JPS6398116A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法Info
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- JPS6398116A JPS6398116A JP24504286A JP24504286A JPS6398116A JP S6398116 A JPS6398116 A JP S6398116A JP 24504286 A JP24504286 A JP 24504286A JP 24504286 A JP24504286 A JP 24504286A JP S6398116 A JPS6398116 A JP S6398116A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的１
（産業上の利用分野）
この発明はアルミニウム表面に均一なポーラス層をつく
ることにより表面積の拡大をはかることができるアルミ
ニウム電解コンデンサ用の電極箔を製造するためのエツ
チング方法に関づる。
ることにより表面積の拡大をはかることができるアルミ
ニウム電解コンデンサ用の電極箔を製造するためのエツ
チング方法に関づる。
（従来の技術）
従来からアルミニウム表面上に電気化学的手段によりポ
ーラス構造を付与する方法が、アルミニウム電解コンデ
ンサ用の電極箔の製造に用いられている。
ーラス構造を付与する方法が、アルミニウム電解コンデ
ンサ用の電極箔の製造に用いられている。
例えば、電解コンデンサ用のアルミニウム箔の電気化学
的エツチングでは、アルミニウムおよびグラファイトを
電極とし、この間に直流および／または交流を印加する
方法が通常である。
的エツチングでは、アルミニウムおよびグラファイトを
電極とし、この間に直流および／または交流を印加する
方法が通常である。
しかし、直流エツチングではエッチビットが深さ方向に
発達するトンネル化のために、アルミニウム箔の機械的
強度が低下する欠点があり、また交流エツチングではポ
ーラス層の形成がエツチングの進行に比例して増加せず
に表面の全体的な溶解に移行するために、拡面率が一定
値以上に増加しないなどの難点があった。
発達するトンネル化のために、アルミニウム箔の機械的
強度が低下する欠点があり、また交流エツチングではポ
ーラス層の形成がエツチングの進行に比例して増加せず
に表面の全体的な溶解に移行するために、拡面率が一定
値以上に増加しないなどの難点があった。
交流エツチングによるポーラス層の形成においては、ア
ルミニウム表面への保護皮膜の生成と、その破壊による
分散されたピットの形成が基本過程である。エツチング
の進行に伴い、ピットの増殖がはかられるためには、表
面の保護およびピットの形成に適する皮膜生成とピット
形成の繰返し過程が必要である。
ルミニウム表面への保護皮膜の生成と、その破壊による
分散されたピットの形成が基本過程である。エツチング
の進行に伴い、ピットの増殖がはかられるためには、表
面の保護およびピットの形成に適する皮膜生成とピット
形成の繰返し過程が必要である。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は、従来の交流エツチングにおけるこのような
拡面率の鈍化または低下現象を改善するものであり、塩
素イオンだけを含む電解液もしくは添加剤として硫酸イ
オン、リン酸イオンやシュウ酸イオンなどを含む電解液
中において、アルミニウム箔から対極となるエツチング
電極にパルス電流を通電し、電解エツチングを行うこと
により、従来に比べ一段と高い拡面率を有するアルミニ
ウム電解コンデンサ用の電極箔を１ｒｌ供することを目
的とする。
拡面率の鈍化または低下現象を改善するものであり、塩
素イオンだけを含む電解液もしくは添加剤として硫酸イ
オン、リン酸イオンやシュウ酸イオンなどを含む電解液
中において、アルミニウム箔から対極となるエツチング
電極にパルス電流を通電し、電解エツチングを行うこと
により、従来に比べ一段と高い拡面率を有するアルミニ
ウム電解コンデンサ用の電極箔を１ｒｌ供することを目
的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明によるエツチング方法は、電解液の組成および温
度に応じて、アルミニウム箔に印加するパルス電流の印
加時間に対してピーク電流密度に達するまでの時間の比
率を０．０５〜０．４に制御し、かつパルス印加時間を
１０〜１００ｍｓ．休止時間を５〜２０Ｉｌｌｓとする
ことを特徴とするものである。
度に応じて、アルミニウム箔に印加するパルス電流の印
加時間に対してピーク電流密度に達するまでの時間の比
率を０．０５〜０．４に制御し、かつパルス印加時間を
１０〜１００ｍｓ．休止時間を５〜２０Ｉｌｌｓとする
ことを特徴とするものである。
（作用）
アルミニウムの交流エツチングでは、アノード半サイク
ルの期間にアルミニウムが溶解され、ピットを形成する
。このように溶解されたアルミニウムイオンは、つぎの
瞬時に続くカソード半サイクル期間に出現する水素イオ
ンの消費に基づくほぼ中性領域までのＰ Ｈ上昇の環境
下で、ピット上に水酸化物の沈澱皮膜、すなわち皮膜を
生成する。該エッチ皮膜はつぎのアノード半サイクルで
一部破壊され、そこから新しいピットが形成される。こ
れらの繰返しによってつぎつぎにピットが増殖し、三次
元的な分散がはかられている。
ルの期間にアルミニウムが溶解され、ピットを形成する
。このように溶解されたアルミニウムイオンは、つぎの
瞬時に続くカソード半サイクル期間に出現する水素イオ
ンの消費に基づくほぼ中性領域までのＰ Ｈ上昇の環境
下で、ピット上に水酸化物の沈澱皮膜、すなわち皮膜を
生成する。該エッチ皮膜はつぎのアノード半サイクルで
一部破壊され、そこから新しいピットが形成される。こ
れらの繰返しによってつぎつぎにピットが増殖し、三次
元的な分散がはかられている。
発明者らは、該エッチ皮膜の生成量が多すぎるとピット
の分散が阻害され、また少なすぎるとアルミニウム箔表
面からの全体的な溶解が進むことから、適正な皮膜用が
必要であること、ならびに該適正量は電解液の組成や温
度によっても異なり、該条件の適切な範囲では必ずしも
アルミニウムをカソードの状態にする必要がないとの着
想を得た。該着想に基づき交流エツチングにおけるカソ
ード半サイクルの電気石を極端に小さくした状態、すな
わちアノード電流を、断続しパルス化したエツチングに
Ｊｓいて電流の休止時に生成する該エッチ皮膜の成長を
アノード電流印加時の電流密度の時間的変化により制御
し、均一なポーラス構造をアルミニウム表面に形成する
ものである。
の分散が阻害され、また少なすぎるとアルミニウム箔表
面からの全体的な溶解が進むことから、適正な皮膜用が
必要であること、ならびに該適正量は電解液の組成や温
度によっても異なり、該条件の適切な範囲では必ずしも
アルミニウムをカソードの状態にする必要がないとの着
想を得た。該着想に基づき交流エツチングにおけるカソ
ード半サイクルの電気石を極端に小さくした状態、すな
わちアノード電流を、断続しパルス化したエツチングに
Ｊｓいて電流の休止時に生成する該エッチ皮膜の成長を
アノード電流印加時の電流密度の時間的変化により制御
し、均一なポーラス構造をアルミニウム表面に形成する
ものである。
（実施例）
本発明の実施例を図および表により説明する。
純度９９．９９％、厚さ０．１ｍｍのアルミニウム箔を
アノードとし、対極となる電極にグラファイトを用い、
３．６重量％ト１ｃｊｌ水溶液（液Ｗ５０℃）中でパル
スエツチングを行った。
アノードとし、対極となる電極にグラファイトを用い、
３．６重量％ト１ｃｊｌ水溶液（液Ｗ５０℃）中でパル
スエツチングを行った。
この実施例では第１図に示すような三角波のパルス電流
を印加し、 ■パルス印加時間ｔａとピーク電流密度ｉ
ａが一定、すなわちパルス電気屋ｑａが一定で、さらに
休止時間ｔｒが一定の場合、ピーク電流密度の発生時間
ｔｐを変化させる方法、および■ｔａ、ｉａとｔｐが一
定の場合、ｔｒを変化させることによりピット上に生成
する該エッチ皮膜聞を制御し、ピットの増殖をはかるも
のである。
を印加し、 ■パルス印加時間ｔａとピーク電流密度ｉ
ａが一定、すなわちパルス電気屋ｑａが一定で、さらに
休止時間ｔｒが一定の場合、ピーク電流密度の発生時間
ｔｐを変化させる方法、および■ｔａ、ｉａとｔｐが一
定の場合、ｔｒを変化させることによりピット上に生成
する該エッチ皮膜聞を制御し、ピットの増殖をはかるも
のである。
表はｔａ＝１０ｍｓ、ｉ ａ＝０．５Ａ／ｃｍ。
１パルスのＱ ａ＝ ２．５ｘ １０−３Ｃ／ｃＩｉお
よびｔｒ＝１０ｍｓの一定条件下でピーク電流密度の発
生時間ｔｐを０．５〜５ｍｓの範囲で変化させたときの
実施例であり、第２図はｔａ＝ｌ（Ｊｓ。
よびｔｒ＝１０ｍｓの一定条件下でピーク電流密度の発
生時間ｔｐを０．５〜５ｍｓの範囲で変化させたときの
実施例であり、第２図はｔａ＝ｌ（Ｊｓ。
！ ａ＝０．５Ａ／ｃｉ、１パルスのｑａ＝２．５×１
Ｏ−３Ｃ／ｃＭおよびｔｐ＝２．５ｍｓの一定条件下で
休止時間ｔｒ＝Ｑ〜１００ｍｓの範囲で与えたときの例
である。
Ｏ−３Ｃ／ｃＭおよびｔｐ＝２．５ｍｓの一定条件下で
休止時間ｔｒ＝Ｑ〜１００ｍｓの範囲で与えたときの例
である。
これらの結果はアルミニウム表面に上記のパルスを各３
００／Ｃｉを与えたエツチング箔を５０ＶＤＣで化成処
理した後の静電容量を測定してポーラス層の生成による
拡面率の評価を行ったものである。
００／Ｃｉを与えたエツチング箔を５０ＶＤＣで化成処
理した後の静電容量を測定してポーラス層の生成による
拡面率の評価を行ったものである。
以下余白
表の結果は三角波形におけるピーク電流密度の発生点、
すなわち電流の時間的変化による静電容量の変化を示し
たものであり、第２図はパルス休止時間による静電容量
の変化を示したも ４のである。
すなわち電流の時間的変化による静電容量の変化を示し
たものであり、第２図はパルス休止時間による静電容量
の変化を示したも ４のである。
以上の結果を対応する従来例ｔａ＝１ｃｌｓ（５０１−
１ｚ ）の正弦波交流エツチングにおいてアノード半サ
イクルの総電気ｆｆｈ ３０ Ｃ／ ｃｉにより得られ
た静電容量１４μＦ ／ ｃｍと比較すると、最大で約
３５％増の静電容量を得ることができる。
１ｚ ）の正弦波交流エツチングにおいてアノード半サ
イクルの総電気ｆｆｈ ３０ Ｃ／ ｃｉにより得られ
た静電容量１４μＦ ／ ｃｍと比較すると、最大で約
３５％増の静電容量を得ることができる。
なお上記の実施例では、電流が三角波形の場合について
のみ述べたが、三角形をその一部にもつ台形、長方形か
らなる合成波形についても同様の結果が得られている。
のみ述べたが、三角形をその一部にもつ台形、長方形か
らなる合成波形についても同様の結果が得られている。
［発明の効果］
この発明によれば、三角形および三角形をその一部にも
つ合成波を使用した電気化学的エツチングにおいて、電
流の時間的変化を制御することにより、波形以外の条件
を同じにした従来のエツチング方法に比べて、約１５〜
３５％の静電容けを増加させることのできる均一なポー
ラス構造をアルミニウム表面に形成することができる。
つ合成波を使用した電気化学的エツチングにおいて、電
流の時間的変化を制御することにより、波形以外の条件
を同じにした従来のエツチング方法に比べて、約１５〜
３５％の静電容けを増加させることのできる均一なポー
ラス構造をアルミニウム表面に形成することができる。
第１図は本発明による印加電流のパルスの諸特性を示し
た説明図、第２図は本発明になる実施例を示し、一定の
パルス電流を印加したときの休止時間ｔｒによる静電容
量の変化を示した曲線図である。 特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合
た説明図、第２図は本発明になる実施例を示し、一定の
パルス電流を印加したときの休止時間ｔｒによる静電容
量の変化を示した曲線図である。 特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合
Claims (2)
- （１）アルミニウム箔とエッチング電極との間に電流を
印加してアルミニウムをエッチングする電解コンデンサ
用アルミニウム箔のエッチング方法において、アルミニ
ウムに印加する電流がパルス電流であり、該パルス電流
の印加時間に対して該パルス電流がピーク電流密度に達
するまでの時間の比率が０．０５〜０．４の範囲であり
、前記パルス印加時間が１０〜１００ｍｓ、休止時間が
５〜２０ｍｓであることを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム箔のエッチング方法。 - （２）エッチング電流のパルス波形が三角形、台形およ
びそれらの一部からなる合成波を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24504286A JPS6398116A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24504286A JPS6398116A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398116A true JPS6398116A (ja) | 1988-04-28 |
Family
ID=17127713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24504286A Pending JPS6398116A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6398116A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379799A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷版用アルミニウム支持体の製造方法 |
| JPH04293800A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-19 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170928A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPS61121421A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP24504286A patent/JPS6398116A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170928A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPS61121421A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379799A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷版用アルミニウム支持体の製造方法 |
| JPH04293800A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-19 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
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