JPS6183977A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
- Publication number
- JPS6183977A JPS6183977A JP59205297A JP20529784A JPS6183977A JP S6183977 A JPS6183977 A JP S6183977A JP 59205297 A JP59205297 A JP 59205297A JP 20529784 A JP20529784 A JP 20529784A JP S6183977 A JPS6183977 A JP S6183977A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の検査装置に関し、特に読み出し専
用記憶半導体装置の検査装置に関する。
用記憶半導体装置の検査装置に関する。
従来、半導体ウェハー上の半導体装置、特に読み出し専
用記憶半導体装置（以降ＲＯＭと称する）の検査は、製
造工程で半導体ウェハー毎に選定された記憶・ぐターン
に対応する検査パターンを、検査装置から読み出して、
１個づつ検査する方式がとられている。一方、半導体ウ
ェハー上の異なる記憶パターンをもった２種類以上のＲ
ＯＭを検査する方法は、まず、検査装置で１種類のＲＯ
Ｍの記憶パターンを読み出して、その記憶・ぐターンに
対応する検査ｔ４ターンでその種類の半導体ウェハー上
のすべてのＲＯＭを検査し、次に、別の記憶・ぐターン
を読み出して、その種類のＲＯＭを検査するというくり
返し方式がとられている。従来、半導体ウェハー１上の
半導体装置３がＲＯＭであシ、第３図のようにＡ、Ｈの
２種類であった場合、半導体ウェハー１は載物台２の上
に載せられ、第４図の電極パッド９に、第１図の検査用
探針群１０を接触させ、検査部６で、まずＡのＲＯＭに
対応する検査・リーンを記憶部５から読み出して、半導
体ウェハー上のすべてのＡのＲＯＭを検査し、次に、Ｂ
のＲＯＭに対応する検査ノ４ターンを記憶部５から読み
出して、半導体ウェハー上のすべてのＢのＲＯＭ ｉ検
査していた。
用記憶半導体装置（以降ＲＯＭと称する）の検査は、製
造工程で半導体ウェハー毎に選定された記憶・ぐターン
に対応する検査パターンを、検査装置から読み出して、
１個づつ検査する方式がとられている。一方、半導体ウ
ェハー上の異なる記憶パターンをもった２種類以上のＲ
ＯＭを検査する方法は、まず、検査装置で１種類のＲＯ
Ｍの記憶パターンを読み出して、その記憶・ぐターンに
対応する検査ｔ４ターンでその種類の半導体ウェハー上
のすべてのＲＯＭを検査し、次に、別の記憶・ぐターン
を読み出して、その種類のＲＯＭを検査するというくり
返し方式がとられている。従来、半導体ウェハー１上の
半導体装置３がＲＯＭであシ、第３図のようにＡ、Ｈの
２種類であった場合、半導体ウェハー１は載物台２の上
に載せられ、第４図の電極パッド９に、第１図の検査用
探針群１０を接触させ、検査部６で、まずＡのＲＯＭに
対応する検査・リーンを記憶部５から読み出して、半導
体ウェハー上のすべてのＡのＲＯＭを検査し、次に、Ｂ
のＲＯＭに対応する検査ノ４ターンを記憶部５から読み
出して、半導体ウェハー上のすべてのＢのＲＯＭ ｉ検
査していた。
ところがＡとＢのＲＯＭの区別がＲＯＭの内部のコード
番号を人が読み取ってその都度、検査部６へ記憶部５か
ら検査・やターンを読み出していた為、コード番号が小
さくて非常に読み取りにくいこともあって、間違った検
査パターンを読み出して、良品を不良品と判定してしま
うことが多かった。
番号を人が読み取ってその都度、検査部６へ記憶部５か
ら検査・やターンを読み出していた為、コード番号が小
さくて非常に読み取りにくいこともあって、間違った検
査パターンを読み出して、良品を不良品と判定してしま
うことが多かった。
本発明の目的は、かかる検査上の間違いを無くし、正し
い検査ができるＲＯＭの検査装置を提供することにある
。
い検査ができるＲＯＭの検査装置を提供することにある
。
本発明は半導体ウェハー上の２種類以上の読み出し専用
記憶半導体装置の記憶内容を検査パターンにて検査する
検査装置において、半導体装置上の記憶・にターンに対
応するコード番号を読み取り、これをそれぞれの記憶内
容に対応する検査・やターンが内蔵された記憶部に出力
する読取部を備えたことを特徴とする半導体装置の検査
装置である。
記憶半導体装置の記憶内容を検査パターンにて検査する
検査装置において、半導体装置上の記憶・にターンに対
応するコード番号を読み取り、これをそれぞれの記憶内
容に対応する検査・やターンが内蔵された記憶部に出力
する読取部を備えたことを特徴とする半導体装置の検査
装置である。
、 〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。第１図は本発明の一実施例であり、コード番号の読取
部が光学系の場合、第２図は読取部が電気系の場合を示
す。
。第１図は本発明の一実施例であり、コード番号の読取
部が光学系の場合、第２図は読取部が電気系の場合を示
す。
第１図の実施例では、読取部としての光源および受光部
４から光（レーデ−）をＲＯＭ ３の表面に照射し、Ｒ
ＯＭ ３のコード番号が形成されている部分８（第４図
）で光のスポットを動かして、第５図（、）又は（ｃ）
のようなコード番号を光の反射光を読み取ることで判別
し、その結果を記憶部５へ伝送し、記憶部５からＡまた
はＢのコード・ぐターンを判別結果をもとに読み出す。
４から光（レーデ−）をＲＯＭ ３の表面に照射し、Ｒ
ＯＭ ３のコード番号が形成されている部分８（第４図
）で光のスポットを動かして、第５図（、）又は（ｃ）
のようなコード番号を光の反射光を読み取ることで判別
し、その結果を記憶部５へ伝送し、記憶部５からＡまた
はＢのコード・ぐターンを判別結果をもとに読み出す。
その読み出した検査パターンに基いて検査部６にて、Ｒ
ＯＭ３の電極・やラドに接触させた検査用探針群１０全
通してＲＯＭ ３の記憶内容を検査する。このため、本
発明によれば、第３図のＡのＲＯＭに対応する検査・ぐ
ターンを記憶部５から読み出して、半導体ウェハーの全
てのＡのＲＯＭ ｉ検査し、次にＢのＲＯＭ Ｋ対応す
る検査・ぐターンを記憶部５から読み出して全てのＢの
ＲＯＭを検査できるばかシでなく、半導体ウェハー上人
のＲＯＭを検査し、また、ＢのＲＯＭをすぐ検査し、さ
らにＡのＲＯＭを検査するということもてきる。また、
光の反射を利用してコード番号を読み取る為に、コード
番号を正確に読み取ることができ、間違いを無くシ、そ
れぞれのＲＯＭに対応する検査・ぐターンを読み出すこ
とができ、正しいＲＯＭの検査ができる。なお、第５図
（、）のコード番号は金属材料１２の長短を利用したコ
ード番号であシ、図では°’１０１０”を示している。
ＯＭ３の電極・やラドに接触させた検査用探針群１０全
通してＲＯＭ ３の記憶内容を検査する。このため、本
発明によれば、第３図のＡのＲＯＭに対応する検査・ぐ
ターンを記憶部５から読み出して、半導体ウェハーの全
てのＡのＲＯＭ ｉ検査し、次にＢのＲＯＭ Ｋ対応す
る検査・ぐターンを記憶部５から読み出して全てのＢの
ＲＯＭを検査できるばかシでなく、半導体ウェハー上人
のＲＯＭを検査し、また、ＢのＲＯＭをすぐ検査し、さ
らにＡのＲＯＭを検査するということもてきる。また、
光の反射を利用してコード番号を読み取る為に、コード
番号を正確に読み取ることができ、間違いを無くシ、そ
れぞれのＲＯＭに対応する検査・ぐターンを読み出すこ
とができ、正しいＲＯＭの検査ができる。なお、第５図
（、）のコード番号は金属材料１２の長短を利用したコ
ード番号であシ、図では°’１０１０”を示している。
第５図（ｃ）のコード番号は金属材料１２あるいは下地
酸化膜１３のパター二／グによって形成された番号１６
である。
酸化膜１３のパター二／グによって形成された番号１６
である。
第２図における読取部は、コード番号を第５図（ｂ）の
ように、金属材料の・ぐ、ド１４，１４’と配線１５で
形成し、コード番号チェ、り用探針１１をパッド１＝ｌ
ｌ１４’に接触させ、パッド１４，１４’間の断続をチ
ェックし、その信号からコード番号を読み取るもので、
その他の構成は前実施例と同じである。なお、第５図（
ｂ）の場合は’１０１０”のコード番号となる。第２図
によるコード番号の判別方式も、第１図と同様に、正し
い検査を実施できる。
ように、金属材料の・ぐ、ド１４，１４’と配線１５で
形成し、コード番号チェ、り用探針１１をパッド１＝ｌ
ｌ１４’に接触させ、パッド１４，１４’間の断続をチ
ェックし、その信号からコード番号を読み取るもので、
その他の構成は前実施例と同じである。なお、第５図（
ｂ）の場合は’１０１０”のコード番号となる。第２図
によるコード番号の判別方式も、第１図と同様に、正し
い検査を実施できる。
本発明によれば、半導体ウェハー上のＲＯＭ０記憶内容
と１対１に対応して決定されるコード番号を自動的に読
み取り、コード番号に対応する検査・ぐターンを変更し
て検査するようにしたので、間違って記憶／４り〜ンに
対応しない検査パターンで検査し、良品を不良品とする
というトラブルをなくして、正しい検査を行なうことが
できる効果を有するものである。
と１対１に対応して決定されるコード番号を自動的に読
み取り、コード番号に対応する検査・ぐターンを変更し
て検査するようにしたので、間違って記憶／４り〜ンに
対応しない検査パターンで検査し、良品を不良品とする
というトラブルをなくして、正しい検査を行なうことが
できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本発明の異なる実施例を示す模式図で
、第１図は、コード番号を光の反射を利用して読み取る
場合の模式図、第２図は電気的に読み取る場合の模式図
、第３図は半導体ウェハー上の異なる記憶パターンを有
するＲＯＭの配列を示した図、第４図はＲＯＭの内部の
コード番号の配置を示した図、第５図はコード番号の形
状を示した図であシ、第５図（、）は金属材料の長短を
利用したコード番号、（ｂ）は金属材料の断線を利用し
たコード番号、（ｃ）は金属材料あるいは下地酸化膜の
・ぐターニングで形成されたコード番号を示す図である
。 ｌ・・・半導体ウェハー、２・・・載物台１．３・・・
半導体装ｒｆｌｉｆ （ＲＯＭ） 、４・・・光源およ
び受光部（読取部）、５・・・記憶部、６・・・検査部
、７・・・読取部、８・・−ＲＯＭコードが形成されて
いる部分、９・・・電極パッド、１０・・・検査用探針
群、１１・・・コード番号チェ、り用探針、１２・・・
コード番号を示す金属材料、１３・・・下地酸化膜、１
４．１４’・・・コードチェ、り用・ぐラド、１５・・
・金属配線、１６・・・金属材料又は下地酸化膜のパタ
ーニングで形成したコード番号、Ａ、Ｂ・・・異なる種
類のＲＯＭ。 特許出願人 日本電気株式会社 ６：検査部 第２図
、第１図は、コード番号を光の反射を利用して読み取る
場合の模式図、第２図は電気的に読み取る場合の模式図
、第３図は半導体ウェハー上の異なる記憶パターンを有
するＲＯＭの配列を示した図、第４図はＲＯＭの内部の
コード番号の配置を示した図、第５図はコード番号の形
状を示した図であシ、第５図（、）は金属材料の長短を
利用したコード番号、（ｂ）は金属材料の断線を利用し
たコード番号、（ｃ）は金属材料あるいは下地酸化膜の
・ぐターニングで形成されたコード番号を示す図である
。 ｌ・・・半導体ウェハー、２・・・載物台１．３・・・
半導体装ｒｆｌｉｆ （ＲＯＭ） 、４・・・光源およ
び受光部（読取部）、５・・・記憶部、６・・・検査部
、７・・・読取部、８・・−ＲＯＭコードが形成されて
いる部分、９・・・電極パッド、１０・・・検査用探針
群、１１・・・コード番号チェ、り用探針、１２・・・
コード番号を示す金属材料、１３・・・下地酸化膜、１
４．１４’・・・コードチェ、り用・ぐラド、１５・・
・金属配線、１６・・・金属材料又は下地酸化膜のパタ
ーニングで形成したコード番号、Ａ、Ｂ・・・異なる種
類のＲＯＭ。 特許出願人 日本電気株式会社 ６：検査部 第２図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハー上の２種類以上の読み出し専用記
憶半導体装置の記憶内容を検査パターンにて検査する検
査装置において、半導体装置上の記憶パターンに対応す
るコード番号を読み取り、これをそれぞれの記憶内容に
対応する検査パターンが内蔵された記憶部に出力する読
取部を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205297A JPS6183977A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205297A JPS6183977A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183977A true JPS6183977A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16504632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205297A Pending JPS6183977A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183977A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925258A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-09 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205297A patent/JPS6183977A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925258A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-09 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
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