JPS6357935B2 - - Google Patents
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- JPS6357935B2 JPS6357935B2 JP57107146A JP10714682A JPS6357935B2 JP S6357935 B2 JPS6357935 B2 JP S6357935B2 JP 57107146 A JP57107146 A JP 57107146A JP 10714682 A JP10714682 A JP 10714682A JP S6357935 B2 JPS6357935 B2 JP S6357935B2
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
本発明は電解コンデンサに使用されるアルミニ
ウム箔のエツチング方法に関するものである。 電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の
表面積の増大化をはかるためにアルミニウム箔を
エツチング処理することは周知であり、当該エツ
チング方法として化学的処理方法と電気化学的処
理方法とがある。一方の電気化学的処理方法とし
ては、直流エツチング方法、交流エツチング方法
もしくは交流に直流を重畳したエツチング方法が
ある。 従来の交流エツチング方法においては、正弦波
による交流電源または方形波による交流電源を使
用している。そして、これらのエツチング電源波
形の正側および負側の波形は対称波形を用いるこ
とが多い。また、その電源周波数としては50［Hz］
または60［Hz］の商用周波数のほか、３〜30［Hz］
の低周波数（特公昭54−43177号公報参照）が利
用されている。この場合、高容量のエツチング箔
を得るためにエツチング電源周波数を10［Hz］前
後の極めて低い周波数にしなければならず、電源
のトランス効率が悪く、極めて大きなトランスを
必要とし設備の増大を招くことになる。さらに、
エツチング電源に関して、交流波形に直流成分を
重畳し、正の電気量と負の電気量の比が３乃至60
とした非対称交流電源を利用したもの（特公昭43
−29976号公報参照）、また10乃至100［Hz］のパル
ス波に直流成分を重畳したもの（特公昭44−
13458号公報参照）がある。 しかしながら、上述のいずれのエツチング電源
およびその他の電解も全てアルミニウム箔に印加
される電気量は、交流エツチング方法にあつては
正の電気量≧負の電気量の関係にある。つまり、
電源波形の正側印加時間≧負側印加時間となつて
いる。 ところで、本発明は従来方法とは逆にエツチン
グ電源について、正側印加時間＜負側印加時間で
あり、かつ正の電気量＜負の電気量とし、正電位
と負電位の絶対値の最大値を同一とした電源によ
りアルミニウム箔をエツチング処理する方法を提
供するもので、本方法によりさらに高容量のエツ
チング箔を得ることができるものである。 先ず、第１図ａ，ｂに本発明に関する電源の波
形を示すが、いずれも非対称波形であり、同図ｂ
は方形波を示す。正電位＋Ｅと負電位−Ｅの絶対
値の最大値は同一である。アルミニウム箔に印加
される電気量および印加時間については、正の電
気量＜負の電気量であり、正側印加時間＜負側印
加時間の関係にあり、その比率を１：２〜１：５
の範囲とすることにより高容量のエツチング箔を
得ることができる。また、電源周波数については
10〜60［Hz］について適用できるものである。 次に、従来例と本発明の実施例の比較を行う。
従来例１、２、３および本発明実施例ともに、箔
厚65［μｍ］で、純度99.98［％］のアルミニウム
箔を使用し、塩酸もしくはその塩類を主体とした
水溶液にアルミニウム箔表面の溶解を防止するた
めの酸もしくはその塩類を含む液温50［℃］の電
解液により、エツチング電流密度400［ｍＡ／cm2］、
電気量1400［ｍＡ／min／cm2］の条件でアルミニ
ウム箔をエツチングした後に、リン酸2.0［wt％］
で洗浄し、不要な塩素分を取り除き、次に液温80
［℃］の化成液にて化成電圧100［Ｖ］、化成時間は
所定化成電圧到達後30分間の条件で化成する。た
だ、エツチング電源の周波数、波形などはそれぞ
れ異なり、従来例１では電源周波数は50［Hz］で
正弦波を使用し、正電位と負電位の比率および正
側印加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ１：
１である。従来例２では、電源周波数は60［Hz］
で、波形としてはパルス波に直流成分を重畳した
ものを使用し、正電位と負電位の比率は４：１で
正側印加時間と負側印加時間の比率は９：１であ
る。従来例３では、電源周波数は20［Hz］で正弦
波を使用し、正電位と負電位の比率および正側印
加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ１：１で
ある。なお、本発明実施例では電源周波数は50
［Hz］で、波形としては第１図ｂに示した方形波
を使用し、正電位と負電位の比率は１：１で正側
印加時間と負側印加時間の比率は１：３である。
エツチング液は塩酸8.0［wt％］、塩化ナトリウム
1.0［wt％］、硫酸0.01［wt％］、リン酸0.5［wt％］、
蓚酸アンモン0.2［wt％］からなる。また、化成液
はリン酸0.1［wt％］、アンモニア0.15［wt％］から
なる。 第１表に本発明実施例および従来例１、２、３
により得られたエツチング箔の容量と箔強度の比
較を示す。
ウム箔のエツチング方法に関するものである。 電解コンデンサに使用されるアルミニウム箔の
表面積の増大化をはかるためにアルミニウム箔を
エツチング処理することは周知であり、当該エツ
チング方法として化学的処理方法と電気化学的処
理方法とがある。一方の電気化学的処理方法とし
ては、直流エツチング方法、交流エツチング方法
もしくは交流に直流を重畳したエツチング方法が
ある。 従来の交流エツチング方法においては、正弦波
による交流電源または方形波による交流電源を使
用している。そして、これらのエツチング電源波
形の正側および負側の波形は対称波形を用いるこ
とが多い。また、その電源周波数としては50［Hz］
または60［Hz］の商用周波数のほか、３〜30［Hz］
の低周波数（特公昭54−43177号公報参照）が利
用されている。この場合、高容量のエツチング箔
を得るためにエツチング電源周波数を10［Hz］前
後の極めて低い周波数にしなければならず、電源
のトランス効率が悪く、極めて大きなトランスを
必要とし設備の増大を招くことになる。さらに、
エツチング電源に関して、交流波形に直流成分を
重畳し、正の電気量と負の電気量の比が３乃至60
とした非対称交流電源を利用したもの（特公昭43
−29976号公報参照）、また10乃至100［Hz］のパル
ス波に直流成分を重畳したもの（特公昭44−
13458号公報参照）がある。 しかしながら、上述のいずれのエツチング電源
およびその他の電解も全てアルミニウム箔に印加
される電気量は、交流エツチング方法にあつては
正の電気量≧負の電気量の関係にある。つまり、
電源波形の正側印加時間≧負側印加時間となつて
いる。 ところで、本発明は従来方法とは逆にエツチン
グ電源について、正側印加時間＜負側印加時間で
あり、かつ正の電気量＜負の電気量とし、正電位
と負電位の絶対値の最大値を同一とした電源によ
りアルミニウム箔をエツチング処理する方法を提
供するもので、本方法によりさらに高容量のエツ
チング箔を得ることができるものである。 先ず、第１図ａ，ｂに本発明に関する電源の波
形を示すが、いずれも非対称波形であり、同図ｂ
は方形波を示す。正電位＋Ｅと負電位−Ｅの絶対
値の最大値は同一である。アルミニウム箔に印加
される電気量および印加時間については、正の電
気量＜負の電気量であり、正側印加時間＜負側印
加時間の関係にあり、その比率を１：２〜１：５
の範囲とすることにより高容量のエツチング箔を
得ることができる。また、電源周波数については
10〜60［Hz］について適用できるものである。 次に、従来例と本発明の実施例の比較を行う。
従来例１、２、３および本発明実施例ともに、箔
厚65［μｍ］で、純度99.98［％］のアルミニウム
箔を使用し、塩酸もしくはその塩類を主体とした
水溶液にアルミニウム箔表面の溶解を防止するた
めの酸もしくはその塩類を含む液温50［℃］の電
解液により、エツチング電流密度400［ｍＡ／cm2］、
電気量1400［ｍＡ／min／cm2］の条件でアルミニ
ウム箔をエツチングした後に、リン酸2.0［wt％］
で洗浄し、不要な塩素分を取り除き、次に液温80
［℃］の化成液にて化成電圧100［Ｖ］、化成時間は
所定化成電圧到達後30分間の条件で化成する。た
だ、エツチング電源の周波数、波形などはそれぞ
れ異なり、従来例１では電源周波数は50［Hz］で
正弦波を使用し、正電位と負電位の比率および正
側印加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ１：
１である。従来例２では、電源周波数は60［Hz］
で、波形としてはパルス波に直流成分を重畳した
ものを使用し、正電位と負電位の比率は４：１で
正側印加時間と負側印加時間の比率は９：１であ
る。従来例３では、電源周波数は20［Hz］で正弦
波を使用し、正電位と負電位の比率および正側印
加時間と負側印加時間の比率はそれぞれ１：１で
ある。なお、本発明実施例では電源周波数は50
［Hz］で、波形としては第１図ｂに示した方形波
を使用し、正電位と負電位の比率は１：１で正側
印加時間と負側印加時間の比率は１：３である。
エツチング液は塩酸8.0［wt％］、塩化ナトリウム
1.0［wt％］、硫酸0.01［wt％］、リン酸0.5［wt％］、
蓚酸アンモン0.2［wt％］からなる。また、化成液
はリン酸0.1［wt％］、アンモニア0.15［wt％］から
なる。 第１表に本発明実施例および従来例１、２、３
により得られたエツチング箔の容量と箔強度の比
較を示す。
【表】
第１表から判るように、本発明実施例による
と、エツチング箔の折曲げ強度および引張強度を
損うことなく、箔容量を2.60［μF／cm2］と著しく
向上することができるものである。 次に、エツチング電源周波数10、30、50、60
［Hz］の各状態において、電源正側印加時間と負
側印加時間の比率１：１〜１：６により得られた
エツチング箔の容量の変化を第２図に示す。さら
に、エツチング電源の正側印加時間と負側印加時
間の比率１：２、１：３、１：５、１：６の各状
態において、電源周波数10〜70［Hz］により得ら
れたエツチング箔の容量の変化を第３図に示す。 第２図および第３図を参照して、本発明のエツ
チング方法においては、エツチング電源周波数の
範囲が30〜60［Hz］で、電源のアルミニウム箔に
対する印加時間を正側印加時間＜負側印加時間の
関係とすることにより、特にその比率では１：２
〜１：５の範囲において高容量のエツチング箔を
得ることができるものである。また、電源周波数
を30〜60［Hz］と高くすることができるために電
源トランス効率の向上ができ、これによりトラン
スの小形化が可能となると共に設備価格の低減を
はかることができるものである。 なお、上述ではエツチング電源の波形として第
１図ｂに示したような方形波を使用した場合につ
いて説明したが、同図ａに示すような非対称波で
も同様な効果を奏するものである。
と、エツチング箔の折曲げ強度および引張強度を
損うことなく、箔容量を2.60［μF／cm2］と著しく
向上することができるものである。 次に、エツチング電源周波数10、30、50、60
［Hz］の各状態において、電源正側印加時間と負
側印加時間の比率１：１〜１：６により得られた
エツチング箔の容量の変化を第２図に示す。さら
に、エツチング電源の正側印加時間と負側印加時
間の比率１：２、１：３、１：５、１：６の各状
態において、電源周波数10〜70［Hz］により得ら
れたエツチング箔の容量の変化を第３図に示す。 第２図および第３図を参照して、本発明のエツ
チング方法においては、エツチング電源周波数の
範囲が30〜60［Hz］で、電源のアルミニウム箔に
対する印加時間を正側印加時間＜負側印加時間の
関係とすることにより、特にその比率では１：２
〜１：５の範囲において高容量のエツチング箔を
得ることができるものである。また、電源周波数
を30〜60［Hz］と高くすることができるために電
源トランス効率の向上ができ、これによりトラン
スの小形化が可能となると共に設備価格の低減を
はかることができるものである。 なお、上述ではエツチング電源の波形として第
１図ｂに示したような方形波を使用した場合につ
いて説明したが、同図ａに示すような非対称波で
も同様な効果を奏するものである。
第１図ａ，ｂは本発明に係るエツチング電源の
波形図、第２図および第３図は本発明に係るエツ
チング方法により得られたエツチング箔の特性図
である。
波形図、第２図および第３図は本発明に係るエツ
チング方法により得られたエツチング箔の特性図
である。
Claims (1)
- １ エツチング電源の周波数を30〜60［Hz］とし、
電源波形の正電位と負電位の絶対値の最大値を同
一値とし、電源のアルミニウム箔への正側印加時
間＜負側印加時間とし、正側印加時間と負側印加
時間の比率を１：２〜１：５とし、かつ正の電気
量＜負の電気量とした条件による方形波により電
解液中のアルミニウム箔をエツチングすることを
特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム箔のエ
ツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10714682A JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10714682A JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223311A JPS58223311A (ja) | 1983-12-24 |
| JPS6357935B2 true JPS6357935B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14451674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10714682A Granted JPS58223311A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223311A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321216U (ja) * | 1989-07-10 | 1991-03-01 | ||
| JPH0372645U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-23 | ||
| JPH0511827U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 忠隆 杉山 | 手掛け |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0665208B2 (ja) * | 1984-06-07 | 1994-08-22 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ |
| JPH0760782B2 (ja) * | 1984-11-19 | 1995-06-28 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPS6288315A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 長井電子工業協同組合 | 電解コンデンサ用アルミ箔のエツチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343640A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Denkaihaku Kenkyusho | Electrolytic etching method for aluminum |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP10714682A patent/JPS58223311A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343640A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-19 | Hitachi Denkaihaku Kenkyusho | Electrolytic etching method for aluminum |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321216U (ja) * | 1989-07-10 | 1991-03-01 | ||
| JPH0372645U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-23 | ||
| JPH0511827U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 忠隆 杉山 | 手掛け |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58223311A (ja) | 1983-12-24 |
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