JP3150414B2 - 半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置Info
- Publication number
- JP3150414B2 JP3150414B2 JP12384892A JP12384892A JP3150414B2 JP 3150414 B2 JP3150414 B2 JP 3150414B2 JP 12384892 A JP12384892 A JP 12384892A JP 12384892 A JP12384892 A JP 12384892A JP 3150414 B2 JP3150414 B2 JP 3150414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- classification
- inspection
- semiconductor device
- characteristic value
- rank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ等の半導
体装置の検査方法及び検査装置に関し、特に直流増幅率
等の値に応じて複数のグループに分類され、その分類名
を印字された半導体装置を再検査する再検査方法及びそ
のような再検査が可能な検査装置に関する。
体装置の検査方法及び検査装置に関し、特に直流増幅率
等の値に応じて複数のグループに分類され、その分類名
を印字された半導体装置を再検査する再検査方法及びそ
のような再検査が可能な検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタやダイオード等の半導体装
置では、製造工程によって必然的にばらつきを生じる特
性がある。例えば、トランジスタの直流増幅率ｈFEや応
答速度等である。ここではトランジスタのｈFEを例とし
て以下の説明を行なう。トランジスタのｈFEはかなり広
範囲にばらつくため、例えば１００から４００までとい
う具合に範囲を定め、実際のｈFEの測定結果がこの範囲
内であれば良品としている。しかし特性がこのような広
い範囲に分布したのでは使用上好ましくないため、この
良品範囲を更に複数の小範囲に分割し、測定値がどの小
範囲に属するかによって分類している。例えば、トラン
ジスタのｈFEでは、１００から４００を三種類の小範囲
に分類している。
置では、製造工程によって必然的にばらつきを生じる特
性がある。例えば、トランジスタの直流増幅率ｈFEや応
答速度等である。ここではトランジスタのｈFEを例とし
て以下の説明を行なう。トランジスタのｈFEはかなり広
範囲にばらつくため、例えば１００から４００までとい
う具合に範囲を定め、実際のｈFEの測定結果がこの範囲
内であれば良品としている。しかし特性がこのような広
い範囲に分布したのでは使用上好ましくないため、この
良品範囲を更に複数の小範囲に分割し、測定値がどの小
範囲に属するかによって分類している。例えば、トラン
ジスタのｈFEでは、１００から４００を三種類の小範囲
に分類している。
【０００３】トランジスタのｈFEの測定では、測定値が
ある程度の誤差を有する。そのためこのような誤差を考
慮して上記の分類は、例えば１００から２１０をＡラン
ク、１９０から３１０をＢランク、２９０から４００を
Ｃランクという具合に各ランクの範囲を一部重複して分
類の範囲を定めている。図３はこれを説明するための図
である。
ある程度の誤差を有する。そのためこのような誤差を考
慮して上記の分類は、例えば１００から２１０をＡラン
ク、１９０から３１０をＢランク、２９０から４００を
Ｃランクという具合に各ランクの範囲を一部重複して分
類の範囲を定めている。図３はこれを説明するための図
である。
【０００４】図３に示すように、良品であるｈFEの範囲
はＡ，Ｂ，Ｃの三ランクに分類され一部が重複する。重
複部分はどちらのランクに分類されてもよい。分類する
ための検査時には、図３に示すように測定値がＡ1 ，Ｂ
1 ，Ｃ1 のいずれの範囲に入るかを判定する。各範囲の
端における測定誤差が、各範囲の端を中心として図示の
ａ，ｂ，ｃ、及びｄで示される範囲内であれば、分類さ
れた値は上記のＡランク、Ｂランク、及びＣランクの範
囲内に確実に入っているといえる。
はＡ，Ｂ，Ｃの三ランクに分類され一部が重複する。重
複部分はどちらのランクに分類されてもよい。分類する
ための検査時には、図３に示すように測定値がＡ1 ，Ｂ
1 ，Ｃ1 のいずれの範囲に入るかを判定する。各範囲の
端における測定誤差が、各範囲の端を中心として図示の
ａ，ｂ，ｃ、及びｄで示される範囲内であれば、分類さ
れた値は上記のＡランク、Ｂランク、及びＣランクの範
囲内に確実に入っているといえる。
【０００５】各ランクに分類されたトランジスタには、
分類を示す分類印が印字され、各分類毎に仕分けされ
る。上記のようなトランジスタの直流増幅率ｈFEの検査
及び分類は、一度に投入されたトランジスタを一個一個
取り出して搬送し、測定用の触針をトランジスタの端子
に接触させるハンドラと呼ばれる装置とこの触針にテス
ト信号を印加して出力を検出するテスタと呼ばれる装置
を組み合せた半導体装置の検査装置を使用して、他の特
性値の測定と共に行なわれるのが一般的である。
分類を示す分類印が印字され、各分類毎に仕分けされ
る。上記のようなトランジスタの直流増幅率ｈFEの検査
及び分類は、一度に投入されたトランジスタを一個一個
取り出して搬送し、測定用の触針をトランジスタの端子
に接触させるハンドラと呼ばれる装置とこの触針にテス
ト信号を印加して出力を検出するテスタと呼ばれる装置
を組み合せた半導体装置の検査装置を使用して、他の特
性値の測定と共に行なわれるのが一般的である。
【０００６】分類印の印字は、従来は別の装置で行なわ
れていたが、近年ハンドラに印字機能を設けて分類と同
時に分類印を印字することで製造工程の高速化を図った
装置が使用されるようになって来た。
れていたが、近年ハンドラに印字機能を設けて分類と同
時に分類印を印字することで製造工程の高速化を図った
装置が使用されるようになって来た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】トランジスタ等の半導
体装置は、製造工程の最終段階で再度品質管理のための
確認検査が行なわれるのが一般的である。この検査は通
常抜き取りで行なわれるが、もし不合格品が発見されれ
ばそのロットの全半導体装置について再度検査を行なう
等の処理が行なわれる。トランジスタの直流増幅率ｈFE
についても当然確認検査が行なわれ、必要に応じて再検
査が行なわれる。再検査は問題のあった項だけを行なう
ことも、全項目について行なうこともある。
体装置は、製造工程の最終段階で再度品質管理のための
確認検査が行なわれるのが一般的である。この検査は通
常抜き取りで行なわれるが、もし不合格品が発見されれ
ばそのロットの全半導体装置について再度検査を行なう
等の処理が行なわれる。トランジスタの直流増幅率ｈFE
についても当然確認検査が行なわれ、必要に応じて再検
査が行なわれる。再検査は問題のあった項だけを行なう
ことも、全項目について行なうこともある。
【０００８】再検査を行なうための検査装置は、分類の
ための検査で使用した装置をそのまま使用するのが設備
管理上は好ましい。しかし再検査時のトランジスタには
既に分類名が印字されており、ｈFEの再検査であればそ
の分類名が正しいかを確認することが必要である。そこ
で従来の再検査は、印字された分類名毎に検査装置の判
定範囲を図３に示すように変更して行っていた。すなわ
ち、Ａランクのトランジスタを再検査する時には、測定
したｈFEがＡ2 で示す範囲内であれば良品と判定し、同
様にＢランクの時にはＢ2 の範囲であればよく、Ｃラン
クの時にはＣ2の範囲であればよく、それ以外のものは
不良品として廃棄していた。
ための検査で使用した装置をそのまま使用するのが設備
管理上は好ましい。しかし再検査時のトランジスタには
既に分類名が印字されており、ｈFEの再検査であればそ
の分類名が正しいかを確認することが必要である。そこ
で従来の再検査は、印字された分類名毎に検査装置の判
定範囲を図３に示すように変更して行っていた。すなわ
ち、Ａランクのトランジスタを再検査する時には、測定
したｈFEがＡ2 で示す範囲内であれば良品と判定し、同
様にＢランクの時にはＢ2 の範囲であればよく、Ｃラン
クの時にはＣ2の範囲であればよく、それ以外のものは
不良品として廃棄していた。
【０００９】上記のようにトランジスタのｈFEの再検査
では、すべてのランクを別々に検査装置に投入し、判定
範囲を定めるプログラムを変更して測定を行なってい
る。しかもこれらの操作はすべて人為的に行なわれてお
り、操作者の条件設定の誤りや投入するランク種類の誤
り、更に作業中のランク別に仕分けされたトランジスタ
の他のランクへの混入等の事故により、歩留りの低下や
検査の信頼性の低下を招くという問題がある。
では、すべてのランクを別々に検査装置に投入し、判定
範囲を定めるプログラムを変更して測定を行なってい
る。しかもこれらの操作はすべて人為的に行なわれてお
り、操作者の条件設定の誤りや投入するランク種類の誤
り、更に作業中のランク別に仕分けされたトランジスタ
の他のランクへの混入等の事故により、歩留りの低下や
検査の信頼性の低下を招くという問題がある。
【００１０】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、分類印の印字が行なわれた後に再検査する時に
人為的な作業を減少させ、人為的な操作ミスによる歩留
りの低下や信頼性の低下を生じない再検査方法及びその
ための検査装置の実現を目的とする。
であり、分類印の印字が行なわれた後に再検査する時に
人為的な作業を減少させ、人為的な操作ミスによる歩留
りの低下や信頼性の低下を生じない再検査方法及びその
ための検査装置の実現を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の再
検査方法は、測定された特性値に応じて複数の群に分類
され分類印を印字された半導体装置を再検査する方法で
あって、上記問題点を解決するため、分類印を識別する
分類識別工程と、識別した前記分類印に対応する特性値
の許容範囲を設定する工程と、特性値を測定し、測定し
た特性値が分類印に対応する特性値の許容範囲内である
かを判定する判定工程と、特性値の許容範囲内であると
判定された半導体装置を、分類印に従って再分類する工
程とを備える。また図１は、本発明の半導体装置の検査
装置の基本構成を示す図である。図示の如く、本発明の
検査装置は、半導体装置の所定の特性を測定する測定手
段１と、この特性の測定値に応じて複数の群に分類する
分類手段２と、分類に応じて半導体装置に分類を示す分
類印を印字する印字手段３とを備えるが、上記問題点を
解決するため、識別手段４と分類確認手段５とを備え
る。識別手段４は分類印を識別する。分類確認手段５
は、再測定した特性値が識別した分類印に対応する特性
値の許容範囲内であるかを判定し、許容範囲内であると
判定された半導体装置を、分類印に従って再分類する。
検査方法は、測定された特性値に応じて複数の群に分類
され分類印を印字された半導体装置を再検査する方法で
あって、上記問題点を解決するため、分類印を識別する
分類識別工程と、識別した前記分類印に対応する特性値
の許容範囲を設定する工程と、特性値を測定し、測定し
た特性値が分類印に対応する特性値の許容範囲内である
かを判定する判定工程と、特性値の許容範囲内であると
判定された半導体装置を、分類印に従って再分類する工
程とを備える。また図１は、本発明の半導体装置の検査
装置の基本構成を示す図である。図示の如く、本発明の
検査装置は、半導体装置の所定の特性を測定する測定手
段１と、この特性の測定値に応じて複数の群に分類する
分類手段２と、分類に応じて半導体装置に分類を示す分
類印を印字する印字手段３とを備えるが、上記問題点を
解決するため、識別手段４と分類確認手段５とを備え
る。識別手段４は分類印を識別する。分類確認手段５
は、再測定した特性値が識別した分類印に対応する特性
値の許容範囲内であるかを判定し、許容範囲内であると
判定された半導体装置を、分類印に従って再分類する。
【００１２】
【作用】本発明では、半導体装置に既に印字されている
分類印を識別した上で再検査の測定値が分類印の示す分
類に対応するか判定されるため、すべての分類印の半導
体装置を混合した状態で再検査することが可能であり、
分類印毎に許容範囲を設定して検査装置に投入する必要
がない。
分類印を識別した上で再検査の測定値が分類印の示す分
類に対応するか判定されるため、すべての分類印の半導
体装置を混合した状態で再検査することが可能であり、
分類印毎に許容範囲を設定して検査装置に投入する必要
がない。
【００１３】
【実施例】従来のトランジスタ、サイリスタ、オペアン
プ等の半導体検査装置は、前述のハンドラとテスタ、及
び印字装置の他に、印字状態を確認するために印字面を
撮影するテレビジョンカメラ（ＴＶカメラ）とその画像
処理装置を備えているのが一般的であり、このような検
査装置を使用した本発明の実施例を説明する。図２は本
発明の実施例の構成を示す図である。
プ等の半導体検査装置は、前述のハンドラとテスタ、及
び印字装置の他に、印字状態を確認するために印字面を
撮影するテレビジョンカメラ（ＴＶカメラ）とその画像
処理装置を備えているのが一般的であり、このような検
査装置を使用した本発明の実施例を説明する。図２は本
発明の実施例の構成を示す図である。
【００１４】図２において、２００は検査対象の半導体
素子であり、最初の検査では図中の矢印に沿って左から
右に向って工程を移動する。２１１は半導体素子２００
の端子に接触して信号の入出を行なう触針部であり、ハ
ンドラに設けられている。ハンドラは同時に複数個供給
された半導体素子２００を一個づつ保持して工程間を移
動させるが、図では省略している。２１２はテスタであ
り、触針部２１１の各触針とケーブルで接続され、各端
子への信号の印加又は検出を行なう。テスタ２１２は、
印加信号生成部２１３と、出力信号検出部２１４と、マ
イクロコンピュータ２１５と、Ａ／Ｄ変換器２１６とを
備えている。印加信号生成部２１３は、マイクロコンピ
ュータ２１５からの指令に基づいて、各種特性検査時に
端子に印加する印加信号を生成する。出力信号検出部２
１４は、半導体素子２００に信号を印加することにより
生じた出力信号を検出する部分であり、電圧計や電流
計、タイマカウンタ等を有している。Ａ／Ｄ変換器２１
６は、出力信号検出部２１４からのアナログ信号をディ
ジタル信号に変換してマイクロコンピュータ２１５に出
力する。
素子であり、最初の検査では図中の矢印に沿って左から
右に向って工程を移動する。２１１は半導体素子２００
の端子に接触して信号の入出を行なう触針部であり、ハ
ンドラに設けられている。ハンドラは同時に複数個供給
された半導体素子２００を一個づつ保持して工程間を移
動させるが、図では省略している。２１２はテスタであ
り、触針部２１１の各触針とケーブルで接続され、各端
子への信号の印加又は検出を行なう。テスタ２１２は、
印加信号生成部２１３と、出力信号検出部２１４と、マ
イクロコンピュータ２１５と、Ａ／Ｄ変換器２１６とを
備えている。印加信号生成部２１３は、マイクロコンピ
ュータ２１５からの指令に基づいて、各種特性検査時に
端子に印加する印加信号を生成する。出力信号検出部２
１４は、半導体素子２００に信号を印加することにより
生じた出力信号を検出する部分であり、電圧計や電流
計、タイマカウンタ等を有している。Ａ／Ｄ変換器２１
６は、出力信号検出部２１４からのアナログ信号をディ
ジタル信号に変換してマイクロコンピュータ２１５に出
力する。
【００１５】マイクロコンピュータ２１５は、テスタ２
１２のすべての制御を行なう部分であり、記憶されたプ
ログラムに従って各特性値の測定に必要な信号の生成を
印加信号生成部２１３に指令し、その時の出力信号をＡ
／Ｄ変換器２１６を介して読み取る。そして各特性値が
所定の仕様値を満足しているかを判定し、更にランクに
分類する特性値については、どのランクに属するかを判
定する。
１２のすべての制御を行なう部分であり、記憶されたプ
ログラムに従って各特性値の測定に必要な信号の生成を
印加信号生成部２１３に指令し、その時の出力信号をＡ
／Ｄ変換器２１６を介して読み取る。そして各特性値が
所定の仕様値を満足しているかを判定し、更にランクに
分類する特性値については、どのランクに属するかを判
定する。
【００１６】２３は印字装置であり、特性測定が終了し
た半導体素子２００に、上記のランク分類名も含めて必
要な事項を印字する。印字装置２３としてはスタンプ方
式やインクジェット方式のものが使用される。２４は印
字が正確に行なわれたかを確認するため、印字面を撮影
するＴＶカメラとその画像処理装置で構成される印字画
像認識部である。
た半導体素子２００に、上記のランク分類名も含めて必
要な事項を印字する。印字装置２３としてはスタンプ方
式やインクジェット方式のものが使用される。２４は印
字が正確に行なわれたかを確認するため、印字面を撮影
するＴＶカメラとその画像処理装置で構成される印字画
像認識部である。
【００１７】図中の（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は、それ
ぞれ測定工程、印字工程、印字確認工程を示し、半導体
素子２００は（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で進むことに
より検査及び印字が行なわれ、この後良品はそれぞれの
ランク毎に仕分けされる。以上が従来の検査装置の基本
構成と検査工程であり、細部は実際に測定対象となる半
導体装置に合せて構成されている。
ぞれ測定工程、印字工程、印字確認工程を示し、半導体
素子２００は（ａ），（ｂ），（ｃ）の順で進むことに
より検査及び印字が行なわれ、この後良品はそれぞれの
ランク毎に仕分けされる。以上が従来の検査装置の基本
構成と検査工程であり、細部は実際に測定対象となる半
導体装置に合せて構成されている。
【００１８】上記のようにして検査、ランク毎の分類及
び仕分けが行なわれた半導体素子は、最終段階で抜き取
り検査により出荷検査が行なわれる。ここで例えばトラ
ンジスタでｈFEがＣランクと印字されたものがＣランク
の下限以下でＢランクに属するという結果が出た時に
は、そのロットのすべてのトランジスタは、他のランク
のものも含めて再検査が行なわれる。
び仕分けが行なわれた半導体素子は、最終段階で抜き取
り検査により出荷検査が行なわれる。ここで例えばトラ
ンジスタでｈFEがＣランクと印字されたものがＣランク
の下限以下でＢランクに属するという結果が出た時に
は、そのロットのすべてのトランジスタは、他のランク
のものも含めて再検査が行なわれる。
【００１９】再検査は、最初の印字を行なう検査とは逆
の方向に工程（ｃ）から行なわれる。まず半導体素子を
各ランクを一括してハンドラに投入し、印字画像認識部
２４で印字面の画像から印字されたランク分類名を識別
する。この識別処理は、印字パターンが限定されている
ため、従来の画像処理装置で使用されるパターンマッチ
ング処理で容易に行なうことができる。
の方向に工程（ｃ）から行なわれる。まず半導体素子を
各ランクを一括してハンドラに投入し、印字画像認識部
２４で印字面の画像から印字されたランク分類名を識別
する。この識別処理は、印字パターンが限定されている
ため、従来の画像処理装置で使用されるパターンマッチ
ング処理で容易に行なうことができる。
【００２０】ランク分類名が識別された半導体素子は、
工程（ａ）で再測定される。この再測定のランク別に分
類する特性値については、識別されたランク分類名に対
応した許容範囲に入っているかを判定する。すなわち図
３で示したように、最初の分類を行なう検査時には、各
ランクへの分類をＡ1 ，Ｂ1 ，Ｃ1 でのどの範囲に入る
かで行ったが、再検査時にはランク分類名に対応する各
許容範囲Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 に入るかどうかで判定され
る。これらの処理はすべてマイクロコンピュータ２１５
で行なわれ、印字画像認識部２４で識別したランク分類
名を受けたマイクロコンピュータ２１５は、許容範囲の
値を分類名に応じて変更し、判定を行なう。分類名に応
じた判定に合格した半導体素子２００は、再度分類名毎
に仕分けされる。
工程（ａ）で再測定される。この再測定のランク別に分
類する特性値については、識別されたランク分類名に対
応した許容範囲に入っているかを判定する。すなわち図
３で示したように、最初の分類を行なう検査時には、各
ランクへの分類をＡ1 ，Ｂ1 ，Ｃ1 でのどの範囲に入る
かで行ったが、再検査時にはランク分類名に対応する各
許容範囲Ａ2 ，Ｂ2 ，Ｃ2 に入るかどうかで判定され
る。これらの処理はすべてマイクロコンピュータ２１５
で行なわれ、印字画像認識部２４で識別したランク分類
名を受けたマイクロコンピュータ２１５は、許容範囲の
値を分類名に応じて変更し、判定を行なう。分類名に応
じた判定に合格した半導体素子２００は、再度分類名毎
に仕分けされる。
【００２１】
【発明の効果】本発明により、測定した特性値に応じて
分類され、分類名が印字された半導体装置を再検査する
時に、煩雑な作業を必要とせずに同一検査装置を使用し
て再検査を行なうことが可能になり、歩留りや検査の信
頼性が向上する。
分類され、分類名が印字された半導体装置を再検査する
時に、煩雑な作業を必要とせずに同一検査装置を使用し
て再検査を行なうことが可能になり、歩留りや検査の信
頼性が向上する。
【図１】本発明の半導体検査装置の基本構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例の構成を示す図である。
【図３】トランジスタを直流増幅率ｈFEの値によりラン
クに分類する様子を示した図である。
クに分類する様子を示した図である。
１…測定手段 ２…分類手段 ３…印字手段 ４…印字識別手段 ５…分類確認手段
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】 測定された特性値に応じて複数の群に分
類され該分類印を印字された半導体装置を再検査する半
導体装置の再検査方法であって、 前記分類印を識別する分類識別工程と、識別した前記分類印に対応する前記特性値の許容範囲を
設定する工程と、 前記特性値を測定し、該測定した特性値が前記分類印に
対応する前記特性値の許容範囲内であるかを判定する判
定工程と、前記特性値の許容範囲内であると判定された半導体装置
を、前記分類印に従って再分類する工程と を備えること
を特徴とする半導体装置の再検査方法。 - 【請求項２】 半導体装置の所定の特性を測定する測定
手段（１）と、 前記特性の測定値に応じて複数の群に分類する分類手段
（２）と、 前記分類に応じて前記半導体装置に分類を示す分類印を
印字する印字手段（３）とを備える半導体装置の検査装
置において、 前記分類印を識別する識別手段（４）と、 再測定した前記特性値が、識別した前記分類印に対応す
る前記特性値の許容範囲内であるかを判定し、許容範囲
内であると判定された半導体装置を、前記分類印に従っ
て再分類する分類確認手段（５）とを備え、半導体装置
に分類印を印字した後での再検査を可能にしたことを特
徴とする半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12384892A JP3150414B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12384892A JP3150414B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138172A JPH06138172A (ja) | 1994-05-20 |
| JP3150414B2 true JP3150414B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=14870897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12384892A Expired - Fee Related JP3150414B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3150414B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311266B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2002-08-05 | 富士通株式会社 | 半導体部材の検査装置 |
| JP2019066399A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置仕分けシステムおよび半導体装置 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12384892A patent/JP3150414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06138172A (ja) | 1994-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4985676A (en) | Method and apparatus of performing probing test for electrically and sequentially testing semiconductor device patterns | |
| WO2018087932A1 (ja) | 保存画像の再分類システム及び再分類方法 | |
| US20070164763A1 (en) | Method for detecting abnormality of probe card | |
| CN111128779A (zh) | 晶圆的测试方法 | |
| US6872582B2 (en) | Selective trim and wafer testing of integrated circuits | |
| JP3150414B2 (ja) | 半導体装置の再検査方法及び半導体装置の検査装置 | |
| JP3195800B2 (ja) | 半導体素子試験システム及び半導体素子試験方法 | |
| US6429677B1 (en) | Method and apparatus for characterization of gate dielectrics | |
| US6681361B1 (en) | Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method | |
| JP3227365B2 (ja) | プリント板ユニットの外観検査方法及び装置 | |
| JP2591422Y2 (ja) | Ｔａｂデバイスの不良デバイス分類収容機構 | |
| JPS6319811Y2 (ja) | ||
| JPH01100474A (ja) | 回路基板検査装置 | |
| JPS6399541A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ装置 | |
| JPH0572245A (ja) | プローブ接触状態判別装置 | |
| KR100701374B1 (ko) | 반도체 소자의 아이디디큐 불량분석 방법 | |
| JPH0794559A (ja) | プローバ | |
| Hsieh | Thermal signature for printed circuit board stress-failure diagnosis | |
| KR100595139B1 (ko) | 프루브 카드의 아이디 인식 장치 및 그 인식 방법 | |
| JPH04348210A (ja) | プリント実装基板検査装置 | |
| KR0177987B1 (ko) | 복수 개의 반도체 칩 테스트 방법 | |
| JPS62294984A (ja) | 半導体検査装置 | |
| JPH06181248A (ja) | Ｉｃ回路検査方法 | |
| JPS6255572A (ja) | 半導体検査装置 | |
| JPH07270488A (ja) | 半導体集積回路試験装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |