JPS6159433A - カメラ用測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は微細なる複数の光電変換素子により測光を行な
うカメラ用測光装置に関する。

（従来技術） 従来、−眼レフレックスカメラの測光装置は、例えばコ
ンデンサレンズに形成した例えばマイクロビームスプリ
ッタなどの光分割部材によって測光素子へ光束を導くも
の、或いはペンタプリズムの光束出射面に設けたフレネ
ルレンズを介して集光するものなどが提案されているが
、ファインダ視野での光量分布の阻害、又は測光方式を
変更する場合には光分割部材の変換を要するなどの欠点
を有していた。

第１図、第２図は従来の測光装置の一例であシ、第１図
は一眼レフレックスカメラの光学系の断面図である。こ
こで、撮影レンズ１を透過した被写体光は、レフレック
スミラー２によシ上方に反射され、ピント板３、光分割
部材４、測光素子５、コンデンサレンズ６、ペンタプリ
ズム７を経て接眼レンズ８に至る。この方式では、接眼
レンズ８を介して被写体を見たとき、光分割部材４を通
過する光束の一部分が遮光され、ファインダ中央部に陰
影が生ずる弊害がある。また、測光素子５に取シ込む光
線の領域は光分割部材４の形伏によって決定されるもの
であシ、画面中央部を重点とする中央重点測光、画面全
体の平均像とし捉える平均測光等があって、それぞれの
測定領域は固定されている。従って、測光領域を変えた
い場合には光分割部材４の形成されたコンデンサレンズ
６を取り換える必要がある。

第２図の従来例においては、図示しない撮影レンズを透
過した被写体光は、レフレックスミラー２で反射されフ
ォーカシングスクリーン９を経てペンタプリズム７で屈
折し接眼レンズ８に至っている。この測光方式は、ペン
タプリズム７の出射面に配置された７レネルレンズ１０
により、その出射位置に対応して設けられた測光素子５
に集光する方式である。この場合は第１図と異なってフ
ァインダ中央部に陰影が生ずることはないが、前述の多
様な測光方式に対応し得るものではなく、測光方式の切
換えを行うことは容易ではない。

（発明の概略） 本発明の目的は、ファインダ視野に影響を与えることの
ない光電変換素子を使用し、被写体全体の情報を適確に
測光し得るカメラの測光装置を提供することにあり、そ
の要旨は、カメラ用測光装置において、微細な幅で形成
した光電変換素子を被写体光路中に配置する際に光電変
換素子からの出力信号を取り出す電極の一方の外側に絶
縁物を介して、別の電極を設けて、この電位をグランド
に落したことを特徴とするカメラ用測光装置である。

（実施例） 次に、本発明を第３図以下に図示の実施例に釣づいて詳
細に説明する。

第３図は光学系の断面図であり、第４図は光電変換素子
群の配置例の平面図、第５図は光電変換素子体の斜視図
である。

第３図において、図示しない撮影レンズを透過した被写
体光は、レフレックスミラー２１で反射され、焦点面よ
り少しずれた位置に設けられた光電変換素子群２２と、
これに接して配置されたコンデンサレンズ２３を経てペ
ンタプリズム２４を介して接眼レンズ２５に入射するよ
うになっている。光電変換素子群２２は第４図に示すよ
うに櫛歯形の光電変換素子体２６の配列により構成され
ている。そしてとの光電変換素子体２６の構造は、第５
図に示すようにガラス板２７上に下部電極２８が配置さ
れ、その上に光電変換素子２９及び上部電極３０がそれ
ぞれ同形の櫛歯状に積層配置されており、櫛歯部及び背
部に相当する構成材の幅ｄは数μｍ以下の微細線に形成
されている。電極２８．３０の端部にはリード線３１，
３２が接続されており、下部電極２８、光電変換素子２
９、上部電極３゜及びリード線３１．３２は一体化され
ている。

光電変換素子２９は櫛歯の組合わせにより、幾つかのブ
ロックに分割され多様の測光方式に対応可能に配置され
ており、それぞれの電極２８．３０の端部に接続された
リード線３１，３２を結ぶ回路により、単独に或いは合
成の切換えが可能となっている。

光電変換素子２９にＣｄＳ又はアモルファス・シリコン
を単に使用すると、これらは可視光に対する透過率が少
ないため、ファインダの視界が妨げられることになる。

しかし、本発明に係る光電変換素子群２６の歯部の幅ｄ
は数μｍ以下であるため、肉眼では識別することが不可
能であシ、ファインダの視界に影響を与えることはない
。更に、　ＣｄＳ又はアモルファス・シリコンは例えば
電極２８，３０などの母材に蒸着が可能であシ、容易に
光電変換素子体２６を形成でき、それぞれの櫛歯状の領
域のパターンが自由に構成可能なので、中央重点測光、
平均測光等の測定方式の選択が組合わせにより容易に実
現できる。なお、光電変換素子２９はＣｄＳ又はアモル
ファス・シリコンに代って他の材質を用いてもよい。

第５図において、例えば、Ｐｉｎ構造のアモルファス・
シリコンを用いる場合には、ガラス基板２７０片側に透
明電極４０を設けて、第６図に示すような演算処理回路
を用いる。ここで、４５はＰＷのアモルファス・シリコ
ン、４４はｉ型のアモルファス・シリコン、４３はｎ型
のアモルファス・シリコンである。この時、光電流の流
れる向きを第６図の矢印で示す。

る光電変換素子群２２を組込んだもので、５０は定電圧
電源、５２，６０．６４はオペアンプ、５４．５６は調
整用抵抗、６２は温度補償用ダイオード、６６は対数圧
縮用ダイオード、１００はカメラの制御回路を示してい
る。ここで、ダイオード６２．６６を同じ温度特性を持
つものにして、向きを逆にすることにより温度補償を簡
単な構成にて行なうことを可能としている。

第６図においては、電極２８をオペアンプ６４の一極端
子に接続し、電極３０を十極端子に接続している。

第５図に示す素子を第３図に示すファインダー光学系に
配置する場合であって、アモルファス・シリコンが配置
されているガラス基板を撮影レンズとは反対側に設置す
る場合には、電極３０は不透明の電極、電極２８は透明
電極を用いることにより、ファインダー側からの逆入光
の影響をなくシ、被写体に対して正確な測光が可能とな
る。この時、第６図に示す演算処理回路によシ片側は透
明電極４０でシールドされ、電極２８を介しての出力は
基準電圧になっているため、ノイズの影響を受けないよ
うになっている。

又、これとは逆に第７図に示すように、アモルファス・
シリコンが設けられているガラス裁板２７を撮影レンズ
側に配置した場合でも第７図に示す構成の様に上述第６
図と同様な接続にて、ノイズの影響を々クシ、またファ
インダーからの逆入光の影響もなくすことができる。

なお、第７図においては、上述の第６図と同様な構成を
用いているので同符号を用いて説明を省略する。

第８図から１０図は他の実施例を示すものであり、第８
図は光電変換素子２９を同心円状に配設して光電変換素
子体２６′を形成しだ光電変換素子群２２である。第９
図は他の光学系を示すもので、この光学系は光束の入射
側から順にレフレックスミラー２１からフォーカシング
スクリーン３３、コンデンサレンズ２３、光電変換素子
群２２）ペンタプリズム２４、接眼レンズ２５の配役と
なっており、ペンタプリズム２４の入射面に設けられた
光電変換素子群２２はフォーカシングスクリーン３３上
の焦点面から比較的大きくずらして配電している。第１
０図はさらに他の光学系を示すもので、この光学系では
レフレックスミラー２１、光電変換素子群２２）フォー
カシングスクリーン３３、コンデンサレンズ２３、ペン
タプリズム２４、接眼レンズ２５の順に配置されており
、フォーカシングスクリーン３３の前段に設けられた光
電変換素子群２２と焦点面とのずれ量は、第９図の光学
系に比較して小さなずれ量の設定となっている。

なお、本発明において上述した第６図及び第７図での演
算処理回路はこれに限定されるものではなく、当然他の
測光の為の演算処理回路を用いても本発明の実施は可能
である。

又、上述の実施例では光電変換素子をＰｉｎ構造のアモ
ルファス・シリコンにて説明したが、他の素子、例えば
光伝導型のＣｄＳを用いても同様な実施が行なえること
は無論である。

（発明の効果） 以上、説明したように本発明は、測光素子として微細幅
の光電変換素子群を用いることによシ、ファインダの視
界に影響を与えない。又、本発明は上記光電変換素子か
らの出力信号を取出す電極の一方の外側に絶縁物を介し
て別の電極を設けて、その電位をグランドに落としたこ
とにより、ノイズの影響を受けないようにしたカメラ用
測光装置を提供することができる。

又、本発明の実施例においては、光電変換素子の撮影レ
ンズ側の面の電極を透明電極とし、反対側を不透明電極
とすることにより、ファインダーからの逆入光の影響を
防ぐことができる。

又、実施例においては、光電変換素子体を複数個のブロ
ックに分割し、その組合せにより多数の測光方式がスイ
ッチの切換えにより容易に選択可能である。

又、実施例においては、光電変換素子を電極などの母材
に対して蒸着にて形成できる素材を選択したことから、
安価な測光装置を提供できる０ 又、さらに実施例においては光電変換素子を焦点面近傍
に配置したため、測光のＦナンバーの比例性がよく、又
、開放ナンバーの補正も不要となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来のカメラ光学系の断面図。 第３図は本発明の実施例としてのカメラ光学系の断面図
。 第４図は本発明の実施例に係る光電変換素子群の平面図
。 第５図は第４図に示した光電変換素子の拡大斜視図。 第６図及び第７図は第５図の光電変換素子を演算処理回
路に接続した例を示す回路図。 第８図は本発明の他の実施例に係る光電変換素子群の平
面図。 第９図及び第１０図は本発明に係る光電変換素子群の他
の配置例を示すカメラ光学系の、断面図０ ２２・・・光電変換素子群、 ２６・・・光電変換素子体、 ２７・・・ガラス基板、 ２８・・・不透明な下部電極、 ２９・・・光電変換素子、 ３０・・・透明な上部電極、 ３１．３２・・・リード線、 ３３・・・フォーカシングスクリーン、４０・・・電極
、 ４３・・・ｎ型のアモルファス・シリコン１．４４・・
・ｉＷのアモルファス・シリコン、４５・・・ｐ型のア
モルファス・シリコン。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光学系の被写体光軸上に配置された光学部材上に
   、微細なる複数の光電変換素子を設けたカメラ用測光装
   置において、前記光電変換素子からの出力信号を取出す
   電極の一方の電極の外側に絶縁物を介して、別の電極を
   設けて、この電位をグランドに落したことを特徴とする
   カメラ用測光装置。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載において、上記光電変
   換素子からの出力信号を取出す電極の他方の電極側の出
   力を基準電圧に設定したカメラ用測光装置。
3. （３）特許請求の範囲第１項記載において、上記光電変
   換素子からの出力信号を取出す電極のうち、撮影レンズ
   方向に位置する電極には透明電極を用い、他方の反対側
   の電極には不透明電極を用いたカメラ用測光装置。
4. （４）特許請求の範囲第１項記載において、上記光電変
   換素子を複数個のブロックに分割したカメラ用測光装置
   。