JPS58223311A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 - Google Patents

電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法

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JPS58223311A
JPS58223311A JP10714682A JP10714682A JPS58223311A JP S58223311 A JPS58223311 A JP S58223311A JP 10714682 A JP10714682 A JP 10714682A JP 10714682 A JP10714682 A JP 10714682A JP S58223311 A JPS58223311 A JP S58223311A
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JP
Japan
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etching
application time
aluminum foil
power supply
side application
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JP10714682A
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富沢 孝史
要 栗原
賢一 金子
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Elna Co Ltd
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Elna Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の
エツチング方法に関するものである。
電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の表面積の
増大化をはかるためにアルミニウム箔をエツチング処理
することは周知であり、当該エノでは、直流エツチング
方法、交流エツチング方法もしくは交流に直流を重畳し
たエツチング方法かある。
従来の交流エツチング方法においでは、正弦波による交
流電源または方形波による交流電源を使用している。そ
して、これらのエツチング電源波形の正側および負側の
波形は対称波形を用いることが多い。また、その電源周
波数としては50[:llz:]または60[:Ilz
〕の商用周波数のほか、3〜30〔ITZ〕の低周波数
(特公昭54.−4.3177号公報参照)か利用され
でいる。この場合、高容量のエツチング箔を得るために
エツチング電源周波数を101:]Iz:1前後の極め
て低い周波数にしなけれはならす、電源のトランス効率
か悪く、極めて大きなトランスを必要とし設備の増大を
招くことになる0さらに、エツチング電源に関しで、交
流波形に直流成分を重畳し、正の電流量と負の電流量の
比が3乃至60とした非対称交流電源を利用したもの(
特公昭4.3−29976号公報参照)、牢だ10乃至
1.00 (:Hz )のパルス波に直流成分、夛重畳
したもの(特公昭44.−13458号公報参照)かあ
る。
しかしなから上述のいずれのエツチング電源およびその
他の電源も全てアルミニウム箔に印加される電流量は、
交流エツチング方法にあっては「1:。
の電流計≧負の電流量の関係にある。つまり、電源波形
の正側印加時間≧負側印加時間となっている。
ところで、本発明は従来方法とは逆にエラチウム箔をエ
ツチング処理する方法を提供するもので、本方法により
さらに高容量のエツチング箔を得ることかできるもので
ある。
先ず、第1図(a)、(1))に本発明に関する電源の
波形を示すが、いずれも非対称波形であり、同図(1)
)は方形波を示す。正電位+1・〕と負電位−Eの絶対
印加時間〈負の電At(負側印加時間)の関係C(ゞ。
あり、その比率を1:2〜1:5の範囲とすることによ
り高容量のエツチング箔を得ることかできる。また、電
源周波数についでは10〜60(Hz)についで適用で
きるものである。
次に、従来例と本発明の実施例の比較を行う。
従来例1.2.3および本発明実施例ともに、箔厚65
〔l目1〕〕で、純度99.98C%〕のアルミニウム
箔を使用し、塩酸もしくはその塩類を主体とした水溶液
にアルミニウム箔表面の溶解を防止するための酸もしく
はその塩類を含む液温5 (E〔℃:]の電解液により
、エツチング電流密度4. OQ CrnA/cnl〕
、電気量1400 CmA−’n/cA’]の条件でア
ルミニウム箔をエツチングした後に、リン酸2.OCv
、汁%〕で洗浄し不用な塩素分を取り除き、次に液温8
0[:℃)の化成液にて化成電圧100〔v〕、化成時
間は所定化成電圧到達後30分間の条件で化成する。た
だ、エツチング電源の周波数、波形なとはそれぞれ異t
、x リ、従来例1では電源周波数は50(Ilzlて
、正弦波を使用し、正電位と負電位の比率および正側印
加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ1:1である。
従来例2では、電源周波数は60[112]で、波形と
しではパルス波に直流成分を重畳したものを使用し、正
電位と負電位の比率は・1:1で正側印加時間と負側印
加時間の比率は9:1である。従来例3では、電源周波
数は20[Hz〕て、正弦波を使用し、正電位と負電位
の比率および正側印加時間と負側印加時間の比率はそれ
ぞれ1:lである。なお、本発明実施例では電源周波数
は50CIIz)で、波形としては第1図(1))に示
した方形波を使用し、正電位と負電位の比率はl:1で
正側印加時間と負側印加時間の比率は1:3である。な
お、エツチング箔は塩酸8.0 (w +%〕、塩化ナ
トリウム1. OCw t%〕、硫酸0.01[:w+
%〕、リン酸0.5(w+%〕、蓚酸アンモン0.2C
wt%〕 からなる。また、化成液はリン酸0.1[:
wt%〕、アンモニア0.15(wt%〕からなる。
第1表に本発明実施例および従来例1.、2.3により
得られたエツチング箔の容量と箔強度の比較を示す0 第1表 本発明実施例と従来例の比較 第1表から判るように、本発明実施例によると、エツチ
ング箔の折曲げ強度および引張強度を損うことなく、箔
容量を2.j30 Cp F/ad:]と著しく向」ニ
することができるものである0 次に、エツチング電源周波数10.30,50.60 
CII z〕の各状態において、電源正側印加時間と負
側印加時間の比率l:1〜1:6によす得られたエツチ
ング箔の容量の変化を第2図に示す。さらに、エンチン
グ電源の正側印加時間と負側印加時間の比ング箔の容量
の変化を第3回に示す。
第2図および第3図を参照しで、本発明のエツチング方
法においては、エツチング電源周波数の範囲か10〜6
0〔IIZ〕で、電源のアルミニウム箔に対する印加時
間を正側印加時間〈負側印加時間の関係とすることによ
り、特にその比率では1:2〜l:5の範囲において高
容−量のエツチング箔を得ることができるものである。
また、電源周波数を10〜60[:Hz〕と高くするこ
とができるために電源l・タンス効率の向」二かでき、
これによりトランスの小形化が可能となると共に設備価
格の低減をはかることができるものである0 なお、上述ではエツチング電源の波形として第1図θ)
)に示したような方形波を使用した場合についで説明し
たが、同図(a)  に示すような非対称波でも同様な
効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(1−+)は本発明に係るエツチング電
源の波形図、第2図および第3図は本発明に係るエツチ
ング方法により得られたエツチング箔の特性図である。 將許出願人  エルナー株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  エツチング電源の周波数を10〜60C]I
    z:]とし、電源波形の正電位と負電位の絶対値を同一
    値とし、電源の正側印加時間〈負側印加時間とした条件
    により電解液中のアルミニウム箔ヲエソチンクすること
    を特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチ
    ング方法。
  2. (2)  特許請求の範囲(1)においで、エツチング
    電源の正側印加時間と負側印加時間の比率を1:2〜1
    :5としたことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
    ウム箔のエツチング方法。
JP10714682A 1982-06-22 1982-06-22 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 Granted JPS58223311A (ja)

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