JPS60219721A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPS60219721A JPS60219721A JP7693584A JP7693584A JPS60219721A JP S60219721 A JPS60219721 A JP S60219721A JP 7693584 A JP7693584 A JP 7693584A JP 7693584 A JP7693584 A JP 7693584A JP S60219721 A JPS60219721 A JP S60219721A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業−４−の利用分野
本発明は中高圧用（１ｏＯＷＶ以上）のアルミ電解コン
デンサ用電極箔の製造方法に関するものである。
デンサ用電極箔の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のこの種のアルミ電解コンデンサ用電極箔はアルミ
電解コンデンサの小形化、低価格化を図るために、電極
体となるアルミニウム箔を電気的、あるいは化学的にエ
ツチング処理を行って表面積を拡大したものを使用して
いる。
電解コンデンサの小形化、低価格化を図るために、電極
体となるアルミニウム箔を電気的、あるいは化学的にエ
ツチング処理を行って表面積を拡大したものを使用して
いる。
このアルミニウム電極箔の表面積を拡大するために種々
の方法が研究されているが、最も一般的にはアルミニウ
ム箔を塩酸１食塩などの塩化物水溶液中で電、気的にエ
ツチングする方法がとられている。
の方法が研究されているが、最も一般的にはアルミニウ
ム箔を塩酸１食塩などの塩化物水溶液中で電、気的にエ
ツチングする方法がとられている。
中でも、中高圧用のアルミ陽極箔においては、その表面
積をできるだけ拡大するために、エツチングによって生
じたビットが箔を貫通しているような、貫通タイプのエ
ツチング法が主に用いられてきた。
積をできるだけ拡大するために、エツチングによって生
じたビットが箔を貫通しているような、貫通タイプのエ
ツチング法が主に用いられてきた。
しかし、この貫通タイプの電極箔は、表面積を拡大する
ためにビット密度を増加させていくと、箔強度が著しく
低下してしまい、コンデンサ素子としての箔の巻取り時
に巻芯部での折れ、引出リード部での折れ等の問題が生
ずるという欠点があった。
ためにビット密度を増加させていくと、箔強度が著しく
低下してしまい、コンデンサ素子としての箔の巻取り時
に巻芯部での折れ、引出リード部での折れ等の問題が生
ずるという欠点があった。
発明の目的
本発明はこのような従来の欠点を除去するもので、電極
箔の表面積拡大率を損うことなく、箔強度の向上を図る
ことを目的としたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造
方法を提供するものである。
箔の表面積拡大率を損うことなく、箔強度の向上を図る
ことを目的としたアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造
方法を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するためＫ、本発明は塩酸水溶液もしく
けその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸等の皮膜を形
成する酸やそれらの塩のうち少なくとも１つを添加した
エツチング液中で直流電流を用いてエツチングを行う第
１段エツチング工程と、塩化ナトリウム、塩化アンモニ
ウム、塩化カリウム等の塩素イオンを含む中性水溶液か
らなるエツチング液中で直流電流を用いて行う第２段エ
ツチング工程の２つの工程を有し、第１段エツチングの
最初にエツチング液温６０〜１００−Ｃ，電流密度０．
１〜Ｉ ＶＣ−の直流電流で電気量３〜１０クーロン／
ｃｄ で初期エツチングを行うことを特徴としている
。
けその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸等の皮膜を形
成する酸やそれらの塩のうち少なくとも１つを添加した
エツチング液中で直流電流を用いてエツチングを行う第
１段エツチング工程と、塩化ナトリウム、塩化アンモニ
ウム、塩化カリウム等の塩素イオンを含む中性水溶液か
らなるエツチング液中で直流電流を用いて行う第２段エ
ツチング工程の２つの工程を有し、第１段エツチングの
最初にエツチング液温６０〜１００−Ｃ，電流密度０．
１〜Ｉ ＶＣ−の直流電流で電気量３〜１０クーロン／
ｃｄ で初期エツチングを行うことを特徴としている
。
その結果、皮膜を形成する酸又は塩を含む塩酸中での第
１段エツチングの最初にエツチング液温６ｏ〜１ｏｏ℃
で電流密度０．１〜１ ）ｙ’ｃｄ （Ｄ直流電流で、
電気量として３〜１０クーロン／ｃ１１の範囲で初期エ
ツチングを行い、続いて従来通り同一液中で孔食電位以
下の低電流密度の直流電流を印加してエツチングを行っ
てから第２段の中性塩水溶液中での直流電流によるエツ
チングを行うか、初期エツチングの後、直ちに第２段の
中性塩水溶液中での直流電流によるエツチングを行うこ
とにより、貫通タイプ箔と表面積拡大率の変わらない芯
残しタイプのアルミニウム電極箔が得られる。
１段エツチングの最初にエツチング液温６ｏ〜１ｏｏ℃
で電流密度０．１〜１ ）ｙ’ｃｄ （Ｄ直流電流で、
電気量として３〜１０クーロン／ｃ１１の範囲で初期エ
ツチングを行い、続いて従来通り同一液中で孔食電位以
下の低電流密度の直流電流を印加してエツチングを行っ
てから第２段の中性塩水溶液中での直流電流によるエツ
チングを行うか、初期エツチングの後、直ちに第２段の
中性塩水溶液中での直流電流によるエツチングを行うこ
とにより、貫通タイプ箔と表面積拡大率の変わらない芯
残しタイプのアルミニウム電極箔が得られる。
これについては、次のように考えられる。まず塩酸水溶
液による第１段エツチングの初期エツチングの段階では
芯が残ったビット密度が大きくビット径の細い箔ができ
るが、これを引き続いて同一液中で孔食電位以下の低電
流密度で直流エツチングすると、ビットの内壁にそって
アルミが溶解するため、ビットはほとんど深さ方向には
伸びずビットの径のみ太くなる。続いて行う中性塩水溶
液中での第２段エツチングにおいても同様にビットは深
さ方向には伸びＫ＜＜、ビットの径のみ太くなり、最終
的に表面積拡大率が大きく、機械的強度も強い芯残しタ
イプの電極箔が得られるものと摺６川される。
液による第１段エツチングの初期エツチングの段階では
芯が残ったビット密度が大きくビット径の細い箔ができ
るが、これを引き続いて同一液中で孔食電位以下の低電
流密度で直流エツチングすると、ビットの内壁にそって
アルミが溶解するため、ビットはほとんど深さ方向には
伸びずビットの径のみ太くなる。続いて行う中性塩水溶
液中での第２段エツチングにおいても同様にビットは深
さ方向には伸びＫ＜＜、ビットの径のみ太くなり、最終
的に表面積拡大率が大きく、機械的強度も強い芯残しタ
イプの電極箔が得られるものと摺６川される。
本発明のエツチング方法で重要なことは、初期エツチン
グの液温、電流密度と電気量であシ、エツチング液温に
ついては、これが６０℃未満の場合はエツチング効果が
少なく、１ｏＯ′ｃを超えると表面の全面溶解が起こる
。従って６０〜１００ｔの範囲内で、特に好適にけ７０
−９０ ’Ｃの範囲が望捷しい。
グの液温、電流密度と電気量であシ、エツチング液温に
ついては、これが６０℃未満の場合はエツチング効果が
少なく、１ｏＯ′ｃを超えると表面の全面溶解が起こる
。従って６０〜１００ｔの範囲内で、特に好適にけ７０
−９０ ’Ｃの範囲が望捷しい。
一方、電流密度については、これが０．Ｉ Ａ／ｄ未満
の場合はやはりエツチング効果に乏しく、反対にｉ Ａ
／ｃｄを超えると全面溶解が起こる。従っｔこの範囲内
で、特に好ましくは０．１６〜０．６０Ａ／□Ｊである
。
の場合はやはりエツチング効果に乏しく、反対にｉ Ａ
／ｃｄを超えると全面溶解が起こる。従っｔこの範囲内
で、特に好ましくは０．１６〜０．６０Ａ／□Ｊである
。
また、初期エツチングの電気量け、ビットが貫通しない
範囲にすることが必要であるが、少なすぎる場合はエツ
チング効果が乏しいため、３〜１０クーロン／Ｃ−の範
囲が良好である。
範囲にすることが必要であるが、少なすぎる場合はエツ
チング効果が乏しいため、３〜１０クーロン／Ｃ−の範
囲が良好である。
実施例の説明
次に、本発明の実施例について記載する。
（１） 従来方法（貫通タイプエツチング法）箔厚１０
４μｍ、純度９９．９９％のアルミニウム箔を、第１段
エツチングとして塩酸の６％水溶液に蓚酸を０．０３％
添加した液Ｂ８ｏ′ｃのエツチング液中で、電流密度０
．２５ Ａ／７２Ｃｄの直流電流で６Ｑ秒間エツチング
し引続いて８０での同一液中で電流密度ｏ、ｏ ｓ Ａ
／ｃｄの直流電流で２６０秒間エツチングした後、第２
段エツチングとして液温９０’Ｃの塩化アンモニウムの
２％水溶液中で電流密度０．１７ ＡＡ：Ｊで２０６秒
間直流エツチングしたアルミニウム箔を、硼酸水溶液中
で３８０Ｖ化成した。第１図にその方法による電極箔の
断面図を示し、１けアルミニウム箔、２はビットである
。
４μｍ、純度９９．９９％のアルミニウム箔を、第１段
エツチングとして塩酸の６％水溶液に蓚酸を０．０３％
添加した液Ｂ８ｏ′ｃのエツチング液中で、電流密度０
．２５ Ａ／７２Ｃｄの直流電流で６Ｑ秒間エツチング
し引続いて８０での同一液中で電流密度ｏ、ｏ ｓ Ａ
／ｃｄの直流電流で２６０秒間エツチングした後、第２
段エツチングとして液温９０’Ｃの塩化アンモニウムの
２％水溶液中で電流密度０．１７ ＡＡ：Ｊで２０６秒
間直流エツチングしたアルミニウム箔を、硼酸水溶液中
で３８０Ｖ化成した。第１図にその方法による電極箔の
断面図を示し、１けアルミニウム箔、２はビットである
。
（匂 本発明による方法１（芯残しタイプエツチング法
） （１）と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチングと
して塩酸の６％水溶液に蓚酸を０．０３％添加した液温
８０℃のエツチング液中で、電流密度０．２ ｓ Ａ／
ｃｄ の直流電流で２０秒間エツチングし、引続いて８
０ ’Ｃの同一液中で電流密度ｏ、ｏ８Ａ／ｄの直流電
流で１８０秒間エツチングした後、第２段エツチングと
して液＠９０′Ｃの塩化アンモニウムの２％水溶液中で
、電流密度ｏ、１７Ａ／ｃ−で２９６秒間直流エツチン
グしたアルミニウム箔を（１）と同様に３８０Ｖで化成
した。その方法による電極箔の断面を第２図に示し、１
Ｖｉアルミニウム箔、２はピット、３け芯の部分である
。
） （１）と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチングと
して塩酸の６％水溶液に蓚酸を０．０３％添加した液温
８０℃のエツチング液中で、電流密度０．２ ｓ Ａ／
ｃｄ の直流電流で２０秒間エツチングし、引続いて８
０ ’Ｃの同一液中で電流密度ｏ、ｏ８Ａ／ｄの直流電
流で１８０秒間エツチングした後、第２段エツチングと
して液＠９０′Ｃの塩化アンモニウムの２％水溶液中で
、電流密度ｏ、１７Ａ／ｃ−で２９６秒間直流エツチン
グしたアルミニウム箔を（１）と同様に３８０Ｖで化成
した。その方法による電極箔の断面を第２図に示し、１
Ｖｉアルミニウム箔、２はピット、３け芯の部分である
。
（３）本発明による方法Ｉｌ（芯残しタイプエツチング
法） （１）と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチングと
して塩酸の５％水溶液に蓚酸を０．０３％添加しだ液温
８０でのエツチング液中で、電流密度０．２６ Ａ／ｃ
ｄ の直流電流で２０秒間エツチングした後、第２段エ
ツチングとして液温９０ ’Ｃの塩化アンモニウムの２
％水溶液中で電流密度０．１７Ａ／ｃｄで３８０秒間直
流エツチングした箔を（１）と同様に３８０Ｖで化成し
た。この方法による電極箔の断面は上述の第２図に示す
ものと同一である。
法） （１）と同様のアルミニウム箔を、第１段エツチングと
して塩酸の５％水溶液に蓚酸を０．０３％添加しだ液温
８０でのエツチング液中で、電流密度０．２６ Ａ／ｃ
ｄ の直流電流で２０秒間エツチングした後、第２段エ
ツチングとして液温９０ ’Ｃの塩化アンモニウムの２
％水溶液中で電流密度０．１７Ａ／ｃｄで３８０秒間直
流エツチングした箔を（１）と同様に３８０Ｖで化成し
た。この方法による電極箔の断面は上述の第２図に示す
ものと同一である。
上記ｆ１＋、＋２）、（に）Ｋより得られた電極箔の静
電容量と箔強度を下表に示す。
電容量と箔強度を下表に示す。
表
ここで箔強度は折曲強度によるもので１．０Ｒ１１００
９荷重、折曲角４６°によシ１往復で１回とした。
９荷重、折曲角４６°によシ１往復で１回とした。
以上の結果より、本発明による電極箔は、芯残しタイプ
のエツチング箔であり、従来法（１）に比較して箔の静
電容量を損うことなく箔強度の大巾向上を図ることが可
能となった。
のエツチング箔であり、従来法（１）に比較して箔の静
電容量を損うことなく箔強度の大巾向上を図ることが可
能となった。
発明の効果
以上のように、本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔
の製造方法によれば、従来ピントが貫通するまで行って
いた初期エツチングを、ピットが貫通しない範囲に留め
ることによって、静電容量を損うことなく、箔強度が大
ｌ】に向上する芯残しタイプ箔を製造することができ、
コンデンサ素子の製造時の箔折れという問題を解消でき
るだけでなく、箔巻取時の巻芯径を更に小さくできるこ
とから、コンデンサの小形化にも貢献できる。まだ本発
明は工業的に実用化が容易であるなど大きな効果が得ら
れる。
の製造方法によれば、従来ピントが貫通するまで行って
いた初期エツチングを、ピットが貫通しない範囲に留め
ることによって、静電容量を損うことなく、箔強度が大
ｌ】に向上する芯残しタイプ箔を製造することができ、
コンデンサ素子の製造時の箔折れという問題を解消でき
るだけでなく、箔巻取時の巻芯径を更に小さくできるこ
とから、コンデンサの小形化にも貢献できる。まだ本発
明は工業的に実用化が容易であるなど大きな効果が得ら
れる。
第１図はアルミ電解コンデンサの電極箔の製造方法の従
来方法（貫通タイプエツチング法）による電極箔の断面
図、第２図は本発明の実施例２および３による方法Ｉ、
■による電極箔の断面図でる。 １ ・・電解コンデンサ用アルミニウム箔、２・・・・
・・ピット、３・・・・・・芯の部分。
来方法（貫通タイプエツチング法）による電極箔の断面
図、第２図は本発明の実施例２および３による方法Ｉ、
■による電極箔の断面図でる。 １ ・・電解コンデンサ用アルミニウム箔、２・・・・
・・ピット、３・・・・・・芯の部分。
Claims (1)
- 塩酸水溶液、もしくはその水溶液に蓚酸、硫酸リン酸、
０ν１酸等の皮膜を形成する酸やそれらの塩のうちの少
なくとも１つを添加したエツチング液中て、直流電流を
用いてエツチングを行う第１段エツチング工程と、塩化
ナトリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム等の塩素
イオンを含む中性塩水溶液からなるエツチング液中で直
流電流を用いてエツチングを行う第２段エツチング工程
の２つの二［程を有し、第１段エツチングの最初にエン
チング液晶６０−１００’Ｃ電流密度ｏ、１−１に、４
）１４の直流電流で、電気量３〜１０クーロン／ｃｄ
で初期エツチングを行うことを特徴とするアルミ電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7693584A JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7693584A JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219721A true JPS60219721A (ja) | 1985-11-02 |
| JPH0317210B2 JPH0317210B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=13619581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7693584A Granted JPS60219721A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219721A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1233432A3 (en) * | 2001-02-14 | 2006-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode foil for aluminum electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2007095772A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Hitachi Aic Inc | 電気二重層キャパシタ |
| JP2007324252A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP7693584A patent/JPS60219721A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1233432A3 (en) * | 2001-02-14 | 2006-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode foil for aluminum electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2007095772A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Hitachi Aic Inc | 電気二重層キャパシタ |
| JP2007324252A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317210B2 (ja) | 1991-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |