JPS58168039A - カメラの測光装置 - Google Patents
カメラの測光装置Info
- Publication number
- JPS58168039A JPS58168039A JP57051517A JP5151782A JPS58168039A JP S58168039 A JPS58168039 A JP S58168039A JP 57051517 A JP57051517 A JP 57051517A JP 5151782 A JP5151782 A JP 5151782A JP S58168039 A JPS58168039 A JP S58168039A
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- JP
- Japan
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- layer
- photodiode
- photometric
- light
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/099—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、カメラの測光回路に用いられる測光素子に関
する。
する。
従来技術
従来、−眼レフカメラの測光回路の測光素子として、Ｃ
ｄＳや単結晶のシリコンホトダイオードが用いられ、ペ
ンタプリズムの後面の、接眼レンズの近くや、ミラーボ
ックスの底部に配されていた。このような測光素子の配
置においては、所望の入射光特性を得るために、測光素
子の位置決めを正確に行わなければならなかった。また
、撮影画面を多分割測光し、その任意の部分の出力を得
るのに適した配置ではなかった。
ｄＳや単結晶のシリコンホトダイオードが用いられ、ペ
ンタプリズムの後面の、接眼レンズの近くや、ミラーボ
ックスの底部に配されていた。このような測光素子の配
置においては、所望の入射光特性を得るために、測光素
子の位置決めを正確に行わなければならなかった。また
、撮影画面を多分割測光し、その任意の部分の出力を得
るのに適した配置ではなかった。
目的
本発明は、従来の装置における上述のような制約を除く
こと目的としてなされたものである。
こと目的としてなされたものである。
要旨
本発明は、アモルファスシリコン（ａ−ｓｉ）ホトダイ
オードがガラス等の基板に蒸着形成できるという性質を
利用して撮影レンズから露出フィー、ペンタプリズム等
の光学部材の表面部に直接に測光素子としてａ −ｓ
ｉホトダイオードを形成したことを主な特徴とする。
オードがガラス等の基板に蒸着形成できるという性質を
利用して撮影レンズから露出フィー、ペンタプリズム等
の光学部材の表面部に直接に測光素子としてａ −ｓ
ｉホトダイオードを形成したことを主な特徴とする。
光学部材の表面部に蒸着形成するにあたっては、複数の
ａ −ｓ ｉホトダイオードか任意の形状配列で構成で
き、スポット測光、中央部重点測光、全曲平均測光等の
種々の測光モードのための測光素子を構成できる。
ａ −ｓ ｉホトダイオードか任意の形状配列で構成で
き、スポット測光、中央部重点測光、全曲平均測光等の
種々の測光モードのための測光素子を構成できる。
実施例
１眼レフカメラの周知の光学系の構成を示す第１図にお
いて、１眼レフカメラ（１）は、撮影レンズ（２）、反
射ミラー（３）、焦点板（４）コンデンサレンズ（５）
、ペンタプリズム（６）オヨヒ接眼レンズ（７）の光学
部材を有している。
いて、１眼レフカメラ（１）は、撮影レンズ（２）、反
射ミラー（３）、焦点板（４）コンデンサレンズ（５）
、ペンタプリズム（６）オヨヒ接眼レンズ（７）の光学
部材を有している。
これらの光学部材のいずれかの光透過面、半透鏡面又は
光反射面上に以下に説明するように測光素子としてのａ
−ｓｉホトダイオードか形成される。
光反射面上に以下に説明するように測光素子としてのａ
−ｓｉホトダイオードか形成される。
第２．３．４図は、第１図における反射ミラー（３）又
はペンタプリズム（６）の被写体光を積極的に反射させ
る面に形成されるａ −ｓ ｉホトダイオードの構造を
示す。
はペンタプリズム（６）の被写体光を積極的に反射させ
る面に形成されるａ −ｓ ｉホトダイオードの構造を
示す。
第２図（ａ）において、ガラス基体（８）は、反射ミラ
ー（３）の裏面部（３ａ）、ペンタプリズム（６）の屋
根部（６ａ）あるいは前面部（６ｂ）のガラスに相当す
る。ガラス基体（８）の表面にはアルミまたは銀の蒸着
面（９）と半透鏡用のコーティング層（１０）が設けで
ある。
ー（３）の裏面部（３ａ）、ペンタプリズム（６）の屋
根部（６ａ）あるいは前面部（６ｂ）のガラスに相当す
る。ガラス基体（８）の表面にはアルミまたは銀の蒸着
面（９）と半透鏡用のコーティング層（１０）が設けで
ある。
コーチインク層（１０）の上にはａ −ｓ ｉホトダイ
オード（１１）が形成しである。尚、円（１２）の部分
の拡大図か第２図（ｂ）に示しである。
オード（１１）が形成しである。尚、円（１２）の部分
の拡大図か第２図（ｂ）に示しである。
第２図（ｂ）において、ａ−ｓｉホトダイオード（１１
）の部分は、透明導電膜（１３）、Ｐ層（１４）、ｉ層
（１５）、Ｎ層（１６）、アルミまたは銀の蒸着層（１
７）からなっている。
）の部分は、透明導電膜（１３）、Ｐ層（１４）、ｉ層
（１５）、Ｎ層（１６）、アルミまたは銀の蒸着層（１
７）からなっている。
ａ −ｓ ４ホトタイオード（１１）の厚みは約１μｍ
で、半透鏡コーティング層を含めて数μｍ程度である。
で、半透鏡コーティング層を含めて数μｍ程度である。
面、第２図（ａ）は次の第３図のものに此へて比較的受
光面積を広く構成した場合を示すものである。
光面積を広く構成した場合を示すものである。
第３図（ａ）は、受光面積の幅を比較的狭く構成した場
合のものを示す。尚、第２図（ａ）と同一の要素に対し
ては同一の符号を付す（以下も同様）。ａ −ｓ ｉホ
トダイオード（１１）の幅文は例えは３０μｍ程度につ
くられ、適当な間隔りをおいて規則的に配列される。Ｌ
とλの比に応じて反射面（９）全体の被写体光に対する
反射率か変化する。円（１８）部の拡大図を第３図（ｂ
）（ε）に示す。図から明らかなように、ａ −Ｓ Ｉ
ホトダイオードの層構造は第２図（ｂ）と同じである。
合のものを示す。尚、第２図（ａ）と同一の要素に対し
ては同一の符号を付す（以下も同様）。ａ −ｓ ｉホ
トダイオード（１１）の幅文は例えは３０μｍ程度につ
くられ、適当な間隔りをおいて規則的に配列される。Ｌ
とλの比に応じて反射面（９）全体の被写体光に対する
反射率か変化する。円（１８）部の拡大図を第３図（ｂ
）（ε）に示す。図から明らかなように、ａ −Ｓ Ｉ
ホトダイオードの層構造は第２図（ｂ）と同じである。
０第４図は、さらに他の構成を示す図である。
第４図（ａ）の円（１９）部の拡大図を示す第４図（ｂ
）において、ガラス基体（８）の表面上に全面的に透明
導電膜（１３）が付され、そのトに部分的にａ−ｓｉホ
トダイオード（１１）か形成され、他の部分には透明絶
縁膜（２０）か形成されている。さらに、ａ−ｓｉホト
ダイオード（１１）および透明絶縁膜（２０）の上に電
極及び光反射板の役目を担うアルミあるいは銀の蒸着膜
（９）が形成される。
）において、ガラス基体（８）の表面上に全面的に透明
導電膜（１３）が付され、そのトに部分的にａ−ｓｉホ
トダイオード（１１）か形成され、他の部分には透明絶
縁膜（２０）か形成されている。さらに、ａ−ｓｉホト
ダイオード（１１）および透明絶縁膜（２０）の上に電
極及び光反射板の役目を担うアルミあるいは銀の蒸着膜
（９）が形成される。
・・以上、第２図においては、数ｐ ｎｌの半透鏡用の
コーティング層を介してａ −ｓ ｉホトダイオードが
設けられるので、被写体光の一部は測光素子へ、また、
他の一部は観察のためのものとして接眼レンズ（７）に
向う。第３．４図においては、ガラス（８）を出た光が
直接ａ−ｓｉホトダイオードに入射するようになってい
るが、測光素子の巾Ｑと配列間隔りとの比を適当に定め
ることにより、像観察のための光を確保することができ
る。
コーティング層を介してａ −ｓ ｉホトダイオードが
設けられるので、被写体光の一部は測光素子へ、また、
他の一部は観察のためのものとして接眼レンズ（７）に
向う。第３．４図においては、ガラス（８）を出た光が
直接ａ−ｓｉホトダイオードに入射するようになってい
るが、測光素子の巾Ｑと配列間隔りとの比を適当に定め
ることにより、像観察のための光を確保することができ
る。
又、測光素子の巾Ｐを前述の如く３０μｍにすれは、フ
ァインタ像観察の際、測光素子の存在は殆んど分らない
。
ァインタ像観察の際、測光素子の存在は殆んど分らない
。
第５図および第６図は、ａ−ｓｉホトダイオードを被写
体が透過する焦点板（４）の後面（４ａ）、コンデンサ
レンズ（５）の後面（５ａ）、あるいはペンタプリズム
（６）の後面（６４）に設ける場合の実施例を示す図で
ある。第５１に＋（ａ）において、ガラス基体（８）は
、焦点板（４）の後面部（４ａ）、コンデンサレンズ（
５）の後面ｍ（５ａ）、ペンタプリズム（６）の後面部
（６鄭）のいずれかのカラス部に相当する。この場合ａ
−ｓｉ＄ｌ−ダイオードを設ける面は、像観察に供され
る被写体光が通過する場所であるから、像を不明確にし
てしまうような配置であっては好ましくない。そこで、
第３図、あるいは第４図と同様にａ−ｓｉホトダイオー
ド（１１）の幅を数十１１１１１とし、十分の間隔をと
って配列する。全体的には光の通過可能な面積に対する
全ホトダイオ−２ ドの面積か十分小さくなるよう（例えば令をＬの１／１
００倍）に設定する。円（２１）部の拡大図を第５図（
ｂ）に示す。ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１
３）が形成され、その上にａ−ｓｉホトダイオード（１
１）の層が設けである。
体が透過する焦点板（４）の後面（４ａ）、コンデンサ
レンズ（５）の後面（５ａ）、あるいはペンタプリズム
（６）の後面（６４）に設ける場合の実施例を示す図で
ある。第５１に＋（ａ）において、ガラス基体（８）は
、焦点板（４）の後面部（４ａ）、コンデンサレンズ（
５）の後面ｍ（５ａ）、ペンタプリズム（６）の後面部
（６鄭）のいずれかのカラス部に相当する。この場合ａ
−ｓｉ＄ｌ−ダイオードを設ける面は、像観察に供され
る被写体光が通過する場所であるから、像を不明確にし
てしまうような配置であっては好ましくない。そこで、
第３図、あるいは第４図と同様にａ−ｓｉホトダイオー
ド（１１）の幅を数十１１１１１とし、十分の間隔をと
って配列する。全体的には光の通過可能な面積に対する
全ホトダイオ−２ ドの面積か十分小さくなるよう（例えば令をＬの１／１
００倍）に設定する。円（２１）部の拡大図を第５図（
ｂ）に示す。ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１
３）が形成され、その上にａ−ｓｉホトダイオード（１
１）の層が設けである。
尚、受光向はＰ層（１４）である。
・、）第６図は、焦点板（４）の前面部（４ｂ）、コン
デンサレンズ（５）の前面部（５ｂ ）、ペンタプリズ
ム（６）の底部（６Ｃ）のいずれかにａ−ｓｉホトダイ
オードを配する場合の実施例を示す図である。第６図（
ａ）の円（２２）の部分の拡大図を示す第６図（ｂ）に
おいて、ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１３）
が設けられ、さらにその上にａ −ｓ ｉホトダイオー
ド（１１）層が設けられる。この場合、図示のように、
Ｎ層（１６）がガラス基体側に位置する。Ｐｉｌｌ（ｉ
４）の上に電極として透明導電膜（１３）が設けられる
。
デンサレンズ（５）の前面部（５ｂ ）、ペンタプリズ
ム（６）の底部（６Ｃ）のいずれかにａ−ｓｉホトダイ
オードを配する場合の実施例を示す図である。第６図（
ａ）の円（２２）の部分の拡大図を示す第６図（ｂ）に
おいて、ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１３）
が設けられ、さらにその上にａ −ｓ ｉホトダイオー
ド（１１）層が設けられる。この場合、図示のように、
Ｎ層（１６）がガラス基体側に位置する。Ｐｉｌｌ（ｉ
４）の上に電極として透明導電膜（１３）が設けられる
。
第７図は、上記実施例におけるａ −ｓ ｉホトタイオ
ードの平面的配置パターン例を示すもので各パターンは
、原則的には上記実施例のいずれの面トにも形成できる
。第７図（ａ）は、光学部材の表面上の周辺部を除く全
域に連続的にａ −ｓ ｉホトダイオードを設け、その
全体的出力を取出すことにより平均測光を行なうように
したものを示す。第７図（ｂ）（Ｃ）は、ａ−ｓｉホト
ダイオードを光学部材表面の中央部に円形又は矩形に設
は部分測光又は中央部重点測光をするようにしたものを
示し、その形状、面積は、設計上の要求に応じて適当に
定めればよい。第７図（ｄ）（ｅ）は同心状に複数の領
域に分割してａ −ｓ ｉホトダイオードを配し、各分
割領域ごとに出力を取出すようにし、その出力のうちの
いずれかを選択したり、その出力の算数用、算術平ａｍ
幾何平均等を演算して利用し、測光領域を選択したり、
測光方式を切換えたりするようにしたものを示す。第７
図（ｆ）（ｇ）はａ −ｓ ｉホトダイオードを多数の
領域の分割して配し、各分割部分ごとに出力を取出し、
それ等の出力から最小値や最大値を得たり前述のよう種
々の平均値を得る所謂多分割測光を示す。
ードの平面的配置パターン例を示すもので各パターンは
、原則的には上記実施例のいずれの面トにも形成できる
。第７図（ａ）は、光学部材の表面上の周辺部を除く全
域に連続的にａ −ｓ ｉホトダイオードを設け、その
全体的出力を取出すことにより平均測光を行なうように
したものを示す。第７図（ｂ）（Ｃ）は、ａ−ｓｉホト
ダイオードを光学部材表面の中央部に円形又は矩形に設
は部分測光又は中央部重点測光をするようにしたものを
示し、その形状、面積は、設計上の要求に応じて適当に
定めればよい。第７図（ｄ）（ｅ）は同心状に複数の領
域に分割してａ −ｓ ｉホトダイオードを配し、各分
割領域ごとに出力を取出すようにし、その出力のうちの
いずれかを選択したり、その出力の算数用、算術平ａｍ
幾何平均等を演算して利用し、測光領域を選択したり、
測光方式を切換えたりするようにしたものを示す。第７
図（ｆ）（ｇ）はａ −ｓ ｉホトダイオードを多数の
領域の分割して配し、各分割部分ごとに出力を取出し、
それ等の出力から最小値や最大値を得たり前述のよう種
々の平均値を得る所謂多分割測光を示す。
第８図は、第７図（ａ）の円（２３）部の拡大図で、第
７図の斜線部内の細部におけるａ−ｓ鳳ホトダイオード
配置の状態の例を示す。
７図の斜線部内の細部におけるａ−ｓ鳳ホトダイオード
配置の状態の例を示す。
第８図（ａ）は受光面が全面的に広かっているもの、（
ｂ）は複数個の素子を規則的に点状に配置したもの、（
Ｃ）は不規則に点状に配置したもの、（ｄ）は各素子を
長橢円又は長方形のような形状とし、それぞれを同一方
向に配置したものである。
ｂ）は複数個の素子を規則的に点状に配置したもの、（
Ｃ）は不規則に点状に配置したもの、（ｄ）は各素子を
長橢円又は長方形のような形状とし、それぞれを同一方
向に配置したものである。
第９図（ａ）、（ｂ）は例えば第７図（ａ ）のような
パターンにおいて、その素子の密度を、中央部には（ｂ
）のように粗く、周辺部は（ａ）のように密にした例を
示す。このようにすれば、撮影レンズの周辺装置低下に
対する測光補正ができる。
パターンにおいて、その素子の密度を、中央部には（ｂ
）のように粗く、周辺部は（ａ）のように密にした例を
示す。このようにすれば、撮影レンズの周辺装置低下に
対する測光補正ができる。
尚、上記の如き測光素子の配置は、−眼レフレックスカ
メラに限らす、レンズシャッタカメラやポケットカメラ
等にも適用できることは言うまでもなく、その場合、撮
影光学系やそれと独立したファイダ光学系の光学部材２
Ｆに測光素子を設けれは、測光光学＾を別設する必要が
な（なる。
メラに限らす、レンズシャッタカメラやポケットカメラ
等にも適用できることは言うまでもなく、その場合、撮
影光学系やそれと独立したファイダ光学系の光学部材２
Ｆに測光素子を設けれは、測光光学＾を別設する必要が
な（なる。
効果
以−Ｆ説明したように本発明によれば、アモルファスシ
リコンホトダイオードの構造的特性を利用して、撮影レ
ンズを通過してフィルム露出面に向う被写体光あるいは
像観察者の眼に向う被写体光を受光できる位置に測光素
子を配するようにしたので多分割測光、部分測光、等々
の種々の測光モードを自由に選択設計ができ、またカメ
ラ内のスペースに従来に比べて余裕ができ、さらに、カ
メラ組立時、測光素子の取付け、位置調整等の工程か省
略でき、多大の効果をもたらす。
リコンホトダイオードの構造的特性を利用して、撮影レ
ンズを通過してフィルム露出面に向う被写体光あるいは
像観察者の眼に向う被写体光を受光できる位置に測光素
子を配するようにしたので多分割測光、部分測光、等々
の種々の測光モードを自由に選択設計ができ、またカメ
ラ内のスペースに従来に比べて余裕ができ、さらに、カ
メラ組立時、測光素子の取付け、位置調整等の工程か省
略でき、多大の効果をもたらす。
第１図は一眼レフレックスカメラの光学系の概略図、第
２図乃至第６図は本発明による光電変換層の構成例を示
す部分断面図、第７図は同光電変換層の平面的配置例を
示す説明図、第８．９図は同光電変換層の、細部におけ
る平面的配置状態を示す説明図である。 ８ニガラス基体、 ９ニアルミまた銀の蒸〜膜、 １
０：半透膜、 １に光電変換層、１３：透明導電膜、
１４；Ｐ層、 １５： １層、 １６：Ｎ層、 １７；光反射性導
電膜 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 （αン （ｂ） 第３図 （（Ｚ） ＜ｂ＞ 、。） 第４図 （（１） （し） 第５図 （（１） （ｂ） 第７図 第３図
２図乃至第６図は本発明による光電変換層の構成例を示
す部分断面図、第７図は同光電変換層の平面的配置例を
示す説明図、第８．９図は同光電変換層の、細部におけ
る平面的配置状態を示す説明図である。 ８ニガラス基体、 ９ニアルミまた銀の蒸〜膜、 １
０：半透膜、 １に光電変換層、１３：透明導電膜、
１４；Ｐ層、 １５： １層、 １６：Ｎ層、 １７；光反射性導
電膜 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 （αン （ｂ） 第３図 （（Ｚ） ＜ｂ＞ 、。） 第４図 （（１） （し） 第５図 （（１） （ｂ） 第７図 第３図
Claims (1)
- 変換層を形成し、その出力を電気的に取出すようにした
ことを特徴とする測光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051517A JPS58168039A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | カメラの測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051517A JPS58168039A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | カメラの測光装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7891589A Division JPH01308929A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | カメラの測光装置 |
| JP7891489A Division JPH01308925A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | カメラの測光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168039A true JPS58168039A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12889196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051517A Pending JPS58168039A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | カメラの測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168039A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198433A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Asahi Optical Co Ltd | カメラの測光装置 |
| JPS6474425A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nikon Corp | Photodetecting element for light measurement of camera |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4737649U (ja) * | 1971-05-26 | 1972-12-26 | ||
| JPS53119030A (en) * | 1977-03-26 | 1978-10-18 | Nippon Chemical Ind | Reflection mirror device for singleelens reflex camera |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57051517A patent/JPS58168039A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4737649U (ja) * | 1971-05-26 | 1972-12-26 | ||
| JPS53119030A (en) * | 1977-03-26 | 1978-10-18 | Nippon Chemical Ind | Reflection mirror device for singleelens reflex camera |
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| JPS59198433A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Asahi Optical Co Ltd | カメラの測光装置 |
| JPS6474425A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Nikon Corp | Photodetecting element for light measurement of camera |
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