JPS6143309B2 - - Google Patents
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- JPS6143309B2 JPS6143309B2 JP53035382A JP3538278A JPS6143309B2 JP S6143309 B2 JPS6143309 B2 JP S6143309B2 JP 53035382 A JP53035382 A JP 53035382A JP 3538278 A JP3538278 A JP 3538278A JP S6143309 B2 JPS6143309 B2 JP S6143309B2
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aromatic organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 2
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAASUWZPTOJQAY-UHFFFAOYSA-N Dibenz[a,c]anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 RAASUWZPTOJQAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- KVBYPTUGEKVEIJ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-diol;formaldehyde Chemical compound O=C.OC1=CC=CC(O)=C1 KVBYPTUGEKVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- DYDNPESBYVVLBO-UHFFFAOYSA-N formanilide Chemical compound O=CNC1=CC=CC=C1 DYDNPESBYVVLBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/575—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by pressure sintering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホツトプレス炭化ケイ素、更に詳しく
は高密度で良好な電導性及び良好な強度を有する
熱的衝撃耐性をもつホツトプレス炭化ケイ素セラ
ミツクス体に関する。さらに本発明はかかる該炭
化ケイ素セラミツクス体の製造法に関する。 従来法において炭化ケイ素セラミツクス成形体
は次の二つの方法のどちらかで一般に製造され
る。その一つの方法はホツトプレス法であり、粒
状の炭化ケイ素を高温、高圧において型中にプレ
スし成形品をつくる。他の方法は圧力をかけない
で焼結する方法であり、この場合炭化ケイ素を低
温で予備成形して一般的に仕上品の形をもつた成
形物をつくる。この予備成形は低温において炭化
ケイ素粒子を互いにプレスすることにより通常達
成される。予備成形後、成形体を略々大気圧で高
温に加熱し、仕上げられた炭化ケイ素セラミツク
ス成形体をつくる。ホツトプレス法は圧力をかけ
ない焼結法に比べ或種の利点を有している。特に
ホツトプレスすると、一般に圧力をかけないで焼
結した炭化ケイ素成形体に比べ密度が高く強度が
大になる。さらに圧力をかけないで焼結する方法
は二工程方法であり、炭化ケイ素を加熱前に予備
成形しなければならないが、ホツトプレス法では
成形とプレス工程は一操作として組合わされてい
る。 ホツトプレス法でも圧力をかけない焼結法でも
密度及び強度が望ましい程高い炭化ケイ素は得ら
れない。さらに、ホツトプレス法でも圧力をかけ
ない焼結法でも良好な熱的衝撃耐性を有する高密
度炭化ケイ素は得られない。 従来法において、ホツトプレスした炭化ケイ素
成形体の密度は炭化硼素及び窒化硼素のような或
種の添加剤を混入することにより増加させること
ができることが見出されている。しかし添加剤を
用いることにより得られる密度は炭化ケイ素の理
論的密度ほどは高くないか、又は添加物を用いる
場合に得られる炭化ケイ素成形体の熱的衝撃耐性
は、多くの用途に対し受け入れられる程十分では
ない。硼素及び炭化硼素は米国特許第3960577号
におけるように炭化ケイ素の密度を増加させるた
めのホツトプレス添加剤として記載されており、
窒化硼素は米国特許第3954483号記載のように炭
化ケイ素の密度を増加させるためのホツトプレス
添加剤として記載されている。 本発明はホツトプレスにより緻密で耐熱衝撃性
を有する炭化ケイ素セラミツクス成形体を製造す
る方法であり、改善された熱衝撃耐性及び高電導
性を有する高密度、項強度の炭化ケイ素成形体を
得るものである。 本発明方法は、 (a) 粒径が約5μより小さい粒子から実質的に成
る炭化ケイ素を、約0.2〜約2重量%の平均粒
径10μ以下の二硼化アルミニウム及び該二硼化
アルミニウムの約150〜500重量%の炭素と配合
し、(b)該配合物を、固体の炭化ケイ素の理論的
密度の少くとも99%の密度をもつ炭化ケイ素を
得るのに十分な時間、圧力及び温度でホツトプ
レスする、ことから成つている。 本発明に従えば、炭化ケイ素粒子を二硼化アル
ミニウム添加剤組成物及び炭素と任意の適当な方
法で、例えば炭化ケイ素、二硼化アルミニウム及
び炭素の混合物をボール・ミル中に入れ1〜24時
間混合するか、又は炭化ケイ素、二硼化アルミニ
ウム及び炭素を液状にスラリ化する方法により配
合することができる。この液体を除去して炭化ケ
イ素、添加物、炭素の配合物を残すか、又は液体
は配合物の炭素成分の全部又は一部として寄与
し、ホツトプレス過程で炭化される。本発明方法
に使用される炭化ケイ素の粒径は5μより小さ
く、望ましくは3μ以下、最も望ましくは1μよ
り小さい。同様に二硼化アルミニウムの粒径は約
10μ以下、望ましくは6μ以下、最も望ましくは
3μより小さい。好適な具体化例においては二硼
化アルミニウムの粒径は1μより小さい。本発明
で使用される炭化ケイ素はα又はβ炭化ケイ素の
ような普通の任意の結晶形であることができる。
本発明に用いられる炭素は平均粒径が5μ以下、
好ましくは3μ以下、最も好ましくは1μより小
さい遊離炭素の形であることができる。適当な粒
状炭素の例はグラフアイトである。前述のように
炭素は炭素、窒素、水素及び酸素から成る群から
撰ばれた元素から成る炭化可能な有機化合物の形
であることができ、炭素対他の元素の比が高い炭
素化合物であることが望ましい。 望ましい炭素化合物は炭化可能な有機重合体、
低分子量芳香族化合物及び高分子量芳香族化合物
である。適当な重合体の中にはフエノール・フオ
ルムアルデヒド樹脂及びポリオレフインが含まれ
る。低分子量芳香族化合物の例としてはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ナフタリン及びアント
ラセンが含まれる。高分子量芳香族有機化合物の
例としては芳香族縮合樹脂、例えばフエノール・
フオルムアルデヒド樹脂、アニリン・フオルムア
ルデヒド樹脂、クレゾール・フオルムアルデヒド
樹脂、レゾルシン・フオルムアルデヒド樹脂、ジ
ベンズアントラセン、ポリフエニレン、及びポリ
メチルフエニレンが含まれる。炭化して炭素をつ
くるのに最も好ましい化合物は高分子量芳香族化
合物であり、それは炭化して大量の炭素を生ずる
からである。 一般に二硼化アルミニウムは約0.3〜約3重量
%、好ましくは0.4〜約1.0重量%を配合して用い
る。本発明においては予想外にも、二硼化アルミ
ニウムを緻密化用添加物として用いると、得られ
る炭化ケイ素は炭化ケイ素の理論的密度に等しい
非常な高密度、良好な強度、良好な耐衝撃性、良
好な酸化耐性及び優秀な耐熱性等優れた性能の組
合わせをもつていることが見出された。その上得
られたセラミツクス成形体は電気抵抗が低く従つ
て或種の電気的用途に適する。公知の添加剤組成
物を用いて高密度の焼結炭化ケイ素をつくつた場
合、前述の優れた性質の組合わせは得られない。
例えば窒化硼素又は炭化硼素を用いると、得られ
る密度は二硼化アルミニウムを用いて得られるも
の程高くはない。さらに二硼化アルミニウムを用
いると得られたホツトプレスした炭化ケイ素に熱
的衝撃性が与えられ、これは公知方法の添加剤を
用いて得られる熱的衝繋耐性より優れている。配
合物を型の中に入れ、炭化ケイ素の理論的密度の
99%以上の密度をもつホツトプレス炭化ケイ素セ
ラミツクス成形体が得られるのに十分な時間、十
分な温度、十分な圧力でホツトプレスする。炭化
ケイ素の理論的密度は3.21であり、理論的密度の
99.7%以上の密度が緻密化添加剤として二硼化ア
ルミニウムを用いるとき屡々得られる。 ホツトプレス操作に対する適当な圧力は一般に
約100〜約1000Kg/cm2であり、好ましくは約300〜
約400Kg/cm2である。適当なホツトプレス時間は
約10分〜約1時間、好ましくは約15〜約45分であ
る。望ましいホツトプレス温度は約1900゜〜2500
℃であり、好ましくは約1950゜〜約2250℃に保た
れる。 望ましくは酸化生成物を避けるために、ホツト
プレスは不活性雰囲気、例えば窒素、水素、ヘリ
ウム、アルゴン又はそれらの混合物中で行なわれ
る。酸化を避けるためには、ホツトプレスを真空
中で行うこともでき、これは望ましくは約1mmH
g以下、さらに望ましくは絶対圧で約1×10-3mm
Hg以下である。 下記実施例により本発明の新規ホツトプレス炭
化ケイ素セラミツクス成形体の製造法を例示す
る。これらの実施例は本発明を限定するものでは
なく、単に例示のためである。特記しない限りす
べての割合は重量による。 実施例 1 ボールミル中で0.5%の二硼化アルミニウムと
5%のフエノール・フオルムアルデヒド樹脂とを
94.5%の炭化ケイ素と配合する。配合前の炭化ケ
イ素の粒径は0.5μより小さい。この組成物を1
時間混合し、次いで2100℃の温度、約350Kg/cm2
の圧力で約30分間アルゴン雰囲気中でホツトプレ
スする。炭化ケイ素成形体をホツトプレスするグ
ラフアイト製成形型の大きさは直径約3cmで、ホ
ツトプレス成形体仕上物の高さは約0.7cmであ
る。仕上成形体の密度は3.214g/c.c.で、炭化ケ
イ素の理論的密度3.21g/c.c.より僅かに大きい。
得られた炭化ケイ素円板成形体の両面間の電気抵
抗は0.7Ωであり、曲げ強さ(破断モジユラス)
は約5000Kg/cm2である。 実施例2 (比較例) 平均粒径が0.5μより小さい炭化ケイ素95.5重
量%、炭化硼素0.5重量%、及び炭素含量50%の
フエノール・フオルムアルデヒド樹脂4重量%か
ら成る組成物約14gをボールミル中で1時間配合
し、直径約3cmの型に入れる。次にこの組成物を
2100℃において30分間アルゴン雰囲気中で約350
Kg/cm2でホツトプレスする。得られたホツトプレ
ス炭化ケイ素成形体は円板形で厚さ、即ち高さが
約0.6cmであつた。次にこの成形品の熱的衝撃耐
性を、種々の温度に加熱し約40℃の水中で急冷す
ることにより測定する。結果を第1表に示す。 実施例3〜5 (実施例3及び4は比較例) 実施例2を繰返したが、添加物は夫々1%のリ
ン化硼素、1%の窒化硼素及び0.5%の二硼化ア
ルミニウムであつた。結果を第1表に示す。 【表】
は高密度で良好な電導性及び良好な強度を有する
熱的衝撃耐性をもつホツトプレス炭化ケイ素セラ
ミツクス体に関する。さらに本発明はかかる該炭
化ケイ素セラミツクス体の製造法に関する。 従来法において炭化ケイ素セラミツクス成形体
は次の二つの方法のどちらかで一般に製造され
る。その一つの方法はホツトプレス法であり、粒
状の炭化ケイ素を高温、高圧において型中にプレ
スし成形品をつくる。他の方法は圧力をかけない
で焼結する方法であり、この場合炭化ケイ素を低
温で予備成形して一般的に仕上品の形をもつた成
形物をつくる。この予備成形は低温において炭化
ケイ素粒子を互いにプレスすることにより通常達
成される。予備成形後、成形体を略々大気圧で高
温に加熱し、仕上げられた炭化ケイ素セラミツク
ス成形体をつくる。ホツトプレス法は圧力をかけ
ない焼結法に比べ或種の利点を有している。特に
ホツトプレスすると、一般に圧力をかけないで焼
結した炭化ケイ素成形体に比べ密度が高く強度が
大になる。さらに圧力をかけないで焼結する方法
は二工程方法であり、炭化ケイ素を加熱前に予備
成形しなければならないが、ホツトプレス法では
成形とプレス工程は一操作として組合わされてい
る。 ホツトプレス法でも圧力をかけない焼結法でも
密度及び強度が望ましい程高い炭化ケイ素は得ら
れない。さらに、ホツトプレス法でも圧力をかけ
ない焼結法でも良好な熱的衝撃耐性を有する高密
度炭化ケイ素は得られない。 従来法において、ホツトプレスした炭化ケイ素
成形体の密度は炭化硼素及び窒化硼素のような或
種の添加剤を混入することにより増加させること
ができることが見出されている。しかし添加剤を
用いることにより得られる密度は炭化ケイ素の理
論的密度ほどは高くないか、又は添加物を用いる
場合に得られる炭化ケイ素成形体の熱的衝撃耐性
は、多くの用途に対し受け入れられる程十分では
ない。硼素及び炭化硼素は米国特許第3960577号
におけるように炭化ケイ素の密度を増加させるた
めのホツトプレス添加剤として記載されており、
窒化硼素は米国特許第3954483号記載のように炭
化ケイ素の密度を増加させるためのホツトプレス
添加剤として記載されている。 本発明はホツトプレスにより緻密で耐熱衝撃性
を有する炭化ケイ素セラミツクス成形体を製造す
る方法であり、改善された熱衝撃耐性及び高電導
性を有する高密度、項強度の炭化ケイ素成形体を
得るものである。 本発明方法は、 (a) 粒径が約5μより小さい粒子から実質的に成
る炭化ケイ素を、約0.2〜約2重量%の平均粒
径10μ以下の二硼化アルミニウム及び該二硼化
アルミニウムの約150〜500重量%の炭素と配合
し、(b)該配合物を、固体の炭化ケイ素の理論的
密度の少くとも99%の密度をもつ炭化ケイ素を
得るのに十分な時間、圧力及び温度でホツトプ
レスする、ことから成つている。 本発明に従えば、炭化ケイ素粒子を二硼化アル
ミニウム添加剤組成物及び炭素と任意の適当な方
法で、例えば炭化ケイ素、二硼化アルミニウム及
び炭素の混合物をボール・ミル中に入れ1〜24時
間混合するか、又は炭化ケイ素、二硼化アルミニ
ウム及び炭素を液状にスラリ化する方法により配
合することができる。この液体を除去して炭化ケ
イ素、添加物、炭素の配合物を残すか、又は液体
は配合物の炭素成分の全部又は一部として寄与
し、ホツトプレス過程で炭化される。本発明方法
に使用される炭化ケイ素の粒径は5μより小さ
く、望ましくは3μ以下、最も望ましくは1μよ
り小さい。同様に二硼化アルミニウムの粒径は約
10μ以下、望ましくは6μ以下、最も望ましくは
3μより小さい。好適な具体化例においては二硼
化アルミニウムの粒径は1μより小さい。本発明
で使用される炭化ケイ素はα又はβ炭化ケイ素の
ような普通の任意の結晶形であることができる。
本発明に用いられる炭素は平均粒径が5μ以下、
好ましくは3μ以下、最も好ましくは1μより小
さい遊離炭素の形であることができる。適当な粒
状炭素の例はグラフアイトである。前述のように
炭素は炭素、窒素、水素及び酸素から成る群から
撰ばれた元素から成る炭化可能な有機化合物の形
であることができ、炭素対他の元素の比が高い炭
素化合物であることが望ましい。 望ましい炭素化合物は炭化可能な有機重合体、
低分子量芳香族化合物及び高分子量芳香族化合物
である。適当な重合体の中にはフエノール・フオ
ルムアルデヒド樹脂及びポリオレフインが含まれ
る。低分子量芳香族化合物の例としてはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ナフタリン及びアント
ラセンが含まれる。高分子量芳香族有機化合物の
例としては芳香族縮合樹脂、例えばフエノール・
フオルムアルデヒド樹脂、アニリン・フオルムア
ルデヒド樹脂、クレゾール・フオルムアルデヒド
樹脂、レゾルシン・フオルムアルデヒド樹脂、ジ
ベンズアントラセン、ポリフエニレン、及びポリ
メチルフエニレンが含まれる。炭化して炭素をつ
くるのに最も好ましい化合物は高分子量芳香族化
合物であり、それは炭化して大量の炭素を生ずる
からである。 一般に二硼化アルミニウムは約0.3〜約3重量
%、好ましくは0.4〜約1.0重量%を配合して用い
る。本発明においては予想外にも、二硼化アルミ
ニウムを緻密化用添加物として用いると、得られ
る炭化ケイ素は炭化ケイ素の理論的密度に等しい
非常な高密度、良好な強度、良好な耐衝撃性、良
好な酸化耐性及び優秀な耐熱性等優れた性能の組
合わせをもつていることが見出された。その上得
られたセラミツクス成形体は電気抵抗が低く従つ
て或種の電気的用途に適する。公知の添加剤組成
物を用いて高密度の焼結炭化ケイ素をつくつた場
合、前述の優れた性質の組合わせは得られない。
例えば窒化硼素又は炭化硼素を用いると、得られ
る密度は二硼化アルミニウムを用いて得られるも
の程高くはない。さらに二硼化アルミニウムを用
いると得られたホツトプレスした炭化ケイ素に熱
的衝撃性が与えられ、これは公知方法の添加剤を
用いて得られる熱的衝繋耐性より優れている。配
合物を型の中に入れ、炭化ケイ素の理論的密度の
99%以上の密度をもつホツトプレス炭化ケイ素セ
ラミツクス成形体が得られるのに十分な時間、十
分な温度、十分な圧力でホツトプレスする。炭化
ケイ素の理論的密度は3.21であり、理論的密度の
99.7%以上の密度が緻密化添加剤として二硼化ア
ルミニウムを用いるとき屡々得られる。 ホツトプレス操作に対する適当な圧力は一般に
約100〜約1000Kg/cm2であり、好ましくは約300〜
約400Kg/cm2である。適当なホツトプレス時間は
約10分〜約1時間、好ましくは約15〜約45分であ
る。望ましいホツトプレス温度は約1900゜〜2500
℃であり、好ましくは約1950゜〜約2250℃に保た
れる。 望ましくは酸化生成物を避けるために、ホツト
プレスは不活性雰囲気、例えば窒素、水素、ヘリ
ウム、アルゴン又はそれらの混合物中で行なわれ
る。酸化を避けるためには、ホツトプレスを真空
中で行うこともでき、これは望ましくは約1mmH
g以下、さらに望ましくは絶対圧で約1×10-3mm
Hg以下である。 下記実施例により本発明の新規ホツトプレス炭
化ケイ素セラミツクス成形体の製造法を例示す
る。これらの実施例は本発明を限定するものでは
なく、単に例示のためである。特記しない限りす
べての割合は重量による。 実施例 1 ボールミル中で0.5%の二硼化アルミニウムと
5%のフエノール・フオルムアルデヒド樹脂とを
94.5%の炭化ケイ素と配合する。配合前の炭化ケ
イ素の粒径は0.5μより小さい。この組成物を1
時間混合し、次いで2100℃の温度、約350Kg/cm2
の圧力で約30分間アルゴン雰囲気中でホツトプレ
スする。炭化ケイ素成形体をホツトプレスするグ
ラフアイト製成形型の大きさは直径約3cmで、ホ
ツトプレス成形体仕上物の高さは約0.7cmであ
る。仕上成形体の密度は3.214g/c.c.で、炭化ケ
イ素の理論的密度3.21g/c.c.より僅かに大きい。
得られた炭化ケイ素円板成形体の両面間の電気抵
抗は0.7Ωであり、曲げ強さ(破断モジユラス)
は約5000Kg/cm2である。 実施例2 (比較例) 平均粒径が0.5μより小さい炭化ケイ素95.5重
量%、炭化硼素0.5重量%、及び炭素含量50%の
フエノール・フオルムアルデヒド樹脂4重量%か
ら成る組成物約14gをボールミル中で1時間配合
し、直径約3cmの型に入れる。次にこの組成物を
2100℃において30分間アルゴン雰囲気中で約350
Kg/cm2でホツトプレスする。得られたホツトプレ
ス炭化ケイ素成形体は円板形で厚さ、即ち高さが
約0.6cmであつた。次にこの成形品の熱的衝撃耐
性を、種々の温度に加熱し約40℃の水中で急冷す
ることにより測定する。結果を第1表に示す。 実施例3〜5 (実施例3及び4は比較例) 実施例2を繰返したが、添加物は夫々1%のリ
ン化硼素、1%の窒化硼素及び0.5%の二硼化ア
ルミニウムであつた。結果を第1表に示す。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 炭化ケイ素、約0.2〜約2.0重量%の二硼化ア
ルミニウム、及び二硼化アルミニウムの約150〜
約500重量%の炭素を含むホツトプレス組成物か
ら成る緻密で熱的衝撃耐性のある炭化ケイ素セラ
ミツクス成形体。 2 (a) 粒径が約5μより小さい粒子から実質的
に成る炭化ケイ素を、約0.2〜約2重量%の平
均粒径約10μ以下の二硼化アルミニウム及び該
二硼化アルミニウムの約150〜500重量%の炭素
と配合し、 (b) 該配合物、固体の炭化ケイ素の理論的密度の
少くとも99%の密度をもつ炭化ケイ素を得るの
に十分な時間、圧力及び温度でホツトプレスす
る、 ことを特徴とする緻密で熱的衝撃耐性の大きい炭
化ケイ素セラミツクス成形体の製造法。 3 該炭化ケイ素の粒径は約3μより小さい特許
請求の範囲第2項記載の方法。 4 該炭化ケイ素の粒径は実質的に1μより小さ
い特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 該二硼化アルミニウムの粒径は実質的に約6
μより小さい特許請求の範囲第2項記載の方法。 6 該二硼化アルミニウムの粒径は実質的に約3
μより小さい特許請求の範囲第5項記載の方法。 7 密度は炭化ケイ素の理論的密度の少くとも
99.7%である特許請求の範囲第2項記載の方法。 8 該圧力は約100〜約1000Kg/cm2である特許請
求の範囲第2項記載の方法。 9 温度は約1900゜〜約2500℃である特許請求の
範囲第8項記載の方法。 10 時間は約10分〜約1時間である特許請求の
範囲第9項記載の方法。 11 温度は約1950゜〜約2250℃である特許請求
の範囲第10項記載の方法。 12 圧力は約300〜約400Kg/cm2である特許請求
の範囲第11項記載の方法。 13 時間は約15〜約45分である特許請求の範囲
第12項記載の方法。 14 炭化ケイ素、二硼化アルミニウム、及び炭
素をボールミル中で配合する特許請求の範囲第2
項記載の方法。 15 不活性雰囲気又は真空中でホツトプレスを
行なう特許請求の範囲第2項記載の方法。 16 不活性雰囲気はアルゴン、窒素、水素、ヘ
リウム及びその混合物から成るガスから選らばれ
る特許請求の範囲第15項記載の方法。 17 ガスはアルゴンである特許請求の範囲第1
6項記載の方法。 18 該ガスが窒素である特許請求の範囲第16
項記載の方法。 19 炭素は粒径が5μより小さい粒状炭素とし
て加えられる特許請求の範囲第2項記載の方法。 20 該粒状炭素の粒径は3μより小さい特許請
求の範囲第19項記載の方法。 21 該粒状炭素は粒径が1μより小さい粒子か
ら実質的に成る特許請求の範囲第19項記載の方
法。 22 該炭素は、炭素、窒素、水素及び酸素から
成る群から選らばれる元素より成る炭素化合物と
して加えられる特許請求の範囲第2項記載の方
法。 23 炭素化合物は高分子量芳香族化合物である
特許請求の範囲第22項記載の方法。 24 炭素化合物は有機重合体である特許請求の
範囲第22項記載の方法。 25 炭素化合物はフエノール・フオルムアルデ
ヒド樹脂である特許請求の範囲第24項記載の方
法。 26 約0.4〜約1.0重量%の二硼化アルミニウム
を用いる特許請求の範囲第2項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/783,140 US4135937A (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | High density hot pressed thermal shock resistant silicon carbide |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53127512A JPS53127512A (en) | 1978-11-07 |
JPS6143309B2 true JPS6143309B2 (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=25128300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3538278A Granted JPS53127512A (en) | 1977-03-31 | 1978-03-29 | High density * heat shockkresistant silicon carbide made by hot press molding |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4135937A (ja) |
JP (1) | JPS53127512A (ja) |
CA (1) | CA1092615A (ja) |
DE (1) | DE2813665A1 (ja) |
GB (1) | GB1597251A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2809278A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-06 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Dichte polykristalline formkoerper aus alpha-siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch drucklose sinterung |
US4346049A (en) * | 1978-05-01 | 1982-08-24 | Kennecott Corporation | Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure |
JPS589785B2 (ja) * | 1978-07-31 | 1983-02-22 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 炭化珪素焼結体の製造法 |
DE2927226A1 (de) * | 1979-07-05 | 1981-01-08 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Dichte formkoerper aus polykristallinem beta -siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch heisspressen |
DE2923728A1 (de) * | 1979-06-12 | 1980-12-18 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Dichte formkoerper aus polykristallinem alpha -siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch heisspressen |
US4579704A (en) * | 1983-04-14 | 1986-04-01 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Process for sintering cubic system silicon carbide powder |
JPS6027643A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | 株式会社日立製作所 | 高温構造部材 |
JP2585506B2 (ja) * | 1984-11-14 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 炭化珪素焼結体およびその製法 |
US4987103A (en) * | 1986-04-09 | 1991-01-22 | Nippon Pillar Packing Co., Ltd. | Slider composed of a high-density silicon carbide sintered compact |
JPS63190758A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-08 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素系セラミツク焼結体 |
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US5422322A (en) * | 1993-02-10 | 1995-06-06 | The Stackpole Corporation | Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same |
US5580834A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-03 | The Morgan Crucible Company Plc | Self-sintered silicon carbide/carbon graphite composite material having interconnected pores which may be impregnated and raw batch and process for producing same |
US5322824A (en) * | 1993-05-27 | 1994-06-21 | Chia Kai Y | Electrically conductive high strength dense ceramic |
US5478456A (en) * | 1993-10-01 | 1995-12-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering target |
US5968653A (en) * | 1996-01-11 | 1999-10-19 | The Morgan Crucible Company, Plc | Carbon-graphite/silicon carbide composite article |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3836673A (en) * | 1972-03-23 | 1974-09-17 | Norton Co | Sintered silicon carbide |
US4004934A (en) * | 1973-10-24 | 1977-01-25 | General Electric Company | Sintered dense silicon carbide |
US4031178A (en) * | 1976-04-09 | 1977-06-21 | General Electric Company | Strength improvement in machined SiC bodies |
-
1977
- 1977-03-31 US US05/783,140 patent/US4135937A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-02-14 CA CA297,115A patent/CA1092615A/en not_active Expired
- 1978-03-28 GB GB11925/78A patent/GB1597251A/en not_active Expired
- 1978-03-29 JP JP3538278A patent/JPS53127512A/ja active Granted
- 1978-03-30 DE DE19782813665 patent/DE2813665A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2813665A1 (de) | 1978-10-12 |
CA1092615A (en) | 1980-12-30 |
US4135937A (en) | 1979-01-23 |
GB1597251A (en) | 1981-09-03 |
DE2813665C2 (ja) | 1988-03-17 |
JPS53127512A (en) | 1978-11-07 |
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