JPS6128828A - 一眼レフカメラ用測光素子 - Google Patents

一眼レフカメラ用測光素子

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Publication number
JPS6128828A
JPS6128828A JP15026684A JP15026684A JPS6128828A JP S6128828 A JPS6128828 A JP S6128828A JP 15026684 A JP15026684 A JP 15026684A JP 15026684 A JP15026684 A JP 15026684A JP S6128828 A JPS6128828 A JP S6128828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
reflex camera
lens reflex
transparent
photometric element
Prior art date
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Pending
Application number
JP15026684A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Omura
大村 宏志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP15026684A priority Critical patent/JPS6128828A/ja
Publication of JPS6128828A publication Critical patent/JPS6128828A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、1眼レフカメラの露光量を決める為の測光素
子の構成に関するものである。
〔発明の背景〕
通常、1眼レフカメラでは、第4図に示す様に、被写体
からの光を撮影レンズ1、反射鏡2でピント板3に結像
した像をコンデンサレン、e4を通しファインダーのイ
ンタグリズム5で左右正立させて接眼レンズ6によシ見
る。その際、測光のためピント板からの一部の光をハー
フミラ−を内股したハーフプリズム7によシ分岐し、シ
リコン又はCdS等の測光素子8に導いて、被写体の明
るさを測定し、露光量を決定するよう釦なっている。
しかし、この構成は次のような欠点を有する。
即ち、ファインダーで被写体を見たとき、前記のハーフ
プリズム7を透過する光はそのハーフミラ−で一部が遮
られるため、その部分(通常はファイ、ンダーの中央部
)に暗い部分ができ、これは被写体を監視する際に非常
に障害となる。また、測光用に分岐する光のファインダ
ー視野に占める部分は、ハーフプリズム7のハーフミラ
−の大きさと位置によシ決定され、これはファインダー
の中央部を重点測光するか、又は画面内全体を平均化し
て測光するかのどちらであるかによって定っており、両
方を行うにはそれに対応する各々専用のハルツプリズム
を入れ換える必要があり、簡単でない。
〔発明の目的〕
本発明は、前記欠点を除去し、ファインダー観察にとっ
て殆ど邪魔にならず、画面の各所の測光又は平均測光の
切換が極めて容易で、かつ安価に出来る一眼レフカメラ
用測光素子を提供することを目的とする。
〔発明c)概要〕
本発明の一眼レフカメラ用測光素子は、一眼レフカメラ
のファインダー光路中に配置される測光素子であって、
透明基板上に透明電極、微細パターン状の光電変換物質
、これに対応するパターンことを特徴とする。
好ましくは透明基板は撮影レンズからの光が入射する側
にあり、上記パターン状の電極は不透明電極とするのが
よい。
また外部ノイズから保護するために、上記パターン状の
電極を透明絶縁体で覆い、透明基板および上記絶縁体の
表面にシールド用電極の被覆を形成するのがよい。
〔発明の実施例〕
第1図は本発明に係る光電変換素子の一実施例の斜視図
、第2図は第1図のB−B線で切った断面、第3図はC
−C11iIで切った断面を示す。これら図を参照する
に、透明ガラス板9上に広い面積の透明電極11(たと
えばITO膜よシなる)を設け、その上にアモルファス
シリコン、cas等ノ等電光電変換物質10互に入シ込
んだ且つ相接触しない櫛歯状に微細に設け、その上にこ
れと同形状   )のAt等よシなる不透明電極12を
設けである。
櫛歯状の光電変換物質10の各歯の幅\〜第\嘴へは数
μm〜数十μmとし、配列ピッチは十数ないし数百μm
とすれば、肉眼ではほとんど識別できないようにするこ
とができ、従って、これをファインダー光路内に置いて
もファインダー像の観察にとって障害とはならないよう
Kすることができる。
目の分解能は1′であり、如上の光電変換素子の配置場
所によってそれが目に見える見えないが異なる。例えば
、マット面(拡散面)の上側すなわち撮影レンズとは反
対側に15μm幅の素子を150珈ピツチで配置すると
目で見えるが、マット面の下側即ち撮影レンズ側に配置
すると目に見えなくなる。これは、また、何μmの幅の
素子を何ピッチで配置するかによっても異る。すなわち
15μm幅の素子を30μmピッチで配置すると目で見
えなくなる。この数値は何チの光を測光するかで決定さ
れ、例えば10%の光を測光する場合には、面状比で1
0%になるように素子を配置する。
第1図に示した構成の素子は、第2図、第3図に示すよ
うに、不透明電極12を更に透明絶縁物13で覆い、こ
れとガラス基板9とを透明電極14で更に覆うことが好
ましい。この透明電極14は外部ノイズを拾わないため
のシールド用電極として役立つ。なお、透明電極14の
周囲四方における端面にAtなどの導電体の被覆を設け
ればシールド効果は更に完全に保たれる。
以上のように構成された測光素子を、透明電極11が撮
影レンズ側に向くように、一眼レフカメラのファインダ
ー光学系の途中に設けることによシ測光が行われる。
上記の光電変換物質10はアモルファスSi、CdS等
の膜で形成されるため、電極及びそれへのリード線と同
様に、蒸着又はエツチング等の技術により、微細な/’
Pターンをもって一つの基板に一度に形成することがで
きる。
電極12は不透明でなくて、電極11と同様、透明電極
としてもよい。しかし、これを不透明電極とした場合は
、前記の如く透明電極11を撮影レンズ側に向けるよう
設置することによシ、ファインダーからの逆入光を防ぐ
ことができる。
如上の構成を持つ光電変換素子群15を画面の大きさに
相当する面積のガラス板上に例えば第5図の如く設け、
それらのり−ド16を切シ換えスイッチ等の手段によシ
適当に選択する事によシ、中央重点測光あるいは平均測
光力ど自由に選ぶことが可能となる。
以上は光電変換物質として、アモルファスシリコン膜又
はCd8膜を使用したものを説明したが、他の光電変換
材料であって膜として形成可能なものも使用できる。
以上述べた光電変換素子群の形状の他に、例えば第6図
に示すように光電変換素子群15を輪帯状にする事も可
能である。各輪帯の巾は数十μm以内程度が適当である
第7図は第6図の輪帯群の中央部の輪帯中を狭めて、第
5図の場合より中央部分の比重を高めたものである。
その他、光電変換素子群の形状は十文字形又は四角形等
にすることが可能である。
以上説明した光電変換素子を設けた測光素子を1眼レフ
カメラのファインダー光学系に設置するには、該光学系
の光学部材表面に貼シ付けてもよいが、光学部材の間に
挾み、適当な接着剤で貼シ合わせる事によシ一層信頼性
の高い設置ができる。
なお、以上の測光素子においては、透明基板上に透明電
極、微細パターン状の光電変換物質、これに対応するパ
ターン状の電極をこの1−に積層してなる積層体を設け
たものであるが、全くこれとは逆に透明基板上にパター
ン状の電極、光電変換物質、透明電極をこの順序に形成
して透明基板を撮影レンズからの光の入射する側とは反
対側に置いた実施例も可能であり、これでも同様の作用
効果が得られる。
〔発明の効果〕
■ 実質的にファインダー内の像を妨けることなく露光
量を測定出来る。
■ 複数の測光素子を画面の異なる部位に相当する部位
に設けることができるので、適当にこれらを回路的に選
択接続することによシ、撮影被写体の各部の輝度又はそ
れらの適当な平均に対応して露光量を調整することが可
能となる。
■ 測光素子をカメラの光学系の途中の光学部材の面上
又はその間の自由な位置に設置できる。
■ 不透明電極を撮影レンズと反対の側に向ければ、フ
ァインダーからの逆入光の影響をガくすことができる。
■ 光電変換素子からの出力を取出す電極とは別に測光
素子群全体を覆うシールP周電極を付加することによシ
、ノイズの影響を少くし得る。
■ 光電変換物質、電極、リード線を蒸着又はエツチン
グで同時に多微細に形成できるので、安価に製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の斜視図、第2図および第3図
は夫々そのB−BおよびC−C断面、第4図は従来の一
眼レフカメラの概略側断面図、第5図ないし第7図は本
発明の各部る他の実施例の模式平面図である。 1・・・撮影レンズ、   2・・・ミラー、3・・・
ピント板、    4・・・コンデンサレンズ、9・・
・ガラス板、    10・・・光電変換物質、11・
・・透明電極、   12・・・不透明電極、13・・
・絶縁体、    14・・・シールド電極、15・・
・光電変換素子群、 16・・・リード線。 第1図 /゛ 第2図 第3図 第4図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一眼レフカメラのファインダー光路中に配置され
    る測光素子であって、透明基板上に透明電極、微細パタ
    ーン状の光電変換物質、これに対応するパターン状の電
    極をこの順に又は全く逆の順に積層してなる積層体を設
    けたことを特徴とする一眼レフカメラ用測光素子。
  2. (2)上記透明電極は撮影レンズからの光が入射する側
    にあり、上記パターン状の電極は不透明電極である特許
    請求の範囲第1項記載の一眼レフカメラ用測光素子。
  3. (3)上記パターン状の電極を透明絶縁体で覆い、透明
    基板および上記絶縁体の表面にシールド用電極の被覆を
    形成した特許請求の範囲第1項又は第2項記載の一眼レ
    フカメラ用測光素子。
  4. (4)積層体は透明基板上の異る複数個所に設けられて
    いる特許請求の範囲第1項記載の一眼レフカメラ用測光
    素子。
JP15026684A 1984-07-19 1984-07-19 一眼レフカメラ用測光素子 Pending JPS6128828A (ja)

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