JPS6136176A - ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6136176A JPS6136176A JP59155771A JP15577184A JPS6136176A JP S6136176 A JPS6136176 A JP S6136176A JP 59155771 A JP59155771 A JP 59155771A JP 15577184 A JP15577184 A JP 15577184A JP S6136176 A JPS6136176 A JP S6136176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volume
- phase
- weight
- powder
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
セラミックスと非金属であるＳｌとの複合材料からなり
、破壊靭性が優れた焼結体及び、前記焼結体を溶解Ｓ１
を用いた反応焼結法により製造する方法に関する。
、破壊靭性が優れた焼結体及び、前記焼結体を溶解Ｓ１
を用いた反応焼結法により製造する方法に関する。
現在、セラミックス材料は耐熱・耐酸化・耐摩耗材料と
して注目を集めている。
して注目を集めている。
しかしながら、これらセラミックス材料には製造の際に
クラックが入り易いために、得られたセラミックス材料
は、理論強度よりも小さな引張り応力で、このクランク
が拡大、即ち伝播して、急激な破壊を生じてしまう。
クラックが入り易いために、得られたセラミックス材料
は、理論強度よりも小さな引張り応力で、このクランク
が拡大、即ち伝播して、急激な破壊を生じてしまう。
クラックの伝播による破壊のし易さを表わすものとして
破壊靭性（Ｋｌｏ）があるが、現在、耐熱・耐酸化・耐
摩耗材料として用いられているセラミックス材料のＫＩ
Ｃはほぼ次の通りである。
破壊靭性（Ｋｌｏ）があるが、現在、耐熱・耐酸化・耐
摩耗材料として用いられているセラミックス材料のＫＩ
Ｃはほぼ次の通りである。
常圧焼結アルミナ ４．５ ＭＮｍ ２常圧焼結
Ｐ Ｓ Ｚ （Ｚｒ０２） ８．４． ＭＮｍ ２ホ
ツトプレス窒化珪素 ５．６ ＭＮｍ ’この破壊靭
性を高めることがセラミックス材料の１つの目標として
あ（デられる。
Ｐ Ｓ Ｚ （Ｚｒ０２） ８．４． ＭＮｍ ２ホ
ツトプレス窒化珪素 ５．６ ＭＮｍ ’この破壊靭
性を高めることがセラミックス材料の１つの目標として
あ（デられる。
本発明者らは、セラミックス材料の破壊靭性な向上すべ
く、材料及びその製造方法について研究し、次のような
知見を得た。
く、材料及びその製造方法について研究し、次のような
知見を得た。
■ 窒化珪素Ｃ以下、Ｓｉ３Ｎ４で示す）とバインダー
とからなる成形体を出発物質として用い、加熱して昇温
していくと、１２００℃位でＳｉ３Ｎ４が仮焼結してし
まい、孔が塞ってしまうので、溶融Ｓｉが浸み込まず、
空隙がＳｉで埋められた状態の焼結体を製造することが
できない。
とからなる成形体を出発物質として用い、加熱して昇温
していくと、１２００℃位でＳｉ３Ｎ４が仮焼結してし
まい、孔が塞ってしまうので、溶融Ｓｉが浸み込まず、
空隙がＳｉで埋められた状態の焼結体を製造することが
できない。
■ 通常の反応焼結法により、炭化珪素Ｃ以下、ＳＩＣ
で示す）粉末とＣとの混合物からの成形体中に溶融Ｓｉ
を浸透させて製造した、最初から存在するＳｉＣと、空
隙に存在する、浸透したＳｉ及び二次的に生成したＳｉ
Ｃとからなる焼結体は、破壊靭性が３．８ Ｍ Ｎ ｍ
４と小さいのであるが、これはＳｉ３Ｎ４粉末の配合
量が少ない場合も同様である。
で示す）粉末とＣとの混合物からの成形体中に溶融Ｓｉ
を浸透させて製造した、最初から存在するＳｉＣと、空
隙に存在する、浸透したＳｉ及び二次的に生成したＳｉ
Ｃとからなる焼結体は、破壊靭性が３．８ Ｍ Ｎ ｍ
４と小さいのであるが、これはＳｉ３Ｎ４粉末の配合
量が少ない場合も同様である。
■ これに対して、５ｉ３Ｎ４−Ｃ−バインダーあるい
はＳｉ３Ｎ、 −Ｃ−５ｉＣ−バインダーからなり、特
定の配合組成を有する成形体は、加熱して昇温していっ
てもＳｉ３Ｎ４が仮焼結することなく、溶融Ｓｉが浸透
することができ、ＣをＳｉＣに変化させ、残りの空隙を
埋めることができ、破壊靭性が常温一旦 で約８〜１１ ＭＮｍ ２と向上した５ｉ３Ｎ４−８ｉ
Ｃ−８ｉｉ焼結体とすることができる。
はＳｉ３Ｎ、 −Ｃ−５ｉＣ−バインダーからなり、特
定の配合組成を有する成形体は、加熱して昇温していっ
てもＳｉ３Ｎ４が仮焼結することなく、溶融Ｓｉが浸透
することができ、ＣをＳｉＣに変化させ、残りの空隙を
埋めることができ、破壊靭性が常温一旦 で約８〜１１ ＭＮｍ ２と向上した５ｉ３Ｎ４−８ｉ
Ｃ−８ｉｉ焼結体とすることができる。
この発明は、以上の知見に基いて発明された焼結体及び
その製造方法であり、以下、この発明の構成について説
明する。
その製造方法であり、以下、この発明の構成について説
明する。
■）焼結体
１）組成
Ｎ ５１３Ｎ４相
破壊靭性を向上させるためには、８１３Ｎ４ ＋ＳｉＣ
及びＳｉの３種類の相が存在することが必要である。し
たがって、焼結体中のＳｉ３Ｎ４相が５容量％未満では
破壊靭性な向上させることができず、一方、Ｓ ］ ３
Ｎ４相が６５容量％を越えた焼結体は、溶融Ｓｉす用い
た反応焼結法では得らη、ない。
及びＳｉの３種類の相が存在することが必要である。し
たがって、焼結体中のＳｉ３Ｎ４相が５容量％未満では
破壊靭性な向上させることができず、一方、Ｓ ］ ３
Ｎ４相が６５容量％を越えた焼結体は、溶融Ｓｉす用い
た反応焼結法では得らη、ない。
ｂ） ＳｉＣ相
ＳｉＣ相が１０容量％未滴の焼結体は、溶融Ｓｉを用い
た反応焼結法では製造が困難であるが、製造されても前
記焼結体の破壊靭性は不充分である。一方、ＳｉＣ相が
７２容量％を越えると、相対的ＶＣ８ｉ３Ｎ４相の含有
量が少なくなり、破壊靭性の向上が望めない。
た反応焼結法では製造が困難であるが、製造されても前
記焼結体の破壊靭性は不充分である。一方、ＳｉＣ相が
７２容量％を越えると、相対的ＶＣ８ｉ３Ｎ４相の含有
量が少なくなり、破壊靭性の向上が望めない。
ｃ） Ｓｉ相
Ｓｉ相が５容量％未満では製造が困難であり、一方、４
０容量％を越えると、Ｓｉ相相体体破壊靭性が表われる
ため、所望の破壊靭性が得られなくなる。
０容量％を越えると、Ｓｉ相相体体破壊靭性が表われる
ため、所望の破壊靭性が得られなくなる。
■）焼結体の製造方法
１）配合成分
バインダーとしては、後の熱処理工程で気化するもので
あれば種々のものが用いられる。例えば、ポリビニルア
ルコール、ポリビニールブチラール、ワックス、フェノ
ール樹脂などを用いることができる。
あれば種々のものが用いられる。例えば、ポリビニルア
ルコール、ポリビニールブチラール、ワックス、フェノ
ール樹脂などを用いることができる。
〜６−
また、本出願人が先に出願した反応焼結炭化珪素製品の
製造方法に係る出願（特願昭５９−１２８％１号）の明
細書に記載された熱可塑性樹脂。
製造方法に係る出願（特願昭５９−１２８％１号）の明
細書に記載された熱可塑性樹脂。
フタル酸ジエステル及び油類のうちの１種以−にと熱硬
化性樹脂の組み合わせをバインダーどして用いて、後の
熱処理工程において熱可塑付樹脂、フタル酸ジエステル
及び油類のうちの１種以上を気化させ、熱硬化性樹脂を
炭化させて、反応焼結すべき熱処理体中の気孔とＣの体
積比を、ＣのＳｉＣへの体積増加を伴う転化のための空
隙及び溶融Ｓｌの通り道の確保に必要な値に調節するよ
うにしてもよい。その際、熱可塑性樹脂、フタル酸ジエ
ステル及び油類のうちの１種以上と熱硬化性樹脂の配合
割合は１０：１６〜１：３５（重量比）が望ましい。
化性樹脂の組み合わせをバインダーどして用いて、後の
熱処理工程において熱可塑付樹脂、フタル酸ジエステル
及び油類のうちの１種以上を気化させ、熱硬化性樹脂を
炭化させて、反応焼結すべき熱処理体中の気孔とＣの体
積比を、ＣのＳｉＣへの体積増加を伴う転化のための空
隙及び溶融Ｓｌの通り道の確保に必要な値に調節するよ
うにしてもよい。その際、熱可塑性樹脂、フタル酸ジエ
ステル及び油類のうちの１種以上と熱硬化性樹脂の配合
割合は１０：１６〜１：３５（重量比）が望ましい。
１１）粉末の粒度
５１３Ｎ４粉末、 ＳｉＣ粉末ともに、平均粒径が極
端に小さいと溶融Ｓｉの浸透が困難になり、逆に太きす
ぎると得られる焼結体の強度が低下するので、それぞれ
１〜５μｍ及び１〜１５μｍが好ましい。又、Ｃ粉末は
溶融Ｓｉとの反応性等がら、平均粒径０．５〜３μｍの
ものが好ましい。
端に小さいと溶融Ｓｉの浸透が困難になり、逆に太きす
ぎると得られる焼結体の強度が低下するので、それぞれ
１〜５μｍ及び１〜１５μｍが好ましい。又、Ｃ粉末は
溶融Ｓｉとの反応性等がら、平均粒径０．５〜３μｍの
ものが好ましい。
１１１）配合組成
ｄ）８１３Ｎ４の配合量
５１３Ｎ４粉末の配合量が５重量％未満では、得られる
焼結体の破壊靭性が向上せず、一方、７０重量％を越え
ると、Ｃ粉末、あるいはＣ粉末とＳｉＣ粉末の配合量が
相対的に少なくなり、熱処理の際にＳｉ３Ｎ４粉末同志
で仮焼結して溶融Ｓｉの通り道を塞いでしまうので、５
ｉ３Ｎ４−８ＩＣ−８ｉ系焼結体を製造することができ
ない。
焼結体の破壊靭性が向上せず、一方、７０重量％を越え
ると、Ｃ粉末、あるいはＣ粉末とＳｉＣ粉末の配合量が
相対的に少なくなり、熱処理の際にＳｉ３Ｎ４粉末同志
で仮焼結して溶融Ｓｉの通り道を塞いでしまうので、５
ｉ３Ｎ４−８ＩＣ−８ｉ系焼結体を製造することができ
ない。
ｅ）Ｃの配合量
Ｃ粉末の配合量が１０重量％未満では、熱処理の際にＳ
ｉ３Ｎ４粉末同志で仮焼結して溶融Ｓ１の通り道を塞い
でしまうし、一方、５０重量％を越えると、得られる焼
結体中のＳｉ３Ｎ４の含有量が低下し、前記焼結体の破
壊靭性が低下してしまう。
ｉ３Ｎ４粉末同志で仮焼結して溶融Ｓ１の通り道を塞い
でしまうし、一方、５０重量％を越えると、得られる焼
結体中のＳｉ３Ｎ４の含有量が低下し、前記焼結体の破
壊靭性が低下してしまう。
ｆ） ＳｉＣの配合量
ＳｉＣ粉末は、Ｓｉ３Ｎ４粉末同志の仮焼結を防ぐため
に必要であり、またＳｌとＣの化合（反応）により得ら
れたＳｉＣよりも添加したＳｉＣ粉末の方が強度ケ向上
させる効果がある。しかし配合量が６０％を越えると、
得られた焼結体のＳｉＣ量が７２％を越えて高くなり、
破壊靭性が低下するようになることから、６０％を越え
て配合してはならない。なお、下限値は０５％が望まし
く、これ未満の配合では所望の強度改善効果が得られな
い。
に必要であり、またＳｌとＣの化合（反応）により得ら
れたＳｉＣよりも添加したＳｉＣ粉末の方が強度ケ向上
させる効果がある。しかし配合量が６０％を越えると、
得られた焼結体のＳｉＣ量が７２％を越えて高くなり、
破壊靭性が低下するようになることから、６０％を越え
て配合してはならない。なお、下限値は０５％が望まし
く、これ未満の配合では所望の強度改善効果が得られな
い。
ｇ）バインダーの配合量
バインダーの配合量が５重量％未満では、後の熱処理工
程でバインダーの気化により形成される気孔の量が少な
く、溶融Ｓｉの通り道を確保するのに不都合であり、一
方、５０重量％を越えると、焼結体中の８１容量が大き
くなりすぎ、相対的にＳｉ相の界面が多くなりすぎ破壊
靭性が低下してしまう。
程でバインダーの気化により形成される気孔の量が少な
く、溶融Ｓｉの通り道を確保するのに不都合であり、一
方、５０重量％を越えると、焼結体中の８１容量が大き
くなりすぎ、相対的にＳｉ相の界面が多くなりすぎ破壊
靭性が低下してしまう。
ｉｖ） 成形
成形は通常のプレス成形法で行なうことができる。バイ
ンダーとして、本出願人が先に出願した組み合わせを用
いたときには、射出成形あるいは押出し成形を行なうこ
とができる。
ンダーとして、本出願人が先に出願した組み合わせを用
いたときには、射出成形あるいは押出し成形を行なうこ
とができる。
■）熱処理
、熱処理はバインダーを気化さセ多孔質体う・形成する
条件で行われる。バインダーの種類Ｖこもよるが、通常
、大気中で５〜ｂ の昇温速度で常温から２５０〜４００℃の範囲内の温度
まで昇温させて行われる。バインダーとして、本出願人
が先に出願した組み合わせを用いたときは、無酸素雰囲
気中で熱硬化性樹脂が炭化する温度まで昇温して熱処理
を行なう。
条件で行われる。バインダーの種類Ｖこもよるが、通常
、大気中で５〜ｂ の昇温速度で常温から２５０〜４００℃の範囲内の温度
まで昇温させて行われる。バインダーとして、本出願人
が先に出願した組み合わせを用いたときは、無酸素雰囲
気中で熱硬化性樹脂が炭化する温度まで昇温して熱処理
を行なう。
ｖｉ） 反応焼結
反応焼結は通常の条件で行なう。
以下、実施例によりこの発明の焼結体及びその製造方法
を詳しく説明する。
を詳しく説明する。
実施例１
８０℃の温水１１Ｃポリビニルアルコール１７０ｆを添
加し、十分に混合して完全に溶解させる。
加し、十分に混合して完全に溶解させる。
その後、平均粒径ｏ７μｍの炭素粉末１９ｏ７を添加し
、１０分間混合の後、平均粒径３５μｍの５１３Ｎ４粉
末を６４０２添加し、また１０分間混合する。混合物を
捏和機により混練し、乾燥する。
、１０分間混合の後、平均粒径３５μｍの５１３Ｎ４粉
末を６４０２添加し、また１０分間混合する。混合物を
捏和機により混練し、乾燥する。
その後、得られた混合粉を粉砕し、−１００メツシユの
粉末とする。
粉末とする。
このようにして得られた粉末を、金型として、その内面
にステアリン酸亜鉛を塗った（粉末の型内での？Ｍ動性
と成形後の型離れを良くするため）割型な用い、１．、
５ ｔ ／ ｃＡのプレス圧力でプレス成形し、４ ｔ
ｔｒｍ Ｘ ８ ｒａｍ Ｘ ３０ ｍｍの大きさ及び
１．．８ｆ／ｃｔｄの密度を有する成形体を得た。
にステアリン酸亜鉛を塗った（粉末の型内での？Ｍ動性
と成形後の型離れを良くするため）割型な用い、１．、
５ ｔ ／ ｃＡのプレス圧力でプレス成形し、４ ｔ
ｔｒｍ Ｘ ８ ｒａｍ Ｘ ３０ ｍｍの大きさ及び
１．．８ｆ／ｃｔｄの密度を有する成形体を得た。
次にｃこの成形体に大気中での熱処理を行ない、バイン
ダーを気化させる。熱処理は室温から３００℃まで１５
℃／１１ｒの列温速度で行われる。熱処理を終えた成形
体は、長さ方向で約１％収縮し、重量は１１〜１２％減
少する。
ダーを気化させる。熱処理は室温から３００℃まで１５
℃／１１ｒの列温速度で行われる。熱処理を終えた成形
体は、長さ方向で約１％収縮し、重量は１１〜１２％減
少する。
この熱処理済多孔質成形体に溶融珪素を接触・含浸させ
て反応焼結を行う。反応焼結は以下のよウニ行う。グラ
ファイトヒーターを有する真空炉の中に、内面に窒化硼
素を塗布したルツボな置く。
て反応焼結を行う。反応焼結は以下のよウニ行う。グラ
ファイトヒーターを有する真空炉の中に、内面に窒化硼
素を塗布したルツボな置く。
ルツボの中には、熱処理済多孔質成形体と８１とが接触
できるように置かれている。真空炉中の真空度を５Ｘ１
０ｔｏｒｒ以下とし、常温から１４００℃まで９００℃
／ｈｒの昇温速度で加熱し、１４００℃から１４５０℃
まで１００℃／ｈｒの昇温速度で加熱する。炉内温度が
１４５０℃に達したら、その温度に３０分間保持し、−
１００℃／ ｈ ｒの速度で１４００℃まで冷却し、１
４００℃から１０００℃まで一り００℃／ｈｒの速度で
冷却する。１０００℃以下は炉冷とする。
できるように置かれている。真空炉中の真空度を５Ｘ１
０ｔｏｒｒ以下とし、常温から１４００℃まで９００℃
／ｈｒの昇温速度で加熱し、１４００℃から１４５０℃
まで１００℃／ｈｒの昇温速度で加熱する。炉内温度が
１４５０℃に達したら、その温度に３０分間保持し、−
１００℃／ ｈ ｒの速度で１４００℃まで冷却し、１
４００℃から１０００℃まで一り００℃／ｈｒの速度で
冷却する。１０００℃以下は炉冷とする。
得られた焼結体をレジンボンドダイヤモンドホイールを
用いたザーフエイス盤によって表面を加工する。
用いたザーフエイス盤によって表面を加工する。
このようにして得られた焼結体は、２．９±００５ｆ／
ｃｃの密度を有し、５ｊ３Ｎ４相：４１容量％。
ｃｃの密度を有し、５ｊ３Ｎ４相：４１容量％。
ＳｉＣ相：３９容量％及びＳ１相：２０容量％からな一
旦 る組成を有し、８．５ＭＮｍ２の破壊靭性を有するもの
であった。
旦 る組成を有し、８．５ＭＮｍ２の破壊靭性を有するもの
であった。
実施例２
実施例１において、平均粒径１０μｍのＳＩＣ粉末をも
添加し、混合を次のように行う以外は、捏和機による混
練以下実施例１と同様に行ない、焼結体を製造した。
添加し、混合を次のように行う以外は、捏和機による混
練以下実施例１と同様に行ない、焼結体を製造した。
即チ、混合は、８０℃の温水１１、にポリビニルアルコ
ール１７０ｇを添加し、十分に混合して完全に溶解の後
、炭素粉末１９０ｇを添加し、１０分間混合し、８１３
Ｎ４粉末’Ｙ３２０ｆ添加し、また１０分間混合し、さ
らにＳｉＣ粉末３２０ｉｉ’Ｙ添加し、１０分間混合す
ることにより、行われる。
ール１７０ｇを添加し、十分に混合して完全に溶解の後
、炭素粉末１９０ｇを添加し、１０分間混合し、８１３
Ｎ４粉末’Ｙ３２０ｆ添加し、また１０分間混合し、さ
らにＳｉＣ粉末３２０ｉｉ’Ｙ添加し、１０分間混合す
ることにより、行われる。
得ら」］、た焼結体は３．０２十０．０５ ｆ／／ｃｃ
の密度を有し、Ｓｉ３Ｎ４相：２０容搦％、 ＳｉＣ相
：６５容量％及びＳｉ相：１５容開％からなる組成を有
し、一旦 １、０．５ Ｍ Ｎ ｍ ２の破壊靭性を有するもので
あった。
の密度を有し、Ｓｉ３Ｎ４相：２０容搦％、 ＳｉＣ相
：６５容量％及びＳｉ相：１５容開％からなる組成を有
し、一旦 １、０．５ Ｍ Ｎ ｍ ２の破壊靭性を有するもので
あった。
実施例３
平均粒径１０μｍのＳｉＣ粉末、平均粒径４μｍのＳｉ
３Ｎ４粉末及び平均粒径０７μｍの炭素粉末を用意した
。
３Ｎ４粉末及び平均粒径０７μｍの炭素粉末を用意した
。
ＳｉＣ粉末＝２８グ（２８重Ｍ％）、Ｓｉ３Ｎ４粉末：
３５Ｆ（３５重量％）、炭素粉末： １０ ｆ （１０
重量％）、フェノール樹脂２４２．ジブチルフタレート
３１（フェノール１．＋ １１旨とシフ゛チルフタレー
トとの合割量：２７重Ｎ％：但し、以上の配合成分の合
計量を１００重量％とする。）、ステアリン酸亜鉛０．
５２からなる配合組成物にメタノール３０ｃｃを添加し
て、３時間ボールミル中で混合造粒を行なう。混合終了
後、これを乾燥し、サンプルミル粉砕機により一２８メ
ツシュの粉末とする。
３５Ｆ（３５重量％）、炭素粉末： １０ ｆ （１０
重量％）、フェノール樹脂２４２．ジブチルフタレート
３１（フェノール１．＋ １１旨とシフ゛チルフタレー
トとの合割量：２７重Ｎ％：但し、以上の配合成分の合
計量を１００重量％とする。）、ステアリン酸亜鉛０．
５２からなる配合組成物にメタノール３０ｃｃを添加し
て、３時間ボールミル中で混合造粒を行なう。混合終了
後、これを乾燥し、サンプルミル粉砕機により一２８メ
ツシュの粉末とする。
この配合原料を射出成形機に入れ、１５０℃に加熱され
た金型へ射出圧力０．７ ｔ ／ｃａ、射出速度０、５
ＣＩｎ／ ｓｅｃ、で射出成形する。成形体は５分間
型中に保持し、フェノール樹脂を硬化させる。このよう
にして得られた成形体の密度は２．２ ｆ ／ ｃａで
ある。
た金型へ射出圧力０．７ ｔ ／ｃａ、射出速度０、５
ＣＩｎ／ ｓｅｃ、で射出成形する。成形体は５分間
型中に保持し、フェノール樹脂を硬化させる。このよう
にして得られた成形体の密度は２．２ ｆ ／ ｃａで
ある。
次に、この成形体を窒素ガス雰囲気中で熱処理し、ジブ
チルフタレートを気化させ、フェノール樹脂を炭化させ
る。熱処理はＱ、 ５ ｌ ／ｒｎｉｎの流量の窒素ガ
ス中において３０℃／ｈｒ、の昇温速度で７５０℃まで
加熱し、その後炉冷する条件で行われる。
チルフタレートを気化させ、フェノール樹脂を炭化させ
る。熱処理はＱ、 ５ ｌ ／ｒｎｉｎの流量の窒素ガ
ス中において３０℃／ｈｒ、の昇温速度で７５０℃まで
加熱し、その後炉冷する条件で行われる。
この熱処理後、成形体の重量は約１３％減少する。
この熱処理済多孔質成形体を、実施例１と同様に反応焼
結し、表面加工して、Ｓｉ３Ｎ４相：１５容量％、
ＳｉＣ相ニア２容量％及びＳ１相：１３容童％からなる
組成を有し、７．８ＭＮｍ″″丁の破壊靭性を有する焼
結体を得た。
結し、表面加工して、Ｓｉ３Ｎ４相：１５容量％、
ＳｉＣ相ニア２容量％及びＳ１相：１３容童％からなる
組成を有し、７．８ＭＮｍ″″丁の破壊靭性を有する焼
結体を得た。
実施例４及び比較例１〜６
実施例１において、第１表記載の配合組成を有する混合
物を用いる他は同様にして、第１表記載の焼結体組成及
び破壊靭性な有する焼結体を製造した。なお、第１表に
は、実施例１〜３並びに従来例であるホットプレス５ｊ
３Ｎ４．常圧焼結Ｓｉ３Ｎ４゜ホットプレスＳｉＣ，常
圧焼結Ｓ１Ｃ及び反応焼結ＳＩＣについても併せて記載
しである。
物を用いる他は同様にして、第１表記載の焼結体組成及
び破壊靭性な有する焼結体を製造した。なお、第１表に
は、実施例１〜３並びに従来例であるホットプレス５ｊ
３Ｎ４．常圧焼結Ｓｉ３Ｎ４゜ホットプレスＳｉＣ，常
圧焼結Ｓ１Ｃ及び反応焼結ＳＩＣについても併せて記載
しである。
」
この発明の焼結体は約８〜１．１ Ｍ Ｎ ｍ ２と破
壊靭性が優れているので、破壊強度も優れている。
壊靭性が優れているので、破壊強度も優れている。
したがって、耐熱・耐酸化・面］摩耗材刺として有効に
用いることができる。そして、この発明の製造方法は、
−に記の有用な焼結体を製造することができる有用な方
法である。
用いることができる。そして、この発明の製造方法は、
−に記の有用な焼結体を製造することができる有用な方
法である。
−ｌＬｑへ−
昭和５９年１１月３０日
ｌ、事件の表示
特願昭５９−１５５７７１ ５
２、発明の名称
５ｉＣ−８ｉ３Ｎ、−８ｉ系焼結体及びその製造方法３
、補正をする者 ４、代 理 人
、補正をする者 ４、代 理 人
Claims (3)
- （１）窒化珪素相：５〜６５容量％、 炭化珪素相：１０〜７２容量％及び 珪素相：５〜４０容量％ （但し、３つの相の合計量は１００容量％である）から
なる組成を有することを特徴とする破壊靭性が優れた焼
結体。 - （２）窒化珪素粉末：５〜７０重量％、 炭素粉末：１０〜５０重量％及び バインダー：５〜５０重量％ （但し、この３成分の合計量は１００重量％である）か
らなる混合粉を成形し、得られた成形体を熱処理してバ
インダーを気化させ、このようにして得られた多孔質体
を溶融珪素と接触させることにより反応焼結させること
を特徴とする、窒化珪素相：５〜６５容量％、炭化珪素
相：１０〜７２容量％及び珪素相：５〜４０容量％（但
し、３つの相の合計量は１００容量％である）からなる
組成を有する破壊靭性が優れた焼結体の製造方法。 - （３）窒化珪素粉末：５〜７０重量％、 炭素粉末：１０〜５０重量％、 炭化珪素粉末：６０重量％以下及び バインダー：５〜５０重量％ （但し、この４成分の合計量は１００重量％である）か
らなる混合粉を成形し、得られた成形体を熱処理してバ
インダーを気化させ、このようにして得られた多孔質体
を溶融珪素と接触させることにより反応焼結させること
を特徴とする、窒化珪素相：５〜６５容量％、炭化珪素
相：１０〜７２容量％及び珪素相：５〜４０容量％（但
し、３つの相の合計量は１００容量％である）からなる
組成を有する破壊靭性が優れた焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155771A JPS6136176A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59155771A JPS6136176A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136176A true JPS6136176A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15613048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59155771A Pending JPS6136176A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136176A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122485A (en) * | 1990-01-29 | 1992-06-16 | Nissan Motor Co., Ltd. | Sintered silicon carbide and silicon nitride base composite |
| JP2004315334A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Toto Ltd | 窒化珪素コンポジット及び窒化珪素コンポジットの製造方法 |
| JP2005104752A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toto Ltd | シリコンセラミックスコンポジットおよびシリコンセラミックスコンポジットの製造方法 |
| US8795562B2 (en) | 2006-03-22 | 2014-08-05 | Basf Se | Method and device for granulating polymer melts containing blowing agent |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571677A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-29 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of silicon nitrideesilicon carbide molded body |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59155771A patent/JPS6136176A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5571677A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-29 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of silicon nitrideesilicon carbide molded body |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5122485A (en) * | 1990-01-29 | 1992-06-16 | Nissan Motor Co., Ltd. | Sintered silicon carbide and silicon nitride base composite |
| JP2004315334A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Toto Ltd | 窒化珪素コンポジット及び窒化珪素コンポジットの製造方法 |
| JP2005104752A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toto Ltd | シリコンセラミックスコンポジットおよびシリコンセラミックスコンポジットの製造方法 |
| JP4577639B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-11-10 | Ｔｏｔｏ株式会社 | シリコンセラミックスコンポジットおよびシリコンセラミックスコンポジットの製造方法 |
| US8795562B2 (en) | 2006-03-22 | 2014-08-05 | Basf Se | Method and device for granulating polymer melts containing blowing agent |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3142560B2 (ja) | 反応焼結したムライト含有セラミック成形体、該成形体の製造方法および該成形体の使用法 | |
| JPS5924751B2 (ja) | 焼結成形体 | |
| WO1986005480A1 (en) | High density reinforced ceramic bodies and method of making same | |
| JPS6143309B2 (ja) | ||
| US5527748A (en) | High density zirconium diboride ceramics prepared with preceramic polymer binders | |
| US5525555A (en) | High density titanium carbide ceramics | |
| JPS6136176A (ja) | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 | |
| JPS605079A (ja) | サイアロン基セラミツクスの製造法 | |
| JPH0157075B2 (ja) | ||
| US6146559A (en) | Preparation of high density titanium diboride ceramics with preceramic polymer binders | |
| JPS5919903B2 (ja) | ＳｉＣ系焼結体のホツトプレス製造方法 | |
| AU689270B2 (en) | Preparation of high density zirconium carbide ceramics with preceramic polymer binders | |
| JPS63236763A (ja) | 炭化ほう素焼結体およびその製造方法 | |
| JPS632913B2 (ja) | ||
| JPS605550B2 (ja) | 炭化珪素焼結体の製法 | |
| JPS58125667A (ja) | 複合炭化珪素焼結成形体 | |
| JPS60255672A (ja) | 炭化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JPS6212191B2 (ja) | ||
| JPS6331433B2 (ja) | ||
| JPH0345034B2 (ja) | ||
| JPS60239360A (ja) | 炭化珪素質セラミツクス焼結体 | |
| JPH0610115B2 (ja) | 複合セラミツクスの製造法 | |
| JPS63107864A (ja) | 炭化珪素質複合セラミツクス | |
| JPH0585506B2 (ja) | ||
| JPS6339542B2 (ja) |