JP4577639B2 - シリコンセラミックスコンポジットおよびシリコンセラミックスコンポジットの製造方法 - Google Patents
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このようなシリコン含浸炭化珪素には含浸前の工程ではほとんど収縮が生じず、含浸時にも炭素と反応して炭化珪素が生成する場合を含めてほとんど収縮が生じないためニアネットシェイプ製造が可能であるという利点があり、これはモノリシックな炭化珪素焼結体にはない利点である。
シリコンセラミックスコンポジットを製造するにあたり、セラミックス成形体またはセラミックス焼結体にシリコンを含浸させる必要がある。この工程はシリコンの融点以上に加熱した熔融シリコンを含浸させた後に冷却してシリコンを結晶化させる必要があるが、この結晶化の工程においてシリコンは体積膨張する。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、シリコン吹き出しがなく真のニアネットシェイプ製造が可能であるシリコンセラミックスコンポジットを提供することをその目的とする。
シリコンと上記金属との合金を含浸させることによりシリコンセラミックスコンポジット表面からのシリコン吹き出しを防止することができる。
また、シリコン合金を含浸させるときの合金の温度がシリコンの融点未満であることにより、シリコンセラミックスコンポジット表面からのシリコン吹き出しをより効果的に防止することができる。
このシリコンセラミックスコンポジットはシリコン吹き出しがないためシリコン除去工程が必要でなく、表面の一部または全部を窯出し状態のままで研削などの後加工を施していない真のニアネットシェイプセラミックスを製造することができる。
本発明を炭化珪素質セラミックスに応用する場合には炭化珪素粉末を再結晶焼結させた炭化珪素多孔質焼結体に熔融シリコンを含浸させてもよく、炭化珪素粉末と炭素分を焼結させた多孔質焼結体に熔融シリコンを含浸させてシリコンの一部と炭素分を反応させることにより炭化珪素を生成させてもよく、炭化珪素粉末と炭素分からなる成形体に熔融シリコンを含浸させてシリコンの一部と炭素分を反応させて炭化珪素を生成させてもよく、いずれの方法を用いてもシリコン炭化珪素コンポジットを製造することができる。また単純・ローコストな手法として炭化珪素粉成形体にシリコンを含浸させる手法を採用することもできるが、この場合はコンポジット中の炭化珪素の割合が小さくなるために機械特性などの物性がやや劣ることになる。
金属シリコン粉末(平均粒径2.04μm、Si含有量98.5wt%、Fe含有量0.47Wt%)100重量部に、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウム塩(花王株式会社製 ポイズ532A)0.1重量部、分散媒として水を65重量部、バインダー兼炭化珪素前駆体としてフェノール樹脂(旭有機材工業株式会社製 KI3710)を8重量部混合してスラリーを作成した。得られたスラリーについて、2MPaの加圧排泥鋳込成形により5mmの厚みになるまで着肉させた。排泥後0.3MPaの圧力により土締めを行った後脱型した。得られた着肉体を120℃で乾燥させた後、2mmの厚みに切断してこれを成形体とした。
上記成形体を窒素常圧雰囲気下で以下のヒートカーブにより窒化処理した。常温―1100℃ 4時間、1100℃ソーキング 3時間、1100℃−1400℃ 4時間、1400℃ソーキング 10時間、1400℃―常温 8時間。
上記窒化焼結体を用いて、比較例1−3、実施例1−4のシリコン含浸試験を行った。
比較例1、比較例2、比較例4においては、常温―1100℃ 4時間、1100―1300℃ 5時間、1300−1450℃ 5時間、1450℃ソーキング 3時間、1450−1100℃ 5時間、1100℃−常温4時間である。
比較例3においては常温―1100℃ 4時間、1100―1300℃ 5時間、1300℃ソーキング 10時間、1300−1450℃ 5時間、1450℃ソーキング 3時間、1450−1100℃ 5時間、1100℃−常温4時間である。
実施例1、実施例5においては常温―1100℃ 4時間、1100―1300℃ 5時間、1300℃ソーキング 10時間、1300−1100℃ 3時間、1100℃−常温4時間である。
実施例2においては常温―1100℃ 4時間、1100―1200℃ 3時間、1200℃ソーキング 20時間、1200−1100℃ 2時間、1100℃−常温4時間である。
実施例3においては常温―1100℃ 4時間、1100―1200℃ 3時間、1200℃ソーキング 5時間、1200−1300℃ 3時間、1300℃ソーキング3時間、1300−1100℃ 3時間、1100℃−常温4時間である。
実施例4においては常温―1100℃ 4時間、1100―1370℃ 3時間、1370℃ソーキング 8時間、1370−1100℃ 3時間、1100℃−常温4時間である。
また実施例1−5のシリコンセラミックスコンポジットの結晶組成を、回折X線分析(RINT2200V,理学電子製、線源Cu,波長1.54056Å、管電圧40.0KV、管電流200.0mA)により評価した。実施例1−4では得られた結晶ピークはα窒化珪素、β窒化珪素、シリコン、炭化珪素、及び極微量のFeSi2であった。また実施例5では得られた結晶ピークは炭化珪素、シリコン、及び極微量のFeSi2であった。また実施例において含浸したカルシウムシリコンの組成がそのまま保たれれば当然結晶として現れるはずのCaSi2の結晶ピークが全く現れないため、実施例1−5のシリコンセラミックスコンポジットの切断面をSEM−EPMAで観察してカルシウムの分布状態を観察したところ、カルシウムは存在するもののその定量検出限界以下(大凡1Wt%以下)となっていることがわかった。
以上実施例・比較例を対比すると明らかなように本発明に関わるシリコンセラミックスコンポジットは、シリコンの含浸方法をシリコンと他金属の合金を含浸させる方法にすることにより、シリコンの吹き出しを防止し、真のニアネットシェイプ製造を達成することができた。
Claims (3)
- 炭化珪素を含むセラミックスとシリコンとからなるシリコンセラミックスコンポジットの製造方法であって、
69.4モル%以上のシリコンと、30.6モル%以下のカルシウムと、を含むシリコンとカルシウムとの合金をシリコンの融点未満で、炭素分を有するセラミックス粉体成形体または多孔質焼結体に含浸させるとともにカルシウムを1Wt%以下となるまで蒸散させることを特徴とするシリコンセラミックスコンポジットの製造方法。 - 前記シリコンセラミックスコンポジットが、シリコンと炭化珪素と窒化珪素とのコンポジットであることを特徴とする請求項1記載のシリコンセラミックスコンポジットの製造方法。
- 請求項1または2に記載のシリコンセラミックスコンポジットの製造方法により製造された表面の全部または一部が窯出し状態のままの非加工面でありシリコンの付着がないことを特徴とするシリコンセラミックスコンポジット。
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