JPS6196403A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
- Publication number
- JPS6196403A JPS6196403A JP21770484A JP21770484A JPS6196403A JP S6196403 A JPS6196403 A JP S6196403A JP 21770484 A JP21770484 A JP 21770484A JP 21770484 A JP21770484 A JP 21770484A JP S6196403 A JPS6196403 A JP S6196403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor
- signal
- optical system
- reflected light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多数の半導体素子が半導体基板に形成されて
なる半導体装置の、前記半導体素子を光学系を用いて観
察検査するための半導体装置の検査装置に関する。
なる半導体装置の、前記半導体素子を光学系を用いて観
察検査するための半導体装置の検査装置に関する。
従来、半導体装置の微細構造の不良解析としては、各素
子を電気的に検査した結泌から半導体装置内の不良半導
体素子の番地を知り、その帯地に金属顕微鏡の視野を動
かして、観察するのであった。そして、この不良番地を
金Ｊ％和微唖の視野内に移動させるには、検査者が、金
鴎顕微鏡で観察しながら半導体装置内の素子配置の番地
を数え、不良番地を探し当てるのであった。
子を電気的に検査した結泌から半導体装置内の不良半導
体素子の番地を知り、その帯地に金属顕微鏡の視野を動
かして、観察するのであった。そして、この不良番地を
金Ｊ％和微唖の視野内に移動させるには、検査者が、金
鴎顕微鏡で観察しながら半導体装置内の素子配置の番地
を数え、不良番地を探し当てるのであった。
上述の従来の不良番地探索方法では、不良番地の探索に
時間（工数）がかかるばかねでなく、番地の政見間違い
により不良番地に正しく顕微鏡の視野を移動できず、正
しい観察検査が行われないことが起るという問題がある
。
時間（工数）がかかるばかねでなく、番地の政見間違い
により不良番地に正しく顕微鏡の視野を移動できず、正
しい観察検査が行われないことが起るという問題がある
。
上記問題点に対し、本発明では、検査する半導体装置の
表面に光を照射し、その反射光の含む情報から半導体装
置内の素子配置を知り、所望の半導体素子の位置へ、光
学系の視野を自動的に移動させる。
表面に光を照射し、その反射光の含む情報から半導体装
置内の素子配置を知り、所望の半導体素子の位置へ、光
学系の視野を自動的に移動させる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式図である。第１図にお
いて、多数の半導体素子２，２．・・・・・・が形成さ
れた半導体装置１が載物台３の上に載せられている。光
学系（金嘱顕微境）９の視野の中心が観察検査する半導
体素子（チップ）の（０，０）番地にくるようにしであ
る。ここで、判定部５に、電気的検査によって不良と判
断され、その微細構造の検査を必要とする不良半導体素
子の番地を入力すると、載物台の駆動部４に信号が出力
され、載物台３がＸ方向に移動を開始する。一方半導体
装置１０表面には、光源８から光（レーザー光）が照射
されておす、その反射光は受光部７で電気信号に変換さ
れ、信号処理部６で信号内容が解析され、その結果は判
定部５に出力される。判定部５では、覗察検査したい番
地かどうかを判定し、検査対象番号になりたところで、
駆動部へ信号を出し、載物台の移動を停止する。同様の
操作をＹ軸方向についても行ない、所望する不良位置へ
光学系の視野を自動的に移動する。
いて、多数の半導体素子２，２．・・・・・・が形成さ
れた半導体装置１が載物台３の上に載せられている。光
学系（金嘱顕微境）９の視野の中心が観察検査する半導
体素子（チップ）の（０，０）番地にくるようにしであ
る。ここで、判定部５に、電気的検査によって不良と判
断され、その微細構造の検査を必要とする不良半導体素
子の番地を入力すると、載物台の駆動部４に信号が出力
され、載物台３がＸ方向に移動を開始する。一方半導体
装置１０表面には、光源８から光（レーザー光）が照射
されておす、その反射光は受光部７で電気信号に変換さ
れ、信号処理部６で信号内容が解析され、その結果は判
定部５に出力される。判定部５では、覗察検査したい番
地かどうかを判定し、検査対象番号になりたところで、
駆動部へ信号を出し、載物台の移動を停止する。同様の
操作をＹ軸方向についても行ない、所望する不良位置へ
光学系の視野を自動的に移動する。
第２図は、半導体装置内の素子配置を光の反射光によっ
て検知する方法を説明する為の図である。
て検知する方法を説明する為の図である。
第２図（ａ）は、半導体装置内の素子配列、特に配線１
０．１２を示している。光源８からの光は、光のスポッ
ト１１として半導体表面に照射され、載物台がＸ軸方向
へ移動するにしたがって（−Ｘ）軸方向へ移動し、配線
１０を横ぎる。配線部は光の反射率が高いので反射光の
強度が強くなる。これを受光部７の電気信号の強度Ｉで
感知し、載物台の移動方向Ｘと受光部の電気信号の強度
工の波形として第２図（ｂ）に示しである。これにより
、この受光部の電気信号の強度のビークＰを数えること
により、半導体装置内のＸ方向の素子配置を調べること
ができ、同様に載物台をＹ方向に移動させ、Ｙ方向の反
射光の電気信号の開度のピークを数えることによりＹ方
向の素子配置を調べることができる。これをもとに、任
意の希望する半導体装置内の位置へ、光学系の視野の中
心を自動移動させることができる。
０．１２を示している。光源８からの光は、光のスポッ
ト１１として半導体表面に照射され、載物台がＸ軸方向
へ移動するにしたがって（−Ｘ）軸方向へ移動し、配線
１０を横ぎる。配線部は光の反射率が高いので反射光の
強度が強くなる。これを受光部７の電気信号の強度Ｉで
感知し、載物台の移動方向Ｘと受光部の電気信号の強度
工の波形として第２図（ｂ）に示しである。これにより
、この受光部の電気信号の強度のビークＰを数えること
により、半導体装置内のＸ方向の素子配置を調べること
ができ、同様に載物台をＹ方向に移動させ、Ｙ方向の反
射光の電気信号の開度のピークを数えることによりＹ方
向の素子配置を調べることができる。これをもとに、任
意の希望する半導体装置内の位置へ、光学系の視野の中
心を自動移動させることができる。
以上のように本発明によれば、光の反射強度を利用し、
半導体装置内の素子配列位置を探索し、この情報を自動
的に載物台の移動方向のコントロールに使用することに
より、従来検査者が実施していた半導体装置内の不良位
置の探索に要する工数を大幅に減少させるとともに、検
査者の数えまちがいＫよる不良位置の間違いも大幅に減
少させることができ、正しい不良解析を実施することが
できる。
半導体装置内の素子配列位置を探索し、この情報を自動
的に載物台の移動方向のコントロールに使用することに
より、従来検査者が実施していた半導体装置内の不良位
置の探索に要する工数を大幅に減少させるとともに、検
査者の数えまちがいＫよる不良位置の間違いも大幅に減
少させることができ、正しい不良解析を実施することが
できる。
第１図は本発明の一実施例を示した模式図、第２図（ａ
）は半導体装置内の素子配置を光の反射光（よって検知
する方法を説明する為の半導体装置内の素子配列を示し
た平面図、同図（ｂ）は載物台の移動方向と受光部の反
射光を変換した電気信号の強度との関係を表わした波形
図である。 １・・・・・・半導体装置、２・−・・・・半導体素子
、３・・・・・・載物台、４・・・・・・載物台の駆動
部、５・旧・・判定部、６・・・・・・信号処理部、７
・・・・・・受光部、８・・・・・・光源、９・・・・
・・光学系（金１＠顯微＠）、１０．１２・旧・・配線
、１１・・・・・・光のスポット。
）は半導体装置内の素子配置を光の反射光（よって検知
する方法を説明する為の半導体装置内の素子配列を示し
た平面図、同図（ｂ）は載物台の移動方向と受光部の反
射光を変換した電気信号の強度との関係を表わした波形
図である。 １・・・・・・半導体装置、２・−・・・・半導体素子
、３・・・・・・載物台、４・・・・・・載物台の駆動
部、５・旧・・判定部、６・・・・・・信号処理部、７
・・・・・・受光部、８・・・・・・光源、９・・・・
・・光学系（金１＠顯微＠）、１０．１２・旧・・配線
、１１・・・・・・光のスポット。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された多数の半導体素子を有する半
導体装置に対し光ビームを照射し、その反射光を受光す
る手段と、この受光した反射光が含む情報から前記半導
体素子のそれぞれの配置位置を検知する手段と、前記検
知情報により所望の半導体素子が視野位置に入るように
この半導体素子を観察検査するための光学系を自動的に
移動させる手段とを含むことを特徴とする半導体装置の
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21770484A JPS6196403A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体装置の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21770484A JPS6196403A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196403A true JPS6196403A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16708423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21770484A Pending JPS6196403A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196403A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961712A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 反射型エンコ−ダ |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21770484A patent/JPS6196403A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961712A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 反射型エンコ−ダ |
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