JPS58223311A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法Info
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- JPS58223311A JPS58223311A JP10714682A JP10714682A JPS58223311A JP S58223311 A JPS58223311 A JP S58223311A JP 10714682 A JP10714682 A JP 10714682A JP 10714682 A JP10714682 A JP 10714682A JP S58223311 A JPS58223311 A JP S58223311A
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- Japan
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- etching
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- aluminum foil
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の
エツチング方法に関するものである。
エツチング方法に関するものである。
電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の表面積の
増大化をはかるためにアルミニウム箔をエツチング処理
することは周知であり、当該エノでは、直流エツチング
方法、交流エツチング方法もしくは交流に直流を重畳し
たエツチング方法かある。
増大化をはかるためにアルミニウム箔をエツチング処理
することは周知であり、当該エノでは、直流エツチング
方法、交流エツチング方法もしくは交流に直流を重畳し
たエツチング方法かある。
従来の交流エツチング方法においでは、正弦波による交
流電源または方形波による交流電源を使用している。そ
して、これらのエツチング電源波形の正側および負側の
波形は対称波形を用いることが多い。また、その電源周
波数としては50[:llz:]または60[:Ilz
〕の商用周波数のほか、3〜30〔ITZ〕の低周波数
(特公昭54.−4.3177号公報参照)か利用され
でいる。この場合、高容量のエツチング箔を得るために
エツチング電源周波数を101:]Iz:1前後の極め
て低い周波数にしなけれはならす、電源のトランス効率
か悪く、極めて大きなトランスを必要とし設備の増大を
招くことになる0さらに、エツチング電源に関しで、交
流波形に直流成分を重畳し、正の電流量と負の電流量の
比が3乃至60とした非対称交流電源を利用したもの(
特公昭4.3−29976号公報参照)、牢だ10乃至
1.00 (:Hz )のパルス波に直流成分、夛重畳
したもの(特公昭44.−13458号公報参照)かあ
る。
流電源または方形波による交流電源を使用している。そ
して、これらのエツチング電源波形の正側および負側の
波形は対称波形を用いることが多い。また、その電源周
波数としては50[:llz:]または60[:Ilz
〕の商用周波数のほか、3〜30〔ITZ〕の低周波数
(特公昭54.−4.3177号公報参照)か利用され
でいる。この場合、高容量のエツチング箔を得るために
エツチング電源周波数を101:]Iz:1前後の極め
て低い周波数にしなけれはならす、電源のトランス効率
か悪く、極めて大きなトランスを必要とし設備の増大を
招くことになる0さらに、エツチング電源に関しで、交
流波形に直流成分を重畳し、正の電流量と負の電流量の
比が3乃至60とした非対称交流電源を利用したもの(
特公昭4.3−29976号公報参照)、牢だ10乃至
1.00 (:Hz )のパルス波に直流成分、夛重畳
したもの(特公昭44.−13458号公報参照)かあ
る。
しかしなから上述のいずれのエツチング電源およびその
他の電源も全てアルミニウム箔に印加される電流量は、
交流エツチング方法にあっては「1:。
他の電源も全てアルミニウム箔に印加される電流量は、
交流エツチング方法にあっては「1:。
の電流計≧負の電流量の関係にある。つまり、電源波形
の正側印加時間≧負側印加時間となっている。
の正側印加時間≧負側印加時間となっている。
ところで、本発明は従来方法とは逆にエラチウム箔をエ
ツチング処理する方法を提供するもので、本方法により
さらに高容量のエツチング箔を得ることかできるもので
ある。
ツチング処理する方法を提供するもので、本方法により
さらに高容量のエツチング箔を得ることかできるもので
ある。
先ず、第1図(a)、(1))に本発明に関する電源の
波形を示すが、いずれも非対称波形であり、同図(1)
)は方形波を示す。正電位+1・〕と負電位−Eの絶対
印加時間〈負の電At(負側印加時間)の関係C(ゞ。
波形を示すが、いずれも非対称波形であり、同図(1)
)は方形波を示す。正電位+1・〕と負電位−Eの絶対
印加時間〈負の電At(負側印加時間)の関係C(ゞ。
あり、その比率を1:2〜1:5の範囲とすることによ
り高容量のエツチング箔を得ることかできる。また、電
源周波数についでは10〜60(Hz)についで適用で
きるものである。
り高容量のエツチング箔を得ることかできる。また、電
源周波数についでは10〜60(Hz)についで適用で
きるものである。
次に、従来例と本発明の実施例の比較を行う。
従来例1.2.3および本発明実施例ともに、箔厚65
〔l目1〕〕で、純度99.98C%〕のアルミニウム
箔を使用し、塩酸もしくはその塩類を主体とした水溶液
にアルミニウム箔表面の溶解を防止するための酸もしく
はその塩類を含む液温5 (E〔℃:]の電解液により
、エツチング電流密度4. OQ CrnA/cnl〕
、電気量1400 CmA−’n/cA’]の条件でア
ルミニウム箔をエツチングした後に、リン酸2.OCv
、汁%〕で洗浄し不用な塩素分を取り除き、次に液温8
0[:℃)の化成液にて化成電圧100〔v〕、化成時
間は所定化成電圧到達後30分間の条件で化成する。た
だ、エツチング電源の周波数、波形なとはそれぞれ異t
、x リ、従来例1では電源周波数は50(Ilzlて
、正弦波を使用し、正電位と負電位の比率および正側印
加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ1:1である。
〔l目1〕〕で、純度99.98C%〕のアルミニウム
箔を使用し、塩酸もしくはその塩類を主体とした水溶液
にアルミニウム箔表面の溶解を防止するための酸もしく
はその塩類を含む液温5 (E〔℃:]の電解液により
、エツチング電流密度4. OQ CrnA/cnl〕
、電気量1400 CmA−’n/cA’]の条件でア
ルミニウム箔をエツチングした後に、リン酸2.OCv
、汁%〕で洗浄し不用な塩素分を取り除き、次に液温8
0[:℃)の化成液にて化成電圧100〔v〕、化成時
間は所定化成電圧到達後30分間の条件で化成する。た
だ、エツチング電源の周波数、波形なとはそれぞれ異t
、x リ、従来例1では電源周波数は50(Ilzlて
、正弦波を使用し、正電位と負電位の比率および正側印
加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ1:1である。
従来例2では、電源周波数は60[112]で、波形と
しではパルス波に直流成分を重畳したものを使用し、正
電位と負電位の比率は・1:1で正側印加時間と負側印
加時間の比率は9:1である。従来例3では、電源周波
数は20[Hz〕て、正弦波を使用し、正電位と負電位
の比率および正側印加時間と負側印加時間の比率はそれ
ぞれ1:lである。なお、本発明実施例では電源周波数
は50CIIz)で、波形としては第1図(1))に示
した方形波を使用し、正電位と負電位の比率はl:1で
正側印加時間と負側印加時間の比率は1:3である。な
お、エツチング箔は塩酸8.0 (w +%〕、塩化ナ
トリウム1. OCw t%〕、硫酸0.01[:w+
%〕、リン酸0.5(w+%〕、蓚酸アンモン0.2C
wt%〕 からなる。また、化成液はリン酸0.1[:
wt%〕、アンモニア0.15(wt%〕からなる。
しではパルス波に直流成分を重畳したものを使用し、正
電位と負電位の比率は・1:1で正側印加時間と負側印
加時間の比率は9:1である。従来例3では、電源周波
数は20[Hz〕て、正弦波を使用し、正電位と負電位
の比率および正側印加時間と負側印加時間の比率はそれ
ぞれ1:lである。なお、本発明実施例では電源周波数
は50CIIz)で、波形としては第1図(1))に示
した方形波を使用し、正電位と負電位の比率はl:1で
正側印加時間と負側印加時間の比率は1:3である。な
お、エツチング箔は塩酸8.0 (w +%〕、塩化ナ
トリウム1. OCw t%〕、硫酸0.01[:w+
%〕、リン酸0.5(w+%〕、蓚酸アンモン0.2C
wt%〕 からなる。また、化成液はリン酸0.1[:
wt%〕、アンモニア0.15(wt%〕からなる。
第1表に本発明実施例および従来例1.、2.3により
得られたエツチング箔の容量と箔強度の比較を示す0 第1表 本発明実施例と従来例の比較 第1表から判るように、本発明実施例によると、エツチ
ング箔の折曲げ強度および引張強度を損うことなく、箔
容量を2.j30 Cp F/ad:]と著しく向」ニ
することができるものである0 次に、エツチング電源周波数10.30,50.60
CII z〕の各状態において、電源正側印加時間と負
側印加時間の比率l:1〜1:6によす得られたエツチ
ング箔の容量の変化を第2図に示す。さらに、エンチン
グ電源の正側印加時間と負側印加時間の比ング箔の容量
の変化を第3回に示す。
得られたエツチング箔の容量と箔強度の比較を示す0 第1表 本発明実施例と従来例の比較 第1表から判るように、本発明実施例によると、エツチ
ング箔の折曲げ強度および引張強度を損うことなく、箔
容量を2.j30 Cp F/ad:]と著しく向」ニ
することができるものである0 次に、エツチング電源周波数10.30,50.60
CII z〕の各状態において、電源正側印加時間と負
側印加時間の比率l:1〜1:6によす得られたエツチ
ング箔の容量の変化を第2図に示す。さらに、エンチン
グ電源の正側印加時間と負側印加時間の比ング箔の容量
の変化を第3回に示す。
第2図および第3図を参照しで、本発明のエツチング方
法においては、エツチング電源周波数の範囲か10〜6
0〔IIZ〕で、電源のアルミニウム箔に対する印加時
間を正側印加時間〈負側印加時間の関係とすることによ
り、特にその比率では1:2〜l:5の範囲において高
容−量のエツチング箔を得ることができるものである。
法においては、エツチング電源周波数の範囲か10〜6
0〔IIZ〕で、電源のアルミニウム箔に対する印加時
間を正側印加時間〈負側印加時間の関係とすることによ
り、特にその比率では1:2〜l:5の範囲において高
容−量のエツチング箔を得ることができるものである。
また、電源周波数を10〜60[:Hz〕と高くするこ
とができるために電源l・タンス効率の向」二かでき、
これによりトランスの小形化が可能となると共に設備価
格の低減をはかることができるものである0 なお、上述ではエツチング電源の波形として第1図θ)
)に示したような方形波を使用した場合についで説明し
たが、同図(a) に示すような非対称波でも同様な
効果を奏するものである。
とができるために電源l・タンス効率の向」二かでき、
これによりトランスの小形化が可能となると共に設備価
格の低減をはかることができるものである0 なお、上述ではエツチング電源の波形として第1図θ)
)に示したような方形波を使用した場合についで説明し
たが、同図(a) に示すような非対称波でも同様な
効果を奏するものである。
第1図(a)、(1−+)は本発明に係るエツチング電
源の波形図、第2図および第3図は本発明に係るエツチ
ング方法により得られたエツチング箔の特性図である。 將許出願人 エルナー株式会社
源の波形図、第2図および第3図は本発明に係るエツチ
ング方法により得られたエツチング箔の特性図である。 將許出願人 エルナー株式会社
Claims (2)
- (1) エツチング電源の周波数を10〜60C]I
z:]とし、電源波形の正電位と負電位の絶対値を同一
値とし、電源の正側印加時間〈負側印加時間とした条件
により電解液中のアルミニウム箔ヲエソチンクすること
を特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
ング方法。 - (2) 特許請求の範囲(1)においで、エツチング
電源の正側印加時間と負側印加時間の比率を1:2〜1
:5としたことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔のエツチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10714682A JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10714682A JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223311A true JPS58223311A (ja) | 1983-12-24 |
JPS6357935B2 JPS6357935B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14451674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10714682A Granted JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58223311A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260123A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ |
JPS61121318A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JPS6288315A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 長井電子工業協同組合 | 電解コンデンサ用アルミ箔のエツチング方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0321216U (ja) * | 1989-07-10 | 1991-03-01 | ||
JPH0372645U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-23 | ||
JPH0511827U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 忠隆 杉山 | 手掛け |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343640A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Denkaihaku Kenkyusho | Electrolytic etching method for aluminum |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP10714682A patent/JPS58223311A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343640A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Denkaihaku Kenkyusho | Electrolytic etching method for aluminum |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260123A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ |
JPS61121318A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JPS6288315A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 長井電子工業協同組合 | 電解コンデンサ用アルミ箔のエツチング方法 |
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Publication number | Publication date |
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JPS6357935B2 (ja) | 1988-11-14 |
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