JPH06175186A - Ａｆセンサーを用いた測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ＡＦセンサーを用いた測光装置について、デフ
ォーカス量の違いに起因する誤った露出制御を回避する
ことができるようにする。 【構成】受光量に応じて蓄積された電荷により焦点検出
を行うとともに、蓄積された電荷量により被写体の輝度
を測定する位相差検出方式のＡＦセンサーを備えたＡＦ
装置１０２を設ける。マイコンμＣで、ＡＦセンサーに
よって検出されたデフォーカス量が所定値よりも大きい
場合、測光を禁止したり、デフォーカス量に応じて測光
エリアの位置や大きさを変更したりするように制御す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は測光装置に関するもので
あり、更に詳しくは、位相差検出方式のＡＦ(Auto Focu
s)センサー(焦点検出センサー)を用いて測光を行う測光
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一眼レフカメラ等における測光は、一般
にＡＦセンサーとは別設のＳＰＣ(Silicon Photocell)
等から成る測光装置により行われる。測光には所定の光
量が必要とされるため、かかる測光装置による測光エリ
アは比較的大きくなっており、狭いスポットエリアの測
光(以下、「狭スポット測光」という)は困難である。し
かし、被写体によっては狭スポット測光を必要とする場
合がある。

【０００３】そこで、狭スポット測光が可能な測光装置
としては、ＡＦセンサーを用いて測光を行う測光装置
が、従来より知られている。例えば、特開平３−２４０
０３０号の逆光検出装置は、位相差検出方式のＡＦセン
サーで測光を行うことにより、被写体の逆光を検出する
構成となっている。また、本出願人は、特開昭６２−１
８７８３１号において、位相差検出方式のＡＦセンサー
から成る合焦検出装置を用いた測光装置を提案してい
る。

【０００４】ここで、図４に基づき、位相差検出方式の
ＡＦセンサーにより焦点検出を行う原理について説明す
る。同図に示すように、撮影レンズ２の予定結像面ＦS
の近傍には、コンデンサレンズ４が設けられている。こ
の予定結像面ＦSは、フィルム面(図示せず)と等価な位
置にある。予定結像面ＦSの後方には、撮影レンズ２の
光軸(以下、「主光軸」ともいう)ＡＸに対して対称に、
一対の再結像レンズ６，８が設けられている。撮影レン
ズ２で予定結像面ＦSに形成される像は、この一対の再
結像レンズ６，８によって再結像される。Ａ0，Ｂ0及び
Ｃ0は、撮影レンズ２によって形成される前ピン像，合
焦像及び後ピン像をそれぞれ示している。再結像レンズ
６及び８は、それらの前ピン像Ａ0，合焦像Ｂ0及び後ピ
ン像Ｃ0に対応して、Ａ1及びＡ2，Ｂ1及びＢ2並びにＣ1
及びＣ2を、それぞれ第１像及び第２像として形成す
る。

【０００５】ここで、Ａ0，Ｂ0，Ｃ0が、図４に示すよ
うに上向きの矢印で示した像として形成される場合、そ
れらに対応する第１像及び第２像は、共に下向きの矢印
で示した像として形成され、第１像と第２像との間隔
は、撮影レンズ２の焦点調節状態に応じて変化する。従
って、再結像レンズ６，８に関して予定結像面ＦSと共
役な位置乃至はその近傍に、それぞれ受光素子列を配置
し、それらの受光素子列の出力から第１像及び第２像の
位置の変化を検出すれば、撮影レンズ２の焦点調節状態
を検出するできる。尚、１０−１，１０−２は、再結像
レンズ６，８の前方に設けられた絞りマスクである。

【０００６】このように、ＡＦセンサーは、第１像と第
２像との間隔により、デフォーカス量(以下、「ＤＦ
量」ともいう)を検出する構成となっているのである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、位相差検出方
式のＡＦセンサーで測光を行うと、測光状態がＤＦ量に
よって変化してしまう。つまり、この場合、ライン状の
受光素子列において、予め決められた範囲の受光素子
(又は特開昭６２−１８７８３１号のように前記範囲に
対応して設けられたモニター用フォトダイオード)から
得られる電荷量に基づいて、測光を行うようになってい
るので、第１像又は第２像が前記範囲内に存する程度の
ＤＦ量のときは、一応問題ないが、第１像又は第２像が
その範囲を超えるようなＤＦ量の場合には、前記範囲内
の受光素子(又はモニター用フォトダイオード)から得ら
れる電荷量から正確な測光は実現されない、若しくは電
荷量が得られないという程度になる。これは、明らか
に、適正な測光が行われなかったり、露出制御に誤動作
が生じたりすることになる。また、ＤＦ量が大きいと、
受光素子列上の像のボケが大きくなるため、上記と同
様、適正な測光や露出制御を行うための電荷量が得られ
ないことになる。

【０００８】本発明は、これらの点に鑑みてなされたも
のであって、ＤＦ量の違いに起因する誤った露出制御を
回避することができるＡＦセンサーを用いた測光装置を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る第１の測光装置は、ＡＦセンサーを成
すアレイ状に配された複数の受光素子列における所定の
範囲の受光素子から得られた電気信号に基づいて測光を
行う測光装置において、前記ＡＦセンサーの出力に基づ
いて得られたデフォーカス量が所定値よりも大きい場
合、前記測光を禁止する禁止手段を設けた構成となって
いる。

【００１０】また、本発明に係る第２の測光装置は、Ａ
Ｆセンサーを成すアレイ状に配された複数の受光素子列
における所定の範囲の受光素子から得られた電気信号に
基づいて測光を行う測光装置において、前記ＡＦセンサ
ーの出力に基づいて得られたデフォーカス量に応じて、
測光する領域の大きさを変えずに測光領域の位置を変更
する制御手段を設けた構成となっている。

【００１１】また、本発明に係る第３の測光装置は、Ａ
Ｆセンサーを成すアレイ状に配された複数の受光素子列
における所定の範囲の受光素子から得られた電気信号に
基づいて測光を行う測光装置において、前記ＡＦセンサ
ーの出力に基づいて得られたデフォーカス量が所定値よ
りも大きい場合、前記測光に用いる受光素子数を多くす
ることにより測光領域を増やす制御手段を設けた構成と
なっている。

【００１２】

【作用】上記第１の構成によれば、ＤＦ量の違いによっ
て受光状態が変化しても、ＤＦ量が所定値よりも大きい
場合には禁止手段によって測光が禁止されるため、誤っ
た測光値が検出されることはない。

【００１３】上記第２の構成によれば、ＤＦ量の違いに
よって受光状態が変化しても、ＤＦ量に応じて、測光す
る領域の大きさを変えずに測光領域の位置を変更するよ
うに、制御手段によって制御されるため、誤った測光値
が検出されることはない。

【００１４】上記第３の構成によれば、ＤＦ量の違いに
よって受光状態が変化しても、ＤＦ量が所定値よりも大
きい場合には、制御手段は測光に用いる受光素子数を多
くすることにより測光領域を増やすため、誤った測光値
が検出されることはない。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１及び図２は、本発明の第１実施例が用いら
れた一眼レフカメラボディの外観をそれぞれ示してお
り、図１は斜め前方から見た斜視図、図２は斜め後方か
ら見た斜視図である。尚、図１及び図２中、撮影レンズ
は省略する。

【００１６】図１中、７０はメインスイッチレバー、７
１はレリーズ釦、７２はアップ／ダウンダイヤル、７３
はＡＦ補助光発光窓である。図２中、７４は撮影モード
設定スライドスイッチ、７５はスポットＡＥＬ釦、７６
は表示部である。

【００１７】図３は、本実施例が適用されたカメラ全体
の光学系を断面的に示しており、特に、測光・焦点検出
のための光路及び測光・焦点検出装置の配置を示してい
る。尚、同図中、モータ等の構成，配置は省略する。

【００１８】図３中、Ｂはカメラボディ、Ｌはカメラボ
ディＢに装着される交換レンズを示している。可動ミラ
ーである主ミラー１２は、その背後に斜設された副ミラ
ー１４に撮影レンズ２を通過した光束を通過させるため
の透光部(完全透明部又は半透鏡部)１２ａを有してい
る。この透光部１２ａを通過した光束は、副ミラー１４
で真下の方向へ反射される。

【００１９】１６は、主ミラー１２を収容したミラーボ
ックスの底壁で、その一部には副ミラー１４で反射され
た上記光束を通過させるための開口部１６ａが形成され
ている。この開口部１６ａの近傍に、フィルム面Ｆ0と
等価な前記予定結像面ＦS(図４)が位置する。

【００２０】ミラーボックス底壁１６の下方に設けられ
た１８は、焦点検出モジュール(ＡＦモジュール)であ
り、コンデンサレンズ４，再結像レンズ６，８，ＣＣＤ
アレイを封入した受光素子パッケージ２０及び絞りマス
ク１０と共に視野マスク２２、光路屈曲用ミラー２４、
赤外光カットフィルター２６が、そのモジュール１８の
本体１８ａに取り付け保持されている。

【００２１】一方、２８は焦点板、３０はペンタプリズ
ム、３２Ｔは接眼レンズであって、これらは主ミラー１
２と共に公知のファインダー光学系を形成している。

【００２２】３４Ｔは、広範囲測光用のＢＶAM測光素子
及び通常スポット測光用のＢＶSP1測光素子を備えた測
光装置である。３３Ｔは、測光装置３４Ｔに光を集光し
導くコンデンサレンズである。３５Ｔは、ファインダー
画面内に表示を行うための透過型液晶である。

【００２３】尚、副ミラー１４は、不図示のミラー保持
枠に主ミラー１２と共に保持されており、主ミラー１２
が図示のファインダー観察位置から撮影位置へと回動上
昇したときにはフィルム面Ｆ0に向かう撮影光束を遮断
しない位置まで上昇し、主ミラー１２の上記透光部１２
ａを遮蔽する。

【００２４】図５は、スポットＡＥＬ釦７５(図２)の構
成を示す図である。同図に基づいて、スポットＡＥＬ釦
７５の内部構造を説明する。スポットＡＥＬ釦７５は、
プッシュ式の操作手段であって、摺動接片５４の弾性に
より、押しているときのみ以下に説明するスイッチをＯ
Ｎさせることができるようになっている。

【００２５】スイッチバネ５３と接触パターン５５，５
６との間には、絶縁層５３ｕが設けられているので、同
図に示すように釦５１を押し込まない状態では、接触パ
ターン５５と接触パターン５６とは絶縁されている。ま
た、基板５９は絶縁性の材料から成っているので、同図
に示すように釦５１を押し込まない状態では、基板５９
上の接触パターン５７と接触パターン５８とは絶縁され
ている。これらの接触パターン５６〜５８の平面図を図
６に示す。

【００２６】釦５１を１段(第１ストローク)押し込む
と、スイッチバネ５２が接触パターン５５に接触し、接
触パターン５５と接触パターン５６とが導通する。更
に、２段目(第２ストローク)まで深く釦５１を押し込む
と、スイッチバネ５３が接触パターン５７に接触し、接
触パターン５７と接触パターン５８とが導通する。

【００２７】本実施例では、通常スポット(スポットサ
イズ：φ５)測光と狭スポット(スポットサイズ：φ１)
測光とを、同一操作部材(釦５１)を押すときの押し込み
量の変化で切り換える点に一つの特徴がある。尚、いず
れのスポット測光においても測光値がホールド(ＡＥロ
ック)される。後述するように、１段押しで通常スポッ
ト測光、２段押しで狭スポット測光が行われ、狭スポッ
ト測光には測光手段としてＡＦセンサーが用いられる。
また、釦５１を押さないと、測光装置３４Ｔ(図３)が動
作し、通常スポットエリアの周辺部までも広く含む広範
囲測光エリア(図９中のＢＶAM測光素子エリアＧ2に相当
する)での測光が行なわれる。

【００２８】図５に示すように釦５１が押し込まれてい
ない状態においては、摺動接片５４の先端部５４ａは、
図７に示す位置５０Ｋにおいて接触パターン５０ｂとの
み接触しており、後記ハイライトスイッチＳHI，シャド
ウスイッチＳSH(図８)のいずれもＯＦＦ状態となる。こ
の状態では、釦５１は、切欠き５０ｐが形成されたカバ
ー５０の開口５０ｈ側端部に、鍔部５１ａで係合してい
るので、スライドできないようになっている。

【００２９】上記のように、釦５１を２段目まで押し込
むと、摺動接片５４は押し広げられるが、その先端部５
４ａは、図７に示す位置５０Ｌにおいて未だ接触パター
ン５０ｂとのみ接触しており、後記ハイライトスイッチ
ＳHI，シャドウスイッチＳSHのいずれもＯＦＦ状態のま
まである。

【００３０】また、釦５１を２段目まで押し込んだ状態
では、前記鍔部５１ａの係合がカバー５０から解除され
るため、釦５１をＭＡ→ＭＢ方向又はＭＡ←ＭＢ方向に
スライドさせることができる。釦５１をＭＡ→ＭＢ方向
にスライドさせると、摺動接片５４の先端部５４ａは、
図７に示す位置５０Ｍにおいて接触パターン５０ａ及び
５０ｂと接触する。このとき、後記ハイライトスイッチ
ＳHIがＯＮ状態になる。更に、釦５１をＭＡ→ＭＢ方向
にスライドさせると、摺動接片５４の先端部５４ａは、
図７に示す位置５０Ｎにおいて接触パターン５０ｂ及び
５０ｃと接触し、接触パターン５０ｂと５０ｃとを導通
させる。このとき、後記シャドウスイッチＳSHがＯＮ状
態になる。

【００３１】図８は、本実施例が用いられた一眼レフカ
メラの回路構成を示すブロック図である。μＣは、カメ
ラ全体の制御を行うマイクロコンピュータ(以下、「マ
イコン」という)である。Ｓ1は、レリーズ釦７１(図１)
の第１ストロークでＯＮされる撮影準備スイッチであ
る。

【００３２】スイッチＳSP1，ＳSP2は、スポットＡＥＬ
釦７５(図２)の釦５１(図５)の押し込み量に応じて通常
スポット測光と狭スポット測光とを選択的にＯＮするこ
とができるスポットＡＥスイッチである。スイッチＳSP
1は、前記釦５１(図５)の１段の押し込みによりＯＮ状
態となり、マイコンμＣの入力端子１５０Ｊにローレベ
ルの信号を入力する。スイッチＳSP2は、スイッチＳSP1
のＯＮ状態で更に２段目まで釦５１を押し込むとＯＮ状
態となり、マイコンμＣの入力端子１５０Ｋにローレベ
ルの信号を入力する。図１４のフローチャートの説明で
述べるが、スイッチＳSP1のＯＮ状態では通常スポット
測光を行い、スイッチＳSP1及びスイッチＳSP2のＯＮ状
態では狭スポット測光を行うように、マイコンμＣによ
る制御が行われる。

【００３３】このような構成によれば、釦５１の押し込
み量を１段又は２段と変化させると、通常スポット測光
と狭スポット測光との切り換えが行われ、また、釦５１
を押さないと広範囲測光に切り換えが行われるので、釦
５１以外の操作を行わなくてもよく、測光エリア変更の
ための切換操作が容易になる。

【００３４】スポットＡＥＬ釦７５が押されると、図８
に示す測光装置３４Ｔによって得られた通常スポット測
光値又はＡＦセンサー１０２によって得られた狭スポッ
ト測光値がメモリされ、ＡＥロックＯＮ状態となる。ア
ップ／ダウンダイヤル７２は、ＡＥロックＯＦＦ状態で
は、ＡＥモードに応じて絞り値やシャッタースピード値
を変更するのに用いられるが、ＡＥロックＯＮ状態で
は、露出値補正に用いられる。尚、ＡＥロックＯＦＦ状
態では、先に述べたように、測光装置３４Ｔ(図３，図
８)が動作し、広範囲測光が行われる。

【００３５】図８中、１０３はＡＦ用モータ、１０４は
補助光用光源、１０５はカメラボディ表示部、１０６は
ファインダー画面内表示部、１０７は前記アップ／ダウ
ンダイヤル７２により、絞り値若しくはシャッタースピ
ード値の変更又は露出値補正を行うアップ／ダウン装置
である。

【００３６】ＳHIはハイライトスイッチであり、ＯＮ状
態でマイコンμＣの入力端子６０Ｍにローレベルの信号
を入力し、ハイライト基準露光を行う。ＳSHはシャドウ
スイッチであり、ＯＮ状態でマイコンμＣの入力端子６
０Ｎにローレベルの信号を入力し、シャドウ基準露光を
行う。尚、ハイライトスイッチＳHI，シャドウスイッチ
ＳSHのＯＮ／ＯＦＦは、先に述べたように釦５１(図５)
を押し込んだ状態でスライドすることにより行われる。
１０８は、撮影モード設定スライドスイッチ７４(図２)
のスライドにより撮影モード設定を行う露出モード設定
装置である。１０９はフィルム感度(ＤＸコード)読取装
置である。

【００３７】ここで、本実施例に用いられる位相差検出
方式のＡＦセンサー１０２について説明する。ＡＦセン
サー１０２は、図１１に示すように、アレイ状に配され
た複数の受光素子列における所定の範囲の受光素子から
得られた電気信号に基づき、蓄積された電荷によりＡＦ
のためのＤＦ量検出を行うとともに、受光量に応じて蓄
積された電荷量により被写体の輝度の測定、即ち測光を
行うものである。

【００３８】焦点検出については、図１１(Ａ)に示すラ
インセンサーＬSENの基準部Ｒn及び参照部Ｌn上に、そ
れぞれ形成された２つの像の強度分布に対応する２つの
像信号をマイコンμＣで構成される焦点検出回路(図示
せず)に送出し、焦点検出回路ではそれぞれの像信号が
ある相関関係を持つことにより、像のズレ量及び合焦状
態を判定する。具体的には、基準部Ｒnと参照部Ｌnとに
ついて、対応するセルを１画素ずつずらしながら出力を
比較して、その比較結果の相関をとることによって、合
焦，前ピン，後ピンを判断するのである。

【００３９】また、ＡＦセンサー１０２は、図１１(Ａ)
に示すように、基準部Ｒnと参照部Ｌnとの一対のライン
センサーＬSENから成っているが、測光には基準部Ｒnの
一部又は全部が使用される。基準部Ｒnは、図１１(Ｂ)
に示すように、９６画素から成っており、その内の３２
画素，４８画素，９６画素にそれぞれ相当する部分の出
力が択一的に測光に用いられる。

【００４０】尚、前記３２画素の位置は固定ではなく、
後述するようにＤＦ量に応じて左右(画素の配列方向)に
変動させるものとする。これは、図４に示したように第
１像と第２像とが間隔を変えるように動き、結果とし
て、ＤＦ量に応じて像がＡＦセンサー１０２上で左右に
動くからである。本実施例では、ＤＦ量１ｍｍに対し
て、前ピンなら内側(Ｌn側)へ１画素(１個分)、後ピン
なら外側(Ｒn側)へ１画素(１個分)ずらして、３２画素
分の素子の出力を採るように制御される。

【００４１】次に、ＡＦセンサー１０２の構成につい
て、図２８に基づいて説明する。ＡＦセンサー１０２を
構成する前記ラインセンサーＬSENは、主として、フォ
トセンサーＳＰのアレイと，それを初期設定する積分ク
リア回路ＳＴと，ＣＣＤシフトレジスタＳＲと，フォト
センサーＳＰのアレイに蓄えられた電荷をＣＣＤシフト
レジスタＳＲに転送するシフトゲート回路ＳＧとから成
っている。

【００４２】積分クリア信号が端子１００に与えられる
と、積分クリア回路ＳＴを構成する各トランジスタがＯ
Ｎ(従って、積分クリア回路ＳＴがＯＮ)し、フォトセン
サーＳＰは所定の電位Ｖccに設定される。そして、積分
クリア信号が消勢して積分クリア回路ＳＴがＯＦＦされ
ると、フォトセンサーアレイＳＰに対する電荷の蓄積
(つまり、積分)がスタートする。このとき、シフトゲー
ト回路ＳＧはＯＦＦとなっている。ラインセンサーＬSE
Nでの積分時間を制御するモニター用受光素子ＭSPに所
定量の電荷が蓄積されると、シフトゲート回路ＳＧにシ
フトパルスが端子１０１を介して入力され、シフトゲー
ト回路ＳＧがＯＮすると、フォトセンサーＳＰの蓄積電
荷が、ＣＣＤシフトレジスタＳＲに転送され積分が終了
する。ＣＣＤシフトレジスタＳＲは、フォトセンサーＳ
Ｐのアレイから送られてきた蓄積電荷を、転送パルスに
同期して１セル分ずつ順次映像信号出力回路(図示せず)
に転送する。

【００４３】本実施例では、狭スポット測光を、ライン
センサーＬSENでの積分時間Ｔ1とラインセンサーＬSEN
の基準部Ｒn中の画素(例えば３２個)の出力の平均値Ｌ1
のデータとに基づいて行う(この測光値の演算は、後で
説明する図１８中のステップ＃９３０に相当する)。前
述したように、ラインセンサーＬSENでの積分時間Ｔ1と
は、モニター用受光素子ＭSPに所定量の電荷が蓄積され
るに要する時間である。一様な輝度下においてモニター
用受光素子ＭSPに所定量の電荷が蓄積されると、ライン
センサーＬSENの出力が最大出力の１／２(１／２レベル
とする)になるように所定量の電荷が定められている。
つまり、ラインセンサーＬSENでの積分時間Ｔ1は被写体
輝度に応じて異なることとなり、ラインセンサーＬSEN
の出力をそのまま輝度に変換することができない。そこ
で本実施例では、被写体輝度に応じて変化する積分時間
Ｔ1を利用して輝度を測定するようにしている。

【００４４】しかしながら、ラインセンサーＬSENに入
射する被写体光は一様な輝度を有しているわけではな
く、また、モニター用受光素子ＭSPとラインセンサーＬ
SENとは図１１に示すように若干異なる位置に配置され
ているため、積分時間Ｔ1のみを用いた輝度の測定では
誤差が生じる。そこで、積分時間Ｔ1のみに基づいて得
られた輝度を補正する必要が生じるのであるが、本実施
例では、ラインセンサーＬSENの平均(所定画素の出力の
全平均又は最大値と最小値との平均)出力の１／２レベ
ルからの偏差量に基づいて輝度を補正している。例え
ば、平均出力が１／２レベルの１／２のときには積分時
間Ｔ1から決まる輝度から１ＥＶを減算し、逆に平均出
力が１／２レベルの1.4倍のときには積分時間Ｔ1から決
まる輝度に１／２ＥＶを加算するように補正する。

【００４５】前記積分時間Ｔ1は、各画素に対して同一
の輝度下で、画素出力が1/2レベルになるように設定さ
れており、従って例えば、積分時間ｔ1，ＢＶ＝５，画
素出力平均1/4レベル(1/2の半分)のとき、最終測光値Ｂ
Ｖ＝４である。また、積分時間２ｔ1，ＢＶ＝４，画素
出力平均3/4レベルのとき、最終測光値ＢＶ≒4.4であ
る。

【００４６】図９は、撮影画面Ｇ内に占める測光・焦点
距離検出エリアである。Ｇ0は、図１１(Ａ)に示すＡＦ
センサー１０２を構成するラインセンサーＬSENの受光
面と対応するＡＦ素子エリアである。Ｇ1は、通常スポ
ット測光を行う測光装置３４ＴのＢＶSP1測光素子エリ
アである。また、Ｇ2は、広範囲測光を行う測光装置３
４ＴのＢＶAM測光素子エリアである。

【００４７】図１０は、ファインダー画面内の表示であ
る。同図に示すように、使用されているエリア，スペッ
クの表示が行われる。Ｄ0は、常に表示されるＡＦエリ
ア表示である。Ｄ1は、測光装置３４Ｔで行われる通常
測光エリアに対応するＢＶSP1エリア表示である。Ｄ2
は、ＡＦセンサー１０２の一部を用いて行われる狭スポ
ット測光エリアに対応するＢＶSP2エリア表示である。
同図中、「Ｈｉ」，「ＳＨＡ」は、共に表されている
が、実際にはそれぞれハイライト基準露光，シャドウ基
準露光に際して選択的に表示されるものである。

【００４８】次に、本実施例が用いられた一眼レフカメ
ラの制御動作を、図１２〜図１８のフローチャートに基
づいて説明する。尚、フローチャートにおいて用いるフ
ラグの説明を後記表１に示す。

【００４９】撮影準備スイッチＳ1又はスポットＡＥス
イッチＳSP1をＯＮすると、マイコンμＣ(図８)の割り
込み入力端子ＩＮＴ１に、ハイレベルからローレベルへ
と変化する信号が入力され、これによりマイコンμＣ
は、図１２に示す割込処理ＩＮＴ１を実行する。

【００５０】まず、マイコンμＣは、ステップ＃６でフ
ラグ及び変数をすべてリセットする。そして、ステップ
＃８でタイマーＴLをリセットした後、スタートさせ
る。次に、ステップ＃１０において、測光装置３４Ｔで
通常スポット測光又は広範囲測光によって得られた測光
値ＢＶSP1(通常スポット測光値)及び測光値ＢＶAM(広範
囲測光値)を入力する。また、このときフィルム感度読
取装置１０９で読み取られたＤＸコードからフィルム感
度値ＳＶを入力する。

【００５１】次に、ステップ＃２０で補助光発光を示す
補助光モードフラグＭＦがセットされている(補助光Ｍ
Ｆ＝１)か否か判定する。セットされていなければ、ス
テップ＃５０でフラグＩＮＢＳＰＦ(狭スポット測光を
禁止するフラグ)をリセットした後、ステップ＃６０に
進み、ＡＦセンサー１０２(図８)の積分をスタートさせ
る。

【００５２】ステップ＃２０で、補助光モードフラグＭ
Ｆがセットされていれば、ステップ＃３０で補助光発光
を指令する信号を補助光用光源１０４へ出力することに
より補助光を発光させ、ステップ＃４０に進む。ステッ
プ＃４０では、フラグＩＮＢＳＰＦをセット(ＩＮＢＳ
ＰＦ＝１)した後、ステップ＃６０に進み、ＡＦセンサ
ー１０２の積分をスタートさせる。ここでフラグＩＮＢ
ＳＰＦをセットする(ＩＮＢＳＰＦ＝１)のは、補助光を
発光させた状態で狭スポット測光を行うと、被写体から
反射された補助光(一般的に用いられている近赤外線の
ほか赤色の可視光線も含む)によって間違った測光値が
得られるからである。

【００５３】ＡＦセンサー１０２の積分をスタートさせ
た後(＃６０)、前記端子１００(図２８)に与えられる積
分クリア信号の消勢に応答して、積分用のタイマーＴIN
Tをスタートさせ(＃７０)、測光演算を行う(＃８０)。

【００５４】ここで、図１４に示す測光演算のサブルー
チンを説明する。ステップ＃４００でスポットＡＥスイ
ッチＳSP1がＯＮされているか否か判定する。このスポ
ットＡＥスイッチＳSP1(図８)は、先に述べたように、
図５に示す釦５１を１段以上深く押し込んで、スイッチ
バネ５２で接触パターン５５と５６とを導通させたとき
にＯＮするものである。

【００５５】ステップ＃４００でスイッチＳSP1がＯＮ
状態でなければ、スイッチＳSP1とＳSP2が共にＯＦＦ状
態であって、ＡＥロックが選択されていないので、ステ
ップ＃５３０で通常スポット測光でのＡＥロック状態に
あることを表すフラグＡＥＬＦSP1，狭スポット測光で
のＡＥロック状態にあることを表すフラグＡＥＬＦSP2
をそれぞれリセットし(ＡＥＬＦSP1，ＡＥＬＦSP2＝
０)、ステップ＃５４０で制御用の輝度値を表すＢＶCに
ｆ(ＢＶAM，ＢＶSP1)をセットした後、リターンする。
ｆ(ＢＶAM，ＢＶSP1)は、ステップ＃１０(図１２)で入
力された通常スポット測光値ＢＶSP1や広範囲測光値Ｂ
ＶAMについて、予め設定された重みづけ，平均等によっ
て行う演算を意味する。

【００５６】ステップ＃４００でスイッチＳSP1がＯＮ
状態であれば、ステップ＃４１０でスポットＡＥスイッ
チＳSP2がＯＮされているか否か判定する。このスイッ
チＳSP2(図８)は、先に述べたように、図５に示す釦５
１を２段目まで深く押し込んで、スイッチバネ５３で接
触パターン５７と５８とを導通させたときにＯＮするも
のである。

【００５７】ステップ＃４１０でスイッチＳSP2がＯＮ
状態でなければ、ステップ＃４９０でフラグＡＥＬＦSP
1がセットされているか(フラグＡＥＬＦSP1＝１)否か判
定する。そして、フラグＡＥＬＦSP1がセットされてい
ればステップ＃５２０に進み、セットされていなければ
ステップ＃５００でＢＶCに輝度ＢＶSP1をセットした
後、ステップ＃５１０でフラグＡＥＬＦSP1をセットす
る(ＡＥＬＦSP1＝１)。そして、ステップ＃５２０でフ
ラグＡＥＬＦSP2をリセット(ＡＥＬＦSP2＝０)した後、
リターンする。

【００５８】ステップ＃４１０でスイッチＳSP2がＯＮ
状態であれば、ステップ＃４２０でフラグＡＥＬＦSP2
がセットされている(ＡＥＬＦSP2＝１)か否か判定す
る。セットされていればステップ＃４８０へ進み、セッ
トされていなければステップ＃４３０で、スポット測光
可能を表すフラグＯＫＳＰＦがセットされている(ＯＫ
ＳＰＦ＝１)か否か判定する。セットされていなければ
ステップ＃４８０へ進み、セットされていればステップ
＃４４０へ進んで、フラグＩＮＢＳＰＦがセットされて
いる(ＩＮＢＳＰＦ＝１)か否か判定する。フラグＩＮＢ
ＳＰＦがセットされていれば、補助光発光モードである
ので、ステップ＃４８０へ進む。このように補助光発光
モードではステップ＃４５０〜＃４７０がスキップさ
れ、狭スポット測光は行われないことになるが、スイッ
チＳSP1のみがＯＮのときの通常スポット測光に関して
はステップ＃４９０〜＃５２０のルーチンにＩＮＢＳＰ
Ｆの判定ステップが存在しないことから分かるように補
助光発光モードであっても通常スポット測光が行いうる
ようになっている。これは補助光発光モードは、もとも
とＡＦのためのものであって、本実施例のＡＦセンサー
を用いる狭スポット測光はＡＦセンサーの動作に伴って
行われるから、補助光発光と測光のタイミングをずらす
ことができないが、本実施例の通常測光はＡＦセンサー
とは別個のもので行うので、補助光発光とのタイミング
をずらして行うことができるのを考慮したためである。

【００５９】ステップ＃４４０でフラグＩＮＢＳＰＦが
セットされていなければ、ステップ＃４５０で測光値Ｂ
ＶSP2の演算(図１８)を行う。ここで、図１８に示す測
光値ＢＶSP2の演算のサブルーチンを説明する。このサ
ブルーチンでは、スイッチＳ1がＯＦＦの状態でスイッ
チＳSP2がＯＮされた場合を考慮し、相関演算やＤＦ量
が所定値より大きいか否かの判定等を行っている。な
お、本発明の第１実施例では、一度合焦状態が得られる
まで、フラグＯＫＳＰＦによってＤＦ量が所定値よりも
大きいときには狭スポット測光が行われないように制御
している(図１４のステップ＃４３０)が、このステップ
＃４３０を削除することも可能である。この場合には、
一度合焦状態が得られたか得られなかったかにかかわり
なく、図１８に示した測光値ＢＶSP2演算が行われる。

【００６０】まず、ステップ＃９００で、前記基準部Ｒ
n及び参照部ＬnからのデータＲN及びＬNに基づいて相関
演算を行う。相関演算は、基準部Ｒnと参照部Ｌnとにつ
いて、１ピッチずつずらしながらＲnとＬnとのデータ比
較を行うことにより、それらがラインセンサーＬSEN上
で何ピッチずれているかを調べることにより行う。この
相関演算は、後述する図１３のステップ＃２８０での相
関演算と同じであるが、図１３の相関演算(＃２８０)が
撮影準備スイッチＳ1がＯＮになっているときだけ行わ
れるものであるのに対し、この図１８のステップ＃９０
０の相関演算はスイッチＳ1のＯＮ，ＯＦＦに拘らず、
スポットＡＥスイッチＳSP1がＯＮになっているときも
行われる。

【００６１】次に、ステップ＃９１０で、相関演算の結
果に基づき、ＡＦ不能か否かを判定する。このＡＦ不能
とは、相関演算の結果得られたデータが、ローコントラ
ストの場合やデータの信頼性がない場合等のＤＦ量算出
に使用不可能なデータであることをいう。

【００６２】ステップ＃９１０でＡＦ不能であれば、ス
テップ＃９２０で９６個の画素の出力の平均を画素の出
力を表すＬ1にセットし、ステップ＃９３０で画素デー
タＬ1と積分時間Ｔ1とから求めた測光値をＢＶSP2にセ
ットした後、リターンする。ステップ＃９１０でＡＦ不
能でなければ、ステップ＃９４０でＤＦ量を算出し、ス
テップ＃９５０でＤＦ量が所定値よりも大きいか否かを
判定する。本実施例では、前記所定値を±２０ｍｍ(即
ち、左右に２０ｍｍ)としている。なお、図１５に示す
ように、通常の焦点検出の結果ＤＦ量が所定値よりも大
きいときにはフラグＯＫＳＰＦがセットされないため、
図１４のステップ＃４３０の判定により図１８に示す測
光値ＢＶSP2演算は行われない(後述)のであるが、一度
合焦状態が得られた後は、フラグＡＦＥＦにより、撮影
準備スイッチＳ1が操作されている間はフォーカスロッ
ク状態となる。従って、このフォーカスロック状態でカ
メラの向きを変えると、その時のＡＦセンサー上の被写
体に対しては合焦状態が得られていないことになる。こ
の場合の対策を行っているのが図１８のフローチャート
である。

【００６３】ステップ＃９５０で、ＤＦ量が所定値より
も大きくなければ、ステップ＃９６０で、ＤＦ量に応じ
て、ＤＦ量１ｍｍに対して１ピッチ(即ち、１画素)シフ
トさせた位置の画素３２個を指定する。このシフトは、
図１９に示す非合焦状態(前ピン／後ピン)における像の
シフトの方向に対応して行われる。尚、その場合、図１
９から分かるように前ピンと後ピンとでは像のシフト量
が異なるので、実際にはこの像のシフト量を考慮して前
記像のシフトを行うものとする。そして、ステップ＃９
７０で３２画素の出力の平均をＬ1にセットし、ステッ
プ＃９３０でＴ1，Ｌ1から測光値ＢＶSP2を算出した
後、リターンする。このときの測光値は、前述したよう
に積分時間Ｔ1とセンサーの画素の出力の平均Ｌ1とで行
う。

【００６４】先に述べたように、本実施例の特徴の一つ
は、位相差検出方式のＡＦセンサー１０２を構成するラ
インセンサーＬSENの１列(基準部Ｒn)の一部を用いて測
光を行うに際し、ＤＦ量に応じて測光する領域をＡＦセ
ンサー１０２上でシフトさせる点にある。つまり、ＤＦ
量に応じて領域の大きさを変えずに測光領域の位置を変
更することになる。

【００６５】ステップ＃９５０でＤＦ量が所定値よりも
大きければ、ステップ＃９９０で４８画素の出力の平均
をＬ1にセットし、ステップ＃９３０でＴ1，Ｌ1から求
めた測光値をＢＶSP2にセットした後、リターンする。

【００６６】このように、本実施例では、ＡＦセンサー
１０２の１列(基準部Ｒn)の一部を用いて測光を行うに
あたり、ＤＦ量が所定値よりも大きいときには、測光に
用いる受光素子数(画素数)を多くすることにより測光領
域を増やすことにも特徴がある。

【００６７】図１４に戻り、ステップ＃４６０でフラグ
ＡＥＬＦSP2をセットし(ＡＥＬＦSP2＝１)、ステップ＃
４７０でＢＶSP2をＢＶCにセットする。そして、ステッ
プ＃４８０でＡＥＬＦSP1をリセット(ＡＥＬＦSP1＝０)
した後、リターンする。

【００６８】図１２に戻り、ステップ＃９０でキー操作
に対する制御を行う。ここで、図１６に示すキー操作の
サブルーチンを説明する。

【００６９】まず、ステップ＃７００で、ハイライトス
イッチＳHIがＯＮ状態か否かを判定する。ＯＮ状態であ
れば、露光補正量を表すΔＢＶに＋2.5ＥＶをセットし
(＃７１０)、ステップ＃７２０に進む。ＯＮ状態でなけ
れば、ステップ＃７５０でシャドウスイッチＳSHがＯＮ
状態か否かを判定する。

【００７０】ステップ＃７５０で、シャドウスイッチＳ
SHがＯＮ状態でなければ、ステップ＃７２０に進み、Ｏ
Ｎ状態であれば、ステップ＃７６０でΔＢＶに−2.0Ｅ
Ｖをセットした後、ステップ＃７２０に進む。

【００７１】本実施例の特徴の一つは、先に図５及び図
７に関して述べたスポットＡＥＬ釦７５の構造から分か
るように通常スポット測光と狭スポット測光との選択が
可能な構成において、ハイライト基準露光又はシャドウ
基準露光を狭スポット測光で行う点にある。

【００７２】ステップ＃７２０で、ＡＥＬＦSP2がセッ
トされている(ＡＥＬＦSP2＝１)か否か判定する。セッ
トされていれば、ステップ＃７３０でアップ／ダウンダ
イヤル７２(図２)が操作されたか否か判定する。ステッ
プ＃７３０でアップ／ダウンダイヤル７２が操作されて
いなければリターンする。狭スポットのときは、アップ
／ダウンダイヤル７２は＋／−補正用のダイヤルとして
機能するので、ステップ＃７３０でアップ／ダウンダイ
ヤル７２が操作されていれば、ステップ＃７４０で、ア
ップ／ダウンダイヤル７２による＋／−操作量を、露光
補正量を表す変数ΔＥＶにセットした後、リターンす
る。

【００７３】このように、本実施例の特徴の一つは、絞
り値(ＡＶ)やシャッタースピード値(ＴＶ)の変更に用い
るアップ／ダウンダイヤル７２のダイヤル操作機能が、
狭スポットＡＥロック時には、＋／−の露出補正機能に
なる点にある。本実施例のように構成することにより、
ＡＥロック時の露出補正操作を容易に行うことができ
る。

【００７４】ステップ＃７２０で、ＡＥＬＦSP2がセッ
トされていなければ(ＡＥＬＦSP2≠１)、ステップ＃７
７０でアップ／ダウンダイヤル７２が操作されたか否か
判定する。操作されていなければリターンし、操作され
ていれば撮影モード設定スライドスイッチ７４で設定さ
れたＡＥモード(絞り優先ＡＥモード(Ａモード)又はシ
ャッター優先ＡＥモード(Ｓモード))に応じて、絞り値
(ＡＶ)又はシャッタースピード値(ＴＶ)の変更を行い
(＃７８０)、リターンする。

【００７５】図１２に戻り、ステップ＃１００で露出演
算を行う。ここで、図１７に示す露出演算のサブルーチ
ンを説明する。

【００７６】まず、ステップ＃８００でＡＥロック時の
制御用の輝度値ＢＶCと，フィルム感度読取装置１０９
からの信号に基づくフィルム感度値ＳＶと，ハイライト
基準露光又はシャドウ基準露光の設定に基づく露出補正
値ΔＢＶとから露出値ＥＶを求める。更に、ステップ＃
８１０で、アップ／ダウンダイヤル７２での露出補正に
より設定された露出補正値ΔＥＶを加えて露出値ＥＶを
得る。ステップ＃８２０で、撮影モード設定スライドス
イッチ７４(図２)により設定された撮影モード(プログ
ラムＡＥモード(Ｐモード)，絞り優先ＡＥモード(Ａモ
ード)又はシャッター優先ＡＥモード(Ｓモード))に応じ
て、ＡＶ及びＴＶの露出演算を行い、リターンする。

【００７７】図１２に戻り、ステップ＃１１０で表示を
行う。オンボディ表示は、図２に示す表示部７６でＴＶ
／ＡＶ表示等を行い、ファインダー画面内では先に説明
したような操作に応じた表示(図１０)を行う。

【００７８】次に、ステップ＃１２０で撮影準備スイッ
チＳ1又はスポットＡＥスイッチＳSP1がＯＮ状態か否か
を判定する。いずれかがＯＮ状態であれば、ステップ＃
１３０でタイマーＴLをリセットした後、スタートさせ
てステップ＃１０に戻る。ＯＮ状態でなければ、ステッ
プ＃１４０でタイマーＴLが信号スタートから１０秒経
過したか否か判定する。経過していなければステップ＃
１０に戻り、経過していれば制御動作を停止する。

【００７９】前記図１２のステップ＃６０でスタートさ
せたＡＦセンサー１０２の積分が終了すると、マイコン
μＣ(図８)の割り込み入力端子ＩＮＴ２に、ハイレベル
からローレベルへと変化する信号が入力され、これによ
りマイコンμＣは、図１３に示す割込処理ＩＮＴ２を実
行する。

【００８０】まず、積分は終了しているので、ステップ
＃２００で補助光をストップさせる。ステップ＃２１０
でタイマーＴINTをストップし、タイマーＴINTをＴ1に
セットする。ステップ＃２２０で、前記ラインセンサー
ＬSENの基準部Ｒn，参照部ＬnからマイコンμＣのレジ
スタにデータをダンプし、それぞれ画素に対応する変数
(レジスタ)ＲN，ＬN(N=1,2,…)にメモリーする。

【００８１】次に、ステップ＃２３０で、撮影準備スイ
ッチＳ1がＯＮ状態か否かを判定する。スイッチＳ1がＯ
Ｎ状態でなければ、ステップ＃２４０で合焦状態を表す
フラグＡＦＥＦをリセットし(ＡＦＥＦ＝０)、ステップ
＃２５０でローコントラストを含むＡＦ不能を表すロー
コントラストフラグＬＣＦをリセットし(ＬＣＦ＝０)、
ステップ＃３４０で補助光モードフラグＭＦをリセット
し(補助光ＭＦ＝０)、リターンする。ステップ＃２３０
でスイッチＳ1がＯＮ状態であれば、ステップ＃２６０
で合焦フラグＡＦＥＦがセットされている(ＡＦＥＦ＝
１)か否か判定する。

【００８２】合焦フラグＡＦＥＦがセットされていれ
ば、ステップ＃３４０で補助光モードフラグＭＦをリセ
ットし(補助光ＭＦ＝０)、リターンする。合焦フラグＡ
ＦＥＦがセットされていなければ、ステップ＃２７０で
フラグＬＣＦがセットされている(ＬＣＦ＝１)か否かを
判定する。セットされていれば、ステップ＃３４０で補
助光モードフラグＭＦをリセットし(補助光ＭＦ＝０)、
リターンし、セットされていなければステップ＃２８０
で相関演算(前述のステップ＃９００(図１８)での相関
演算と同様)を行う。

【００８３】次に、ステップ＃２９０でＡＦ不能か否か
を相関演算の結果に基づき判定(前述のステップ＃９１
０(図１８)での判定と同様)を行う。ＡＦ不能であれ
ば、ステップ＃３２０で補助光モードフラグＭＦがセッ
トされているか(補助光ＭＦ＝１)否かを判定する。補助
光モードフラグＭＦがセットされていなければ、ステッ
プ＃３５０で補助光モードフラグＭＦをセットし(補助
光ＭＦ＝１)、リターンする。補助光モードフラグＭＦ
をセットするのは、補助光モードにセットすれば、ＡＦ
可能な状態となる場合があるからである。ステップ＃３
２０で補助光モードフラグＭＦがセットされていれば、
補助光発光したにもかかわらずＡＦ不能状態にあるとい
うことなので、ステップ＃３３０でローコントラストフ
ラグＬＣＦをセットする(ＬＣＦ＝１)。ついで、ステッ
プ＃３４０で補助光モードフラグＭＦをリセットし(補
助光ＭＦ＝０)、リターンする。

【００８４】ステップ＃２９０でＡＦ不能でなければ、
ステップ＃３００でＡＦ動作制御を行う。ここで、図１
５に示すＡＦ動作制御のサブルーチンを説明する。

【００８５】相関演算(図１３中のステップ＃２８０)の
結果に基づき、ステップ＃６００でＤＦ量を算出する。
次に、ステップ＃６１０でＤＦ量が所定値よりも大きい
か否か判定する。本実施例では、前記と同様に(図１８
のステップ＃９５０)、所定値を±２０ｍｍ(即ち、合焦
状態のときの位置から左右に２０ｍｍ)とし、それを目
安としている。

【００８６】ＤＦ量が所定値よりも大きければ、ステッ
プ＃６２０で、フォーカシングのためのレンズ駆動を行
った後、リターンする。ＤＦ量が所定値以下であれば、
ステップ＃６３０でオーケースポットフラグＯＫＳＰＦ
をセットする(ＯＫＳＰＦ＝１)。このフラグＯＫＳＰＦ
は、狭スポット測光を許可するためのフラグであり、ス
テップ＃６１０，＃６３０に示すようにＤＦ量が小さい
ときのみセットされる。ＤＦ量が大きいときは、ＯＫＳ
ＰＦ＝０であるから図１４中のステップ＃４３０で、フ
ラグＯＫＳＰＦがセットされているか否かを判定するこ
とによって、ステップ＃４５０〜＃４７０がスキップさ
れ狭スポット測光が禁止されることになる。

【００８７】上記のように、ＤＦ量が所定値よりも大き
くない場合にのみ、狭スポット測光を可能とする(フラ
グＯＫＳＰＦをセットする)のは、図１９に示すよう
に、ＤＦ量が大きすぎると、ファインダー画面内におい
て見える像の形成位置と、ラインセンサーＬSEN上に形
成される像の形成位置とが、異なってくるためである。
尚、図１９は、ＤＦ量を変化させた場合の基準部Ｒn上
の像の移動及びボケ具合(像の広がり具合)を示してお
り、同図中の数値はＤＦ量を表し、ＤＦ量が０のとき合
焦状態、＋側では前ピン状態、−側では後ピン状態であ
る。

【００８８】上記のように、本実施例の特徴の一つは、
アレイ状に配された複数の受光素子列における所定の範
囲の受光素子から得られた電気信号に基づいて、測光と
ＡＦのためのデフォーカス量の検出を行う測光装置にお
いて、ＤＦ量が所定値よりも大きい場合には、狭スポッ
ト測光を禁止するようにマイコンμＣが制御する点にあ
る。

【００８９】図１５に戻って、ステップ＃６４０で、合
焦状態にあるか否かを判定する。合焦状態でなければス
テップ＃６２０でフォーカシングのためのレンズ駆動を
行った後、リターンする。合焦状態にあるならば、ステ
ップ＃６５０で合焦フラグＡＦＥＦをセット(ＡＦＥＦ
＝１)した後、リターンする。

【００９０】図１３に戻り、ステップ＃３１０ではＡＦ
不能でないので、ローコントラストフラグＬＣＦをリセ
ットする(ＬＣＦ＝０)。次に、ステップ＃３４０で補助
光モードフラグＭＦをリセットし(補助光ＭＦ＝０)、リ
ターンする。

【００９１】図２０は、上記第１実施例の変形例に用い
られるＣＣＤセンサーチップ(測光用シリコンフォトセ
ルＳＰＣを含む)の構成を示している。この変形例で
は、上記第１実施例のようにＡＦセンサー１０２で測光
を行うのではなく、別の回路を用いる構成となってい
る。

【００９２】位相差検出方式のＡＦセンサーにおいて
は、ラインセンサーの基準部Ｒnと参照部Ｌnとの間にス
ペースを設けることができるため、同図に示すように、
そのスペースに狭スポット測光に用いるセンサーとして
シリコンフォトセルＳＰＣを配置することができる。従
って、ＡＦの制御とは無関係に狭スポット測光を行いう
るように構成されていても、コンパクトな構成になって
いる。また、基準部Ｒnと参照部Ｌnとの間は、撮影光学
系の光軸ＡＸ(図２１)上に相当する位置であるため、か
かる構成により、撮影画面の中央をそのまま測光するこ
とが可能となる。また、ＡＦセンサーと同一チップ２０
０上に回路ＣＫＴを設けることによって、積分型のセン
サーを構成し、低輝度領域の測光を可能としている。
尚、通常スポット測光及び広範囲測光は、前述の実施例
と同様に測光装置３４Ｔで行われる。上記実施例に沿う
と、この図２０の測光センサー(ＳＰＣ及びＣＫＴ)は、
狭スポット測光用に用いられるが、別の実施例として、
この測光センサーを通常スポット測光や広範囲測光に供
してもよい。

【００９３】同図中、ＳＰは、基準部Ｒnと参照部Ｌnか
ら成るフォトセンサーアレイである。ＳＴは、フォトセ
ンサーアレイを初期設定する積分クリア回路である。Ｓ
ＲはＣＣＤシフトレジスタであり、ＳＧはフォトセンサ
ーアレイＳＰに蓄えられた蓄積電荷をＣＣＤシフトレジ
スタＳＲに転送するシフトゲート回路である。

【００９４】図２１は、本変形例に用いられる焦点検出
モジュール１８の構成を示している。焦点検出モジュー
ル１８は、ＡＦセンサー，光学系等から成り、ＡＦセン
サー及びシリコンフォトセルＳＰＣに光を導くように構
成されている。

【００９５】図２１において、視野マスク２２は、焦点
検出のための視野を規定するためのもので、矩形開口２
２ａを有する。この視野マスク２２は、モジュール本体
１８ａの係合孔１８ｂ及び係合切欠き１８ｃにそれぞれ
係合する弾性脚部２２ｂ，２２ｃを有し、コンデンサレ
ンズ４をモジュール本体１８ａの開口部１８ｄに固定保
持するコンデンサレンズ押さえ手段を兼ねている。な
お、視野マスク２２は、ミラーボックス底壁１６(図３)
の下方にあって、上記予定結像面ＦS(図４)よりも光学
的には後方に位置するが、ミラーボックス底壁１６に固
定し、予定結像面ＦSの位置にあるように設けてもよ
い。

【００９６】光路屈曲用ミラー２４は、副ミラー１４
(図３)で屈曲された主光軸ＡＸに対して４５°の傾きを
もつようにモジュール本体１８ａに、例えば接着によっ
て固定される。そして、副ミラー１４で反射した後、視
野マスク２２の矩形開口２２ａ及びコンデンサレンズ４
を通過した光束を、カメラの前方に向けて反射する。

【００９７】赤外カットフィルター２６は、可視光波長
域の光に比べて遠くに結像する赤外波長域の光(ＣＣＤ
アレイは赤外波長域にも感度をもっている)をカットす
るためのもので、モジュール本体１８ａ内で光路屈曲用
ミラー２４の前方(光学的には後方)に、モジュール本体
１８ａ下方から挿入して接着等により固定する。フィル
ター２６取付け後にモジュール本体１８ａに不図示の遮
光板が取り付けられる。

【００９８】３４は、再結像レンズ６，８を有する透明
プラスチックから成る透明板で、再結像レンズ６，８は
この透明板３４に受光素子パッケージ２０側(光学的に
後方)を凸球面とする平凸レンズとして形成されてい
る。この実施例の場合、再結像レンズ６，８は、互いに
分離させて形成されている。７は、スポット測光用の再
結像レンズであり、６と同じように形成されており、光
軸(ＡＸ)中心上に置かれている。

【００９９】再結像レンズ６，８に対応する一対の開口
部１０ａ，１０ｂを有する絞りマスク１０は、３０〜６
０μｍ程度の厚さの薄板から成り、モジュール本体１８
ａと透明板３４とで挟持することによって、モジュール
本体１８ａに保持される。即ち、モジュール本体１８ａ
は、底部が平坦に形成された矩形開口１８ｅを有し、こ
の矩形開口１８ｅ内に絞りマスク１０，透明板３４が順
に挿入され、絞りマスク１０は、その矩形開口の平坦な
底壁と透明板３４の平坦面とに密着して挟持される。

【０１００】尚、矩形開口１８ｅの底壁には、主光軸Ａ
Ｘを中心とする透孔１８ｆが形成されるとともに、一対
のピン１８ｇが植設されているが、これらのピン１８ｇ
は、絞りマスク１０，透明板３４に形成された穴１０
ｃ，３４ａにそれぞれ嵌合し、主光軸ＡＸに垂直な平面
内における絞りマスク１０及び透明板３４の位置決めを
行う。開口部１０ｄは、測光素子(シリコンフォトセル)
ＳＰＣへの光を規制する絞りマスクで、１０ａ，１０ｂ
と同様に構成されている。但し、透明板３４の上記矩形
開口底壁への固定は、接着や熱加締め等で行う。

【０１０１】受光素子パッケージ２０は、台板２０ａ上
に１列に配置されたＣＣＤアレイチップ３６を、その台
板とスペーサー(不図示)及びカバーガラス２０ｃで封入
したものであり、３８はＣＣＤアレイの出力端子であ
る。

【０１０２】本変形例の特徴は、図２０及び図２１に示
すように、位相差検出方式のＡＦセンサーチップ上に、
ＡＥ用のセンサーとしてシリコンフォトセルＳＰＣを設
け、ＭＯＳ回路でチップを構成し、更に、ＡＦ用・ＡＥ
用のそれぞれの再結像レンズが形成された１枚のプラス
チック製の透明板３４と、ＡＦ用・ＡＥ用のそれぞれの
絞り用穴が形成された１枚の板から成る絞りマスク１０
とを設けた点にある。かかる構成によって、本変形例全
体のコンパクト化を図ることができる。

【０１０３】図２２は、本変形例の撮影画面Ｊ内に占め
るＳＰ１測光エリア(ＢＶSP1測光素子エリア)Ｊ1，ＳＰ
２測光エリア(ＢＶSP2測光素子エリア)Ｊ2及びＳＰ３測
光エリア(ＢＶAM測光素子エリア)Ｊ3を示している。Ｓ
Ｐ１測光エリアは、測光装置３４Ｔによって通常スポッ
ト測光される範囲(スポットサイズ：５φ)である。ＳＰ
２測光エリアは、シリコンフォトセルＳＰＣによって狭
スポット測光される範囲(スポットサイズ：１φ)であ
る。ＳＰ３測光エリアは、測光装置３４Ｔによって広範
囲測光される範囲である。

【０１０４】図２３は、測光装置３４Ｔを構成する測光
素子チップである。この測光素子チップは、ユニポーラ
(ＭＯＳ)素子とセンサーとから成るチップであって、通
常スポット測光用のシリコンフォトセルＳＰ１と，広範
囲測光用のシリコンフォトセルＳＰ３と，対数圧縮用の
回路であるダイオードアンプＯＰ１及びＯＰ２と，出力
切換用のマルチプレクサＭＰＬＸとで構成されている。
同図から分かるように、測光装置３４Ｔは、対数圧縮を
行う構成とはなっているが、積分型センサーの構成とは
なっていない。尚、測光装置３４Ｔは、前述の第１実施
例に用いられているものと同じものである。

【０１０５】図２４は、図２０に示す測光用のシリコン
フォトセルＳＰＣと，このシリコンフォトセルＳＰＣか
らの電荷を蓄積、制御するための回路ＣＫＴを示してい
る。ここで、ＭＯＳトランジスタＱ1，Ｑ2，コンデンサ
ーＣ1，ＭＯＳトランジスタＱ4については、本出願人が
特願平１−３３４４７２号において提案したものと同様
に構成されている。この構成で、ＭＯＳトランジスタＱ
1をサブスレッショールド電流が流れる領域で動作させ
ることにより受光素子Ｐ1から出力される電流を対数圧
縮した電流とし、コンデンサーＣ1へ蓄積する。但し、
基板への電圧制御は必要であるが、これに関しては本出
願人が特願平１−３３４４７２号において開示した構成
を採用すればよく、本変形例では説明を省略する。

【０１０６】上記のように、本変形例は、シリコンフォ
トセルＳＰＣ及び回路ＣＫＴを搭載したＣＣＤセンサー
チップを用いることによって、対数圧縮を行う積分型セ
ンサーの構成となっているので、低輝度領域の測光が可
能である。

【０１０７】図２４中、トランジスタＱ4はコンデンサ
Ｃ1の電荷リセットを行い、トランジスタＱ3はコンデン
サーＣ1への積分制御を行う。ここで、ＰＮ接合フォト
ダイオードＰ1が、図２０におけるＳＰＣの感光部を構
成し、そのアノードが第１のｎチャンネルＭＯＳトラン
ジスタＱ1のドレインとゲート及び第２のｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタ２ｂのゲートに接続されている。ま
た、フォトダイオードＰ1のカソードには、ＤＣ電圧ＶD
D1が、第１ＭＯＳトランジスタＱ1のソースにはＤＣ電
圧ＶSS1が、第２ＭＯＳトランジスタＱ2のドレインに
は、ＤＣ電圧ＶDD2が印加されている。

【０１０８】更に、第２ＭＯＳトランジスタＱ2のソー
スは、積分用のコンデンサーＣ1を介してＤＣ電圧ＶSS2
に接続されている。一方、第１ＭＯＳトランジスタＱ1
の基板にはＤＣ電圧ＶSUB1が印加され、第２ＭＯＳトラ
ンジスタＱ2の基板は、第２ＭＯＳトランジスタＱ2が第
１ＭＯＳトランジスタＱ1と同一の基板上又はウェル内
に形成される場合には、ＤＣ電圧ＶSUB1が印加され、第
２ＭＯＳトランジスタＱ2が第１ＭＯＳトランジスタＱ1
と異なる基板上又はウェル内に形成される場合には、Ｄ
Ｃ電圧ＶSUB2が印加又は第２ＭＯＳトランジスタＱ2の
ソースに接続される。

【０１０９】図２５は、本変形例におけるシリコンフォ
トセルＳＰＣによる測光値ＢＶSP2演算のフローを示し
ている。本変形例では、以下に示すようにして、光電流
ＩPの積分値が対数圧縮され、第２ＭＯＳトランジスタ
Ｑ2のソースとコンデンサＣ1の接続点の電圧Ｖ0とな
る。尚、図２５は、図１８に示すフローを本変形例用に
変更したものであり、本変形例は測光値ＢＶSP2演算の
制御動作が異なるほかは、前記第１実施例と同様の構成
になっている。その他のフローチャートに関しては、ス
ポット測光可能を表すフラグＯＫＳＰＦの設定・判定を
フローから除けば、動作上の問題は生じない。

【０１１０】まず、コンデンサＣ1の積分時間を司るタ
イマーＴ1に１ｍｓｅｃをセットする(＃１０１０)。こ
のＴ1を１ｍｓｅｃとする設定で、ＢＶ＝−２〜１７の
範囲の測光が可能である。また、Ｔ1が２⁵ｍｓｅｃでＢ
Ｖ＝−７〜１２、Ｔ1が２^-5ｍｓｅｃでＢＶ＝３〜２２
の範囲の測光がそれぞれ可能である。

【０１１１】積分制御では、まずリセットパルスφＲを
トランジスタＱ4のゲートに印加し、コンデンサーＣ1を
リセットした後(＃１０２０)、ゲートパルスφＧをトラ
ンジスタＱ3のゲートに加えて該トランジスタＱ3をＯＮ
にすることにより、積分を開始させる(＃１０３０)。ス
テップ＃１０４０で一定時間Ｔ1の計測を行う。一定時
間経過後、トランジスタＱ3をＯＦＦにして、積分を終
了する(＃１０５０)。マイコンμＣは、コンデンサーＣ
1の出力をバッファ２０１を通して入力し、Ａ／Ｄ変換
を行ってデータを入力する(＃１０６０)。このデータに
基づいてステップ＃１０７０で、測光値ＢＶSP2を算出
する。

【０１１２】ステップ＃１０９０で、ＢＶSP2≦ＫBV1
(所定値)か否か判定する。ＢＶSP2≦ＫBV1であればステ
ップ＃１１００でタイマーＴ1に２⁵ｍｓｅｃをセットし
た後、ステップ＃１０２０に戻る。ＢＶSP2＞ＫBV1であ
れば、ステップ＃１１１０でＢＶSP2≧ＫBV2(所定値)か
否か判定する。ＢＶSP2≧ＫBV2であればステップ＃１１
２０でＴ1に２^-5ｍｓｅｃをセットした後、ステップ＃
１０２０に戻る。ＢＶSP2＜ＫBV2であればステップ＃１
０８０でＢＶCにＢＶSP2をセットした後、リターンす
る。

【０１１３】上記のように、この変形例は、被写体を測
光するシリコンフォトセルＳＰＣと，このシリコンフォ
トセルＳＰＣによって得られた光電流を対数圧縮変換し
てコンデンサーＣ1に蓄積する回路ＣＫＴとを有するこ
とを特徴としている。しかも、コンデンサーＣ1に蓄積
された電圧から測光値を算出し、その測光値に基づき、
被写体の測光領域が低輝度であるほどコンデンサＣ1の
積分時間を大きくするように、回路ＳＴの動作を制御す
るマイコンμＣとを有することを特徴としている。つま
り、この変形例では、光電流を対数圧縮変換してコンデ
ンサーＣ1に蓄積し、蓄積された電圧から測光値を得る
タイプのセンサーをカメラの測光に使用し、輝度に応じ
て積分時間を変える構成となっているので、測定輝度範
囲を広げることができるのである。

【０１１４】また、本変形例の構成では、１チップ上
で、ＭＯＳ回路のみでＡＦセンサーと測光センサーを作
ることができるので、製造工程がＢｉＣＭＯＳと比べて
簡単であり、低コスト化を図ることができる。

【０１１５】図２６は、本発明の第２実施例における焦
点検出エリアを示している。本実施例は、多点焦点検出
の実施例である。Ｈbは、第１実施例と同じく、光軸を
挟んで位相差方式のＡＦを行うもので、エリアＨa，Ｈc
は、軸外ＡＦセンサー軸外で位相差の焦点検出を行うも
のである。この方式は、本出願人が特開昭６３−１７２
２０９号において詳細に述べているため、詳細について
は説明を省略する。

【０１１６】本実施例の特徴となる点は、上記焦点検出
エリア内に光軸を挟む位相差検出では、ＡＦセンサーを
用いてスポット測光を可とするが、エリアＨa，Ｈcのよ
うに光軸外のエリアでは、ＡＦセンサーを用いたスポッ
ト測光を行わないことにある。この理由は、図２７に示
すように、エリア内に光軸を挟んでいないと、ＤＦ量の
ずれによる像の中心からのずれが大きくなり、測定した
いスポットの像の測光値が得られないことが多いためで
ある。尚、図２７は、エリアＨcについて、図１９と同
様にＤＦ量を変化させた場合の基準部Ｒn上の像の移動
及びボケ具合(像の広がり具合)を示しており、同図中の
数値はＤＦ量を表し、ＤＦ量が０のとき合焦状態、＋側
では前ピン状態、−側では後ピン状態を示している。

【０１１７】本実施例のように、多点焦点検出のＡＦセ
ンサーを用いて測光するものにおいて、軸外ＡＦセンサ
ーでは測光しない構成とすることによって、ＤＦ量の違
いに起因する誤った露出制御を回避することができる。

【０１１８】

【表１】

【０１１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る第１の
測光装置によれば、ＡＦセンサーを成すアレイ状に配さ
れた複数の受光素子列における所定の範囲の受光素子か
ら得られた電気信号に基づいて測光を行う測光装置にお
いて、前記ＡＦセンサーの出力に基づいて得られたデフ
ォーカス量が所定値よりも大きい場合、禁止手段によっ
て前記測光が禁止されるので、ＤＦ量の違いに起因する
誤った露出制御を回避することができるという効果があ
る。それにより、ＤＦ量によって測光が影響を受けたこ
とに気付かずに、撮影が行われるといったことがなくな
る。

【０１２０】また、本発明に係る第２の測光装置によれ
ば、ＡＦセンサーを成すアレイ状に配された複数の受光
素子列における所定の範囲の受光素子から得られた電気
信号に基づいて測光を行う測光装置において、前記ＡＦ
センサーの出力に基づいて得られたデフォーカス量に応
じて、測光する領域の大きさを変えずに測光領域の位置
を変更する制御手段を設けたので、ＤＦ量の違いに起因
する誤った露出制御を回避することができるという効果
がある。それにより、ＤＦ量によって測光が影響を受け
たことに気付かずに、撮影が行われるといったことがな
くなる。

【０１２１】また、本発明に係る第３の測光装置によれ
ば、ＡＦセンサーを成すアレイ状に配された複数の受光
素子列における所定の範囲の受光素子から得られた電気
信号に基づいて測光を行う測光装置において、前記ＡＦ
センサーの出力に基づいて得られたデフォーカス量が所
定値よりも大きい場合、前記測光に用いる受光素子数を
多くすることにより測光領域を増やす制御手段を設けた
ので、ＤＦ量の違いに起因する誤った露出制御を回避す
ることができるという効果がある。それにより、ＤＦ量
によって測光が影響を受けたことに気付かずに、撮影が
行われるといったことがなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカメ
ラボディを斜め前方から見たときの外観を示す斜視図。

【図２】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカメ
ラボディを斜め後方から見たときの外観を示す斜視図。

【図３】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカメ
ラ内部の光学系の配置を示す断面図。

【図４】本発明の第１実施例に用いられる位相差検出方
式のＡＦセンサーによる焦点検出の原理を説明するため
の図。

【図５】本発明の第１実施例に用いられるスポットＡＥ
Ｌ釦の内部構造を示す断面図。

【図６】第１実施例に用いられるスポットＡＥＬ釦の接
触パターンを示す平面図。

【図７】第１実施例に用いられるスポットＡＥＬ釦の接
触パターンを示す平面図。

【図８】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカメ
ラの回路構成を示すブロック図。

【図９】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカメ
ラの撮影画面内に占めるＡＦ素子エリア及び測光素子エ
リアを示す図。

【図１０】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラのファインダー内の表示を示す図。

【図１１】本発明の第１実施例に用いられるＡＦセンサ
ーの要部構成及び測光領域使用部を示す図。

【図１２】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作のメインルーチンを示すフローチャー
ト。

【図１３】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作における積分終了時の割り込み処理を示
すフローチャート。

【図１４】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作における測光演算処理を示すフローチャ
ート。

【図１５】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作におけるＡＦ処理を示すフローチャー
ト。

【図１６】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作におけるキー操作処理を示すフローチャ
ート。

【図１７】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作における露出演算処理を示すフローチャ
ート。

【図１８】本発明の第１実施例が用いられた一眼レフカ
メラの制御動作における測光値ＢＶSP2演算処理を示す
フローチャート。

【図１９】本発明の第１実施例を構成するＡＦセンサー
を構成する基準部のラインセンサーにおいて、ＤＦ量を
変化させたときの基準部に形成される像の変化を示す
図。

【図２０】第１実施例の変形例に用いられるＡＦセンサ
ーを構成するＣＣＤセンサーチップの概略構成を示す
図。

【図２１】第１実施例の変形例を構成するＡＦセンサー
モジュールの構成を示す分解斜視図。

【図２２】第１実施例の変形例が用いられた一眼レフカ
メラの撮影画面内における測光エリアを示す図。

【図２３】本発明の第１実施例及びその変形例に用いら
れる測光装置を構成する測光素子チップを示す回路図。

【図２４】第１実施例の変形例に用いられるＡＦセンサ
ーを構成する測光用シリコンフォトセルＳＰＣと測光用
シリコンフォトセルＳＰＣからの電荷を蓄積，制御する
回路ＣＫＴとを示す回路図。

【図２５】第１実施例の変形例における測光値ＢＶSP2
演算処理を示すフローチャート。

【図２６】本発明の第２実施例に用いられる一眼レフカ
メラによる撮影画面における焦点検出領域を示す図。

【図２７】本発明の第２実施例を構成するＡＦセンサー
の基準部において、ＤＦ量を変化させたときの基準部に
形成される像の変化を示す図。

【図２８】本発明の第１実施例を構成するＡＦセンサー
の要部構成を示す概略図。

【符号の説明】

Ｂ …カメラボディ Ｌ …交換レンズ Ｆ0 …フィルム面 ＦS …予定結像面 Ｇ …撮影画面 Ｇ0 …ＡＦ素子エリア Ｇ1 …ＢＶSP1測光素子エリア Ｇ3 …ＢＶAM測光素子エリア Ｄ0 …ＡＦエリア表示 Ｄ1 …ＢＶSP1エリア表示 Ｄ2 …ＢＶSP2エリア表示 ＭSP …モニター用受光素子 ＬSEN …ラインセンサー Ｒn …基準部 Ｌn …参照部 ２ …撮影レンズ ４ …コンデンサレンズ ６，８ …再結像レンズ １０ …絞りマスク １２ …主ミラー １４ …副ミラー １６ …ミラーボックス底壁 １６ａ …開口部 １８ …焦点検出モジュール １８ａ …モジュール本体 ２０ …受光素子パッケージ ２２ …視野マスク ２４ …光路屈曲用ミラー ２６ …赤外光カットフィルタ ２８ …焦点板 ３０ …ペンタプリズム ３２Ｔ …接眼レンズ ３３Ｔ …コンデンサレンズ ３４Ｔ …測光装置 ３５Ｔ …透過型液晶 ５０ａ〜５０ｃ …接触パターン ５１ …釦 ５２，５３ …スイッチバネ ５４ …摺動接片 ５５〜５８ …接触パターン ７０ …メインスイッチレバー ７１ …レリーズ釦 ７２ …アップ／ダウンダイヤル ７３ …ＡＦ補助光発光窓 ７４ …撮影モード設定スライド ７５ …スポットＡＥＬ釦 ７６ …表示部 μＣ …マイコン ３４Ｔ …測光装置 １０２ …ＡＦセンサー １０３ …ＡＦモータ １０４ …補助光用光源 １０５ …カメラボディ表示部 １０６ …ファインダー画面内表示部 １０７ …アップ／ダウン装置 １０８ …露出モード設定装置 １０９ …フィルム感度(ＤＸコード)読み取り装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 剛也 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタカメラ株式会社内 (72)発明者 湯川 和彦 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタカメラ株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＡＦセンサーを成すアレイ状に配された複
   数の受光素子列における所定の範囲の受光素子から得ら
   れた電気信号に基づいて測光を行う測光装置において、 前記ＡＦセンサーの出力に基づいて得られたデフォーカ
   ス量が所定値よりも大きい場合、前記測光を禁止する禁
   止手段を設けたことを特徴とする測光装置。
2. 【請求項２】ＡＦセンサーを成すアレイ状に配された複
   数の受光素子列における所定の範囲の受光素子から得ら
   れた電気信号に基づいて測光を行う測光装置において、 前記ＡＦセンサーの出力に基づいて得られたデフォーカ
   ス量に応じて、測光する領域の大きさを変えずに測光領
   域の位置を変更する制御手段を設けたことを特徴とする
   測光装置。
3. 【請求項３】ＡＦセンサーを成すアレイ状に配された複
   数の受光素子列における所定の範囲の受光素子から得ら
   れた電気信号に基づいて測光を行う測光装置において、 前記ＡＦセンサーの出力に基づいて得られたデフォーカ
   ス量が所定値よりも大きい場合、前記測光に用いる受光
   素子数を多くすることにより測光領域を増やす制御手段
   を設けたことを特徴とする測光装置。