JPS6172320A - 基準電圧発生回路 - Google Patents

基準電圧発生回路

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JPS6172320A
JPS6172320A JP19502384A JP19502384A JPS6172320A JP S6172320 A JPS6172320 A JP S6172320A JP 19502384 A JP19502384 A JP 19502384A JP 19502384 A JP19502384 A JP 19502384A JP S6172320 A JPS6172320 A JP S6172320A
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JP
Japan
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transistor
reference voltage
collector
base
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP19502384A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Okada
康弘 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS6172320A publication Critical patent/JPS6172320A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は集積回路装置に多用される基準電圧発生回路に
関するものである。 ” 従来例の構成とその問題点 以下に従来の基準電圧発生回路について説明する。
第2図は従来のバンドギャップ基準電圧発生回路であり
、トランジスタ9と10は抵抗13と14に温度に比例
した電圧を発生させるために、異なるエミッタ電流密度
で動作している。さらに第3のトランジスター1は抵抗
14に発生する電圧と加えられて出力電圧”Outを発
生させる。その結果、出力電圧VOutは、トランジス
ター1のベース、エミッタ電圧VOと抵抗14に発生す
る温度依存電圧が加算された電圧として出力される。
ここで、出力電圧Voutをシリコンのバンドギャップ
電圧(約1.2v程度)に設定するとき、抵抗14に発
生する電圧は、vB!の温度係数を補正し温度変動に対
して一定の出力電圧VOutを得ることができる。
ところで、トランジスター1のベース・エミッタ間電圧
VOは、トランジスタの逆方向飽和電流e工o、)ラン
ジスタ11のエミッタ電流を工x、エミッタ面積をム冨
とすると、 で表わされる。但し、Kはボルツマン定数、qは電子の
電荷、Tは絶対温度である。
ここで1.”BEの温度特性を乗めるために(1)式を
温度Tに対して微分すると、 ・・・・・・・・・・・・・・・・(2)となり、VB
Kの温度特性は、トランジスタ11のエミッタ電流I、
の温度特性が無視できない。そノタメ、出力電圧VOu
tの温度係数を最小にするためにはトランジスタ11の
エミッタ電流は温度変動に対して一定にする必要があり
、トランジスタ11に温度変動のない定電流を供給する
ためのPNP トラ/ジスタ16,17、抵抗19で構
成される定電流回路が接続されるのが常であった。その
結果、基準電圧を発生させるために必要な電流が増加す
るという不都合が生じていた。
発明の目的 本発明は、斯る点に鑑みてなされたもので特別な定電流
回路を必要とせず消費電流の少ない温度補正された基準
電圧発生回路を提供することにある。
発明の構成 この目的を達成するため本発明はコレクタとベースが共
通接続されエミッタが接地された第1のトランジスタと
、ベースが前記第1のトランジスタのベース・コレクタ
と接続されエミッタが第1の抵抗を介して接地され、そ
のエミッタ面積が前記第1のトランジスタのエミッタ面
積と異なるエミッタ面積を有する第2のトランジスタを
具備し、前記第1・第2のトランジスタのコレクタは前
記第2のトランジスタに流れる電流と等しい電流を第1
のトランジスタに供給する手段としてのカレントミラー
回路を接続し、さらに前記第1及び第2のトランジスタ
のベースに、そのベースが共通接続され、エミッタが接
地された第3のトランジスタが接続され、前記第3のト
ランジスタのコレクタには、コレクタベースが共通接続
されてダイオード接続された第4のトランジスタと第2
の抵抗を縦続接続して出力端子に接続したもので、前記
第4のトランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度係
数を、前記第2の抵抗に発生する電圧により補正する如
く前記第1・第2のトランジスタのエミッタ面積比及び
第1・第2の抵抗の抵抗比を調整することにより、温度
変化に対して一定の基準電圧を発生させるものである。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を第1図に示し本発明を説明す
る。
第1図の回路図において、トランジスタ2のエミッタ面
積はトランジスタ1のエミッタ面積よりも大きく構成さ
れており、さらにトランジスタ2のコレクタにはトラン
ジスタ1にトランジスタ2と等しい電流を供給するため
のトランジスタ4゜5で構成されるカレントミラー回路
が接続される。
いま、上記実施例においてトランジスタ1と2のエミッ
タ面積比を1対Hになる様に構成した場合、トランジス
タ1に流れる電流をIg+ l )う/ジメタ2に流れ
る電流k IX2とすると、それぞれのトランジスタの
ベース・エミッタ電圧VBH。
VBK2は、 で表わされる。ここで、上記IX+と工、2はPNPト
ランジスタ4,5で構成されるカレントミラー回路によ
ってIK+ ” rgzが成立する。従って上記3.4
式によシ抵抗30両端に発生する差電圧ΔvBxは となり、さらに抵抗3の抵抗値をR1として前記工に+
とIX2を求めると と表わされる。ここで上記(6)式を温度に関して微分
すると   − となり、ΔR1/R1=ΔνT が成立すれば電流11
12の温度係数は零となる。これは抵抗R1の温度係数
が約33’ OOPPM/ °Qであることを示し、こ
の値は集積回路装置において抵抗素子として形成される
所のP形拡散抵抗の温度係数にほぼ一致する。
ところで、本発明においてはトランジスタ1と同一エミ
ッタ面積を有するトラ/ジスタロが、トランジスタ1,
2とカレントミラー接続して構成されるため、上記トラ
ンジスタ6にも上記IK1と等しい電流1冨6が流れる
。さらにトランジスタ6のコレクタには抵抗7とトラン
ジスタ6と同様にトランジスタ1と同一エミッタ面積を
有するトランジスタ8がダイオード接続されて出力端子
aに接続されている。
ここで、抵抗7で生じる電圧降下V、は、Xxz =工
x6さらにトランジスタ6のコレクタ電流IC6はエミ
ッタ電流とほぼ等しいからIC6= Il+6が成立す
るとして抵抗7の抵抗値をR2とするととなる。
さらに(8)式を温度Tに関して微分すると、となり、
N)1が成立する時v1は正の温度係数を有する。
一方、トランジスタ8のベース、エミッタ電圧VBII
8は、 となる。従って端子a、b間に発生する電圧vxは上記
(8)式と(9)式を加えて となる。
ところで上記(9)式においてベース、エミッタを圧の
温度特性は工に2が温度特性をもたない場合、−2mマ
/’Cの負の温度特性を有する。よって(8)式におけ
る正の温度係数を有する電圧v1を加え合せることによ
り、出力電圧”Outは温度係数が零の基準電圧を得る
ことができる。
さて、以上の説明においては、出力電圧とじては、シリ
コ/のバンドギャップ電圧(約1.2V)で微小温度係
数を有する基準電圧を発生させる場合について説明して
き友が、上記バンドギャップ電圧のn倍の基準電圧を発
生させる手法としては、本発明の第1図においてダイオ
ード接続されたトランジスタ8をn個縦続接続し、さら
に抵抗3と抵抗7の比をn・(式/R1)に設定するこ
とにより、n倍の基準電圧を発生させることができるこ
とは言うまでもない。
発明の効果 以上、詳述した如く本発明によれば、定電流回路を必要
とせず、それゆえ消費電流の少い基準電圧回路を構成す
ることができ、しかも本発明の基準電圧回路は従来例に
おいてその出力電圧が定電流値に依存するのと異なり、
安定で精度の高い基準電圧を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例にかかる基準電圧発生回路の
電気回路図、第2図は従来の基準電圧発生回路の電気回
路図である。 1・・・・・・第1のトランジスタ、2・・・・・・第
2のトランジスタ、3・・・・・・第1の抵抗、4,5
・・・・・・カレントミラー回路を構成するトランジス
タ、6・・・・・・第3のトランジスタ、7・・・・・
・第2の抵抗、8・・・・・・第4のトランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コレクタとベースが共通接続されエミッタが接地
    された第1のトランジスタと、ベースが前記第1のトラ
    ンジスタのベース、コレクタと接続され、エミッタが第
    1の抵抗を介して接地され、そのエミッタ面積が前記第
    1のトランジスタのエミッタ面積と異なるエミッタ面積
    を有する第2のトランジスタを具備し、前記第1・第2
    のトランジスタのコレクタは前記第2のトランジスタに
    流れる電流と等しい電流を第1のトランジスタに供給す
    る手段としてのカレントミラー回路に接続し、さらに前
    記第1及び第2のトランジスタのベースに、そのベース
    が共通接続され、エミッタが接地された第3のトランジ
    スタを接続し、前記第3のトランジスタのコレクタには
    コレクタ、ベースが共通接続されてダイオード接続され
    た第4のトランジスタと第2の抵抗が縦続接続し前記第
    1・第2のトランジスタのエミッタ面積比及び第1・第
    2の抵抗の抵抗比を調整して、前記第2の抵抗と第4の
    トランジスタの両端に温度変化に対して一定の基準電圧
    を発生させることを特徴とする基準電圧発生回路。
  2. (2)第2の抵抗としては前記第1と第2の抵抗比のn
    倍の抵抗比を有する抵抗を用い、さらに第4のトランジ
    スタとしてダイオード接続された第2のトランジスタを
    n個縦続接続して構成し、前記基準電圧のn倍の基準電
    圧を発生させることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の基準電圧発生回路。
JP19502384A 1984-09-18 1984-09-18 基準電圧発生回路 Pending JPS6172320A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595321A (ja) * 1982-07-01 1984-01-12 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
JPS59132014A (ja) * 1983-01-17 1984-07-30 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
JPS59135519A (ja) * 1983-01-21 1984-08-03 Toshiba Corp 電流源回路

Patent Citations (3)

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