JPS6169041A - カメラ用測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分５′ｆ） 本発明は微細なる複数の光電変換素子により測光を行な
うカメラ用測光装置に関する。

（従来技術） 従来、−眼レフレックスカメラの測光装置は、例えばコ
ンデンサレンズに形成した例えばマイクロビームスプリ
ッタなどの光分割部材によって測光素子へ光束を導くも
の、或いはペンタプリズムの光束出射面に設けたフレネ
ルレンズを介して集光するものなどが提案されているが
、ファインダ視野での光量分布の阻害、又は測光方式を
変更する場合には光分割部材の交換を要するなどの欠点
を有していた。

第１図、第２図は従来の測光装置の一例であり、第１図
は一眼レフレンクスカメラの光学系の断面図である。こ
こで、撮影レンズ１を透過した被写体光は、レフレック
スミラー２により上方に反射され、ピント板３、光分割
部材４．測光素子５、コンデンサレンズ６、ペンタプリ
ズム７を経て接眼レンズ８に至る。この方式では、接眼
レンズ８を介して被写体を見たとき、光分割部材４を通
過する光束の一部分が遮光され　ファインタ中央部に陰
影が生ずる弊害がある。また、測光素子５に取り込む光
線の領域は光分割部材４の形状によって決定されるもの
であり、画面中央部を重点とする中央重点測光、画面全
体の平均像とし捉える平均測光等があって、それぞれの
測定領域は固定されている。従って、測光領域を変えた
い場合には光分割部材４の形成されたコンデンサレンズ
６を取り換える必要がある。

第２図の従来例においては、図示しない撮影レンズを透
過した被写体光は、レフレックスミラー２で反射されフ
ォーカシングスクリーン９を経て、ペンタプリズム７で
屈折し接眼レンズ８に至っている。この測光方式は、ペ
ンタプリズム７の出射面に設置されたフレネルレンズ１
０により、ソノ出射位置に対応して設けられた測光素子
５に集光する方式である。この場合は第１図と異なって
ファインダ中央部に陰影が生ずることはないが、丁　　
　＃、。、□□Ｅ＃ＥＬＩ６ｔ。、１．いく、測光方式
の切換えを行うことは容易ではない。

本発明の目的は、ファインダ視野に影響を与えることの
ない光電変換素子を使用し、被写体全体の情報を適確に
測光し得ると共にファインダからの進入光による影響を
無くすカメラの測光装置を提供することにあり、その要
旨は、−眼レフレックスカメラの測光装置において、微
細な幅で形成した光電変換素子をファインダ光路中に配
置する際に、＄１の透明電極、光電変換素子、不透明電
極、光学部材、第２の透明電極のように構成したカメラ
用測光素子である。

次に、本発明を第３図以下に図示の実施例に基づいて詳
細に説明する。

第３図は人事系の断面図であり、第４図は光電変換素子
群の配置例の平面図、第５図は光電変換素子体の斜視図
である。

第３図において、図示しない撮影レンズを透過した被写
体光は、レフレックスミラー２１で反射され、焦点面よ
り少しずれた位置に設けられた光　゛ｊ電変換素子群２
２と、これに接して配置されたコンデンサレンズ２３を
経てペンタプリズム２４を介して接眼レンズ２５に入射
するようになっている。光電変換素子群２２は第４図に
示すように櫛歯形の光電変換素子体２６の配列により構
成されている。そしてこの光電変換素子体２６の構造は
、！＄５図に示すようにガラス板２７上に不透明な下部
電極２８が配置され、その上に光電変換素子２９及び透
明な上部電極３０がそれぞれ同形の櫛歯状に積層配置さ
れており、ｗａ貴部及び背部に相当する構成材の幅ｄは
数ルー以下の微細線に形成されている。電極２８．３０
の端部にはリード線３１．３２が接続されており、下部
電極２８、光電変換素子２９、上部電極３０及びリード
線３１．３２は一体化されている。光・電変換素子２９
は櫛歯の組合°わせにより、幾つかのブロックに分割さ
れ多様の測光方式に対応可能に配置されており、それぞ
れの電極２８．３０の端部に接続されたリード線３１．
３２を結ぶ回路により、単独に或いは合成の切換えが可
能となっている。

光電変換素子２９にＣｄＳ又はアモルファス・シリコン
を単に使用すると、これらは可視光に対する透過率が少
ないため、ファインダの視野が妨げられることになる。

しかし、本発明に係る光電変換素子群２６の歯部の幅ｄ
は数４ｍ以下であるため、肉眼では識別することが不可
能であり、ファインダの視界に影響を与えることはない
、更に、ＣｄＳ又はアモルファス會シリコンは例えば電
極２８．３０などの母材に蒸着が可能であり、容品に光
を変換素子体２６を形成でき、それぞれの櫛歯状の領域
のパターンが自由に構成可能なので。

由央重点測光、平均測光等の測定方式の選択が組合わせ
により容易に実現できる。なお、光電変換Ｘ子２９はＣ
ｄＳ又はアモルファス中シリコンに代って他の材質を用
いてもよい。

第５図において、撮影レンズからの被写体光は、透明電
極３０を経て、光電変換素子２９に当る。下部電極２８
は不透明電極になっている。

又、ガラス基板２７の光電変換素子とは逆側に透明電極
４０を設ける。これを拡大した光学系の断面図としての
第６図に示すように配置する。なお、第６図には光電変
換素子及び電極を保護する透明絶縁物より成る保護層４
１を設けた実施例が示されている。このような構成及び
配置をとることにより、不透明電極２８によりファイン
ダー側からの逆入光の影響を防いでいる。即ち、ファイ
ンダーからの逆光は、レンズ２５．ペンタプリズム２４
．コンデンサーレンズ２３を通り、撮影レンズの焦点面
である図示しない拡散板と当たる。

ここで光は散乱される。

散乱された光は、透明電極４０に当たる、ここで透明電
＆４０にＩＴＯを使うとこの屈折率は約１．８なので、
ガラス基板２７の屈折率（約１．５）よりも大きくなり
、散乱された光の大部分はガラス基板を通過せず全反射
される。しかし、一部は光がもれる。ガラス基板２７を
通過した散乱光は一部は不透明電極２８に当たり、反射
される。また一部は透明な保護層４１に入る。これは通
常５ｉ０２で作製されるのでガラス板と同じ屈折率なｆ
’　　　。ア、あ射、８ゎ４い、ユ。光、よ、保護膜、
□。

下面で一部は通過し、一部は反射され、この光が透明電
極３０をへて光電変換素子２９に入射するだけになる。

この具体的な様子は第７図の拡大説明図を参照されたい
。

なお、参考までに、第８図にて示した測光の為の光電変
換素子群２２を逆に取着した場合について説明する。こ
の第８図の場合では、上述と同様な拡散板で散乱された
光の一部は不透明電極２８で反射され、一部は透明電極
３０に達して光電変換素子２９に入射してしまう、すな
わち、保護膜４１を通過してガラス基板２７にて反射し
た光が透明電極３０に入射し、この透明電極３０の方が
ガラス基板２７より屈折率が大きいことから、該入射し
た光は大部分全反射をして光電変換素子２９に入射して
しまう、この具体的な様子は第９図の拡大説明図を参照
されたい。

したがって、本発明の実施例としての第６図の構成の方
が第８図の構成に比べて、ファインダーからの逆光の影
響を受けない構造となっている。

演算処理回路を示す、５０は定電圧電源、５２゜６０．
６４はオペアンプ、５４．５６は１Ａｆｆ用抵抗、６２
は温度補償用ダイオード、６６は対数圧縮用ダイオード
、１００はカメラの制御回路を示している。ここで、ダ
イオード６２．６６を同じ温度特性を持つものにして、
向きを逆にすることにより温度補償を簡単な構成にて行
なうことを可能としている１図においては電極２８をオ
ペアンプ６４の一極端子に接続し、電極３０を子種端子
に接続している。なお、この第６図においては。

低インピーダンス側の出力信号を基準電圧とし、透明電
極４０をグランドに落すことによって、ノイズの影響を
受けないようにしている。

第１１図は本発明の他の実施例を示すもので、上述の実
施例での透明電極３０を図に示すようにガラス基板２７
と同様にベタ付は構成の透明電極３０’としたものであ
る。この第１１図に示す実施例においても第６図及び第
７図に示したときと同様に撮影レンズ側に透明電極３０
′を配置することにより、ファインダーからの逆入光の
光電変換素子２９への入射を極めて少なくすることがで
きる。

第１２ｒ５４は本発明のさらに他の実施例を示すもので
、光電変換素子２９を同じ円状に配設して光電変換素子
体２６′を形成した光電変換素子群２２である。

第１３図は他の光学系を示すもので、この光学系は光束
の入射側から順にレフレックスミラー２１からフォーカ
シングスクリーン３３、コンデンサレンズ２３、光電変
換素子群２２．ペンタプリズム２４、接眼レンズの配設
となっており、ペンタプリズム２４の入射面に設けられ
た光電変換素子群２２はフォーカシングスクリーン３３
との焦点面から比較的大きくずらして配置している。

第１３図はさらに他の光学系を示すもので、この光学系
ではレフレックスミラー２１．光電変換ｉ子ＩＴ２２）
フォーカシングスクリーン３３．コンデンサレンズ２３
、ペンタプリズム２４、接眼レンズ２５の順に配置され
ており、フォーカシングスクリーン３３の前段に設けら
れた光電変換素子群２２と焦点面とのずれ量は、第１２
図の光学系に比較して小さなずれ量の設定となっている
。

なお、本発明において上述した第１０図での演算処理回
路はこれに限定されるものではなく、当然他の測光の為
の演算処理回路を用いても本発明の実施は可能である。

又、上述の実施例では光電変換素子をＰｉｎ構造のアモ
ルファス・シリコンにて説明したが、他の素子１例えば
光伝達型のＣｄＳを用いても同様な実施が行なえること
は熱論である。

（発明の効果） 以上、説明したように本発明は、測光素子として微細幅
の光電変換素子群を用いることにより、ファインダの視
界に影響を与えない、又、本発明は測光素子の構成を撮
影レンズ側から少なくとも透明電極、光電変換素子、不
透明電極、光学部材を構成したので、ファインダからの
逆入光の上記光電変換素子への入射をほとんど無くすこ
とができ、逆入光による影響を無くすことができる。

又、本発明の実施例においては、上記光電変換素子から
出力信号を取出す電極の一方の外側に絶縁物を介して別
の電極を設けて、その電位をグランドに落すことにより
、ノイズの影響を受けないようにすることができる。

又、実施例においては、光電変換素子体を複数個のブロ
ックに分割し、その組合わせにより多数の測光方式がス
イッチの切換えにより容易に選択可能である。

又、実施例においては、光電変換素子を７ｆ極などの母
材に対して法肩にて形成できる素材を選択したことから
、安価な測光装置を提供できる。

又、さらに実施例においては光電変換素子を焦点面近傍
に配置したため、測光のＦナンバーの比例性がよく、又
、開放ナン／Ｓ−の補正も不要となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来のカメラ光学系の断面図。 第３図は本発明の実施例としてのカメラ光学系　　゛の
断面図。 第４図は本発明の実施例に係る光電変換素子群の平面図
。 第５図は第４図に示した光電変換素子の拡大斜視図。 第６図は第３図を拡大したカメラ光学系の断面図。 第７図は第６図の要部拡大説明図。 第８図は参考説明の為に光電変換素子群を逆に取着した
状態のカメラ光学系の断面図。 第９図は第８図の要部拡大説明図。 第１０図は第６図の光電変換素子群を組込んだ演算処理
回路を示す回路図。 第１１図は本発明の他の実施例を示すカメラ光学系の拡
大断面図。 第１２図は本発明のさらに他の実施例を示す光電変換素
子群の平面図。 第１３図及び第１４図は本発明に係る光電変換素子群の
他の配置例を示すカメラ光学系の断面図。 ２２−ｍ−光電変換素子群。 ２６一−−光電変換素子体、 ２７−−−ガラス基板、 ２８−ｍ−不透明な上部電極、 ２９−ｍ−光電変換素子。 ３０−ｍ−透明な上部電極、 ３Ｌ、３２−一−リード線、 ３３−一一フォー力シングスクリーン、４０−ｍ−電極
、 ４３−−−ｎ型のアモルファス・シリコン、４４−−−
ｉ型のアモルファス・シリコン。 ４５−−−ｐｆｆｉのアモルファス・シリコン。 弔３図 第５図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光学系の被写体光軸上としてのファインダー光路
   中に配置された光学部材上に、微細なる複数の光電変換
   素子を設けたカメラ用測光装置において、前記光電変換
   素子を含む測光素子の構成は撮影レンズ側から、少なく
   とも透明電極、光電変換素子、不透明電極、光学部材を
   構成したことを特徴とするカメラ用測光装置。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載において、上記透明電
   極の撮影レンズ側に透明な保護膜を形成したカメラ用測
   光装置。
3. （３）特許請求の範囲第１項記載において、上記光電変
   換素子を複数個のブロックに分割したカメラ用測光装置
   。