JPH0574885A - ウエーハプロービング装置 - Google Patents
ウエーハプロービング装置Info
- Publication number
- JPH0574885A JPH0574885A JP23261891A JP23261891A JPH0574885A JP H0574885 A JPH0574885 A JP H0574885A JP 23261891 A JP23261891 A JP 23261891A JP 23261891 A JP23261891 A JP 23261891A JP H0574885 A JPH0574885 A JP H0574885A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellets
- pellet
- inspection
- marking
- test
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数のテストを必要とするメモリー等の半導体
装置のテスト総合時間を短縮する。 【構成】本発明のウェーハプロービング装置は、テスト
前に、不良マーキングの有無を認識する為の装置と、こ
のマーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気的
測定を行なわず、次のペレットにインデックスを行なう
装置を有する。
装置のテスト総合時間を短縮する。 【構成】本発明のウェーハプロービング装置は、テスト
前に、不良マーキングの有無を認識する為の装置と、こ
のマーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気的
測定を行なわず、次のペレットにインデックスを行なう
装置を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハプロービング
装置にかかり、特にP/Wチェック工程でペレットの電
気的特性を測定する為のウェーハプロービング装置に関
する。
装置にかかり、特にP/Wチェック工程でペレットの電
気的特性を測定する為のウェーハプロービング装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】P/Wチェック工程で用いられるウェー
ハプロービング装置は、テスターからテスト開始信号を
受けることによって、テストを開始し、テストが終了し
た段階でテスターにテスト終了信号と、測定されたペレ
ットの良否判定信号をテスター側に返す。更に、被測定
ペレットが不良の場合は、レーザーやインクを用いたマ
ーキング装置を動作させることにより、当該ペレットに
不良ペレット認識の為のマーキングを行なう。
ハプロービング装置は、テスターからテスト開始信号を
受けることによって、テストを開始し、テストが終了し
た段階でテスターにテスト終了信号と、測定されたペレ
ットの良否判定信号をテスター側に返す。更に、被測定
ペレットが不良の場合は、レーザーやインクを用いたマ
ーキング装置を動作させることにより、当該ペレットに
不良ペレット認識の為のマーキングを行なう。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】電気的に書き込み紫外
線によって消去する所謂EPROMや電気的に読み書き
可能な所謂EEPROM等は、メモリー内容の保持特性
を検査する為に、通常複数回の電気的測定を有する。例
えば、第1回めの電気的特性の検査で、メモリー部にあ
らかじめ決められた情報を書き込み、この後、250℃
で3時間程度の高温処理を施す。この後、前記高温処理
後でも第1回と電気的特性の検査で書き込まれた情報が
保持されているか第2回めの電気的特性の検査で確認さ
れる。
線によって消去する所謂EPROMや電気的に読み書き
可能な所謂EEPROM等は、メモリー内容の保持特性
を検査する為に、通常複数回の電気的測定を有する。例
えば、第1回めの電気的特性の検査で、メモリー部にあ
らかじめ決められた情報を書き込み、この後、250℃
で3時間程度の高温処理を施す。この後、前記高温処理
後でも第1回と電気的特性の検査で書き込まれた情報が
保持されているか第2回めの電気的特性の検査で確認さ
れる。
【0004】通常第1回めの電気的特性の検査では、書
き込まれた内容が読み出されるかの検査と、メモリー部
以外の付加回路の検査が実施され、不良であれば、レー
ザーやスクラッチにより、マーキングが施されている。
第2回めの電気的特性の検査では通常メモリー内容の保
持特性のみが検査され、メモリー部以外の回路の検査
は、テストが冗長になり、テストタイムが長くなる為実
施しない。この為、もし、第1回めの検査でメモリー部
以外の回路のテストで不良判定され、かつ、不良マーキ
ングが否破壊的であるか、或は、破壊的であってもメモ
リー領域に対する破壊でない場合は、第2回めの検査で
良品判定されてしまう。従って、第2回めのテスト上の
良品ペレット数と真の良品ペレット数が一致しないとい
う不具合がある。
き込まれた内容が読み出されるかの検査と、メモリー部
以外の付加回路の検査が実施され、不良であれば、レー
ザーやスクラッチにより、マーキングが施されている。
第2回めの電気的特性の検査では通常メモリー内容の保
持特性のみが検査され、メモリー部以外の回路の検査
は、テストが冗長になり、テストタイムが長くなる為実
施しない。この為、もし、第1回めの検査でメモリー部
以外の回路のテストで不良判定され、かつ、不良マーキ
ングが否破壊的であるか、或は、破壊的であってもメモ
リー領域に対する破壊でない場合は、第2回めの検査で
良品判定されてしまう。従って、第2回めのテスト上の
良品ペレット数と真の良品ペレット数が一致しないとい
う不具合がある。
【0005】上記不具合を対策する為、第1回めの不良
の為のマーキングは、レーザーやスクラッチを用いた破
壊的な方法に限定され、かつ、場所は、メモリー領域に
限定される。しかしながら破壊的マーキングであれば、
それ以降のペレットの不良解析は不可能であるという不
具合と、メモリー領域に限定されたマーキングではあら
かじめペレット上のメモリー領域の位置を知る必要があ
り、作業性が悪化するという不具合がある。
の為のマーキングは、レーザーやスクラッチを用いた破
壊的な方法に限定され、かつ、場所は、メモリー領域に
限定される。しかしながら破壊的マーキングであれば、
それ以降のペレットの不良解析は不可能であるという不
具合と、メモリー領域に限定されたマーキングではあら
かじめペレット上のメモリー領域の位置を知る必要があ
り、作業性が悪化するという不具合がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハプロー
ビング装置は、半導体ウェーハ上に形成されたペレット
の電気的特性を測定する前に、ペレット上にインクやレ
ーザー等で形成されたマーキング跡を認識する為の装置
と、マーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気
的特性の測定を行なわず、次のペレットにインデックス
を行なう装置を備えている。
ビング装置は、半導体ウェーハ上に形成されたペレット
の電気的特性を測定する前に、ペレット上にインクやレ
ーザー等で形成されたマーキング跡を認識する為の装置
と、マーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気
的特性の測定を行なわず、次のペレットにインデックス
を行なう装置を備えている。
【0007】この種の認識装置は、不良マーキングが正
常に行なわれたか、判断する為に、従来使用されている
が、前述した様に使用目的が全く異なる。
常に行なわれたか、判断する為に、従来使用されている
が、前述した様に使用目的が全く異なる。
【0008】不良マーキング跡を認識する為の装置と、
マーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気的特
性の測定を行なわず、次のペレットにインデックスを行
なう装置を有する事により、EPROM或はEEPRO
Mの第2回めの検査の前に、第1回めの検査を行なわ
ず、次のペレットに移ることが可能である。この為、第
1回めの検査で不良となったペレットが第2回めの検査
で良品になることは無い。又、第1回めの検査の結果、
不良となったペレットに対するマーキング方式に関して
は、非破壊的なマーキングでもよく、更に、マーキング
場所の限定もなくなる。
マーキング跡を認識した場合、当該ペレットの電気的特
性の測定を行なわず、次のペレットにインデックスを行
なう装置を有する事により、EPROM或はEEPRO
Mの第2回めの検査の前に、第1回めの検査を行なわ
ず、次のペレットに移ることが可能である。この為、第
1回めの検査で不良となったペレットが第2回めの検査
で良品になることは無い。又、第1回めの検査の結果、
不良となったペレットに対するマーキング方式に関して
は、非破壊的なマーキングでもよく、更に、マーキング
場所の限定もなくなる。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例である。
る。図1は本発明の一実施例である。
【0010】ウェーハ6上に形成されたペレットの電気
的な特性を測定する為、プローブカード5の探針をペレ
ットに接触させてテストを実施する。テストの前に、測
定ペレット上にインク、レーザー等で形成されたマーキ
ング跡が無いか、マーキング跡をCCDカメラ1で撮影
する。CCDカメラ1に入力された画像は電気信号に変
換され、電気ケーブル3を通して画像処理装置2に伝達
される。画像処理装置2でインクが確認されれば、画像
処理装置2は、テスターにテスト終了信号と不良信号を
送信し、電気的なテストを実施せず、当該ペレット検査
を終了する。プローバーは、次のペレットの検査にそな
え、次のペレットにインデックスする為の装置であるウ
ェーハステージコントローラ7に信号を送り、次のペレ
ットへのインデックスを行なう。
的な特性を測定する為、プローブカード5の探針をペレ
ットに接触させてテストを実施する。テストの前に、測
定ペレット上にインク、レーザー等で形成されたマーキ
ング跡が無いか、マーキング跡をCCDカメラ1で撮影
する。CCDカメラ1に入力された画像は電気信号に変
換され、電気ケーブル3を通して画像処理装置2に伝達
される。画像処理装置2でインクが確認されれば、画像
処理装置2は、テスターにテスト終了信号と不良信号を
送信し、電気的なテストを実施せず、当該ペレット検査
を終了する。プローバーは、次のペレットの検査にそな
え、次のペレットにインデックスする為の装置であるウ
ェーハステージコントローラ7に信号を送り、次のペレ
ットへのインデックスを行なう。
【0011】
【発明の効果】以上説明した様に本発明のウェーハプロ
ービング装置ではペレットの電気的特性を測定する前に
ペレット上のマーキング跡を認識する装置を有する為、
EPROMやEEPROMの第2回めの検査の前に第1
回めの検査の結果不良となったペレットの認識が可能で
ある。
ービング装置ではペレットの電気的特性を測定する前に
ペレット上のマーキング跡を認識する装置を有する為、
EPROMやEEPROMの第2回めの検査の前に第1
回めの検査の結果不良となったペレットの認識が可能で
ある。
【0012】この為、第1回めの検査で不良となったペ
レットが第2回めの検査で良品になることは無い。又、
第1回めの検査の結果不良となったペレットに対するマ
ーキング方式に関しても非破壊的なマーキングでない
為、後で、不良解析が可能である。更にマーキング場所
の限定もない為、セットアップが簡便になる。
レットが第2回めの検査で良品になることは無い。又、
第1回めの検査の結果不良となったペレットに対するマ
ーキング方式に関しても非破壊的なマーキングでない
為、後で、不良解析が可能である。更にマーキング場所
の限定もない為、セットアップが簡便になる。
【0013】又、電気的特性を測定する前に不良の検出
が可能となる為、テストタイムも短縮される。
が可能となる為、テストタイムも短縮される。
【図1】本発明の一実施例を示す図である。
1 CCDカメラ 2 画像処理装置 3 電気ケーブル 4 マーキング装置 5 プローブカード 6 ウェーハ 7 ウェーハステージコントローラ
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体ウェーハ上に形成されたペレット
の電気的特性を測定する前に、ペレット上にインクやレ
ーザー等で形成されたマーキング跡を確認した場合、当
該ペレットの電気的特性の測定を行なわず次のペレット
にインデックスを行なう装置を有することを特徴とする
ウェーハプロービング装置。 - 【請求項2】 前記ペレットはメモリー半導体装置のペ
レットである請求項1のウェーハプロービング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23261891A JPH0574885A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ウエーハプロービング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23261891A JPH0574885A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ウエーハプロービング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574885A true JPH0574885A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16942153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23261891A Pending JPH0574885A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | ウエーハプロービング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0574885A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017084958A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の評価装置及び評価方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252446A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | 集積回路の試験装置 |
JPH02168641A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02235374A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体メモリのテスト方法 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23261891A patent/JPH0574885A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252446A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Nec Kyushu Ltd | 集積回路の試験装置 |
JPH02168641A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02235374A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体メモリのテスト方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017084958A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の評価装置及び評価方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |