JPS6127395B2 - - Google Patents
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
この発明は△2又は△3を混在する7−アシル
アミド−3−置換メチル−セフエム−4−カルボ
ン酸類を特定触媒の存在下酸化して7−アシルア
ミド−3−置換メチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸−1−オキシド類を製造する方法に関する
ものである。 更に詳しくは、この発明は一般式 (式中R1はアシルアミノ基、−COORはカルボキ
シル基又はエステル化されたカルボキシル基、x
は水素原子、ハロゲン原子、アジド基、アシロキ
シ基又は低級アルコキシ基をそれぞれ意味する) で表される7−アシルアミド−3−置換メチル−
セフエム−4−カルボン酸類又はその塩を不活性
溶媒中、週期律表族のb列又は族b列の元素
の群から選ばれた元素の酸素化合物又はその塩の
一種又は一種以上の触媒の存在下、過酸化水素又
は過酢酸で酸化して一般式 (式中各記号は上記と同一意味) で表される7−アシルアミド−3−置換メチル−
3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシド類
又はその塩を得ることよりなる3−セフエム−カ
ルボン酸−1−オキシド誘導体の製造方法に関す
る。 この発明の原料物質である7−アシルアミド−
3−置換メチル−セフエム−4−カルボン酸類で
△2誘導体又は△2と△3の混合物は、ペニシリ
ンスルホキシド誘導体からの環拡大反応時や3−
メチル−2−セフエム−4−カルボン酸類の3位
のメチル基にN−ブロモこはく酸イミドのような
ブロム化剤でブロム基を導入する際に生成する
〔J.A.C.S.91、5674(1969)参照〕。この△2誘導
体を薬効的に有用な△3誘導体に変換すること
は、極めて重要なことである。この発明の発明者
は、上記の理由から酸化剤を種々検討し、工業的
に好収率で3−セフエム−カルボン酸−1−オキ
シド誘導体へ導く方法を見い出しこの発明を完成
するに至つた。 この発明の原料物質()の7位のアシル基
は、任意のものを用いることができるが、工業的
にはフエノキシアセチル基、フエニルアセチル
基、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、
ベンゾイル基、フタロイル基、スクシニル基等が
好ましい。又4位のエステル化されたカルボキシ
ル基とは、メトキシカルボキシル基、エトキシカ
ルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、2−ク
ロロエトキシカルボニル基、2−ブロモエトキシ
カルボニル基、2−トリクロロエトキシカルボニ
ル基、p−メトキシベンジロキシカルボニル基、
p−ニトロベンジロキシカルボニル基、2−メチ
ルフルフイニルエトキシカルボニル基、ベンゾイ
ルメトキシカルボニル基、p−ブロモベンゾイル
メトキシカルボニル基、メトキシメトキシカルボ
ニル基、アセトキシメトキシカルボニル基、i−
ブチロキシブトキシカルボニル基、t−ブチロキ
シメトキシカルボニル基、(5′−インダニル)オ
キシカルボニル基等が挙げられる。これらの中で
工業的見地から、t−ブトキシカルボニル基、p
−メトキシベンジロキシカルボニル基、p−ニト
ロベンジロキシカルボニル基、i−ブチロキシブ
トキシカルボニル基、t−ブチロキシメトキシカ
ルボニル基、アセトキシメトキシカルボニル基、
(5′−インダニル)オキシカルボニル基等が好ま
しい。 更に3位のxにおけるアシロキシ基としては、
アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等が、又低
級アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基等が挙げられる。 この発明の反応は、一般式()の原料物質に
不活性溶媒中で週期律表の第族b列又は第族
b列の元素の酸素化合物又はその塩の触媒の存在
下過酸化水素又は過酢酸で処理することによつて
行われる。酸化剤は通常30%過酸化水素水または
40%過酢酸が用いられる。 触媒としては、パナジウム、ニオジム、タリウ
ム、クロム、モリブデン又はタングステンの酸素
化合物又はその塩が挙げられるが、ことに五酸化
パナジウム、モリブデン酸ナトリウム、タングス
テン酸ナトリウムが好ましい例である。その使用
量は通常1〜5モル%で十分である。 不活性溶媒としては、水、アセトニトリル、プ
ロピオニトリル、アセトン、メタノール、塩化メ
チレン、クロロホルム、塩化エチレン、酢酸エチ
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセタミド、ホルムアミド、酢酸、
ギ酸等が挙げられ、通常含水のものが用いられ
る。 一般式()の化合物で、COORがカルボキシ
ル基のものが使用された際には、通常その塩例え
ばアルカリ金属塩、アンモニウム塩、トリアルキ
ルアミン塩の水溶液が用いられる。 原料を均一の溶液にして、ほぼ計算量の過酸化
物を用いて酸化反応を行う。勿論、塩化メチレン
や酢酸エチルなどを用い、過酸化水素水と触媒を
用いる時は原料は均一にとけるが反応液は2層と
なるので激しく撹拌することが必要である。 過酸化水素による酸化反応は、PH7以上ではお
そいので、少量の有機酸例えば酢酸の添加が望ま
しい。過剰の酸化剤の使用はスルホンを生成する
ので好ましくない。 やや少なめの酸化剤を用い反応は薄層クロマト
グラフイーで追跡し、不足の酸化剤を追加する方
法が望ましい。反応温度は通常0℃〜30℃を用い
るがこれより低温でも高温でも差支えない。 酸化反応終了後カルボン酸の場合、濃縮した後
かまたは水でうすめた後、酸でPH2付近に調整
し、結晶を過するかまたは溶媒抽出により目的
物()をうる。 エステルの場合は、溶媒の性質により反応後の
処理法が異るが、水でうすめるか又は溶媒抽出
し、目的物()をうる。 一般に1−オキシド化合物は、元の化合物に比
べ各種の溶媒に比較的難溶で結晶性がよく、容易
に取り出せる。 次のこの発明を実施例によつて説明するが、こ
の発明はこれによつて限定されない。 以下の実施例におけるIRは赤外部吸収スペク
トル(KBr)、UVは紫外吸収スペクトル(95%エ
タノール中)を意味する。 実施例 1 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gを氷水15mlに加
え、撹拌下2規定水酸化ナトリウムを加えPH8以
下で溶解させる。この溶液に酢酸1滴とタングス
テン酸ナトリウム2水和物0.05gを含む水溶液を
加え氷冷下撹拌しながら80%過酸化水素水0.34ml
を滴下する。 約0.5時間撹拌後薄層クロマトグラフイー(ク
ロホルム:メタノール=2:1、発色剤:ヨウ化
アジド溶液、噴霧後加熱)で反応を追跡し、必要
があれば過酸化水素水を追加し、酸化反応を完結
させる。20%塩酸でPH2.5に調整し、析出した結
晶を集め、水洗し、乾燥する。 母液は塩化メチレンで抽出し、飽和食塩水で洗
い乾燥後溶媒を留去する。7−フエニルアセタミ
ド−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドを収率94%で得た。メタノールか
ら再結晶する。融点182〜183℃(分解)、IR:
1785cm-1、UVλmax264mμで標品と一致した。 タングステン酸ナトリウム2水和物の代りにモ
リブデン酸ナトリウム2水和物を用いてもほぼ同
様の結果を得た。 なお上記の7−フエニルアセタミド−3−メチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸の代りに7−
フエニルアセタミド−3−メチル−セフエム−4
−カルボン酸を用い同様に反応させ処理して、上
記と同一の7−フエニルアセタミド−3−メチル
−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシド
を収率95%で得た。 メタノールから再結晶して融点182〜183℃(分
解)のものを得た。 実施例 2 実施例1の7−フエニルアセタミド−3−メチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸の代りに7−
フエノオキシアセタミド−3−メチル−2−セフ
エム−4−カルボン酸を用い実施例1に従い反応
させ処理する。7−フエノオキシアセタミド−3
−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−
オキシドを収率96%で得た。融点199〜200℃(分
解)、IR:1795cm-1、UVλmax:263mμ。 実施例 3 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gとアセトニトリル
20mlにとかし氷冷下撹拌しながら五酸化バナジウ
ム0.027gを含む水溶液と30%過酸化水素水0.38
mlを加える。薄層クロマトグラフイーで追跡し、
必要があれば過酸化水素水を追加し、反応を完結
させる。反応液は減圧で約半量に濃縮後、氷水20
mlを加え析出する結晶を進め、水洗し乾燥する。
水溶液は食塩で飽和し、20%リン酸でPH2.5に調
整後塩化メチレンで抽出し塩化メチレン層は少量
の飽和食塩水で数回洗い乾燥して溶媒を留去す
る。7−フエニルアセタミド−3−メチル−3−
セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドを収率
93%で得た。メタノールから再結晶し、融点199
〜200℃(分解)を得、標品と一致した。 実施例 4 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gを、N・N−ジメ
チルホルムアミド10mlにとかし、タングステン酸
ナトリウム2水和物0.03gを含む水溶液と40%過
酢酸0.6mlを加え室温で2時間撹拌する。反応は
薄層クロマトグラフイーで追跡し、反応完了後氷
水30mlにあけ、塩酸でPH2.5に調整し氷室に一夜
おく。結晶を集め水洗し、乾燥する。7−フエニ
ルアセタミド−3−メチル−3−セフエム−4−
カルボン酸−1−オキシドを収率82%で得た。メ
タノールから再結晶し、融点199〜200℃(分解)
のものを得た。 実施例 5 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−2
−セフエム−4−カルボン酸メチルエステル1.09
gを酢酸5mlにとかし五酸化バナジウム0.027g
を含む水と30%過酸化水素水0.37mlを加え氷冷下
2時間撹拌する。氷水を加え析出する結晶を集
め、水洗して乾燥する。メタノールから再結晶
し、融点208〜210℃(分解)の7−フエノオキシ
アセタミド−3−メチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸−1−オキシドのメチルエステルを0.98
g(86%)で得た。IR:1780cm-1、UVλmax:
267mμ。なお上記の反応で触媒を加えない場合
は反応終了に10時間以上を要し、収率65%であつ
た。 実施例 6 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−2
−セフエム−4−カルボン酸1.04g五酸化バナジ
ウム0.027g、30%過酸化水素水0.37mlを加え下
記溶媒10〜15mlを用い0〜10℃で反応を行う。薄
層クロマトグラフイーで反応を追跡し、反応完了
後溶媒の大部分を減圧で留去し、氷水を加えて結
晶を集め水洗後乾燥する。メタノールから再結
晶。 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−3
−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドのメ
チルエステルの収率、反応時間を下表に示す。
アミド−3−置換メチル−セフエム−4−カルボ
ン酸類を特定触媒の存在下酸化して7−アシルア
ミド−3−置換メチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸−1−オキシド類を製造する方法に関する
ものである。 更に詳しくは、この発明は一般式 (式中R1はアシルアミノ基、−COORはカルボキ
シル基又はエステル化されたカルボキシル基、x
は水素原子、ハロゲン原子、アジド基、アシロキ
シ基又は低級アルコキシ基をそれぞれ意味する) で表される7−アシルアミド−3−置換メチル−
セフエム−4−カルボン酸類又はその塩を不活性
溶媒中、週期律表族のb列又は族b列の元素
の群から選ばれた元素の酸素化合物又はその塩の
一種又は一種以上の触媒の存在下、過酸化水素又
は過酢酸で酸化して一般式 (式中各記号は上記と同一意味) で表される7−アシルアミド−3−置換メチル−
3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシド類
又はその塩を得ることよりなる3−セフエム−カ
ルボン酸−1−オキシド誘導体の製造方法に関す
る。 この発明の原料物質である7−アシルアミド−
3−置換メチル−セフエム−4−カルボン酸類で
△2誘導体又は△2と△3の混合物は、ペニシリ
ンスルホキシド誘導体からの環拡大反応時や3−
メチル−2−セフエム−4−カルボン酸類の3位
のメチル基にN−ブロモこはく酸イミドのような
ブロム化剤でブロム基を導入する際に生成する
〔J.A.C.S.91、5674(1969)参照〕。この△2誘導
体を薬効的に有用な△3誘導体に変換すること
は、極めて重要なことである。この発明の発明者
は、上記の理由から酸化剤を種々検討し、工業的
に好収率で3−セフエム−カルボン酸−1−オキ
シド誘導体へ導く方法を見い出しこの発明を完成
するに至つた。 この発明の原料物質()の7位のアシル基
は、任意のものを用いることができるが、工業的
にはフエノキシアセチル基、フエニルアセチル
基、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、
ベンゾイル基、フタロイル基、スクシニル基等が
好ましい。又4位のエステル化されたカルボキシ
ル基とは、メトキシカルボキシル基、エトキシカ
ルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、2−ク
ロロエトキシカルボニル基、2−ブロモエトキシ
カルボニル基、2−トリクロロエトキシカルボニ
ル基、p−メトキシベンジロキシカルボニル基、
p−ニトロベンジロキシカルボニル基、2−メチ
ルフルフイニルエトキシカルボニル基、ベンゾイ
ルメトキシカルボニル基、p−ブロモベンゾイル
メトキシカルボニル基、メトキシメトキシカルボ
ニル基、アセトキシメトキシカルボニル基、i−
ブチロキシブトキシカルボニル基、t−ブチロキ
シメトキシカルボニル基、(5′−インダニル)オ
キシカルボニル基等が挙げられる。これらの中で
工業的見地から、t−ブトキシカルボニル基、p
−メトキシベンジロキシカルボニル基、p−ニト
ロベンジロキシカルボニル基、i−ブチロキシブ
トキシカルボニル基、t−ブチロキシメトキシカ
ルボニル基、アセトキシメトキシカルボニル基、
(5′−インダニル)オキシカルボニル基等が好ま
しい。 更に3位のxにおけるアシロキシ基としては、
アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等が、又低
級アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基等が挙げられる。 この発明の反応は、一般式()の原料物質に
不活性溶媒中で週期律表の第族b列又は第族
b列の元素の酸素化合物又はその塩の触媒の存在
下過酸化水素又は過酢酸で処理することによつて
行われる。酸化剤は通常30%過酸化水素水または
40%過酢酸が用いられる。 触媒としては、パナジウム、ニオジム、タリウ
ム、クロム、モリブデン又はタングステンの酸素
化合物又はその塩が挙げられるが、ことに五酸化
パナジウム、モリブデン酸ナトリウム、タングス
テン酸ナトリウムが好ましい例である。その使用
量は通常1〜5モル%で十分である。 不活性溶媒としては、水、アセトニトリル、プ
ロピオニトリル、アセトン、メタノール、塩化メ
チレン、クロロホルム、塩化エチレン、酢酸エチ
ル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセタミド、ホルムアミド、酢酸、
ギ酸等が挙げられ、通常含水のものが用いられ
る。 一般式()の化合物で、COORがカルボキシ
ル基のものが使用された際には、通常その塩例え
ばアルカリ金属塩、アンモニウム塩、トリアルキ
ルアミン塩の水溶液が用いられる。 原料を均一の溶液にして、ほぼ計算量の過酸化
物を用いて酸化反応を行う。勿論、塩化メチレン
や酢酸エチルなどを用い、過酸化水素水と触媒を
用いる時は原料は均一にとけるが反応液は2層と
なるので激しく撹拌することが必要である。 過酸化水素による酸化反応は、PH7以上ではお
そいので、少量の有機酸例えば酢酸の添加が望ま
しい。過剰の酸化剤の使用はスルホンを生成する
ので好ましくない。 やや少なめの酸化剤を用い反応は薄層クロマト
グラフイーで追跡し、不足の酸化剤を追加する方
法が望ましい。反応温度は通常0℃〜30℃を用い
るがこれより低温でも高温でも差支えない。 酸化反応終了後カルボン酸の場合、濃縮した後
かまたは水でうすめた後、酸でPH2付近に調整
し、結晶を過するかまたは溶媒抽出により目的
物()をうる。 エステルの場合は、溶媒の性質により反応後の
処理法が異るが、水でうすめるか又は溶媒抽出
し、目的物()をうる。 一般に1−オキシド化合物は、元の化合物に比
べ各種の溶媒に比較的難溶で結晶性がよく、容易
に取り出せる。 次のこの発明を実施例によつて説明するが、こ
の発明はこれによつて限定されない。 以下の実施例におけるIRは赤外部吸収スペク
トル(KBr)、UVは紫外吸収スペクトル(95%エ
タノール中)を意味する。 実施例 1 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gを氷水15mlに加
え、撹拌下2規定水酸化ナトリウムを加えPH8以
下で溶解させる。この溶液に酢酸1滴とタングス
テン酸ナトリウム2水和物0.05gを含む水溶液を
加え氷冷下撹拌しながら80%過酸化水素水0.34ml
を滴下する。 約0.5時間撹拌後薄層クロマトグラフイー(ク
ロホルム:メタノール=2:1、発色剤:ヨウ化
アジド溶液、噴霧後加熱)で反応を追跡し、必要
があれば過酸化水素水を追加し、酸化反応を完結
させる。20%塩酸でPH2.5に調整し、析出した結
晶を集め、水洗し、乾燥する。 母液は塩化メチレンで抽出し、飽和食塩水で洗
い乾燥後溶媒を留去する。7−フエニルアセタミ
ド−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドを収率94%で得た。メタノールか
ら再結晶する。融点182〜183℃(分解)、IR:
1785cm-1、UVλmax264mμで標品と一致した。 タングステン酸ナトリウム2水和物の代りにモ
リブデン酸ナトリウム2水和物を用いてもほぼ同
様の結果を得た。 なお上記の7−フエニルアセタミド−3−メチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸の代りに7−
フエニルアセタミド−3−メチル−セフエム−4
−カルボン酸を用い同様に反応させ処理して、上
記と同一の7−フエニルアセタミド−3−メチル
−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシド
を収率95%で得た。 メタノールから再結晶して融点182〜183℃(分
解)のものを得た。 実施例 2 実施例1の7−フエニルアセタミド−3−メチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸の代りに7−
フエノオキシアセタミド−3−メチル−2−セフ
エム−4−カルボン酸を用い実施例1に従い反応
させ処理する。7−フエノオキシアセタミド−3
−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−
オキシドを収率96%で得た。融点199〜200℃(分
解)、IR:1795cm-1、UVλmax:263mμ。 実施例 3 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gとアセトニトリル
20mlにとかし氷冷下撹拌しながら五酸化バナジウ
ム0.027gを含む水溶液と30%過酸化水素水0.38
mlを加える。薄層クロマトグラフイーで追跡し、
必要があれば過酸化水素水を追加し、反応を完結
させる。反応液は減圧で約半量に濃縮後、氷水20
mlを加え析出する結晶を進め、水洗し乾燥する。
水溶液は食塩で飽和し、20%リン酸でPH2.5に調
整後塩化メチレンで抽出し塩化メチレン層は少量
の飽和食塩水で数回洗い乾燥して溶媒を留去す
る。7−フエニルアセタミド−3−メチル−3−
セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドを収率
93%で得た。メタノールから再結晶し、融点199
〜200℃(分解)を得、標品と一致した。 実施例 4 7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸1.00gを、N・N−ジメ
チルホルムアミド10mlにとかし、タングステン酸
ナトリウム2水和物0.03gを含む水溶液と40%過
酢酸0.6mlを加え室温で2時間撹拌する。反応は
薄層クロマトグラフイーで追跡し、反応完了後氷
水30mlにあけ、塩酸でPH2.5に調整し氷室に一夜
おく。結晶を集め水洗し、乾燥する。7−フエニ
ルアセタミド−3−メチル−3−セフエム−4−
カルボン酸−1−オキシドを収率82%で得た。メ
タノールから再結晶し、融点199〜200℃(分解)
のものを得た。 実施例 5 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−2
−セフエム−4−カルボン酸メチルエステル1.09
gを酢酸5mlにとかし五酸化バナジウム0.027g
を含む水と30%過酸化水素水0.37mlを加え氷冷下
2時間撹拌する。氷水を加え析出する結晶を集
め、水洗して乾燥する。メタノールから再結晶
し、融点208〜210℃(分解)の7−フエノオキシ
アセタミド−3−メチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸−1−オキシドのメチルエステルを0.98
g(86%)で得た。IR:1780cm-1、UVλmax:
267mμ。なお上記の反応で触媒を加えない場合
は反応終了に10時間以上を要し、収率65%であつ
た。 実施例 6 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−2
−セフエム−4−カルボン酸1.04g五酸化バナジ
ウム0.027g、30%過酸化水素水0.37mlを加え下
記溶媒10〜15mlを用い0〜10℃で反応を行う。薄
層クロマトグラフイーで反応を追跡し、反応完了
後溶媒の大部分を減圧で留去し、氷水を加えて結
晶を集め水洗後乾燥する。メタノールから再結
晶。 7−フエノオキシアセタミド−3−メチル−3
−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドのメ
チルエステルの収率、反応時間を下表に示す。
【表】
実施例 7
実施例5における7−フエノオキシアセタミド
−3−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸−
メチルエステルの代りに下記のエステルを用い実
施例5に従つて反応させ、処理する。メタノール
から再結晶、7−フエノオキシアセタミド−3−
メチル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オ
キシドのエステルを得た。収率、融点等を下表に
示す。
−3−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸−
メチルエステルの代りに下記のエステルを用い実
施例5に従つて反応させ、処理する。メタノール
から再結晶、7−フエノオキシアセタミド−3−
メチル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オ
キシドのエステルを得た。収率、融点等を下表に
示す。
【表】
実施例 8
7−フエニルアセタミド−3−メチル−2−セ
フエム−4−カルボン酸の下記エステル3ミリモ
ルを酢酸エチル:水=7:120mlに溶かし、酢酸
1滴とタングステン酸ナトリウム2水和物0.03g
を加える。30%過酸化水素水0.37mlを加え、0〜
10℃で一夜撹拌する。氷水10mlを加え、有機層を
分け、水洗乾燥する。溶媒を減圧で留去し、メタ
ノールから再結晶する、7−フエノキシアセタミ
ド−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドのエステルの収率、融点等を表に
示す。
フエム−4−カルボン酸の下記エステル3ミリモ
ルを酢酸エチル:水=7:120mlに溶かし、酢酸
1滴とタングステン酸ナトリウム2水和物0.03g
を加える。30%過酸化水素水0.37mlを加え、0〜
10℃で一夜撹拌する。氷水10mlを加え、有機層を
分け、水洗乾燥する。溶媒を減圧で留去し、メタ
ノールから再結晶する、7−フエノキシアセタミ
ド−3−メチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドのエステルの収率、融点等を表に
示す。
【表】
【表】
上記の反応でタングステン酸ナトリウム2水和
物の代りに五酸化バナジウム又はモリブデン酸ナ
トリウム2水和物を用いても各々同様の結果を得
た。 実施例 9 実施例5における7−フエノオキシアセタミド
−3−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸メ
チルエステルの代りに7−フエノオキシアセタミ
ド−3−メトキシメチル−2−セフエム−4−カ
ルボン酸p−メトキシベンジルエステルを用い同
様に処理し、7−フエノオキシアセタミド−3−
メトキシメチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドのp−メトキシベンジルエステル
を得た。収率89%、融点182〜184℃(分解)、
IR:1780cm-1、UVλmax:268mμ。 7−フエニルアセタミド−3−アセトキシメチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸トリクロロエ
チルエステルを用い対応する△3の1−オキシド
体を得た。収率92%、融点121〜125℃(分解)、
IR:1785cm-1、UVλmax:267mμ。 又7−フタルイミド−3−メチル−2−セフエ
ム−4−カルボン酸トリクロロエチルエステルを
用い対応する△3の1−オキシド体を得た。収率
94%、融点209〜213℃(分解)、IR:1800cm-1、
UVλmax:265mμ。 参考例 1 実施例3における7−フエニルアセタミド−3
−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸の代り
に7−チエニルアセタミド−3−アセトキシメチ
ル−3−セフエム−4−カルボン酸(セフアロチ
ン)を用い、実施例3に従つて反応させ処理す
る。7−チエニルアセタミド−3−アセトキシメ
チル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキ
シドを収率87%で得た。融点172〜173℃(分
解)、IR:1785cm-1、UVλmax:263mμで、標
品と一致した。 参考例 2 実施例3における7−フエニルアセタミド−3
−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸の代り
に7−フタルイミド−3−メチル−3−セフエム
−4−カルボン酸を用い、実施例3に従つて反応
させ処理する。7−フタルイミド−3−メチル−
3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドを
得た。収率84%、メタノールから再結晶。融点
180〜183℃(分解)、IR:1800cm-1。
物の代りに五酸化バナジウム又はモリブデン酸ナ
トリウム2水和物を用いても各々同様の結果を得
た。 実施例 9 実施例5における7−フエノオキシアセタミド
−3−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸メ
チルエステルの代りに7−フエノオキシアセタミ
ド−3−メトキシメチル−2−セフエム−4−カ
ルボン酸p−メトキシベンジルエステルを用い同
様に処理し、7−フエノオキシアセタミド−3−
メトキシメチル−3−セフエム−4−カルボン酸
−1−オキシドのp−メトキシベンジルエステル
を得た。収率89%、融点182〜184℃(分解)、
IR:1780cm-1、UVλmax:268mμ。 7−フエニルアセタミド−3−アセトキシメチ
ル−2−セフエム−4−カルボン酸トリクロロエ
チルエステルを用い対応する△3の1−オキシド
体を得た。収率92%、融点121〜125℃(分解)、
IR:1785cm-1、UVλmax:267mμ。 又7−フタルイミド−3−メチル−2−セフエ
ム−4−カルボン酸トリクロロエチルエステルを
用い対応する△3の1−オキシド体を得た。収率
94%、融点209〜213℃(分解)、IR:1800cm-1、
UVλmax:265mμ。 参考例 1 実施例3における7−フエニルアセタミド−3
−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸の代り
に7−チエニルアセタミド−3−アセトキシメチ
ル−3−セフエム−4−カルボン酸(セフアロチ
ン)を用い、実施例3に従つて反応させ処理す
る。7−チエニルアセタミド−3−アセトキシメ
チル−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキ
シドを収率87%で得た。融点172〜173℃(分
解)、IR:1785cm-1、UVλmax:263mμで、標
品と一致した。 参考例 2 実施例3における7−フエニルアセタミド−3
−メチル−2−セフエム−4−カルボン酸の代り
に7−フタルイミド−3−メチル−3−セフエム
−4−カルボン酸を用い、実施例3に従つて反応
させ処理する。7−フタルイミド−3−メチル−
3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシドを
得た。収率84%、メタノールから再結晶。融点
180〜183℃(分解)、IR:1800cm-1。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中R1はアシルアミノ基、−COORはカルボキ
シル基又はエステル化されたカルボキシル基、X
は水素原子、ハロゲン原子、アジド基、アシロキ
シ基又は低級アルコキシ基をそれぞれ意味する) で表わされる7−アシルアミド−3−置換メチル
−セフエム−4−カルボン酸類又はその塩を不活
性溶媒中、週期律表族のb列又は族b列の元
素のバナジウム、タングステンもしくはモリブデ
ンの元素の酸素化合物又はその塩の一種又は一種
以上の触媒の存在下、過酸化水素又は過酢酸で酸
化して一般式 (式中各記号は上記と同一意味) で表わされる7−アシルアミド−3−置換メチル
−3−セフエム−4−カルボン酸−1−オキシド
類又はその塩を得ることを特徴とする3−セフエ
ム−カルボン酸−1−オキシド誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9121174A JPS5119788A (en) | 1974-08-08 | 1974-08-08 | 33 sefuemu karubonsan 11 okishidojudotaino seizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9121174A JPS5119788A (en) | 1974-08-08 | 1974-08-08 | 33 sefuemu karubonsan 11 okishidojudotaino seizohoho |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5119788A JPS5119788A (en) | 1976-02-17 |
JPS6127395B2 true JPS6127395B2 (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=14020074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9121174A Granted JPS5119788A (en) | 1974-08-08 | 1974-08-08 | 33 sefuemu karubonsan 11 okishidojudotaino seizohoho |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5119788A (ja) |
-
1974
- 1974-08-08 JP JP9121174A patent/JPS5119788A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5119788A (en) | 1976-02-17 |
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