JPH01308925A - カメラの測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カメラの測光装置に関する。

従来の技術 従来の測光装置においては、特開昭５６−８９０２９号
公報に開示された装置のように、画面を多数に分割して
、それぞれの部分について同じ感度の測光出力を得、そ
の後それぞれの測光出力について電気的に重み付けを行
っていた。

発明が解決しようとする課題 ところが、この装置においては測光出力に重み付けをす
るための回路構成が必要であるため装置の大型化を招い
たり高価になるといった問題がありｔこ　。

そこで本発明は、重み付けのための回路を必要としない
測光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 前記課題を解決するため、本発明は、第９図に示すよう
に、被写体光を受ける面と、この面内に配置され、前記
被写体光を受けてその光量に応じた電気量を出力する光
電変換素子からなる受光部とを有する測光装置において
、前記面内に前記受光部が密に配置された部分と粗に配
置された部分を有することを特徴とするものである。

作　　　用 受光部が密に配置された部分に入射する被写体光は感度
が高く光電変換され粗に配置された部分に入射する被写
体光は感度が低く光電変換されて出力される。

実施例 １眼し７カメラの周知の光学系の構成を示す第１図にお
いて、ｌ眼しフカメラ（１）は、撮影レンズ（２）、反
射ミラー（３）、焦点板（４）、コンデンサレンズ（５
）、ペンタプリズム（６）および接眼レンズ（７）の光
学部材を有している。これらの光学−ｓｉホトダイオ◆
−ド）が形成される。

第２．３．４図は、第１図における反射ミラー（３）又
はペンタプリズム（６）の被写体光を積極的に反射させ
る面に形成されるａ−ｓｉホトダイオードの構成を示す
。

第２図（ａ）において、ガラス基体（８）は、反射ミラ
ー（３）の裏面部（３ａ）、ペンタプリズム（６）の屋
根部（６ａ）あるいは前面部（６ｂ）のガラスに相当す
る。ガラス基体（８）の表面にはアルミまたは銀の蒸着
面（９）と半透鏡用のコーティング層（ｌＯ）が設けで
ある。コーティング層（ｌＯ）の上にはａ−ｓｉホトダ
イオード（１１）が形成しである。

尚、円（１２）の部分の拡大図が第２図（ｂ）に示しで
ある。第２図（ｂ）において、ａ−ｓｉホトダイオード
（１１）の部分は、透明導電膜（１３）、ｐ層（１４）
、ｉ層（１５）、Ｎ層（１６）、アルミまたは銀の蒸着
層（１７）からなっている。ａ−ｓｉホトダイオード（
１１）の厚みは約ＩＩｔｎ＋で、半透鏡コーティング層
を含めて数μｍ程度である。尚、第２図（ａ）は次の第
３図のものに比べて比較的受光面積を広く構成した場合
を示すものである。

第３図（ａ）は、受光面積の幅を比較的狭く構成した場
合のものを示す。尚、第２図（ａ）と同一の要素に対し
ては同一の符号を付す（以下も同様）。

ａ−ｓｉホトダイオード（ｌ　ｌ）の輻ａは例えば３０
μｍ程度につくられ、適当な間隔りをおいて規則的に配
列される。ＬとＱの比に応じて反射面（９）全体の被写
体光に対する反射率が変化する。円（１８）部の拡大図
を第３図（ｂ）（ｃ）に示す。図から明らかなように、
ａ−ｓｉホトダイオードの層構造は第２図（ｂ）と同じ
である。

第４図は、さらに他の構成を示す図である。第４図（ａ
）の円（１９）部の拡大図を示す第４図（ｂ）において
、ガラス基体（８）の表面上に全面的に透明導電膜（１
３）が付され、その上に部分的にａ−ｓｉホトダイオー
ド（ｌ　ｌ）が形成され、他の部分には透明絶縁膜（２
０）が形成されている。さらに、ａ−ｓｉホトダイオー
ド（１１）および透明絶縁膜（２０）の上に電極及び光
反射板の役目を担うアルミあるいは銀の蒸着膜（９）が
形成される。

以上、第２図においては、数μｍの半透鏡用のコーティ
ング層を介してａ−ｓｉホトダイオードが設けられるの
で、被写体光の一部は測光素子へ、また、他の一部は観
察のためのものとして接眼レンズ（７）に向かう。第３
．４図においては、ガラス（８）を出た光が直接ａ−ｓ
ｉホトダイオードに入射するようになっているが、測光
素子の巾ａと配列間隔りとの比を適当に定めることによ
り、像観察のための光を確保することができる。又、測
光素子の巾Ｑを前述の如く３０μｍにすれば、ファイン
ダ像観察の際、測光素子の存在は殆ど分からない。

第５図及び第６図は、ａ−ｓｉホトダイオードを被写体
が透過する焦点板（４）の後面（４ａ）、コンデンサレ
ンズ（５）の後面（５ａ）、あるいはペンタプリズム（
６）の後面（６ｄ）に設ける場合の実施例を示す図であ
る。第５図（ａ）において、ガラス基体（８）は、焦点
板（４）の後面部（４ａ）、コンデンサレンズ（５）の
後面部（５ａ）、ペンタプリズム（６）の後面部（６ｄ
）のいずれかのガラス部に相当する。

この場合ａ−ｓｉホトダイオードを設ける面は、像観察
に供される被写体光が通過する場所であるから、像を不
明確にしてしまうような配置であっては好ましくない。

そこで、第３図、あるいは第４図と同様にａ−ｓｉホト
ダイオード（１１）の幅を数十μｍとし、十分の間隔を
とって配列する。全体的には光の通過可能な面積に対す
る全ホトダイオードの面積が十分小さくなるよう（例え
ばＱをＬの１／１００倍）に設定する。円（２１）部の
拡大図を第５図（ｂ）に示す。ガラス基体（８）の表面
に透明導電膜（１３）が形成され、その上にａ　−ｓｉ
ホトダイオード（１１）の層が設けである。尚、受光面
はｐ層（１４）である。

第６図は、焦点板（４）の前面部（４ｂ）、コンデンサ
レンズ（５）の前面部（５ｂ）、ペンタプリズム（６）
の底部（６Ｃ）のいずれかにａ−ｓｉホトダイオードを
配する場合の実施例を示す図である。第６図（ａ）の円
（２２）の部分の拡大図を示す第６図（ｂ）において、
ガラス基体（８）の表面に透明導電膜（１３）が設けら
れ、さらにその上にａ−ｓｉホトダイオード（ｌ　ｌ）
層が設けられる。この場合、図示のように、Ｎ層（１６
）がガラス基体側に位置する。ｐ層（１４）の上に電極
として透明導電膜（１３）が設けられる。

第７図は、上記実施例におけるａ−ｓｉホトダイオード
の平面的配置パターン例を示すもので各パターンは、原
則的には上記実施例のいずれかの面上にも形成できる。

第７図（ａ）は、光学部材の表面上の周辺部を除く全域
に連続的にａ−ｓｉホトダイオードを設け、その全体的
出力を取出すことにより平均測光を行うようにしたもの
を示す。第７図（ｂＸｃ）は、ａ−ｓｉホトダイオード
を光学部材表面の中央部に円形又は矩形に設は部分測光
又は中央部重点測光をするようにしたものを示し、その
形状、面積は、設計上の要求に応じて適当に定めればよ
い。第７図（ｄＸｅ）は同心状に複数の領域に分割して
ａ−ｓｉホトダイオードを配し、各分割領域ごとに出力
を取出すようにし、その出力のうちのいずれかを選択し
たり、その出力の算数和、算術平均、幾何平均当を演算
して利用し、測光領域を選択したり、測光方式を切換え
たりするようにしたものを示す。第７図（ｆＸｇ）はａ
−ｓｉホトダイオードを多数の領域の分割して配し、各
分割部分ごとに出力を取出し、それ等の出力から最小値
や最大値を得たり前述のよう種々の平均値を得る所謂多
分割測光を示す。

第８図は、第７図（ａ）の円（２３）部の拡大図で、第
７図の斜線部内の細部におけるａ−ｓｉホトダイオード
配置の状態の例を示す。

第８図（ａ）は受光面が前面的に広がっているもの、（
ｂ）は複数個の素子を規則的に点状に配置したもの、（
Ｃ）は不規則に点状に配置したもの、（ｄ）は各素子を
長橢円又は長方形のような形状とし、それぞれを同一方
向に配置したものである。第９図は（ａ）、（ｂ）は例
えば第７図（ａ）のようなパターンにおいて、その素子
の密度を、中央部には（ｂ）のように粗く、周辺部は（
ａ）のように密にした例を示す。このようにすれば、撮
影レンズの周辺光量低下に対する測光補正ができる。

尚、上記の如き測光素子の配置は、−眼レフレックスカ
メラに限らず、レンズシャッタカメラやポケットカメラ
等にも適用できることは言うまでもなく、その場合、撮
影光学系やそれと独立したフアイダ光学系の光学材上に
測光素子を設ければ、測光光学系を別設する必要がなく
なる。

発明の効果 本発明により次のような効果が得られる。

被写体光を受ける面内で受光部を密に配置した部分と粗
に配置した部分を設けるため、画面内で感度の違う測光
が行われ、前記受光部の密度の違いに応じた重み付けを
施された測光出力を得ることができる。すなわち、測光
出力はすでに重み付けされた出力であり、その後、重み
付けを行うための回路構成を必要としない。

【図面の簡単な説明】

第１図は一眼し７レツクスカメラの光学系の概略図、第
２図乃至第６図は本発明による光電変換層の構成例を示
す部分断面図、第７図は同光電変換層の平面的配置例を
示す説明図、第８．９図は同光電変換層の、細部におけ
る平面的配置状態を示す説明図である。 ８ニガラス基体、９ニアルミまた銀の蒸着膜、ｌＯ：半
透膜、ｌｌ：光電変換層、１３：透明導電膜、１４：ｐ
層、１５：ｉ層、１６：Ｎ層、１７：光反射性導電膜 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 （αン　　　　　　　　　　　　（ｂ）第３図 （（１）　　　（ｂ）　　　　（Ｃ） 第４図　・α）　　。９） 第５図 （（２）　　　　　（ｂ） 第７　図　　　　　　　第８　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 被写体光を受ける面と、この面内に配置され、前記被写
   体光を受けてその光量に応じた電気量を出力する光電変
   換素子からなる受光部とを有する測光装置において、 前記面内に前記受光部が密に配置された部分と粗に配置
   された部分を有することを特徴とするカメラの測光装置
   。