JPS6134527A - カメラの測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はカメラのファインダ光路中に設置するのに最適
な測光素子を有する測光装置に関する。

（従来技術） 従来、−眼レフレックスカメラの測光装置は、例えばコ
ンデンサレンズに形成した例えばマイクロビームスプリ
ッタなどの光分割部材によって測光素子へ光束を導くも
の、或いはペンタプリズムの光束出射面に設けたフレネ
ルレンズを介して集光するものなどが提案されているが
、ファインダ視野での光量分布の阻害、又は測光方式を
変更する場合には光分割部材の交換を要するなどの欠点
を有していた。

第１図、第２図は従来の測光装置の一例であり、第１図
は一眼レフレックスカメラの光学系の断面図である。こ
こで、投影レンズｌを透過した被写体光は、レフレック
スミラー２により上方に反射され、ピント板３．光分割
部材４゜測光素子５、コンデンサレンズ６、ペンタプリ
ズム７を経て接眼レンズ８に至る。この方式では、光分
割部材４にて分割された被写体光を測光素子で受けて測
光しているため接眼レンズ８を介して被写体を見たとき
、光分割部材４を通過する光束の一部分が遮光されるこ
とになって、ファインダ中央部に陰影が生ずる弊害があ
る。

また、測光素子５に取り込む光線の領域は光分割部材４
の形状によって決定されるものであり、画面中央部を重
点とする中央重点測光、画面全体の平均像とし捉える平
均測光等があって、それぞれの測定領域は固定されてい
る。従って、測光領域を変えたい場合には光分割部材４
の形成されたコンデンサレンズ６を取り換える必要があ
る。

第２図の従来例においては、図示しない撮影レンズを透
過した被写体光は、レフレックスミラー２で反射されフ
ォーカシングスクリーン９を経てペンタプリズム７で屈
折し接眼レンズ８に至っている。かかる被写体光の一部
をペンタプリズム７の出射面に設置されたフレネルレン
ズ１０により、その出射位置に対応して設けられた測光
素子５に集光する方式である。この場合は第１図と異な
ってファインダ中央部に陰影が生ずることはないが、前
述の多様な測光方式に対応し得るものではなく、測光方
式の切換えを行うことは容易ではない。

上述のような従来の測光方式の欠点を解消するものとし
て撮影レンズから露出フィルム面への撮影光路、あるい
は、撮影像観察者の眼に到るファインダ光学路中の光学
部材の表面に直接微細な測光素子を形成させる考えも知
られている。

しかしながら上述の測光素子を焦点面あるいは焦点面近
傍に設けた場合には測光素子の太きさが微細であればフ
ァインダ像観察の際、肉眼の分解能を越えて測光素子が
見えにくくなるが、測光素子がやはり見えてしまうこと
があるという欠点があった。

（目　的） 本発明は従来の装置においてファインダ像観察の際、測
光素子に気がつかないような測光装置を提供することを
目的とする。

（要　旨） カメラの測光装置において、ファインダ光路中の焦点面
あるし一部は焦点面近傍に測光素子を配置する際に、そ
の素子の構成として素子自体が濃度分布をもつようにし
たことを特徴とする。　　　　□（実施例） 第３図は本発明の一実施例の光学系の断面図であり、第
４図はかかる光学系に設けられた光電変換素子群の配置
列の平面図、第５図は測光素子である光電変換素子体の
斜視図である。第６図は第５図を線分Ａ−ｘで、切りと
った際の断面図。　　　　　　　　　　　　　　　５第
３図において、図示しない撮影レンズを透過した被写体
光は、レフレックスミラー２１で反射され、焦点面ある
いは焦点面近傍の位置に設けられた光電変換素子群２２
と、これに接して配置されたコンデンサレンズ２３を経
てペンタプリズム２４を介して接眼レンズ２５に入射す
るようになっている。光電変換素子群２２は第４図に示
すように全体として〈、シ歯型でしかも素子の厚みが階
段状の形の光電変換素子２６の配列により構成されてい
る。そして、この光電変換素子体２６の構造は、第５図
に示すようにガラス板２７上に下部電極２８が配置され
、その上に光電変換素子２９及び上部電極３０がそれぞ
れ同形の櫛歯状に積層配置されており、櫛歯部及び背部
に相当する構成材の幅ｄは１数ｐｍ〜数十ＩＬｍ以下の
微細線に形成されている。電極２８．３０の端部にはリ
ード線３１゜３２が接続されており、下部電極２８、光
電変換素子２９、上部電極３０及びリード線３１゜３２
は一体化されている。光電変換素子２９は櫛歯の組合わ
せにより、幾つかのブロックに分割され多様の測光方式
に対応可能に配置されており、それぞれの電極２８．３
９の端部に接続されたリード線３１．３２を結ぶ回路に
より、単独に或いは合成の切換えが可能となっている。

光電変換素子２９にＣｄＳ又はアモルファスＳｉを単に
使用すると、これらは可視光に、対する透過率が少ない
ため、ファインダの視界が妨、げられることになる。し
かし、本発明に係る光電変換素子体２６は、第６図に示
すように、歯部の幅ｄは数μｍあるいは数十ｇｍ以下で
しかも、階段的に変化する濃度分布すなわち光電変換素
子体端部の透過率が大きく、中央部の透過率が小さい濃
度分布を持っているために、光電変換素子体は全体とし
てポケた様になって、肉眼では識別することが不可能と
なり、ファインダーの視界に影響を与えることはない。

更に、ＣｄＳ又はアモルファスＳｉは例えば電極２８．
３０などの母材に蒸着が可能であり、容易に光電変換素
子体２６を形成でき、それぞれの櫛歯状の領域のパター
ンが自由に構成可能なので、中央重点測光、平均測光等
の測定方式の選択が組合わせにより容易に実現できる。

なお、光電変換素子２９はＣｄＳ又はアモルファスＳｔ
に代って他の材質を用いてもよい。

また第４図に示した上部電極の全面積即ち線幅ｄとその
間隔ωはファインダ内に入射した光束のうちどれくらい
の割合の光束を測光するかにより決定ｙれ、例えば１０
％の光束を測光する場合には、幅ｄ＝１０ｐＬｍとすれ
ば、間隔ω＝　９０　ｐ、　ｍとなるが、この場合ファ
インダを観察する際に測光素子の間隔が大きいため測光
素子がボケたとしても該ボケがかさならないため肉眼で
見えでしまう可能性があるが、本実施例に依れば測光素
子の線幅が大きくなり、かつ測光素子自体が端部にて透
過率が高く中央部で透過率が低くなるような濃度分４ノ
をもっているため肉眼では見えないようにすることがで
きる。

また第６図のように素子を設けることにより隣り同志の
素子のボケが重なり−・層肉眼には見えないようにする
ことができる。

また？１１１１光素子である光電変換素子をアモルファ
スシリコンで構成する際にはアモルファスシリコンの移
動度が小さいため、素子の有効受光面積は、半導体の接
合面積よりも素子をはさんだ２つの電極のうち小さい方
の電極面積となるため第５図に示した素子の有効受光面
積は電極３０の面積で決定される。

したがって第５図のように素子を構成する際にはより面
積の小さい方の電極の構成条件を厳密にし、他の部分の
作製条件を比較的ゆるやかにしても有効受光面積には誤
差が生じず、構成工程が簡単になる。

第８図〜第１０図は本発明の他の光学系の実施例を示す
ものであり、第８図は光学変換素子２９を同心円状に配
設した光電変換素子群２２の平面図である。第９図の光
学系は光束に入用側から順にレフレックスミラー２１か
らフォーカシングスクリーン３３、コンデンサレンズ２
３、光電変換素子群２２、ペンタプリズム２４、接眼レ
ンズ２５の配設となっており、ペンタプリズム２４の入
射面に設けられた光電変換素子群２２はフォーカシング
スクリーン３３」二の焦点面から比較的大きくずらして
配置されている。第１Ｏ図の光学系ではレフレックスミ
ラー２１、光電変換素子群２２、フォーカシングスクリ
ーン３３、コンデンサレンズ２３、ペンタプリズム２４
、接眼レンズ２５の順に配置されており、フォーカシン
グスクリーン３３の前段に設けられた光電変換素子群２
２は焦点面から第９図に比較して小さくずらして配置し
ている。

第１１図、第１２図は本発明の他の実施例の光電変換素
子体の断面図、及びかかる光電変換素子の透過率を示す
図である。

第７図に示した光電変換素子体２６を階段的な透過率を
有する濃度分布を持つように構成したが、第１１図に示
すように光電変換素子体２６をなめらかな濃度分布を持
つように構成してもよい。

また、第１２図に示すように１例えば、アモルファスシ
リコンのｐｉｎ型フォトタイオーＩ・で濃度分布を作る
ような場合には、２層、ｉ層、ｎ層を段階的に幅を変え
て蒸着すれば同様の効果が得られ、蒸着する幅を変える
だけで簡単に構成することができる。

またｐｉｎ型フォトダイオードにおいてはｉ層が２層、
ｎ層に対して比較的厚くなるためｉ層において段差をつ
ける方がより濃度分布を一様にできる。

以」−詳述した様に本発明に依れば測光素子をファイン
ダ光路中の焦点面および焦点面近傍に設けたカメラの測
光装置において、前記測光素子の幅方向の厚みに変化を
もたせたことにより該測光素子の幅方向の透過率に変化
をもたせたのでファインダ像観察の際、測光素子がファ
インダ像に影響をおよぼさないという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来のカメラ光学系の断面図、 第３図以下は本発明に係るカメラの測光装置の実施例で
あり、 第３図はカメラ光学系の断面図。 第４図は光電変換素子群の平面図、 第５図は光電変換素子体の斜視図、 第６図は第５図に示した光電変換素子体のＡ−Ａ’での
断面図、 第７図は第５図に示した光電変換素子体の透過率を示す
図、 第８図は本発明の他の実施例の光電変換素子群の平面図
、 第９図、第１０図は本発明のカメラ光学系の他の実施例
の断面図、 第１１図、第１２図は本発明の他の実施例の光電変検体
の透過率を示す図である。 符悔２１はレフレックスミラー、２２は光電変換素子群
、２３はコンデンサレンズ、２４はペンタプリズム、２
５は接眼レンズ、２６は光電変換素子体、２８は下部電
極、２９は光電変換素子、３０は上部電極、３１．３２
はリード線、３３はフォーカシングスクリーンである。 ・ｌ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 測光素子をファインダ光路中の焦点面および焦点面近傍
   に設けたカメラの測光装置において、前記測光素子の幅
   方向の厚みに変化をもたせたことにより該測光素子の幅
   方向の透過率に変化をもたせたことを特徴とするカメラ
   の測光装置。