JPH0262931B2 - - Google Patents
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- JPH0262931B2 JPH0262931B2 JP2557085A JP2557085A JPH0262931B2 JP H0262931 B2 JPH0262931 B2 JP H0262931B2 JP 2557085 A JP2557085 A JP 2557085A JP 2557085 A JP2557085 A JP 2557085A JP H0262931 B2 JPH0262931 B2 JP H0262931B2
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
『産業上の利用分野』
本発明はエツチング用電源として矩形波電源を
使用した電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツ
チング方法に関するものである。
使用した電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツ
チング方法に関するものである。
『従来例』
電解コンデンサ用アルミニウム箔の表面積を拡
大するために同箔をエツチングする方法として、
直流電源を用いたエツチング方法あるいは交流電
源を用いたエツチング方法が一般的に使用されて
おり、また矩形波電源を用いた方法も昭和44年特
許出願公告第13458号『電解コンデンサ用アルミ
ニウム電極または箔の有効表面積を拡大する方
法』（以下、従来例１という。）およびヨーロツパ
特許公開第54990号『電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔』（以下、従来例２という。）として知られ
ている。
大するために同箔をエツチングする方法として、
直流電源を用いたエツチング方法あるいは交流電
源を用いたエツチング方法が一般的に使用されて
おり、また矩形波電源を用いた方法も昭和44年特
許出願公告第13458号『電解コンデンサ用アルミ
ニウム電極または箔の有効表面積を拡大する方
法』（以下、従来例１という。）およびヨーロツパ
特許公開第54990号『電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔』（以下、従来例２という。）として知られ
ている。
ここで、矩形波電源における出力波形を第１図
に示す。同波形において、＋側電圧値をｈ、−側電
圧値をｋ、＋側電圧印加時間をａ、−側電圧印加時
間をｂとする。
に示す。同波形において、＋側電圧値をｈ、−側電
圧値をｋ、＋側電圧印加時間をａ、−側電圧印加時
間をｂとする。
従来例１においては、液温70℃の３％塩化ナト
リウム水溶液である電解液中で矩形波周波数を10
〜100Hz、＋側電圧印加時間と、−側電圧印加時間
との比、つまりａ：ｂ比が10：１以上、＋側電圧
値と−側電圧値の比、つまりｈ：ｋ比が３：１〜
13：１、電流密度が600ｍＡ／cm2でアルミニウム
箔をエツチングした例が記載されている。
リウム水溶液である電解液中で矩形波周波数を10
〜100Hz、＋側電圧印加時間と、−側電圧印加時間
との比、つまりａ：ｂ比が10：１以上、＋側電圧
値と−側電圧値の比、つまりｈ：ｋ比が３：１〜
13：１、電流密度が600ｍＡ／cm2でアルミニウム
箔をエツチングした例が記載されている。
また、従来例２においては、液温60〜95℃の塩
化物水溶液である電解液中で矩形波周波数が35〜
300Hz、矩形波のａ：ｂ比が1.5：１〜57：１、矩
形波のｈ：ｋ比が20：１、電流密度が500〜3000
ｍＡ／cm2でアルミニウム箔をエツチングした例が
記載されている。
化物水溶液である電解液中で矩形波周波数が35〜
300Hz、矩形波のａ：ｂ比が1.5：１〜57：１、矩
形波のｈ：ｋ比が20：１、電流密度が500〜3000
ｍＡ／cm2でアルミニウム箔をエツチングした例が
記載されている。
『従来例の問題点』
しかしながら、このような従来例において、矩
形波のａ：ｂ比が10：１以上の比率、また矩形波
のｈ：ｋ比も10：１以上の比率になるとエツチン
グ中のアルミニウム箔の表面の溶解が促進し、箔
の有効表面積の増大につながるような微細なエツ
チング構造が得られないことが出願人の実験の結
果により判明した。さらに、矩形波のａ：ｂ比が
６：１以下、また矩形波のｈ：ｋ比も６：１以
下、矩形波周波数が40Hz以下になると、アルミニ
ウム箔の局部のみにエツチングが進行するため
に、箔の有効表面積の増大効果が期待できないも
のであることも判明した。
形波のａ：ｂ比が10：１以上の比率、また矩形波
のｈ：ｋ比も10：１以上の比率になるとエツチン
グ中のアルミニウム箔の表面の溶解が促進し、箔
の有効表面積の増大につながるような微細なエツ
チング構造が得られないことが出願人の実験の結
果により判明した。さらに、矩形波のａ：ｂ比が
６：１以下、また矩形波のｈ：ｋ比も６：１以
下、矩形波周波数が40Hz以下になると、アルミニ
ウム箔の局部のみにエツチングが進行するため
に、箔の有効表面積の増大効果が期待できないも
のであることも判明した。
『本発明の概要』
しかるに、本願出願人は、このような矩形波を
使用したエツチング方法において、より一層のア
ルミニウム箔の有効表面積の増大が可能なエツチ
ング方法の一領域を提供するものである。具体的
には、矩形波が40〜170Hz、矩形波の＋側電圧印
加時間と、−側電圧印加時間との比、つまりａ：
ｂ比が６：１〜10：１、矩形波の＋側電圧値と−
側電圧値との比、つまりｈ：ｋ比が６：１〜10：
１である矩形波電源により塩酸系の電解液中のア
ルミニウム箔をエツチングする方法に関するもの
である。なお、電解液としては、塩素イオンを含
有する塩素系、塩化ナトリウム系、塩化アルミニ
ウム系の水溶液が好ましく、特に塩素イオンの濃
度としては1.8〜3.0mol／の範囲好ましい。ま
た、電解液中には硫酸、燐酸、硝酸、あるいは蓚
酸などが添加されることもある。具体的には塩酸
が濃度1.8〜3.0規定、硫酸が濃度0.1〜0.2規定、
燐酸が0.1〜0.2規定である水溶液が好ましい。
使用したエツチング方法において、より一層のア
ルミニウム箔の有効表面積の増大が可能なエツチ
ング方法の一領域を提供するものである。具体的
には、矩形波が40〜170Hz、矩形波の＋側電圧印
加時間と、−側電圧印加時間との比、つまりａ：
ｂ比が６：１〜10：１、矩形波の＋側電圧値と−
側電圧値との比、つまりｈ：ｋ比が６：１〜10：
１である矩形波電源により塩酸系の電解液中のア
ルミニウム箔をエツチングする方法に関するもの
である。なお、電解液としては、塩素イオンを含
有する塩素系、塩化ナトリウム系、塩化アルミニ
ウム系の水溶液が好ましく、特に塩素イオンの濃
度としては1.8〜3.0mol／の範囲好ましい。ま
た、電解液中には硫酸、燐酸、硝酸、あるいは蓚
酸などが添加されることもある。具体的には塩酸
が濃度1.8〜3.0規定、硫酸が濃度0.1〜0.2規定、
燐酸が0.1〜0.2規定である水溶液が好ましい。
『実施例』
次に本発明において、塩酸濃度が2.2規定、硫
酸濃度が0.15規定、燐酸濃度が0.15規定からなる
水溶液の液温70℃電解液Ａ中にてアルミニウム箔
を矩形波の周波数70Hz、矩形波のａ：ｂ比が７：
１、矩形波のｈ：ｋ比が８：１の矩形波電源Ｖ１
により、電流密度600ｍＡ／cm2電気量が600ｍＡ・
min／cm2でエツチングした。これにより得られた
エツチド箔を0.1％の燐酸アンモニウム水溶液中
で15分間50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、13.2μF／cm2の箔が得られた。
酸濃度が0.15規定、燐酸濃度が0.15規定からなる
水溶液の液温70℃電解液Ａ中にてアルミニウム箔
を矩形波の周波数70Hz、矩形波のａ：ｂ比が７：
１、矩形波のｈ：ｋ比が８：１の矩形波電源Ｖ１
により、電流密度600ｍＡ／cm2電気量が600ｍＡ・
min／cm2でエツチングした。これにより得られた
エツチド箔を0.1％の燐酸アンモニウム水溶液中
で15分間50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、13.2μF／cm2の箔が得られた。
また、従来例１にもとづいて、本発明と同一の
電解液Ａ中にてアルミニウム箔を、矩形波の周波
数60Hz、矩形波のａ：ｂ比が15：１、矩形波の
ｈ：ｋ比が６：１の矩形波電源Ｖ２により、本発
明と同一の電流密度および電気量でエツチング
し、続いて50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、9.8μF／cm2の箔が得られた。
電解液Ａ中にてアルミニウム箔を、矩形波の周波
数60Hz、矩形波のａ：ｂ比が15：１、矩形波の
ｈ：ｋ比が６：１の矩形波電源Ｖ２により、本発
明と同一の電流密度および電気量でエツチング
し、続いて50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、9.8μF／cm2の箔が得られた。
さらに、従来例２にもとづいて、本発明と同一
の電解液Ａ中にてアルミニウム箔を、矩形波の周
波数180Hz、矩形波のａ：ｂ比が６：１、矩形波
のｈ：ｋ比が20：１の矩形波電源Ｖ３により、本
発明と同一の電流密度および電気量でエツチング
し、続いて50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、10.5μF／cm2の箔が得られた。
の電解液Ａ中にてアルミニウム箔を、矩形波の周
波数180Hz、矩形波のａ：ｂ比が６：１、矩形波
のｈ：ｋ比が20：１の矩形波電源Ｖ３により、本
発明と同一の電流密度および電気量でエツチング
し、続いて50V化成し、その容量を測定したとこ
ろ、10.5μF／cm2の箔が得られた。
『効果』
上記の本発明に係る実施例において、矩形波の
ａ：ｂ比を７：１に一定とし、矩形波のｈ：ｋ比
を８：１に一定とした場合の矩形波周波数と、エ
ツチド箔の50V化成の容量変化との関係を第２図
に示す。周波数が70Hz付近で容量値最大の
13.2μF／cm2の容量の箔を得ることができ、40Hzで
は10.6μF／cm2、170Hzでは10.7μF／cm2の容量の箔
を得ることができる。
ａ：ｂ比を７：１に一定とし、矩形波のｈ：ｋ比
を８：１に一定とした場合の矩形波周波数と、エ
ツチド箔の50V化成の容量変化との関係を第２図
に示す。周波数が70Hz付近で容量値最大の
13.2μF／cm2の容量の箔を得ることができ、40Hzで
は10.6μF／cm2、170Hzでは10.7μF／cm2の容量の箔
を得ることができる。
また、矩形波のａ：ｂ比を７：１に一定とし、
矩形波の周波数を70Hzに一定とした場合の矩形波
のｈ：ｋ比と、エツチド箔の50V化成の容量変化
との関係を第３図に示す。矩形波のｈ：ｋ比が
８：１付近で容量値最大の13.2μF／cm2の容量の箔
を得ることができ、ｈ：ｋ比が６：１では
12.2μF／cm2、ｈ：ｋ比が10：１でも12.2μF／cm2の
容量の箔を得ることができる。
矩形波の周波数を70Hzに一定とした場合の矩形波
のｈ：ｋ比と、エツチド箔の50V化成の容量変化
との関係を第３図に示す。矩形波のｈ：ｋ比が
８：１付近で容量値最大の13.2μF／cm2の容量の箔
を得ることができ、ｈ：ｋ比が６：１では
12.2μF／cm2、ｈ：ｋ比が10：１でも12.2μF／cm2の
容量の箔を得ることができる。
さらに、矩形波のｈ：ｋ比を８：１に一定と
し、矩形波の周波数を70Hzに一定とした場合の矩
形波のａ：ｂ比と、エツチド箔の50V化成の容量
変化との関係を第４図に示す。矩形波のａ：ｂ比
が７：１付近で容量値最大の13.2μF／cm2の容量の
箔を得ることができ、ａ：ｂ比が６：１では
11.0μF／cm2、ａ：ｂ比が10：１では11.2μF／cm2の
容量の箔を得ることができる。
し、矩形波の周波数を70Hzに一定とした場合の矩
形波のａ：ｂ比と、エツチド箔の50V化成の容量
変化との関係を第４図に示す。矩形波のａ：ｂ比
が７：１付近で容量値最大の13.2μF／cm2の容量の
箔を得ることができ、ａ：ｂ比が６：１では
11.0μF／cm2、ａ：ｂ比が10：１では11.2μF／cm2の
容量の箔を得ることができる。
以上にて述べたように、従来例１においては容
量が9.8μF／cm2の箔、従来例２においては容量が
10.5μF／cm2の箔しか得ることができなかつたのに
対し、本発明においては容量が13.2μF／cm2の箔を
得ることができ、電解コンデンサの小型化あるい
は同一の大きさでは容量の大きい電解コンデンサ
を提供できるという利点を奏するものである。
量が9.8μF／cm2の箔、従来例２においては容量が
10.5μF／cm2の箔しか得ることができなかつたのに
対し、本発明においては容量が13.2μF／cm2の箔を
得ることができ、電解コンデンサの小型化あるい
は同一の大きさでは容量の大きい電解コンデンサ
を提供できるという利点を奏するものである。
なお、本発明においては矩形波電源を用いたエ
ツチング方法を単独で使用する場合についてのみ
説明したが、他の直流電源あるいは交流電源を用
いたエツチング方法に組合わせて使用することも
できるものである。
ツチング方法を単独で使用する場合についてのみ
説明したが、他の直流電源あるいは交流電源を用
いたエツチング方法に組合わせて使用することも
できるものである。
第１図は矩形波電源の矩形波形図、第２図は本
発明に係る矩形波の周波数と箔容量との関係を示
す特性図、第３図は本発明に係る矩形波のｈ：ｋ
比と箔容量との関係を示す特性図、第４図は本発
明に係る矩形波のａ：ｂ比と箔容量との関係を示
す特性図である。
発明に係る矩形波の周波数と箔容量との関係を示
す特性図、第３図は本発明に係る矩形波のｈ：ｋ
比と箔容量との関係を示す特性図、第４図は本発
明に係る矩形波のａ：ｂ比と箔容量との関係を示
す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 矩形波電源を使用し、電解液中にてアルミニ
ウム箔をエツチングする方法において、矩形波の
周波数を40〜170Hzとし、矩形波の＋側電圧印加
時間と−側電圧印加時間との比を６：１〜10：１
未満とし、矩形波の＋側電圧値と−側電圧値との
比を６：１〜10：１としたことを特徴とする電解
コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法。 ２ 特許請求の範囲１において、矩形波の周波数
を70Hzとし、矩形波の＋側電圧印加時間と−側電
圧印加時間との比を７：１とし、＋側電圧値と−
側電圧値との比を８：１としたことを特徴とする
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方
法。 ３ 特許請求の範囲１または２において、電解液
は塩素イオンを1.8〜3.0mol／を含有する水溶
液であることを特徴とする電解コンデンサ用アル
ミニウム箔のエツチング方法。 ４ 特許請求の範囲１、２または３において、電
解液は塩酸が濃度1.8〜3.0規定、硫酸が濃度0.1〜
0.2規定、燐酸が濃度0.1〜0.2規定の水溶液である
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム
箔のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2557085A JPS61185915A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2557085A JPS61185915A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185915A JPS61185915A (ja) | 1986-08-19 |
| JPH0262931B2 true JPH0262931B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=12169586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2557085A Granted JPS61185915A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61185915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679843U (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-08 | 日建産業株式会社 | 擁壁用基礎ブロック |
-
1985
- 1985-02-13 JP JP2557085A patent/JPS61185915A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679843U (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-08 | 日建産業株式会社 | 擁壁用基礎ブロック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61185915A (ja) | 1986-08-19 |
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