JPH0317210B2 - - Google Patents
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- JPH0317210B2 JPH0317210B2 JP7693584A JP7693584A JPH0317210B2 JP H0317210 B2 JPH0317210 B2 JP H0317210B2 JP 7693584 A JP7693584 A JP 7693584A JP 7693584 A JP7693584 A JP 7693584A JP H0317210 B2 JPH0317210 B2 JP H0317210B2
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Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は中高圧用（100WV以上）のアルミ電
解コンデンサ用電極箔の製造方法に関するもので
ある。 従来例の構成とその問題点 従来のこの種のアルミ電解コンデンサ用電極箔
はアルミ電解コンデンサの小形化、低価格化を図
るために、電極体となるアルミニウム箔を電気
的、あるいは化学的にエツチング処理を行つて表
面積を拡大したものを使用している。 このアルミニウム電極箔の表面積を拡大するた
めに種々の方法が研究されているが、最も一般的
にはアルミニウム箔を塩酸、食塩などの塩化物水
溶液中で電気的にエツチングする方法がとられて
いる。 中でも、中高圧用のアルミ陽極箔においては、
その表面積をできるだけ拡大するために、エツチ
ングによつて生じたピツトが箔を貫通しているよ
うな、貫通タイプのエツチング法が主に用いられ
てきた。 しかし、この貫通タイプの電極箔は、表面積を
拡大するためにピツト密度を増加させていくと、
箔強度が著しく低下してしまい、コンデンサ素子
としての箔の巻取り時に巻芯部での折れ、引出リ
ード部での折れ等の問題を生ずるという欠点があ
つた。 発明の目的 本発明はこのような従来の欠点を除去するもの
で、電極箔の表面積拡大率を損うことなく、箔強
度の向上を図ることを目的としたアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供するものであ
る。 発明の構成 上記目的を達成するために本発明は、塩酸水溶
液、もしくはその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、
硼酸の４種類の酸とそれらの塩のうち、少なくと
も１つを添加したエツチング液中で、直流電流を
用いてエツチングを行う第１段エツチング工程
と、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カ
リウムの３種類の塩素イオンを含む中性塩もしく
は酸性塩水溶液のうち、少なくとも１つからなる
エツチング液中で直流電流を用いてエツチングを
行う第２段エツチング工程の２つの工程を有し、
第１段エツチングの最初にエツチング液温50〜
100℃、電流密度0.1〜1A／cm2の直流電流で電気
量３〜10クーロン／cm2で初期エツチングを行うこ
とを特徴としている。 その結果、皮膜を形成する酸又は塩を含む塩酸
中での第１段エツチングの最初にエツチング液温
50〜100℃で電流密度0.1〜1A／cm2の直流電流で、
電気量として３〜10クーロン／cm2の範囲で初期エ
ツチングを行い、続いて従来通り同一液中で孔食
電位以下の低電流密度の直流電流を印加してエツ
チングを行つてから第２段の中性塩水溶液中での
直流電流によるエツチングを行うか、初期エツチ
ングの後、直ちに第２段の中性塩水溶液中での直
流電流によるエツチングを行うことにより、貫通
タイプ箔と表面積拡大率の変わらない芯残しタイ
プのアルミニウム電極箔が得られる。 これについては、次のように考えられる。まず
塩酸水溶液による第１段エツチングの初期エツチ
ングの段階では芯が残つたピツト密度が大きくピ
ツト径の細い箔ができるが、これを引き続いて同
一液中で孔食電位以下の低電流密度で直流エツチ
ングすると、ピツトの内壁にそつてアルミが溶解
するため、ピツトはほとんど深さ方向には伸びず
ピツトの径のみ太くなる。続いて行う中性塩水溶
液中での第２段エツチングにおいても同様にピツ
トは深さ方向には伸びにくく、ピツトの径のみ太
くなり、最終的に表面積拡大率が大きく、機械的
強度も強い芯残しタイプの電極箔が得られるもの
と推測される。 本発明のエツチング方法で重要なことは、初期
エツチングの液温、電流密度と電気量であり、エ
ツチング液温については、これが50℃未満の場合
はエツチング効果が少なく、100℃を超えると表
面の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲
内で、特に好適には70〜90℃の範囲が望ましい。 一方、電流密度については、これが0.1A／cm2
未満の場合はやはりエツチング効果に乏しく、反
対に1A／cm2を超えると全面溶解が起こる。従つ
てこの範囲内で、特に好ましくは0.15〜0.60A／
cm2である。 また、初期エツチングの電気量は、ピツトが貫
通しない範囲にすることが必要であるが、少なす
ぎる場合はエツチング効果が乏しいため、３〜10
クーロン／cm2の範囲が良好である。 実施例の説明 次に、本発明の実施例について記載する。 (1) 従来方法（貫通タイプエツチング法） 箔厚104μｍ、純度99.99％のアルミニウム箔
を、第１段エツチングとして塩酸の５％水溶液
に蓚酸を0.03％添加した液温80℃のエツチング
液中で、電流密度0.25A／cm2の直流電流で50秒
間エツチングし引続いて80℃の同一液中で電流
密度0.08A／cm2の直流電流で260秒間エツチン
グした後、第２段エツチングとして液温90℃の
塩化アンモニウムの２％水溶液中で電流密度
0.17A／cm2で206秒間直流エツチングしたアル
ミニウム箔を、硼酸水溶液中で380V化成した。
第１図にその方法による電極箔の断面図を示
し、１はアルミニウム箔、２はピツトである。 (2) 本発明による方法（芯残しタイプエツチン
グ法） (1)と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチ
ングとして塩酸の５％水溶液に蓚酸を0.03％添
加した液温80℃のエツチング液中で、電流密度
0.25A／cm2の直流電流で20秒間エツチングし、
引続いて80℃の同一液中で電流密度0.08A／cm2
の直流電流で180秒間エツチングした後、第２
段エツチングとして液温90℃の塩化アンモニウ
ムの２％水溶液中で、電流密度0.17A／cm2で
296秒間直流エツチングしたアルミニウム箔を
(1)と同様に380Vで化成した。その方法による
電極箔の断面を第２図に示し、１はアルミニウ
ム箔、２はピツト、３は芯の部分である。 (3) 本発明による方法（芯残しタイプエツチン
グ法） (1)と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチ
ングとして塩酸の５％水溶液に蓚酸を0.03％添
加した液温80℃のエツチング液中で、電流密度
0.25A／cm2の直流電流で20秒間エツチングした
後、第２段エツチングとして液温90℃の塩化ア
ンモニウムの２％水溶液中で電流密度0.17A／
cm2で380秒間直流エツチングした箔を(1)と同様
に380Vで化成した。この方法による電極箔の
断面は上述の第２図に示すものと同一である。 上記(1)、(2)、(3)により得られた電極箔の静電容
量と箔強度を下表に示す。
解コンデンサ用電極箔の製造方法に関するもので
ある。 従来例の構成とその問題点 従来のこの種のアルミ電解コンデンサ用電極箔
はアルミ電解コンデンサの小形化、低価格化を図
るために、電極体となるアルミニウム箔を電気
的、あるいは化学的にエツチング処理を行つて表
面積を拡大したものを使用している。 このアルミニウム電極箔の表面積を拡大するた
めに種々の方法が研究されているが、最も一般的
にはアルミニウム箔を塩酸、食塩などの塩化物水
溶液中で電気的にエツチングする方法がとられて
いる。 中でも、中高圧用のアルミ陽極箔においては、
その表面積をできるだけ拡大するために、エツチ
ングによつて生じたピツトが箔を貫通しているよ
うな、貫通タイプのエツチング法が主に用いられ
てきた。 しかし、この貫通タイプの電極箔は、表面積を
拡大するためにピツト密度を増加させていくと、
箔強度が著しく低下してしまい、コンデンサ素子
としての箔の巻取り時に巻芯部での折れ、引出リ
ード部での折れ等の問題を生ずるという欠点があ
つた。 発明の目的 本発明はこのような従来の欠点を除去するもの
で、電極箔の表面積拡大率を損うことなく、箔強
度の向上を図ることを目的としたアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供するものであ
る。 発明の構成 上記目的を達成するために本発明は、塩酸水溶
液、もしくはその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、
硼酸の４種類の酸とそれらの塩のうち、少なくと
も１つを添加したエツチング液中で、直流電流を
用いてエツチングを行う第１段エツチング工程
と、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カ
リウムの３種類の塩素イオンを含む中性塩もしく
は酸性塩水溶液のうち、少なくとも１つからなる
エツチング液中で直流電流を用いてエツチングを
行う第２段エツチング工程の２つの工程を有し、
第１段エツチングの最初にエツチング液温50〜
100℃、電流密度0.1〜1A／cm2の直流電流で電気
量３〜10クーロン／cm2で初期エツチングを行うこ
とを特徴としている。 その結果、皮膜を形成する酸又は塩を含む塩酸
中での第１段エツチングの最初にエツチング液温
50〜100℃で電流密度0.1〜1A／cm2の直流電流で、
電気量として３〜10クーロン／cm2の範囲で初期エ
ツチングを行い、続いて従来通り同一液中で孔食
電位以下の低電流密度の直流電流を印加してエツ
チングを行つてから第２段の中性塩水溶液中での
直流電流によるエツチングを行うか、初期エツチ
ングの後、直ちに第２段の中性塩水溶液中での直
流電流によるエツチングを行うことにより、貫通
タイプ箔と表面積拡大率の変わらない芯残しタイ
プのアルミニウム電極箔が得られる。 これについては、次のように考えられる。まず
塩酸水溶液による第１段エツチングの初期エツチ
ングの段階では芯が残つたピツト密度が大きくピ
ツト径の細い箔ができるが、これを引き続いて同
一液中で孔食電位以下の低電流密度で直流エツチ
ングすると、ピツトの内壁にそつてアルミが溶解
するため、ピツトはほとんど深さ方向には伸びず
ピツトの径のみ太くなる。続いて行う中性塩水溶
液中での第２段エツチングにおいても同様にピツ
トは深さ方向には伸びにくく、ピツトの径のみ太
くなり、最終的に表面積拡大率が大きく、機械的
強度も強い芯残しタイプの電極箔が得られるもの
と推測される。 本発明のエツチング方法で重要なことは、初期
エツチングの液温、電流密度と電気量であり、エ
ツチング液温については、これが50℃未満の場合
はエツチング効果が少なく、100℃を超えると表
面の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲
内で、特に好適には70〜90℃の範囲が望ましい。 一方、電流密度については、これが0.1A／cm2
未満の場合はやはりエツチング効果に乏しく、反
対に1A／cm2を超えると全面溶解が起こる。従つ
てこの範囲内で、特に好ましくは0.15〜0.60A／
cm2である。 また、初期エツチングの電気量は、ピツトが貫
通しない範囲にすることが必要であるが、少なす
ぎる場合はエツチング効果が乏しいため、３〜10
クーロン／cm2の範囲が良好である。 実施例の説明 次に、本発明の実施例について記載する。 (1) 従来方法（貫通タイプエツチング法） 箔厚104μｍ、純度99.99％のアルミニウム箔
を、第１段エツチングとして塩酸の５％水溶液
に蓚酸を0.03％添加した液温80℃のエツチング
液中で、電流密度0.25A／cm2の直流電流で50秒
間エツチングし引続いて80℃の同一液中で電流
密度0.08A／cm2の直流電流で260秒間エツチン
グした後、第２段エツチングとして液温90℃の
塩化アンモニウムの２％水溶液中で電流密度
0.17A／cm2で206秒間直流エツチングしたアル
ミニウム箔を、硼酸水溶液中で380V化成した。
第１図にその方法による電極箔の断面図を示
し、１はアルミニウム箔、２はピツトである。 (2) 本発明による方法（芯残しタイプエツチン
グ法） (1)と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチ
ングとして塩酸の５％水溶液に蓚酸を0.03％添
加した液温80℃のエツチング液中で、電流密度
0.25A／cm2の直流電流で20秒間エツチングし、
引続いて80℃の同一液中で電流密度0.08A／cm2
の直流電流で180秒間エツチングした後、第２
段エツチングとして液温90℃の塩化アンモニウ
ムの２％水溶液中で、電流密度0.17A／cm2で
296秒間直流エツチングしたアルミニウム箔を
(1)と同様に380Vで化成した。その方法による
電極箔の断面を第２図に示し、１はアルミニウ
ム箔、２はピツト、３は芯の部分である。 (3) 本発明による方法（芯残しタイプエツチン
グ法） (1)と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチ
ングとして塩酸の５％水溶液に蓚酸を0.03％添
加した液温80℃のエツチング液中で、電流密度
0.25A／cm2の直流電流で20秒間エツチングした
後、第２段エツチングとして液温90℃の塩化ア
ンモニウムの２％水溶液中で電流密度0.17A／
cm2で380秒間直流エツチングした箔を(1)と同様
に380Vで化成した。この方法による電極箔の
断面は上述の第２図に示すものと同一である。 上記(1)、(2)、(3)により得られた電極箔の静電容
量と箔強度を下表に示す。
【表】
ここで箔強度は折曲強度によるもので1.0R、
100ｇ荷重、折曲角45°により１往復で１回とし
た。 以上の結果より、本発明による電極箔は、芯残
しタイプのエツチング箔であり、従来法(1)に比較
して箔の静電容量を損うことなく箔強度の大巾向
上を図ることが可能となつた。 発明の効果 以上のように、本発明のアルミ電解コンデンサ
用電極箔の製造方法によれば、従来ピツトが貫通
するまで行つていた初期エツチングを、ピツトが
貫通しない範囲に留めることによつて、静電容量
を損うことなく、箔強度が大巾に向上する芯残し
タイプ箔を製造することができ、コンデンサ素子
の製造時の箔折れという問題を解消できるだけで
なく、箔巻取時の巻芯径を更に小さくできること
から、コンデンサの小形化にも貢献できる。また
本発明は工業的に実用化が容易であるなど大きな
効果が得られる。
100ｇ荷重、折曲角45°により１往復で１回とし
た。 以上の結果より、本発明による電極箔は、芯残
しタイプのエツチング箔であり、従来法(1)に比較
して箔の静電容量を損うことなく箔強度の大巾向
上を図ることが可能となつた。 発明の効果 以上のように、本発明のアルミ電解コンデンサ
用電極箔の製造方法によれば、従来ピツトが貫通
するまで行つていた初期エツチングを、ピツトが
貫通しない範囲に留めることによつて、静電容量
を損うことなく、箔強度が大巾に向上する芯残し
タイプ箔を製造することができ、コンデンサ素子
の製造時の箔折れという問題を解消できるだけで
なく、箔巻取時の巻芯径を更に小さくできること
から、コンデンサの小形化にも貢献できる。また
本発明は工業的に実用化が容易であるなど大きな
効果が得られる。
第１図はアルミ電解コンデンサの電極箔の製造
方法の従来方法（貫通タイプエツチング法）によ
る電極箔の断面図、第２図は本発明の実施例２お
よび３による方法、による電極箔の断面図で
ある。 １……電解コンデンサ用アルミニウム箔、２…
…ピツト、３……芯の部分。
方法の従来方法（貫通タイプエツチング法）によ
る電極箔の断面図、第２図は本発明の実施例２お
よび３による方法、による電極箔の断面図で
ある。 １……電解コンデンサ用アルミニウム箔、２…
…ピツト、３……芯の部分。
Claims (1)
- １ 塩酸水溶液、もしくはその水溶液に蓚酸、硫
酸、リン酸、硼酸の４種類の酸とそれらの塩のう
ち、少なくとも１つを添加したエツチング液中
で、直流電流を用いてエツチングを行う第１段エ
ツチング工程と、塩化ナトリウム、塩化アンモニ
ウム、塩化カリウムの３種類の塩素イオンを含む
中性塩もしくは酸性塩水溶液のうち、少なくとも
１つからなるエツチング液中で直流電流を用いて
エツチングを行う第２段エツチング工程の２つの
工程を有し、第１段エツチングの最初にエツチン
グ液温50〜100℃、電流密度0.1〜1A／cm2の直流
電流で、電気量３〜10クーロン／cm2で初期エツチ
ングを行うことを特徴とするアルミ電解コンデン
サ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7693584A JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7693584A JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219721A JPS60219721A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0317210B2 true JPH0317210B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=13619581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7693584A Granted JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219721A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020149902A1 (en) * | 2001-02-14 | 2002-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode foil for aluminum electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2007095772A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Hitachi Aic Inc | 電気二重層キャパシタ |
| JP4762791B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-08-31 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP7693584A patent/JPS60219721A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60219721A (ja) | 1985-11-02 |
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