JPH01308929A - カメラの測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カメラの測光装置に関する。

従来の技術 従来、ファインダー光学系の光反射面に光透過手段を設
け、その透過光により測光する場合、この測光のための
受光素、子を前記光反射面とは別の位置に配置していた
。そして肋記透過光をこの受光素子へ導くためミラー等
を設けていた。

さらに、前記受光素子は前記透過光の焦点位置に配置さ
れていた。

発明が解決しようとする課題 ところで、受光素子を合焦位置に配置するのは、画面上
の一点で測光したり、はっきり境界を定めた範囲の測光
を行うためであり、画面の平均的な光を測光する場合は
合焦位置に配置する必要はない。

そこで、前記反射面の裏面の前記透過光を直接受ける位
置に配置する装置が考えられる。ところが、前記受光素
子を単に反射面裏面の前記の位置に配置した場合、前記
受光素子が光透過性であると、前記透過光は前記受光素
子をも透過してしまう。カメラにおいては、光学系以外
の部分に光がもれることは思わしくないことである。そ
こで本発明は、反射面の裏側へ光を透過させて、その透
通光で測光するにあｔ；す、光学系以外の部分に光がも
れない測光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 面記課題を解決するため、本発明は、第３図又は第４図
に示すように、カメラのファインダー光学系に配置され
た光反射面と、この光反射面に入射する被写体光のうち
少なくとも一部を前記反射面裏側へ透過させる光透過手
段と、前記反射面裏面の前記透過光を直接受ける位置に
配置され、前記透過光の光量に応じて電気量を出力する
光透過性の受光素子と、この受光素子の入射側に対して
裏側に配置され、少なくとも前記受光素子を覆い、遮光
するとともに前記電気量を取出す電極とを有することを
特徴とするものである。

作　　　用 前記反射面に達した被写体光の一部は光透過手段により
、反射面の裏面の受光素子に入射する。

そして、受光素子の出力は電極から取出される。

また、受光素子を透過した光は電極によって遮光される
。

実施例 １眼レフカメラの周知の光学系の構成を示−す第１図に
おいて、ｌ眼しフカメラ（１）は、撮影レンズ（２）、
反射ミラー（３）、焦点板（４）、コンデンサレンズ（
５）、ペンタプリズム（６）および接眼レンズ（７）の
光学部材を有している。これらの光学−ｓｉホトダイオ
ーード）が形成される。

第２．３．４図は、第１図における反射ミラー（３）又
はペンタプリズム（６）の被写体光を積極的に反射させ
る面に形成されるａ−ｓｉホトダイオードの構成を示す
。

第２図（ａ）において、ガラス基体（８）は、反射ミラ
ー（３）の裏面部（３ａ）、ペンタプリズム（６）の屋
根部（６ａ）あるいは前面部（６ｂ）のガラスに相当す
る。ガラス基体（８）の表面にはアルミまたは銀の蒸着
面（９）と半透鏡用のコーティング層（ｌＯ）が設けで
ある。コーティング層（ｌＯ）の上にはａ−ｓｉホトダ
イオード（ｌ　ｌ）が形成しである。

尚、円（１２）の部分の拡大図が第２図（ｂ）に示しで
ある。第２図（ｂ）において、ａ−ｓｉホトダイオード
（ＩＩ）の部分は、透明導電膜（１３）、ｐ層（１４）
、１層（１５）、Ｎ層（１６）、アルミまたは銀の蒸着
１（＋７）からなっている。ａ−ｓｉホトダイオード（
ＩＩ）の厚みは約１μｍで、半透鏡コーティング層を含
めて数μｍ程度である。尚、第２図（ａ）は次の第３図
のものに比べて比較的受光面積を広く構成した場合を示
すものである。

第３図（ａ）は、受光面積の幅を比較的狭く構成した場
合のものを示す。尚、第２図（ａ）と同一の要素に対し
ては同一の符号を付す（以下も同様）。

ａ−ｓｉホトダイオード（１１）の幅ａは例えば３０μ
ｍ程度につくられ、適当な間隔りをおいて規則的に配列
される。ＬとＱの比に応じて反射面（９）全体の被写体
光に対する反射率が変化する。円（１８）部の拡大図を
第３図（ｂ）（ｃ）に示す。図から明らかなように、ａ
−ｓｉホトダイオードの層構造は第２図（ｂ）と同じで
ある。

第４図は、さらに他の構成を示す図である。第４図（ａ
）の円（１９）部の拡大図を示す第４図（ｂ）において
、ガラス基体（８）の表面上に全面的に透明導電膜（１
３）が付され、その上に部分的にａ−ｓｉホトダイオー
ド（＋１）が形成され、他の部分には透明絶縁膜（２０
）が形成されている。さらに、ａ−ｓｉホトダイオード
（ＩＩ）および透明絶縁膜（２０）の上に電極及び光反
射板の役目を担うアルミあるいは銀の蒸着膜（９）が形
成される。

以上、第２図においては、数μｍの半透鏡用のコーティ
ング層を介してａ−ｓｉホトダイオードが設けられるの
で、被写体光の一部は測光素子へ、また、他の一部は観
察のためのものとして接眼レンズ（７）に向かう。第３
．４図においては、ガラス（８）を出た光が直接ａ−ｓ
ｉホトダイオードに入射するようになっているが、測光
素子の巾Ｑと配列間隔りとの比を適当に定めることによ
り、像観察のための光を確保することができる。又、測
光素子の巾Ｑを前述の如く３０μｍにすれば、ファイン
ダ像観察の際、測光素子の存在は殆ど分からない。

第５図及び第６図は、ａ−ｓｉホトダイオードを被写体
が透過する焦点板（４）の後面（４ａ）、コンデンサレ
ンズ（５）の後面（５ａ）、あるいはペンタプリズム（
６）の後面（６ｄ）に設ける場合の実施例を示す図であ
る。第５図（ａ）において、ガラス基体（８）は、焦点
板（４）の後面部（４ａ）、コンデンサレンズ（５）の
後面！（５ａ）、ペンタプリズム（６）の後面部（６ｄ
）のいずれかのガラス部に相当する。

この場合ａ−ｓｉホトダイオードを設ける面は、像観察
に供される被写体光が通過する場所であるから、像を不
明確にしてしまうような配置であっては好ましくない。

そこで、第３図、あるいは第４図と同様にａ−ｓｉホト
ダイオード（ＩＩ）の幅を数十μｍとし、十分の間隔を
とって配列する。全体的には光の通過可能な面積に対す
る全ホトダイオードの面積が十分小さくなるよう（例え
ば４をＬの１／１００倍）に設定する。円（２１）部の
拡大図を第５図（ｂ）に示す。ガラス基体（８）の表面
に透明導電膜（１３）が形成され、その上にａ　−ｓｉ
ホ［・ダイオード（１１）の層が設けである。尚、受光
面はｐ層（１４）である。

第６図は、焦点板（４）の前面部（４ｂ）、コンデンサ
レンズ（５）の前面部（５ｂ）、ペンタプリズム（６）
の底部（６ｃ）のいずれかにａ−ｓｉホトダイオードを
配する場合の実施例を示す図である。第６図（ａ）の円
（２２）の部分の拡大図を示す第６図（ｂ）において、
ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１３）が設けら
れ、さらにその上にａ−ｓｉホトダイオード（１１）層
が設けられる。この場合、図示のように、Ｎ層（１６）
がガラス基体側に位置する。ｐ層（１４）の上に電極と
して透明導電膜（１３）が設けられる。

第７図は、上記実施例におけるａ−ｓｉホトダイオード
の平面的配置パターン例を示すもので各パターンは、原
則的には上記実施例のいずれかの面上にも形成できる。

第７図（ａ）は、光学部材の表面上の周辺部を除く全域
に連続的にａ−ｓｉホトダイオードを設け、その全体的
出力を取出すことにより平均測光を行うようにしたもの
を示す。第７図（ｂＸＣ）は、ａ−ｓｉホトダイオード
を光学部材表面の中央部に円形又は矩形に設は部分測光
又は中央部重点測光をするようにしたものを示し、その
形状、面積は、設計上の要求に応じて適当に定めればよ
い。第７図（ｄＸｅ）は同心状に複数の領域に分割して
ａ−ｓｉホトダイオードを配し、各分割領域ごとに出力
を取出すようにし、その出力のうちのいずれかを選択し
たり、その出力の算数和、算術平均、幾何平均当を演算
して利用し、測光領域を選択したり、測光方式を切換え
ｊ；りするようにしたものを示す。第７図（ｆＸｇ）は
ａ−ｓｉホトダイオードを多数の領域の分割して配し、
各分割部分ごとに出力を取出し、それ等の出力から最小
値や最大値を得たり前述のよう種々の平均値を得る所謂
多分割測光を示す。

第８図は、第７図（ａ）の円（２３）部の拡大図で、第
７図の斜線部内の細部におけるａ−ｓｉホトダイオード
配置の状態の例を示す。

第８図（ａ）は受光面が前面的に広がっているもの、（
ｂ）は複数個の素子を規則的に点状に配置したもの、（
Ｃ）は不規則に点状に配置したもの、（ｄ）は各素子を
長橢円又は長方形のような形状とし、それぞれを同一方
向に配置したものである。第９図は（ａ）、（ｂ）は例
えば第７図（ａ）のようなパターンにおいて、その素子
の密度を、中央部には（ｂ）のように粗く、周辺部は（
ａ）のように密にした例を示す。このようにすれば、撮
影レンズの周辺光量低下に対する測光補正ができる。

尚、上記の如き測光素子の配置は、−眼レフレックスカ
メラに限らず、レンズシャッタカメラやポケットカメラ
等にも適用できることは言うまでもなく、その場合、撮
影光学系やそれと独立したファイダ光学系の光学材上に
測光素子を設ければ、副光光学系を別設する必要がなく
なる。

発明の効果 本発明によれば、受光素子の裏側を電極で覆うため、受
光素子を透過しようとする光は、この電極で遮光される
。よって、光学系以外の部分に光がもれることはない。

また、受光素子の出力を取出す電極が遮光しているため
、遮光のための特別な構成を必要としない。

【図面の簡単な説明】

第１図は一眼レフレックスカメラの光学系の概略図、第
２図乃至第６図は本発明による光電変換層の構成例を示
す部分断面図、第７図は同光電変換層の平面的配置例を
示す説明図、第８．９図は同光電変換層の、細部におけ
る平面的配置状態を示す説明図である。 ８ニガラス基体、９ニアルミまたは銀の蒸着膜、ｌＯ；
半透膜、１１：光電変換層、１３：透明導電膜、＋４：
ｐ層、１５：ｉ層、１６：Ｎ層、１７：光反射性導電膜 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 （αン　　　　　　　　　　　　（ｂ）区 αつ 韓 寸 味 第５図 （（１）　　　　　　（ｂ） 第７図　　　　第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 カメラのファインダー光学系に配置された光反射面と、
   この光反射面に入射する被写体光のうち少なくとも一部
   を前記反射面裏側へ透過させる光透過手段と、 前記反射面裏面の前記透過光を直接受ける位置に配置さ
   れ、前記透過光の光量に応じて電気量を出力する前記透
   過光の受光素子と、 この受光素子の入射側に対して裏側に配置され、少なく
   とも前記受光素子を覆い、遮光するとともに、前記電気
   量を取出す電極とを有することを特徴とするカメラの測
   光装置。