JPS6150413B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6150413B2 JPS6150413B2 JP53119760A JP11976078A JPS6150413B2 JP S6150413 B2 JPS6150413 B2 JP S6150413B2 JP 53119760 A JP53119760 A JP 53119760A JP 11976078 A JP11976078 A JP 11976078A JP S6150413 B2 JPS6150413 B2 JP S6150413B2
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- JP
- Japan
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- field effect
- mos field
- reference voltage
- effect transistor
- conductivity type
- Prior art date
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 35
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、抵抗体によつて形成される第一の基
準電圧源、それにMOS電界効果トランジスタ
と、それと逆極性のMOS電界効果トランジスタ
によつて形成する抵抗体の直列接続によつて形成
される基準電圧回路に関するものである。
準電圧源、それにMOS電界効果トランジスタ
と、それと逆極性のMOS電界効果トランジスタ
によつて形成する抵抗体の直列接続によつて形成
される基準電圧回路に関するものである。
従来の基準電圧回路を第１図に示す。第１図に
おいて、１，２は電源線１７と接地の中に直列に
接続され第一の基準電圧源を構成する各抵抗体
３，４，５は各拡散若しくは多結晶シリコンによ
る抵抗体、６は第一の基準電圧Vstの出力点、
７，８，９は各MOS電界効果トランジスタであ
る。
おいて、１，２は電源線１７と接地の中に直列に
接続され第一の基準電圧源を構成する各抵抗体
３，４，５は各拡散若しくは多結晶シリコンによ
る抵抗体、６は第一の基準電圧Vstの出力点、
７，８，９は各MOS電界効果トランジスタであ
る。
上記従来の基準電圧回路を使用した場合、第一
の基準電圧源による第一の基準電圧Vstが、MOS
電界効果トランジスタ７，８，９の各ゲートに印
加されると、各MOS電界効果トランジスタは、
ONし、ＶDDと、３，４，５各部の電圧降下分の
差が基準電圧となる。しかし、MOS電界効果ト
ランジスタのドレイン―ソース電流ＩDSはコンダ
クタンス係数β及び、ゲート電圧Vstと閾値電圧
ＶTHの差の２乗に比例するため、β、ＶTHの温度
特性に由来する温度特性を有し、さらに３，４，
５各部は拡散若しくは多結晶シリコン抵抗である
ため当然ＩDSと共に温度依存性を持ち、ＩDSと抵
抗体との積である基準電圧は当然温度依存性を持
ち、安定した基準電圧源としての機能を果たさな
い。
の基準電圧源による第一の基準電圧Vstが、MOS
電界効果トランジスタ７，８，９の各ゲートに印
加されると、各MOS電界効果トランジスタは、
ONし、ＶDDと、３，４，５各部の電圧降下分の
差が基準電圧となる。しかし、MOS電界効果ト
ランジスタのドレイン―ソース電流ＩDSはコンダ
クタンス係数β及び、ゲート電圧Vstと閾値電圧
ＶTHの差の２乗に比例するため、β、ＶTHの温度
特性に由来する温度特性を有し、さらに３，４，
５各部は拡散若しくは多結晶シリコン抵抗である
ため当然ＩDSと共に温度依存性を持ち、ＩDSと抵
抗体との積である基準電圧は当然温度依存性を持
ち、安定した基準電圧源としての機能を果たさな
い。
本発明は上記の欠点を解消したものであつて、
MOS電界効果トランジスタのドレイン電圧と、
第一の基準電圧源の基準電圧Vstを同電位にする
ことにより、出力としての基準電圧を安定化する
ようにしたものである。
MOS電界効果トランジスタのドレイン電圧と、
第一の基準電圧源の基準電圧Vstを同電位にする
ことにより、出力としての基準電圧を安定化する
ようにしたものである。
本発明の目的は、基準電圧回路を構成する
MOS電界効果トランジスタの温度依存性をなく
すことにより、基準電圧安定化せしめることであ
る。
MOS電界効果トランジスタの温度依存性をなく
すことにより、基準電圧安定化せしめることであ
る。
従来のMOS電界効果トランジスタ及び、拡散
若しくは多結晶シリコン抵抗体による基準電圧回
路は、MOS電界効果トランジスタ及び、抵抗体
に温度特性を持つ欠点があつたが、要請される基
準電圧回路は、温度特性を持たないことが実用上
きわめて重要である。
若しくは多結晶シリコン抵抗体による基準電圧回
路は、MOS電界効果トランジスタ及び、抵抗体
に温度特性を持つ欠点があつたが、要請される基
準電圧回路は、温度特性を持たないことが実用上
きわめて重要である。
本発明の実施例を第２図に示す。第２図におい
て第１図と対応する回路は同じ符号で示し、第２
図中１６は比較器、１０，１１，１２，１３，１
４，１５はMOS電界効果トランジスタである。
MOS電界効果トランジスタ１０〜１５は、ドレ
イン電圧をゲート電圧と共通とし、又トランジス
タサイズをそれぞれ等しくしているため等価な抵
抗体となつている。比較器１６は第一の基準電圧
源の基準電圧Vstと、MOS電界効果トランジスタ
とMOS電界効果トランジスタによつて形成する
抵抗体の直列接続によつて形成される少なくとも
２個以上（この実施例では３個）の回路群の内１
つを形成するMOS電界効果トランジスタ７のド
レイン電圧V01とをその比較入力とし、その比較
器出力を上記MOS電界効果トランジスタ７，
８，９とMOS電界効果トランジスタによつて形
成する抵抗体１０，１１，１２，１３，１４，１
５の直列接続となる回路群のMOS電界効果トラ
ンジスタのゲート共通入力とし、該１つの回路
７，１０出力とゲート入力間で１６によつて負帰
還をかけることにより回路群ゲート共通入力と
Vstを一致させ、安定化している。第一の基準電
圧回路の抵抗体１，２の抵抗体比によつて形成さ
れる基準電圧であるVstは抵抗体が同じ種類のも
のから形成されるならば、抵抗体比に温度依存性
はないので温度依存性を持たず、該回路群の基準
電圧V01もV01＝Vstより温度依存然を持たなくな
る。他の回路群に関しては、MOS電界効果トラ
ンジスタの閾値電圧は等しく、コンダクタンス係
数β及びMOS電界効果トランジスタから成る抵
抗体は、回路群の内の該１つの回路の整数倍に定
められるので、V01と同様にV02，V03……Vonも
温度依存性を持たず、任意の基準電圧を適当なト
ランジスタのサイズを定めることにより出力する
ことができる。この具体例ではV02＝2V01，V03＝
3V01となつている。
て第１図と対応する回路は同じ符号で示し、第２
図中１６は比較器、１０，１１，１２，１３，１
４，１５はMOS電界効果トランジスタである。
MOS電界効果トランジスタ１０〜１５は、ドレ
イン電圧をゲート電圧と共通とし、又トランジス
タサイズをそれぞれ等しくしているため等価な抵
抗体となつている。比較器１６は第一の基準電圧
源の基準電圧Vstと、MOS電界効果トランジスタ
とMOS電界効果トランジスタによつて形成する
抵抗体の直列接続によつて形成される少なくとも
２個以上（この実施例では３個）の回路群の内１
つを形成するMOS電界効果トランジスタ７のド
レイン電圧V01とをその比較入力とし、その比較
器出力を上記MOS電界効果トランジスタ７，
８，９とMOS電界効果トランジスタによつて形
成する抵抗体１０，１１，１２，１３，１４，１
５の直列接続となる回路群のMOS電界効果トラ
ンジスタのゲート共通入力とし、該１つの回路
７，１０出力とゲート入力間で１６によつて負帰
還をかけることにより回路群ゲート共通入力と
Vstを一致させ、安定化している。第一の基準電
圧回路の抵抗体１，２の抵抗体比によつて形成さ
れる基準電圧であるVstは抵抗体が同じ種類のも
のから形成されるならば、抵抗体比に温度依存性
はないので温度依存性を持たず、該回路群の基準
電圧V01もV01＝Vstより温度依存然を持たなくな
る。他の回路群に関しては、MOS電界効果トラ
ンジスタの閾値電圧は等しく、コンダクタンス係
数β及びMOS電界効果トランジスタから成る抵
抗体は、回路群の内の該１つの回路の整数倍に定
められるので、V01と同様にV02，V03……Vonも
温度依存性を持たず、任意の基準電圧を適当なト
ランジスタのサイズを定めることにより出力する
ことができる。この具体例ではV02＝2V01，V03＝
3V01となつている。
本実施例では、MOS電界効果トランジスタと
それと逆極性のMOS電界効果トランジスタによ
つて形成される回路群は三個であるが、それに限
るものではない。また、MOS電界効果トランジ
スタによつて形成される抵抗体は、必要な基準電
圧を出力するために、必要な数を電源線１７と接
地の間に直列接続することは可能である。
それと逆極性のMOS電界効果トランジスタによ
つて形成される回路群は三個であるが、それに限
るものではない。また、MOS電界効果トランジ
スタによつて形成される抵抗体は、必要な基準電
圧を出力するために、必要な数を電源線１７と接
地の間に直列接続することは可能である。
このように本発明により、温度依存性を持たな
い安定した電圧を供給できることは明らかであ
り、又、１つの比較器のみによつて、複数の異な
る基準電圧を発生することができる。
い安定した電圧を供給できることは明らかであ
り、又、１つの比較器のみによつて、複数の異な
る基準電圧を発生することができる。
本発明の基準電圧回路はこの安定した電圧を任
意に設定できる事から、デイジタル、アナログ変
換器に応用することができる。
意に設定できる事から、デイジタル、アナログ変
換器に応用することができる。
第１図は従来の基準電圧回路図、第２図は本発
明による基準電圧回路。 １，２，３，４，５……拡散若しくは多結晶シ
リコンによる抵抗体。６……第一の基準電圧Vst
の出力端。７，８，９，１０，１１，１２，１
３，１４，１５……MOS電界効果トランジス
タ。１６……比較器。
明による基準電圧回路。 １，２，３，４，５……拡散若しくは多結晶シ
リコンによる抵抗体。６……第一の基準電圧Vst
の出力端。７，８，９，１０，１１，１２，１
３，１４，１５……MOS電界効果トランジス
タ。１６……比較器。
Claims (1)
- １ 第１及び第２の電源電位の間に接続された２
つの抵抗体の直列接続よりなり前記２つの抵抗体
の接続点に第１の基準電圧を発生する基準電圧
源、前記接続点の第１の基準電圧を一方の入力端
に入力する比較器、前記第１及び第２の電源電位
の間に第１の導電型のMOS電界効果トランジス
タと第２の導電型のMOS電界効果トランジスタ
を直列接続してなる複数の回路群よりなり、前記
第１の導電型のMOS電界効果トランジスタは前
記複数の回路群において相互に異なる数だけ直列
接続されると共に各トランジスタのゲート電極と
ドレイン電極は共通接続され、前記複数の回路群
の前記第２の導電型のMOS電界効果トランジス
タのゲート電極は相互に共通接続されると共に、
前記比較器の出力に接続され、前記複数の回路群
のうちの１つの回路群の前記第１の導電型の
MOS電界効果トランジスタと前記第２の導電型
のMOS電界効果トランジスタとの接続点は前記
比較器の他方の入力端に接続され、前記複数の回
路群の前記第１の導電型のMOS電界効果トラン
ジスタと前記第２の導電型のMOS電界効果トラ
ンジスタの接続点をそれぞれ異なる電圧の第２の
基準電圧を発生する出力端としたことを特徴とす
る基準電圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976078A JPS5546637A (en) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | Reference voltage circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976078A JPS5546637A (en) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | Reference voltage circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5546637A JPS5546637A (en) | 1980-04-01 |
| JPS6150413B2 true JPS6150413B2 (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=14769485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11976078A Granted JPS5546637A (en) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | Reference voltage circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5546637A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181224A (en) * | 1981-04-21 | 1982-11-08 | Fujitsu Ltd | Reference voltage setting circuit |
| JPH0710407Y2 (ja) * | 1984-10-29 | 1995-03-08 | ロ−ム株式会社 | 基準電圧発生回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156865A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
| JPS516646A (ja) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Nippon Electric Co | Denryubunkatsukairo |
| JPS52130553A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Hewlett Packard Yokogawa | Mos fet threshold voltage compensating circuit |
-
1978
- 1978-09-28 JP JP11976078A patent/JPS5546637A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156865A (ja) * | 1974-05-13 | 1975-12-18 | ||
| JPS516646A (ja) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Nippon Electric Co | Denryubunkatsukairo |
| JPS52130553A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Hewlett Packard Yokogawa | Mos fet threshold voltage compensating circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5546637A (en) | 1980-04-01 |
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