884 A JP 21091884A JP 21091884 A JP21091884 A JP 21091884A JP S6188530 A JPS6188530 A JP S6188530A
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- cleaning
- wafer
- cleaning liquid
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
不発明は、洗浄装置に関する。
従来、半導体ウェハの洗浄は、浸漬方式とチャンバ一方
式により行われている。９ｆｆｌ方式は、複数枚の半導
体ウェハを載せたキャリアを薬液槽或は水槽にキャリア
ごと漬浸して半導体クエへを洗浄する。洗浄後の半導体
ウェハは、ヌピンドライ装置によって乾燥される。この
ような浸漬方式によるものは、半導体ウェハに形成され
たパターンの隅部に汚れが残った９、或は、キャリアの
接触部に汚れが残る。このため、十分な洗浄効果が得ら
れない。また、洗浄液が大量に必要であると共に、洗浄
装置のための広い空間を必要とする問題がある。
式により行われている。９ｆｆｌ方式は、複数枚の半導
体ウェハを載せたキャリアを薬液槽或は水槽にキャリア
ごと漬浸して半導体クエへを洗浄する。洗浄後の半導体
ウェハは、ヌピンドライ装置によって乾燥される。この
ような浸漬方式によるものは、半導体ウェハに形成され
たパターンの隅部に汚れが残った９、或は、キャリアの
接触部に汚れが残る。このため、十分な洗浄効果が得ら
れない。また、洗浄液が大量に必要であると共に、洗浄
装置のための広い空間を必要とする問題がある。
一方、チャンバ一方式は、キャリアに載せた半導体ウェ
ハ全回転させながら、薬液や水をシャワーにより水平方
向から半導体ウェハに吹きつけて半導体ウェハを洗浄す
るものである。このようなチャンバ一方式によるもので
は、薬液等を水平方向から半導体ウェハに吹きつけるた
め、洗浄効果が弱く、微細パターンに汚れが残り易い問
題がある。
ハ全回転させながら、薬液や水をシャワーにより水平方
向から半導体ウェハに吹きつけて半導体ウェハを洗浄す
るものである。このようなチャンバ一方式によるもので
は、薬液等を水平方向から半導体ウェハに吹きつけるた
め、洗浄効果が弱く、微細パターンに汚れが残り易い問
題がある。
更に、佼孤方式やチャンバ一方式のいずれの場合のも、
洗浄後に半導体ウェハの表面に数分子層の有機物からな
る汚染膜が残存する問題がおる・ 〔発明の目的〕 本発明は、ウエノ・の微細パターン汚れ及び有機物汚染
を極めて効果的に除去することができる洗浄装置全提供
すること’ｋ（の目的とするものでめる・ 〔発明の概髪〕 本発明は、ウェハ面に対して１０〜９０°の角度で洗浄
液を吹き付ける機構と、紫外線による洗浄機構とを設け
たことにより、ウエノ・の微細パターン汚れ及び有機物
汚染を極めて効果的に除去することができる洗浄装置で
ある。
洗浄後に半導体ウェハの表面に数分子層の有機物からな
る汚染膜が残存する問題がおる・ 〔発明の目的〕 本発明は、ウエノ・の微細パターン汚れ及び有機物汚染
を極めて効果的に除去することができる洗浄装置全提供
すること’ｋ（の目的とするものでめる・ 〔発明の概髪〕 本発明は、ウェハ面に対して１０〜９０°の角度で洗浄
液を吹き付ける機構と、紫外線による洗浄機構とを設け
たことにより、ウエノ・の微細パターン汚れ及び有機物
汚染を極めて効果的に除去することができる洗浄装置で
ある。
以下、本発明の実ａ例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、
第２図は、同実施例の要部の平面図である・図中１は、
上部を開口した洗浄容器である。洗浄容器１内には、頂
部に半導体ウエノ・２の載置部を有する回転台３が回転
自在に設けられている。洗浄容器１の側部には、雰囲気
ガスの吸引口４が形成され、底部には、洗浄液の排出口
５が形成されている。洗浄容器１の開口部は、開閉自在
に取付けられた略半球状の蓋体６によって塞がれている
。洗浄容器１の載置部には、点在された半導体ウエノ・
２を固定するためのピン７が設けられている。蓋体６の
内側には、洗浄容器１の載置部と対向するようにして洗
浄液噴出パイプ８と紫外線ラング９が取付けられている
。洗浄液噴出パイｆ８には、第３図に示す如く、複数個
の噴出口１０が所定間隔を設けて形成されている。噴出
口１０は、載置部上の半導体ウエノＳ２０表面に対して
１０〜９ ＱＯの角度で洗浄液１１を噴出できるように
形成されている。噴出口１０の直径は、１０μｍ〜３餌
の範囲で設定されている。紫外線ランプ９は、例えば波
長が１８４．９ ｎｍ、或は２５３．７ｎｍの紫外線を
半導体ウェハ２に同けて照射するようになっている０洗
浄液噴出バイア′。８から噴出される洗浄液１１として
は、例えばＨ２Ｏ、ＮＩ（４０Ｈ＃ Ｈ２Ｏの混合比が
１：１：５で、７０℃に加熱されたもの（ＳＣ−１）や
Ｈ２０□ａ ＨＣｌ 、 Ｈ２ｏの混合比が１：１：５
で、７０℃に加熱されたものが使用される。また、洗浄
液１１の噴出圧力は、１０〜５０〜重／ｃｒｎ２に設定
されている。洗浄容器１１の近傍には、半導体ウェハ２
を収容するキャリア１２が設けられている。
第２図は、同実施例の要部の平面図である・図中１は、
上部を開口した洗浄容器である。洗浄容器１内には、頂
部に半導体ウエノ・２の載置部を有する回転台３が回転
自在に設けられている。洗浄容器１の側部には、雰囲気
ガスの吸引口４が形成され、底部には、洗浄液の排出口
５が形成されている。洗浄容器１の開口部は、開閉自在
に取付けられた略半球状の蓋体６によって塞がれている
。洗浄容器１の載置部には、点在された半導体ウエノ・
２を固定するためのピン７が設けられている。蓋体６の
内側には、洗浄容器１の載置部と対向するようにして洗
浄液噴出パイプ８と紫外線ラング９が取付けられている
。洗浄液噴出パイｆ８には、第３図に示す如く、複数個
の噴出口１０が所定間隔を設けて形成されている。噴出
口１０は、載置部上の半導体ウエノＳ２０表面に対して
１０〜９ ＱＯの角度で洗浄液１１を噴出できるように
形成されている。噴出口１０の直径は、１０μｍ〜３餌
の範囲で設定されている。紫外線ランプ９は、例えば波
長が１８４．９ ｎｍ、或は２５３．７ｎｍの紫外線を
半導体ウェハ２に同けて照射するようになっている０洗
浄液噴出バイア′。８から噴出される洗浄液１１として
は、例えばＨ２Ｏ、ＮＩ（４０Ｈ＃ Ｈ２Ｏの混合比が
１：１：５で、７０℃に加熱されたもの（ＳＣ−１）や
Ｈ２０□ａ ＨＣｌ 、 Ｈ２ｏの混合比が１：１：５
で、７０℃に加熱されたものが使用される。また、洗浄
液１１の噴出圧力は、１０〜５０〜重／ｃｒｎ２に設定
されている。洗浄容器１１の近傍には、半導体ウェハ２
を収容するキャリア１２が設けられている。
このように構成された洗浄装置２０によれば先ず、蓋体
６を開けて洗浄容器１Ｆ７３の回転台３上に、被処理体
である半導体ウェハ２を載置し、ピン７によって動かな
いように固定する。次いで、図示しない吸引機構によっ
て洗浄容器１円の雰１気ガスを吸引口４から排気し、所
定の減圧状態全作る。次に、回転台３ｉ１００〜１００
０回転／分の範囲の回転速度で回転δぜながら、第４図
に示す如く、洗浄液噴出パイプ８の噴出口１０より洗浄
液１１を、半導体ウェハ２の表面に対して１０〜９０°
の噴出角度で１ジ（きつけて洗浄を行う０この洗浄では
況＃奴１１は半導体ウェハ２の表面に対して１０〜９０
°の噴出角度で吹きつけられるので、第５図（ト）に示
す如く、半導体ウェハ２のパターン２ｄの隅部２ｂの汚
染を完全に除去することができる。これに対して従来の
装置によるものでは、第５図の）に示す如く、パターン
２ａの隅部２ｂの汚染２１を洗浄液１１の吹き付けでは
完全には除去できない。
６を開けて洗浄容器１Ｆ７３の回転台３上に、被処理体
である半導体ウェハ２を載置し、ピン７によって動かな
いように固定する。次いで、図示しない吸引機構によっ
て洗浄容器１円の雰１気ガスを吸引口４から排気し、所
定の減圧状態全作る。次に、回転台３ｉ１００〜１００
０回転／分の範囲の回転速度で回転δぜながら、第４図
に示す如く、洗浄液噴出パイプ８の噴出口１０より洗浄
液１１を、半導体ウェハ２の表面に対して１０〜９０°
の噴出角度で１ジ（きつけて洗浄を行う０この洗浄では
況＃奴１１は半導体ウェハ２の表面に対して１０〜９０
°の噴出角度で吹きつけられるので、第５図（ト）に示
す如く、半導体ウェハ２のパターン２ｄの隅部２ｂの汚
染を完全に除去することができる。これに対して従来の
装置によるものでは、第５図の）に示す如く、パターン
２ａの隅部２ｂの汚染２１を洗浄液１１の吹き付けでは
完全には除去できない。
洗浄液１１による洗浄が終了すると、洗浄容器１円を前
述と同様に所定の減圧状態にしてから、回転台３を８０
０〜１０００回転／分の回転速度で回転させながら半導
体ウエノ・２の乾燥を行うＯ 然ル後、紫外線ランプ９によって所定の紫外′ＮＭを乾
燥後の半導体ウェハ・２に照射して、半導体ウェハ２の
パターン２ａ上に残在し易い有機物全除去する。このよ
うにして半纏体ウエノ・２の洗浄を完全に行うことがで
きる。
述と同様に所定の減圧状態にしてから、回転台３を８０
０〜１０００回転／分の回転速度で回転させながら半導
体ウエノ・２の乾燥を行うＯ 然ル後、紫外線ランプ９によって所定の紫外′ＮＭを乾
燥後の半導体ウェハ・２に照射して、半導体ウェハ２の
パターン２ａ上に残在し易い有機物全除去する。このよ
うにして半纏体ウエノ・２の洗浄を完全に行うことがで
きる。
なお、紫外線による洗浄処理は、洗浄液１１による処理
、或は乾保処理と併行して行っても艮いし、また、これ
らの処理の前に行っても艮い。
、或は乾保処理と併行して行っても艮いし、また、これ
らの処理の前に行っても艮い。
また、洗浄装置−と１の材質としては、洗浄液噴出パイ
プ８をセラミックスで形成し、その他の部分はフッ素樹
脂で形成するのが望ましい。
プ８をセラミックスで形成し、その他の部分はフッ素樹
脂で形成するのが望ましい。
以上説明した如く、本発明に係る洗浄装置によれば、微
細パターン汚れ及び有機物汚染を極めて効果的に除去す
ることができるものでわる。
細パターン汚れ及び有機物汚染を極めて効果的に除去す
ることができるものでわる。
第１図は、本発明の一実施例の概略禍成を示す説明図、
第２図は、同芙施例の要部の平面図、第３囚は、洗浄液
噴出パイプの断面図、第４図は、同洗浄液噴出パイプか
ら況浄′：ｆＬ’ｅ噴出している状態を示す説明図、第
５図（５）ＣＢ）は、洗浄後の半導体ウェハの表面の状
態を示す説明図である０ １・・・洗浄容器、２・・・半導体ウェハ、３・・・回
転台、４・・・吸引口、５・・・排出口、６・・・蓋体
、７・・・ビン、８・・・洗浄液噴出ノぐイブ、９・・
・紫外線う／ゾ、１０・・・噴出口、１１・・・洗浄液
、１２・・・キャリア、ヱｏ−・・洗浄装置・ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１区 第２図 第４図 第５図 （Ｂ）
第２図は、同芙施例の要部の平面図、第３囚は、洗浄液
噴出パイプの断面図、第４図は、同洗浄液噴出パイプか
ら況浄′：ｆＬ’ｅ噴出している状態を示す説明図、第
５図（５）ＣＢ）は、洗浄後の半導体ウェハの表面の状
態を示す説明図である０ １・・・洗浄容器、２・・・半導体ウェハ、３・・・回
転台、４・・・吸引口、５・・・排出口、６・・・蓋体
、７・・・ビン、８・・・洗浄液噴出ノぐイブ、９・・
・紫外線う／ゾ、１０・・・噴出口、１１・・・洗浄液
、１２・・・キャリア、ヱｏ−・・洗浄装置・ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１区 第２図 第４図 第５図 （Ｂ）
Claims (1)
- 開口部を有する洗浄容器と、該洗浄容器内に回転自在に
設けられた回転台と、該回転台に形成された半導体ウェ
ハの載置部と、前記開口部を開閉自在にして塞ぐ蓋体と
、該蓋体と前記洗浄容器で囲まれた内部に前記載置部上
の前記半導体ウェハの表面に対して１０〜９０°の噴出
角度で洗浄液を噴出するように設けられた洗浄液噴出パ
イプと、前記蓋体と前記洗浄容器で囲まれた内部に設け
られた紫外線ランプとを具備することを特徴とする洗浄
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21091884A JPS6188530A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21091884A JPS6188530A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188530A true JPS6188530A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16597218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21091884A Pending JPS6188530A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188530A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315710A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Toshiba Corp | 洗浄装置 |
| JPH05299401A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Nec Kyushu Ltd | 有機物除去装置 |
| KR100460729B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2005-06-16 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반전장치 및 연마장치 |
| JP2008229305A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Haruka Okazaki | 傘入れ |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21091884A patent/JPS6188530A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315710A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Toshiba Corp | 洗浄装置 |
| JPH0362128B2 (ja) * | 1986-07-08 | 1991-09-25 | Toshiba Kk | |
| JPH05299401A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Nec Kyushu Ltd | 有機物除去装置 |
| KR100460729B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2005-06-16 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반전장치 및 연마장치 |
| JP2008229305A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Haruka Okazaki | 傘入れ |
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