JPS6174359A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6174359A JPS6174359A JP19709984A JP19709984A JPS6174359A JP S6174359 A JPS6174359 A JP S6174359A JP 19709984 A JP19709984 A JP 19709984A JP 19709984 A JP19709984 A JP 19709984A JP S6174359 A JPS6174359 A JP S6174359A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external leads
- package
- semiconductor device
- external
- external lead
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置に関し、−ＪＷ詳細には、パッケ
ージから延出する外部リードの折り曲げにおけるマイク
ロタラワクの発生を防止した半導体装置に関する。
ージから延出する外部リードの折り曲げにおけるマイク
ロタラワクの発生を防止した半導体装置に関する。
（従来の技術）
樹脂で封止された半導体装置のパッケージから延出する
外部リードを折り曲げる際、第４図に示すように、下パ
ッケージ２ｂを成形グイとして外部リード４を折り曲げ
ると、外部リード４の上面側が延ばされ、封止部の外部
リード４の上面側の樹脂が剥離されマイクロクランク５
が発生する。
外部リードを折り曲げる際、第４図に示すように、下パ
ッケージ２ｂを成形グイとして外部リード４を折り曲げ
ると、外部リード４の上面側が延ばされ、封止部の外部
リード４の上面側の樹脂が剥離されマイクロクランク５
が発生する。
このクラック部分は、外観土兄た目も悪く、また半導体
装置の動作時、非動作時の温度の上昇、降下の差が大き
いため空気中の水分が結露し、特にクラック部分は幅狭
で水分が溜り易く蒸発しにくい。したがって、リン青銅
板に銀メッキを施したリードの使用にあっては、クラッ
ク部分で電気分解が生じ、銀イオンの析出が増大しつい
には隣接する外部リード間をショートさせる、いわぬる
マイグレーション現象を発生させ、半導体装置を不良と
する弊害があった。
装置の動作時、非動作時の温度の上昇、降下の差が大き
いため空気中の水分が結露し、特にクラック部分は幅狭
で水分が溜り易く蒸発しにくい。したがって、リン青銅
板に銀メッキを施したリードの使用にあっては、クラッ
ク部分で電気分解が生じ、銀イオンの析出が増大しつい
には隣接する外部リード間をショートさせる、いわぬる
マイグレーション現象を発生させ、半導体装置を不良と
する弊害があった。
一方、半導体装置のクラック発生を防止するための手段
として、第５図に示すように、外部り一ド４の折り曲げ
位置を半導体装置１のパッケージ２からＥだけ離すよう
にして折り曲げクラツクの発生を防止していた。
として、第５図に示すように、外部り一ド４の折り曲げ
位置を半導体装置１のパッケージ２からＥだけ離すよう
にして折り曲げクラツクの発生を防止していた。
（発明が解決使用とする問題点）
しかしながら、上述したように半導体装置１のパッケー
ジ２から外部リード４をＥだけ離して折り曲げたので、
半導体装置１の外部リード４方向の幅が２Ｅだけ大きく
なり、半導体装置１を高密度に配置する際には不具合を
生ずる。また、外部リード４を折り曲げる際、上記従来
例では下パッケージ２ｂを形成グイとして外部リード４
を折り曲げたが、この場合は別途成形グイを用いなけれ
ばならない。
ジ２から外部リード４をＥだけ離して折り曲げたので、
半導体装置１の外部リード４方向の幅が２Ｅだけ大きく
なり、半導体装置１を高密度に配置する際には不具合を
生ずる。また、外部リード４を折り曲げる際、上記従来
例では下パッケージ２ｂを形成グイとして外部リード４
を折り曲げたが、この場合は別途成形グイを用いなけれ
ばならない。
そこで、この発明は上記事情に鑑みなされるものであり
、マイクロクランクを発生することなく、外部リードを
折り曲げるのみで容易に形成することができる半導体装
置を提供することを目的とする。
、マイクロクランクを発生することなく、外部リードを
折り曲げるのみで容易に形成することができる半導体装
置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段および作用）この発明に
係る半導体装置は以上の問題点を解決するため次の構成
を備えてなる。
係る半導体装置は以上の問題点を解決するため次の構成
を備えてなる。
半導体装置１０の外部リード１４が延出するパッケージ
１２の封止部１６端縁を、外部リード１４の折り曲げ位
置から離すべく、パッケージ１２の外部ＩＪ−）” ｌ
４の反折り曲げ方向側の封止部１６θ１１１縁に切欠
き１８を設け、外部リード１４の折り曲げ位置を含めた
部分を露出させたことを特徴とする。したがって、外部
リード１４を折り曲げ方向に折り曲げても、外部リード
１４の露出している面が延ばされるのみでありマイクロ
クラックを発生することもない。
１２の封止部１６端縁を、外部リード１４の折り曲げ位
置から離すべく、パッケージ１２の外部ＩＪ−）” ｌ
４の反折り曲げ方向側の封止部１６θ１１１縁に切欠
き１８を設け、外部リード１４の折り曲げ位置を含めた
部分を露出させたことを特徴とする。したがって、外部
リード１４を折り曲げ方向に折り曲げても、外部リード
１４の露出している面が延ばされるのみでありマイクロ
クラックを発生することもない。
（実施例）
以下、この発明の好適な実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
全体符号１０は半導体装置を示し、この樹脂で封止され
た半導体装置１０のパッケージ１２の対向する側面の封
止部１６から外部リード１４が延出している。そして、
この外部リード１４の反折曲げ方向側の封止部１６の端
縁を外部リード１４の折り曲げ位置から離すべく、外部
リード４の反折り曲げ方向側の端縁に切欠き１８が設け
られている。したがって、この切欠き１８は、外部リー
ト１４の反折り曲げ側の折り曲げ位置を含めた外部リー
ド１４部分を露出させている。そして、外部リード１４
の折り曲げ方向の基部下面は下パッケージ１２ｂと接触
している。また、切欠き１８の奥行きβは、従来発生し
たマイクロクラックの長さよりも若干長い、０．１〜０
．５ｍｍに設定するのが好適である。
た半導体装置１０のパッケージ１２の対向する側面の封
止部１６から外部リード１４が延出している。そして、
この外部リード１４の反折曲げ方向側の封止部１６の端
縁を外部リード１４の折り曲げ位置から離すべく、外部
リード４の反折り曲げ方向側の端縁に切欠き１８が設け
られている。したがって、この切欠き１８は、外部リー
ト１４の反折り曲げ側の折り曲げ位置を含めた外部リー
ド１４部分を露出させている。そして、外部リード１４
の折り曲げ方向の基部下面は下パッケージ１２ｂと接触
している。また、切欠き１８の奥行きβは、従来発生し
たマイクロクラックの長さよりも若干長い、０．１〜０
．５ｍｍに設定するのが好適である。
一方、外部リード１４を折り曲げる際には、下パフケー
ジ１２ｂを成形グイとし、外部リード１４の露出する上
面１４ａを押さえるとともに、外部リード１４を下方に
折り曲げ、外部リード１４の基部の内側面をパッケージ
１２に密着するようにする。そして、外部リード１４の
先端を外方同文° は必要により内側方向へＬ字状に
折り曲げる。
ジ１２ｂを成形グイとし、外部リード１４の露出する上
面１４ａを押さえるとともに、外部リード１４を下方に
折り曲げ、外部リード１４の基部の内側面をパッケージ
１２に密着するようにする。そして、外部リード１４の
先端を外方同文° は必要により内側方向へＬ字状に
折り曲げる。
したがって、半導体装置１０の封止部１６がら延出する
外部リード１４を下パッケージ１２ｂを成形グイとして
折り曲げる際、外部リード１４の上面１４ａが延びるが
、この上面１４ａが露出しているために、封止部１６の
端縁部分において、外部リード１４と封止部１６との間
が剥離することなく、マイクロクランクを発生すること
もない。
外部リード１４を下パッケージ１２ｂを成形グイとして
折り曲げる際、外部リード１４の上面１４ａが延びるが
、この上面１４ａが露出しているために、封止部１６の
端縁部分において、外部リード１４と封止部１６との間
が剥離することなく、マイクロクランクを発生すること
もない。
第２図は他の実施例を示し、パッケージ１２から延出す
る外部リード１４の封止部１６端縁部分において、上記
実施例では各外部リード１４ごとに切欠き１８を形成し
たが、各切欠き１８が連続する段差状の切欠き１８ａを
形成してもよい。
る外部リード１４の封止部１６端縁部分において、上記
実施例では各外部リード１４ごとに切欠き１８を形成し
たが、各切欠き１８が連続する段差状の切欠き１８ａを
形成してもよい。
また、第３図に示すように、パッケージ１２の四方の側
面から外部リード１４を延出する場合も、上記実施例と
同様に切欠き１８．１８ａを形成しても同様の作用・効
果を奏する。
面から外部リード１４を延出する場合も、上記実施例と
同様に切欠き１８．１８ａを形成しても同様の作用・効
果を奏する。
なお、上記実施例では、パッケージ１２の外部リード１
４が延出する封止部１６の端縁部分において、外部リー
ド１４の基部の下面を下パフケージ１４ｂに接触させ、
反折り曲げ位置の上面Ｌ ４ ａおよび両側面を露出さ
せたが、外部リード１４の反折り曲げ方向の上面１４ａ
のみが露出するように切欠き１８．１８ａを形成しても
よい。
４が延出する封止部１６の端縁部分において、外部リー
ド１４の基部の下面を下パフケージ１４ｂに接触させ、
反折り曲げ位置の上面Ｌ ４ ａおよび両側面を露出さ
せたが、外部リード１４の反折り曲げ方向の上面１４ａ
のみが露出するように切欠き１８．１８ａを形成しても
よい。
さらに、上記切欠き１８．１８ａを有する半導体装置１
０を形成するには、あらかじめ金型を切欠き１８．１８
ａに対応するように形成するのが好適である。しかし、
後工程で切欠き１８．１８ａを形成するようにしてもよ
い。
０を形成するには、あらかじめ金型を切欠き１８．１８
ａに対応するように形成するのが好適である。しかし、
後工程で切欠き１８．１８ａを形成するようにしてもよ
い。
以上、この発明の好適な実施例を挙げて種々説明してき
たが、この発明が上述した実施例に限定されるものでな
いことはいうまでもなく、例えばセラミックパッケージ
の半導体装置でも適応できるなど、発明の精神を逸脱し
ない範囲内で多くの改変を施しうろことはもちろんであ
る。
たが、この発明が上述した実施例に限定されるものでな
いことはいうまでもなく、例えばセラミックパッケージ
の半導体装置でも適応できるなど、発明の精神を逸脱し
ない範囲内で多くの改変を施しうろことはもちろんであ
る。
（発明の効果）
このようにこの発明によれば、外部リードをパッケージ
に沿って折り曲げる半導体装置において、外部リードを
折り曲げる際、反折り曲げ方向の外部リードの延ばされ
る部分に切欠きを設けることによりマイクロクランクを
発生することがない。
に沿って折り曲げる半導体装置において、外部リードを
折り曲げる際、反折り曲げ方向の外部リードの延ばされ
る部分に切欠きを設けることによりマイクロクランクを
発生することがない。
したがって、クラック部分に空気中の水分が結露し溜る
ことがないので、マイグレーション現象を発生すること
もないなどの著すＪを奏する。
ことがないので、マイグレーション現象を発生すること
もないなどの著すＪを奏する。
第１図（ａ） （ｂ）はこの発明の好適な実施例を示す
半導体装置の平面図と要部断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ
１は他の実施例を示す要部斜視図、平面図、正面図、第
３図は四方から外部リードが延出する半導体装置の平面
図、第４図（ａ） （ｂｌは従来例を示す平面図および
部分断面図、第５図は他の従来例を示す正面図である。 ■・・・半導体装置、 ２・・・パッケージ。 ２ｂ・・・下パッケージ、 ４・・・外部リード。 ＩＯ・・・半導体装置、 １２・・・パッケージ。 １２ａ・・・下パッケージ、 １４・・・外部リード
、 １４ａ・・・上面、 １６・・・封止部。 １８．１８２・・・切欠き。
半導体装置の平面図と要部断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ
１は他の実施例を示す要部斜視図、平面図、正面図、第
３図は四方から外部リードが延出する半導体装置の平面
図、第４図（ａ） （ｂｌは従来例を示す平面図および
部分断面図、第５図は他の従来例を示す正面図である。 ■・・・半導体装置、 ２・・・パッケージ。 ２ｂ・・・下パッケージ、 ４・・・外部リード。 ＩＯ・・・半導体装置、 １２・・・パッケージ。 １２ａ・・・下パッケージ、 １４・・・外部リード
、 １４ａ・・・上面、 １６・・・封止部。 １８．１８２・・・切欠き。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部リードを折り曲げるタイプの半導体装置におい
て、 パッケージの外部リードが延出する封止部端縁の外部リ
ードの反折り曲げ方向側を外部リードの折り曲げ位置か
ら離すべく、パッケージの外部リードの反折り曲げ方向
の前記端縁に切切欠きを設けたことを特徴とする半導体
装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19709984A JPS6174359A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19709984A JPS6174359A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174359A true JPS6174359A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16368707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19709984A Pending JPS6174359A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637923A (en) * | 1991-10-17 | 1997-06-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device |
| JP2015170823A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | セイコーインスツル株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19709984A patent/JPS6174359A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637923A (en) * | 1991-10-17 | 1997-06-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device |
| US5666064A (en) * | 1991-10-17 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
| US5736428A (en) * | 1991-10-17 | 1998-04-07 | Fujitsu Limited | Process for manufacturing a semiconductor device having a stepped encapsulated package |
| US5750421A (en) * | 1991-10-17 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
| JP2015170823A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | セイコーインスツル株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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