DE2813665A1 - Dichter, temperaturwechselbestaendiger koerper aus siliciumcarbid und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Dichter, temperaturwechselbestaendiger koerper aus siliciumcarbid und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
COHAUSZ Sc FLORACK
PATENTANWALTSBÜRO
SCHUMANNSTR. 97 · D-4000 DÜSSELDORF
Telefon: (02 11) 6833 46 Telex: 08586513 cop d
PATENTANWÄLTE:
Dipl.-Ing. W. COHAUSZ DipL-lng. R. KNAUF ■ Dr.-Ing., Dipl.-Wirtsch.-Ing. A. GERBER ■ Dipl.-Ing. H. B. COHAUSZ
Dipl.-Ing. W. COHAUSZ DipL-lng. R. KNAUF ■ Dr.-Ing., Dipl.-Wirtsch.-Ing. A. GERBER ■ Dipl.-Ing. H. B. COHAUSZ
THE CARBORUNDUM COMPANY
Niagara Falls, New York 14302
Vereinigte Staaten von Amerika
Niagara Falls, New York 14302
Vereinigte Staaten von Amerika
Dichter, temperaturwechselbeständiger Körper aus Siliciumcarbid
und Verfahren zu seiner Herstellung
Die Erfindung betrifft einen dichten, temperaturwechselbeständigen
Körper aus Siliciumcarbid und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Gegenwärtig werden keramische Körper aus Siliciumcarbid in der Regel nach einem von zwei Verfahren hergestellt.
Eines dieser Verfahren ist das Heißpressen, bei dem teilchenförmiges
Siliciumcarbid in einem Formwerkzeug bei hoher Temperatur mit hohem Druck zu einem Formkörper gepreßt
wird. Das andere Verfahren ist druckloses Sintern, bei dem das Siliciumcarbid bei niedriger Temperatur zu
einem Körper mit der allgemeinen Gestalt des fertigen Körpers geformt wird. Dieses Vorformen wird meist durch
Pressen des teilchenförmigen Siliciumcarbids bei niedriger
Temperatur ausgeführt. Der durch das Vorformen hergestellte Körper wird dann bei ungefährem Atmosphärendruck
auf hohe Temperatur erhitzt und zu dem fertigen keramischen Siliciumcarbid-Körper gesintert.
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U/-
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Das Heißpressen hat gegenüber dem drucklosen Sintern gewisse Vorteile. Vor allem ergibt das Heißpressen einen
Siliciumcarbid-Körper von im allgemeinen höherer Dichte und Festigkeit, als er durch druckloses Sintern herzustellen
ist. Ferner ist das drucklose Sintern ein zweistufiger Prozeß, bei dem das Siliciumcarbid vor dem Erhitzen geformt
werden muß, während beim Heißpressen Formen und Erhitzen in einem Arbeitsgang ausgeführt werden.
Weder durch Heißpressen noch durch druckloses Sintern ließen sich jedoch bisher Siliciumcarbid-Körper mit der
gewünschten hohen Dichte und Festigkeit herstellen. Auch konnte weder durch Heißpressen noch durch druckloses Sintern
ein Siliciumcarbid-Körper mit guter Temperaturwechselbeständigkeit erhalten werden.
Es ist zwar bereits bekannt, daß die Dichte heißgepreßter Siliciumcarbid-Körper durch den Zusatz gewisser Stoffe,
wie Borcarbid oder Bornitrid, erhöht werden kann, doch sind die bei Verwendung dieser Zusätze erreichbaren Dichten
nicht so hoch wie die theoretische Dichte des Siliciumcarbids, und die Temperaturwechselbeständigkeit ist für
viele Anwendungszwecke nicht ausreichend. Bor und Borcarbid als Zusätze zur Erhöhung der Dichte beim Heißpressen
von Siliciumcarbid sind in der US-Patentschrift 3 960 beschrieben; die Verwendung von Bornitrid zu diesem Zweck
ist in der US-Patentschrift 3 954 483 offenbart.
Es stellte sich somit die Aufgabe, einen durch Heißpressen erhältlichen Siliciumcarbid-Körper mit einer Dichte nahe
der theoretischen Dichte des Siliciumcarbids, guter Festigkeit und guter Temperaturwechselbeständigkeit zur Verfügung
zu stellen und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Körper der
eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß er aus einem
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heißgepreßten Gemisch von Siliciumcarbid, 0,2 bis 2,0 Gew.-% Aluminiumdiborid und 150 bis 500 Gew.-% des Aluminiumdiborids
Kohlenstoff besteht.
Das Verfahren zur Herstellung eines dichten, temperaturwechselbeständigen
Körpers aus Siliciumcarbid besteht darin, daß Siliciumcarbid mit einer Korngröße von weniger
als 5 μΐη mit 0,2 bis 2 Gew.-% Aluminiumdiborid mit einer
mittleren Korngröße von weniger als 10 μπι und 150 bis
500 Gew.-% des Aluminiumdiborids Kohlenstoff gemischt und das Gemisch so lange bei so hoher Temperatur mit so hohem
Druck gepreßt wird, daß ein Siliciumcarbid-Körper mit einer Dichte von mindestens 99% der theoretischen Dichte des
massiven Siliciumcarbids erhalten wird.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
Das teilchenförmige Siliciumcarbid kann mit dem Aluminiumdiborid
und dem Kohlenstoff in jeder geeigneten Weise gemischt werden. Eine vorteilhafte Methode besteht darin,
daß die Komponenten eine Stunde bis 24 Stunden in einer Kugelmühle vermählen werden. Man kann aber auch das Siliciumcarbid,
das Aluminiumdiborid und den Kohlenstoff in einer Flüssigkeit aufschlämmen und dann die Flüssigkeit
ganz oder teilweise abtreiben, so daß ein inniges Gemisch der Komponenten zurückbleibt. Es kann auch eine verkohlbare
Flüssigkeit gewählt werden, so daß diese beim Erhitzen den Kohlenstoff oder einen Teil davon liefert. Die
Teilchengröße des Siliciumcarbids muß kleiner als 5 um
und sollte besser kleiner als 3 μπι und am besten kleiner als 1 μπι sein. Ebenso muß die Teilchengröße des Aluminiumdiborids
kleiner als 10 μπι und sollte besser kleiner als 6 μπι und am besten kleiner als 3 μΐη sein. Das Siliciumcarbid
kann jede gebräuchliche Kristallform haben und a- oder ß-Siliciumcarbid sein.
- 7 80984 1 /0845
Der Kohlenstoff kann als freier Kohlenstoff mit einer durchschnittlichen Korngröße von weniger als 5 μια, besser
weniger als 3 μπι und am besten weniger als 1 μΐη zugesetzt
werden. Ein Beispiel eines geeigneten teilchenförmigen Kohlenstoffmaterials ist Graphit. Der Kohlenstoff kann
aber auch in Form einer verkohlbaren organischen Verbindung zugesetzt werden, die neben Kohlenstoff noch Wasserstoff,
Sauerstoff und Stickstoff enthält. Vorteilhaft ist eine Kohlenstoffverbindung mit einem hohen Verhältnis des
Kohlenstoffgehalts zum Gehalt der übrigen Elemente.
Geeignete Kohlenstoffverbindungen sind verkohlbare organische
Polymerisate, niedermolekulare aromatische Verbindungen und hochmolekulare aromatische Verbindungen. Beispiele
niedermolekularer aromatischer Verbindungen sind Benzol, Toluol, Xylol, Naphthalin und Anthracen. Beispiele hochmolekularer
aromatischer Verbindungen sind sind aromatische Kondensationsharze wie Phenol-Formaldehyd-, Anilin-Formaldehyd-,
Kresol-Formaldehyd- und Resorcin-Formaldehyd-Harze, Dibenzanthracen, Polyphenylen und Polymethylphenylen.
Wenn der Kohlenstoff durch Verkohlung bereitgestellt werden soll, sind hochmolekulare aromatische
Verbindungen am günstigsten, da aus ihnen bei der Verkohlung große Mengen Kohlenstoff frei werden.
Im allgemeinen werden dem Gemisch 0,3 bis 3 Gew.-%, am besten 0,4 bis 1,0 Gew.-%, Aluminiumdiborid zugesetzt.
Überraschenderweise wurde festgestellt, daß bei der Verwendung von Aluminiumdiborid als Dichtesteigerungsmittel das
erhaltene Siliciumcarbid eine Reihe vorteilhafter Eigenschaften aufweist, darunter eine sehr hohe Dichte, die
die theoretische Dichte des Siliciumcarbids erreichen kann, eine gute Festigkeit und eine überlegene Temperaturwechselbeständigkeit.
Darüber hinaus hat der keramische Siliciumcarbid-Körper einen niedrigen elektrischen Widerstand,
durch den er für einige elektrische Anwendungen besonders gut geeignet ist. Mit bekannten Zusätzen zur Erhö-
— 8 —
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28136S5
hung der Dichte des Siliciumcarbids läßt sich diese vorteilhafte
Kombination von Eigenschaften nicht erreichen. Wenn beispielsweise Bornitrid oder Borcarbid verwendet
werden, sind die erreichbaren Dichten nicht so hoch wie bei der Verwendung von Aluminiumdiborid. Außerdem erteilt
das Aluminiumdiborid dem Siliciumcarbid-Körper eine Temperaturwechselbeständigkeit,
die mit keinem anderen Zusatz erhalten werden kann.
Das Gemisch wird in ein Formwerkzeug gefüllt und so lange bei einer so hohen Temperatur mit einem so hohen Druck gepreßt,
daß ein heißgepreßter Siliciumcarbid-Körper mit einer Dichte von über 99% der theoretischen Dichte des Siliciumcarbids
erhalten wird. Die theoretische Dichte des Siliciumcarbids ist 3,21 g/cm3, und bei der Verwendung von
Aluminiumdiborid als Dichtesteigerungsmittel können Dichten von über 99,7% der theoretischen Dichte erhalten werden.
Geeignete Drücke für das Heißpressen liegen im allgemeinen zwischen 100 und 1000 bar, am besten zwischen 300 und 400
bar. Geeignete Preßzeiten reichen von 10 Minuten bis etwa 1 Stunde und betragen am besten 15 bis 45 Minuten. Zweckmäßige
Heißpreßtemperatüren liegen zwischen 1900 und
2500 0C mit einem vorteilhaften Bereich zwischen 1950 und
2250 0C.
Um die Bildung von Oxydationsprodukten zu vermeiden, wird das Heißpressen zweckmäßigerweise in einer inerten Atmosphäre
aus Stickstoff, Wasserstoff, Helium, Argon oder Mischungen davon ausgeführt. Zur Vermeidung einer Oxydation
kann das Heißpressen auch im Vakuum bei einem Absolutdruck von weniger als 1 mbar, besser weniger als
1,3-10 mbar, ausgeführt werden.
An Hand folgender Beispiele wird die Erfindung näher veranschaulicht
.
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In einer Kugelmühle wurden 0,5 Gewichtsteile Aluminiumdiborid
und 5 Gewichtsteile eines Phenol-Formaldehyd-Harzes mit 94,5 Gewichtsteilen Siliciumcarbid mit einer
durchschnittlichen Korngröße von weniger als 0,5 μΐη gemischt.
Die Mischzeit betrug 1 Stunde. Dann wurde das Gemisch 30 Minuten in einer Argon-Atmosphäre bei einer Temperatur
von 2100 0C mit einem Druck von etwa 350 bar heißgepreßt. Dabei wurde ein Formwerkzeug aus Graphit mit einem
Durchmesser von etwa 30 mm verwendet, und die Höhe des fertigen Heißpreßkörpers betrug etwa 7 mm. Die Dichte
des fertigen Körpers wurde zu 3,214 g/cm3 bestimmt und war damit etwas höher als die theoretische Dichte des
Siliciumcarbids, die 3,21 g/cm3 betragen soll. Der elektrische Widerstand zwischen den Flächen der Siliciumcarbid-Scheibe
betrug 0,7 Ohm, und die Biegefestigkeit (Bruchmodul) wurde zu etwa 4900 bar bestimmt.
Etwa 14 g eines Gemisches aus 95,5 Gew.-% Siliciumcarbid mit einer durchschnittlichen Korngröße von weniger als
0,5 um , 0,5 Gew.-% Borcarbid und 4 Gew.-% eines Phenol-Formaldehyd-Harzes
mit einem Kohlenstoffgehalt von 50% wurde 1 Stunde in einer Kugelmühle gemischt und dann in
ein Formwerkzeug von etwa 30 mm Durchmesser gefüllt. Das Gemisch wurde in einer Argon-Atmosphäre 30 Minuten bei
2100 0C mit einem Druck von etwa 350 bar heißgepreßt. Der
heißgepreßte scheibenförmige Siliciumcarbid-Körper hatte eine Höhe von etwa 6 mm. Er wurde auf Temperaturwechselbeständigkeit
geprüft, indem er auf verschiedene Temperaturen erhitzt und in Wasser von 40 0C abgeschreckt wurde.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
- 10 -
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BEISPIELE 3 bis 5
Das Verfahren des Beispiels 2 wurde wiederholt, wobei die Zusätze jedoch jeweils 1 Gew.-% Borphosphid, 1 Gew.-I Bornitrid
bzw. 0,5 Gew.-% Aluminiumdiborxd waren. Die erhaltenen Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgeführt.
Gew.-% | 200 | Tabelle | 400 | 500 | 1 | 700 | 800 | (0C) | 1000 | 1100 | 1200 | |
0,5 B,C | A | C | B | D | 900 | |||||||
Beispiel | 1,0.BP | A | 300 | B | B | B | C | |||||
2 | 1,0 BN | A | A | B | B | Temperatur | B | C | D | D | ||
3 | 0,5 AlB, | A | A | A | B | 600 | B | B | C/D | B | B | C |
4 | A | C | B | |||||||||
5 | A | B | ||||||||||
B | ||||||||||||
B |
A = Ausgezeichnet—keine Risse B = Gut — bei Vergrößerung Haarrisse oder leichte
Randkantenaufspaltung sichtbar C = Befriedigend — Haarrisse oder leichte Randkan—
tenaufspaltung sichtbar D = Unbrauchbar — große sichtbare Risse
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Claims (1)
- COHAUSZ & FLORACKPATENTANWALTSBÜROSCHUMANNSTR. 97 · D-4000 DÜSSELDORFTelefon: (0211) 68 33 46 Telex: 0858 6513 cop &PATENTANWÄLTE:
Dipl.-Ing. W. COHAUSZ ■ DipUng. R. KNAUF · Dr.-Ing., Dipl.-Wirtsch.-Ing. A. GERBER · Dipl.-Ing. H. B. COHAUSZPatentansprücheDichter, temperaturwechselbeständiger Körper aus SiIi-ciumcarbid, dadurch gekennzeichnet, daß er aus einem heißgepreßten Gemisch von Siliciumcarbid, 0,2 bis 2,0 Gew.-% Aluminiumdiborid und 150 bis 500 Gew.-% des Äluminiumdiborids Kohlenstoff besteht.2. Siliciumcarbid-Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Siliciumcarbid vor dem Heißpressen in Form von Teilchen mit einer Korngröße von im wesentlichen unter 1 μπι vorliegt.3. Verfahren zur Herstellung eines dichten, temperaturwechselbeständigen Körpers aus Siliciumcarbid nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß Siliciumcarbid mit einer Korngröße von weniger als 5 μπι mit 0,2 bis 2 Gew.-% Aluminiumdiborid mit einer mittleren Korngröße von weniger als 10 pm und 150 bis 500 Gew.-% des Äluminiumdiborids Kohlenstoff gemisch und das Gemisch so lange bei so hoher Temperatur mit so hohem Druck gepreßt wird, daß ein Siliciumcarbid-Körper mit einer Dichte von mindestens 99% der theoretischen Dichte des massiven Siliciumcarbids erhalten wird.4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Gemisch mit einem32 052
U/-— 2 —809841/0845Druck von 100 bis 1000 bar gepreßt wird.5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4 , dadurch
gekennzeichnet , daß das Gemisch auf eine Temperatur zwischen 1900 und 2500 0C erhitzt wird.6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch 15 bis 45 Minuten gepreßt und erhitzt wird.7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Siliciumcarbid, Aluminiumdiborid und Kohlenstoff in einer Kugelmühle gemischt werden.8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Heißpressen in einer inerten Atmosphäre aus Argon, Stickstoff, Wasserstoff, Helium oder Mischungen davon oder im Vakuum ausgeführt wird.9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kohlenstoff als teilchenförmiger Kohlenstoff mit einer mittleren Korngröße von weniger als 5 |im zugesetzt wird.10. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kohlenstoff in Form einer Kohlenstoffverbindung zugesetzt wird, die auch noch Wasserstoff, Sauerstoff und Stickstoff enthält.11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß als Kohlenstoffverbindung eine hochmolekulare aromatische Verbindung verwendet wird.809841 /084512. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß als Kohlenstoffverbindung ein organisches Polymerisat verwendet wird.14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Kohlenstoffverbindung ein Phenol-Formaldehyd-Harz verwendet wird.BÜ9BA 1/0845
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