JPS6159717A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
木発引はアルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のこの種のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔は
、アルミニウム箔の表面をエツチングし、表面に凹凸を
つけ電極箔の表面積を増加させて、電極箔の表面倍率（
＝エツチング後の表面積／エツチング前の表面積）を上
げていた。その方法としては、従来から主に１００Ｗ−
Ｖ・以下の低圧用アルミニウム電解コンデンサの電極箔
のエツチング方法には以下の２つの方法が通常採用され
ている。
、アルミニウム箔の表面をエツチングし、表面に凹凸を
つけ電極箔の表面積を増加させて、電極箔の表面倍率（
＝エツチング後の表面積／エツチング前の表面積）を上
げていた。その方法としては、従来から主に１００Ｗ−
Ｖ・以下の低圧用アルミニウム電解コンデンサの電極箔
のエツチング方法には以下の２つの方法が通常採用され
ている。
つま９、第１の方法として、塩酸を主成分としたエツチ
ング液を使用し、対向する２枚の極板の間に極板に平行
にアルミニウム箔を設置し、エツチング液中で、アルミ
ニウム箔には直接通電せず２つの極板間に交流電流を流
し、エツチングを行う方法がある。
ング液を使用し、対向する２枚の極板の間に極板に平行
にアルミニウム箔を設置し、エツチング液中で、アルミ
ニウム箔には直接通電せず２つの極板間に交流電流を流
し、エツチングを行う方法がある。
つぎに第２の方法として、塩化す） ＩＪウムを主成分
としたエツチング液を使用し、アルミニウムニウム箔と
の間に直流電流あるいは交流電流あるいは交流重畳直流
電流を流しエツチングを行う方法である。
としたエツチング液を使用し、アルミニウムニウム箔と
の間に直流電流あるいは交流電流あるいは交流重畳直流
電流を流しエツチングを行う方法である。
しかしながら、第１のエツチング方法では、正サイクル
と負サイクルの電流波形が対称のものしかとりえず正と
負の波形幅、正と負の電流密度を独立に変化させること
ができないため、表面倍率を十分高めることができず、
今後さらにアルミニウム電解コンデンサの小形化を追求
していくためには表面倍率が不十分であるという欠点が
あった。
と負サイクルの電流波形が対称のものしかとりえず正と
負の波形幅、正と負の電流密度を独立に変化させること
ができないため、表面倍率を十分高めることができず、
今後さらにアルミニウム電解コンデンサの小形化を追求
していくためには表面倍率が不十分であるという欠点が
あった。
又第２のエツチング方法では、エツチング液にほぼ中性
の塩化ナトリウム水溶液を使用しているため、電解エツ
チング中に溶出したアルミニウムイオンが水酸化物（白
粉）となって生産装置等に付着し、生産を円滑に進め稼
動率を高める上で大きな欠点となっていた。
の塩化ナトリウム水溶液を使用しているため、電解エツ
チング中に溶出したアルミニウムイオンが水酸化物（白
粉）となって生産装置等に付着し、生産を円滑に進め稼
動率を高める上で大きな欠点となっていた。
発明の目的
本発明はこのような従来の欠点を除去するもので、白粉
を生じない酸性の塩酸溶液中で高い表面倍率を有するア
ルミニウム箔を得、生産装置の稼動率を高めることを目
的とするものである。
を生じない酸性の塩酸溶液中で高い表面倍率を有するア
ルミニウム箔を得、生産装置の稼動率を高めることを目
的とするものである。
発明の構成
この目的を達成するために、本発明は、アルミニウム箔
を白粉を生じない酸性の塩酸溶液を用い、交流電流で電
解エツチングする際の条件を、エツチング電流をアルミ
ニウム箔に直接流して正サイクルと負サイクルのエツチ
ング電流波形を独立に設定する方法により、アルミニウ
ム箔に印加される負サイクルの電気量と正サイクルの電
気量との比が０．２から２．０の範囲で、かつデー−テ
ィ比が５１〜９０チの条件としたものである。
を白粉を生じない酸性の塩酸溶液を用い、交流電流で電
解エツチングする際の条件を、エツチング電流をアルミ
ニウム箔に直接流して正サイクルと負サイクルのエツチ
ング電流波形を独立に設定する方法により、アルミニウ
ム箔に印加される負サイクルの電気量と正サイクルの電
気量との比が０．２から２．０の範囲で、かつデー−テ
ィ比が５１〜９０チの条件としたものである。
この方法により高い表面倍率を有するアルミニウム箔を
得ることができる。
得ることができる。
実施例の説明
次に本発明の実施例について説明する。なお供試料とし
て純度９９．９９％、厚さ９０μｍの焼鈍済みアルミニ
ウム箔を用いた。
て純度９９．９９％、厚さ９０μｍの焼鈍済みアルミニ
ウム箔を用いた。
まず１０チ塩酸溶液中で対極に炭素板を用い、アルミニ
ウム箔に直接矩形波電流を流し、正パルス幅、負パルス
幅、正電流密度及び負電流密度を変化させ、正の電気量
が７００／ｃｒｌになるように温度４０℃でエツチング
した。その結果、表面倍率は第１図に示すように負サイ
クルの電気量と正サイクルの電気量との比に依存し、こ
の比が０．２から２．０の範囲で表面倍率が高いことを
見い出した。これは、塩酸中での交流電流によるエツチ
ングは正サイクル時のアルミニウム溶解と負サイクル時
の水素還元でのＰＨ上昇による皮膜生成との繰り返しに
より進行するが、負サイクルと正サイクルとの電気量比
が０．２以下の場合には、負サイクル時に箔の界面で水
素還元が十分進行せず皮膜がほとんど生成しないため、
全面腐食となり表面倍率が低く、又上記電気量比が２．
０以上の場合は負サイクル時に生成する皮膜量が多すぎ
るため、局部腐食となってエツチングが不均一にしか進
行せず表面倍率が低いと考えられる。
ウム箔に直接矩形波電流を流し、正パルス幅、負パルス
幅、正電流密度及び負電流密度を変化させ、正の電気量
が７００／ｃｒｌになるように温度４０℃でエツチング
した。その結果、表面倍率は第１図に示すように負サイ
クルの電気量と正サイクルの電気量との比に依存し、こ
の比が０．２から２．０の範囲で表面倍率が高いことを
見い出した。これは、塩酸中での交流電流によるエツチ
ングは正サイクル時のアルミニウム溶解と負サイクル時
の水素還元でのＰＨ上昇による皮膜生成との繰り返しに
より進行するが、負サイクルと正サイクルとの電気量比
が０．２以下の場合には、負サイクル時に箔の界面で水
素還元が十分進行せず皮膜がほとんど生成しないため、
全面腐食となり表面倍率が低く、又上記電気量比が２．
０以上の場合は負サイクル時に生成する皮膜量が多すぎ
るため、局部腐食となってエツチングが不均一にしか進
行せず表面倍率が低いと考えられる。
つぎに負サイクルと正サイクルとの電気量比を０．８に
固定し、正の電流密度をｏ、４Ａ／ｄでデー−ティ比（
＝正パルス幅／正パルス幅＋負パルス幅）を変化させ、
前記と同様にエツチングした。
固定し、正の電流密度をｏ、４Ａ／ｄでデー−ティ比（
＝正パルス幅／正パルス幅＋負パルス幅）を変化させ、
前記と同様にエツチングした。
その結果、表面倍率は第２図に示すようにデユーティ比
が６１チから９ｏｑ６の範囲で高いことがわかった。こ
れは、デユーティ比が５０チ以下の場合、負パルス幅が
大きいため酸性の塩酸中では化学溶解を受けて、生成し
たエツチングピットが表面溶解して表面倍率が低く、一
方デーーティ比が９０％以上になると負パルス幅が小さ
すぎるため短時間のうちに局部的にＰＨが上昇し、不均
一な皮膜しか生成せず、従って局部腐食が起こり表面倍
率が低いと考えられる。
が６１チから９ｏｑ６の範囲で高いことがわかった。こ
れは、デユーティ比が５０チ以下の場合、負パルス幅が
大きいため酸性の塩酸中では化学溶解を受けて、生成し
たエツチングピットが表面溶解して表面倍率が低く、一
方デーーティ比が９０％以上になると負パルス幅が小さ
すぎるため短時間のうちに局部的にＰＨが上昇し、不均
一な皮膜しか生成せず、従って局部腐食が起こり表面倍
率が低いと考えられる。
このように白粉の生じない塩酸溶液中でのエツチング条
件としては、負サイクルと正サイクルとの電気量比が０
．２から２．０の範囲、特にＯ，Ｓから１．０の範囲で
、かつデユーティ比が５１〜９０チの範囲で、高い表面
倍率が得られる。又、この効果は、エツチング電流波形
として矩形波だけでなく、台形波、正弦波でも同様の効
果が得られる。
件としては、負サイクルと正サイクルとの電気量比が０
．２から２．０の範囲、特にＯ，Ｓから１．０の範囲で
、かつデユーティ比が５１〜９０チの範囲で、高い表面
倍率が得られる。又、この効果は、エツチング電流波形
として矩形波だけでなく、台形波、正弦波でも同様の効
果が得られる。
こうして得られた上記エツチング条件と従来条件との表
面倍率を正の電流量７０ Ｃ／ｃｒｌで比較すると下表
のようになる。
面倍率を正の電流量７０ Ｃ／ｃｒｌで比較すると下表
のようになる。
このように塩酸溶液中では表面倍率を従来より約２０チ
高めることができた。
高めることができた。
発明の効果
以上のように本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電
極箔のエツチング方法によれば、白粉の生じない塩酸溶
液中で高い表面倍率を持つ電極箔が容易に得られ、電極
箔製造装置の稼動率の向上が可能となり、コンデンサの
低コスト化が可能となるのである。
極箔のエツチング方法によれば、白粉の生じない塩酸溶
液中で高い表面倍率を持つ電極箔が容易に得られ、電極
箔製造装置の稼動率の向上が可能となり、コンデンサの
低コスト化が可能となるのである。
第１図は本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔
のエツチング方法において、アルミニウム箔に印加され
る負サイクルの電気量と正サイクルの電気量との比と表
面倍率との関係を示す特性図、第２図は本発明の同方法
においてデニーティ比（＝正波形幅／正波形幅＋負波形
幅）と表面倍率との関係を示す特性図である。
のエツチング方法において、アルミニウム箔に印加され
る負サイクルの電気量と正サイクルの電気量との比と表
面倍率との関係を示す特性図、第２図は本発明の同方法
においてデニーティ比（＝正波形幅／正波形幅＋負波形
幅）と表面倍率との関係を示す特性図である。
Claims (2)
- （１）アルミニウム箔の表面を、塩化アルミニウムを含
む濃度３〜２０％の塩酸溶液中で、周波数が５〜１００
Ｈｚの交流電流を用いて液温２０〜８０℃で電解エッチ
ングする際の条件を、アルミニウム箔に印加される負サ
イクルの電気量と正サイクルの電気量との比が０．２か
ら２．０の範囲で、かつデューティ比が５１〜９０％の
条件としたアルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエッ
チング方法。 - （２）エッチング電流波形が矩形波、台形波又は正弦波
である特許請求の範囲第１項に記載のアルミニウム電解
コンデンサ用電極箔のエッチング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181312A JPH0620029B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 |
| EP85904288A EP0194317B1 (en) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Method of producing electrolytic capacitors. |
| PCT/JP1985/000481 WO1986001544A1 (en) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Process for etching electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| US06/862,502 US4741812A (en) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Method for etching electrode foil aluminum electrolytic capacitors |
| DE8585904288T DE3575580D1 (de) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Methode zur herstellung von elektrolytischen kondensatoren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181312A JPH0620029B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159717A true JPS6159717A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0620029B2 JPH0620029B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16098477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181312A Expired - Lifetime JPH0620029B2 (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔のエツチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4741812A (ja) |
| EP (1) | EP0194317B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0620029B2 (ja) |
| DE (1) | DE3575580D1 (ja) |
| WO (1) | WO1986001544A1 (ja) |
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| JP2759388B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1998-05-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 印刷版用支持体の製造方法 |
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| JP1595451S (ja) * | 2017-06-20 | 2018-01-22 | ||
| CN110718393B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-11-30 | 湖南艾华集团股份有限公司 | 一种中高压铝电解电容器阳极箔的制备方法及电容器 |
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| JPS51142442A (en) * | 1975-06-04 | 1976-12-08 | Fujitsu Ltd | Method of producing porous anodic elements of aluminum |
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- 1984-08-30 JP JP59181312A patent/JPH0620029B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-08-30 US US06/862,502 patent/US4741812A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-08-30 EP EP85904288A patent/EP0194317B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-30 DE DE8585904288T patent/DE3575580D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-30 WO PCT/JP1985/000481 patent/WO1986001544A1/ja active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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