JPS61250509A - 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 - Google Patents
高分子膜上の磁性体膜厚測定方法Info
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- JPS61250509A JPS61250509A JP9274485A JP9274485A JPS61250509A JP S61250509 A JPS61250509 A JP S61250509A JP 9274485 A JP9274485 A JP 9274485A JP 9274485 A JP9274485 A JP 9274485A JP S61250509 A JPS61250509 A JP S61250509A
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- Japan
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- magnetic material
- fluorescent
- thickness
- polymer film
- rays
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はケイ光Ｘ線を用いた膜厚計に関し、特に高分子
膜上の磁性体の膜厚及び高分子膜厚の測定に関するもの
である。
膜上の磁性体の膜厚及び高分子膜厚の測定に関するもの
である。
本発明はケイ光Ｘ線を用いた膜厚計において、高分子膜
上の両面に塗布された磁性体試料に一次Ｘ線を照射し、
該試料中の磁性物質及び試料の下敷となる下地金属から
発生するケイ光Ｘ線強度と、該試料を反転させ一次Ｉ強
金照射し、該試料から発生する磁性物質からのケイ光Ｘ
線強度を測定することにより、両面の磁性体、膜厚と高
分子膜厚を測定できるようにしたものである。
上の両面に塗布された磁性体試料に一次Ｘ線を照射し、
該試料中の磁性物質及び試料の下敷となる下地金属から
発生するケイ光Ｘ線強度と、該試料を反転させ一次Ｉ強
金照射し、該試料から発生する磁性物質からのケイ光Ｘ
線強度を測定することにより、両面の磁性体、膜厚と高
分子膜厚を測定できるようにしたものである。
（従来技術〕
高分子膜上の磁性体試料（たとえば、フロッピーディス
ク、磁性テープ等〕の磁性体膜厚の測定は、試料の表面
から一次Ｘ線を照射し、磁性体から発生するクイ光Ｘｍ
の測定全行うと該試料裏面からのケイ光ｘＭＡの影響を
受けるため、磁性体膜厚の正確な測定ができなかった。
ク、磁性テープ等〕の磁性体膜厚の測定は、試料の表面
から一次Ｘ線を照射し、磁性体から発生するクイ光Ｘｍ
の測定全行うと該試料裏面からのケイ光ｘＭＡの影響を
受けるため、磁性体膜厚の正確な測定ができなかった。
従来は、公開特許公報５７−１９７４０９に記載さｆし
ているように裏面の磁性体から発生するケイ光ｘ綜施度
を補正するため、異面及び裏面の両面から一次Ｘ線を照
射し、ケイ光Ｘ線強度金測定し、高分子膜厚を一定と近
似するとともに、高分子膜の片面の磁性体については、
磁性体膜厚と磁性体Ｘ、１ｌｉｌ！強度の関係（検量線
］は直線であると近似して、補正演算式から両面の磁性
体膜厚を計算していた。
ているように裏面の磁性体から発生するケイ光ｘ綜施度
を補正するため、異面及び裏面の両面から一次Ｘ線を照
射し、ケイ光Ｘ線強度金測定し、高分子膜厚を一定と近
似するとともに、高分子膜の片面の磁性体については、
磁性体膜厚と磁性体Ｘ、１ｌｉｌ！強度の関係（検量線
］は直線であると近似して、補正演算式から両面の磁性
体膜厚を計算していた。
該磁性体試料に一次ｘｌｆｓを照射した場合、Ｘ線源か
らみて高分子膜の反対側に位置する磁性体層から発生す
るケイ光Ｘ線は高分子ｉｔ通過する際、該高分子膜によ
って減衰するが、その減衰の割合は高分子膜の厚さによ
って変化する。よって、磁性体、！原音より正確に測定
するためには、高分子膜の厚さを正確に求める事が必要
となる。しかし、従来の方法では、高分子膜の厚さは一
定とみなしているため、より正確な磁性体膜厚の障害と
なる問題がおる。
らみて高分子膜の反対側に位置する磁性体層から発生す
るケイ光Ｘ線は高分子ｉｔ通過する際、該高分子膜によ
って減衰するが、その減衰の割合は高分子膜の厚さによ
って変化する。よって、磁性体、！原音より正確に測定
するためには、高分子膜の厚さを正確に求める事が必要
となる。しかし、従来の方法では、高分子膜の厚さは一
定とみなしているため、より正確な磁性体膜厚の障害と
なる問題がおる。
又、高分子膜厚の異なる磁性体膜厚測定には、検量線を
新規に作成しなおさねばならないという問題がある。さ
らに、高分子膜の片面の磁性体については、磁性体膜厚
と磁性体層から発生するケイ光Ｘ、ｉ９［強度の関係（
検量線〕は直線であるとしているので、磁性体膜厚が厚
い領域にある場合は、高分子膜厚の片面のみに磁性体が
塗布されている場合においても、正確な磁性体膜厚が求
めらｒＬないという問題がある。
新規に作成しなおさねばならないという問題がある。さ
らに、高分子膜の片面の磁性体については、磁性体膜厚
と磁性体層から発生するケイ光Ｘ、ｉ９［強度の関係（
検量線〕は直線であるとしているので、磁性体膜厚が厚
い領域にある場合は、高分子膜厚の片面のみに磁性体が
塗布されている場合においても、正確な磁性体膜厚が求
めらｒＬないという問題がある。
以上の問題点を解決するために、該磁性体試料からみて
Ｘ線源の反対側に金属板’ｔｆｊｔ ＠、該金属板から
発生し、該試料を透過するケイ光Ｘ線強度を検出すると
ともに該磁性体試料の表面及び裏面の各々のケイ光Ｘ線
強度を測定し、０式、０式。
Ｘ線源の反対側に金属板’ｔｆｊｔ ＠、該金属板から
発生し、該試料を透過するケイ光Ｘ線強度を検出すると
ともに該磁性体試料の表面及び裏面の各々のケイ光Ｘ線
強度を測定し、０式、０式。
■式に示す検量線を用いて、磁性体膜厚と高分子膜厚を
求める。
求める。
工人＝工＊ ｏｏｅ （１−１Ｘ！’ （／’ｔ ｍｔ
＊ ））＋１１ｏ。
＊ ））＋１１ｏ。
、（１ｅｘＰ（ｆ’ｓ 、’＊））ｍｅｘＰ（Ｐ宜、ｔ
ｐ）０ｇＸ’Ｘ’（−μｔｅｔｓ）−一一一一 ■ 工８＝工、 ｏｏ、 ｇ Ｘ１’ （−（ｔｌ ＋を雪
） ｓμ、）、＠ＸＦ（−μ番 、ｔｐ）
−−−−−（２Ｉ Ｄ ＝ 工 、ｏｏ、
（１−ａＸＰ （／４１ ＊ｔ＊）） ＋１
，００、（１−ａＸＰ （１１＊ ５ｅｔ）−ＩＩｘ
Ｐ（１’鵞−ｔｐ）、ｅＸＰ （−山 ・ｔｘ） −一一一一 の） ただし、 工、ｏｏ：礎性体飽和厚Ｘ線強度μ重：１ｉ
Ｂ性体の磁性体に対する吸 収係数 ｔ、 ｓｇｉ性体表体表面さ ｔ、：磁性体裏面の厚さ ｔｐ：高分子層の厚さ μ、：高分子、嘆の磁性体ケイ光エ ネルギーに対する吸収係数 工、ｏｏ：下地金属飽和厚Ｘ線強度 μ、：＠表体の下地金属エネルギ ーに対する吸収係数 μ４：高分子膜の下地金属エネル ギーに対する吸収係数 工人：磁性体Ｘ線強度（第２図］ より：磁性体Ｘ綜強度（第４図］ 工８：下地金属Ｘ線強度（第３図ン ここで、厚さの各々異なる８個の厚み既知高分子痕上の
片面に塗布さｒした磁性物質の厚さを有する標準試料ｆ
、磁性物質塗布面をＸ線源に向けた状態で第１図の配置
をもって磁性物質のケイ光Ｘ線強度：工Ａ及び下地金属
のケイ光Ｘ ！’ｉｆ強度：強度金工８する。咳データ
をもとに０式においてｔ２＝０として連立させ、工、ｏ
ｏ及びμ、ｔ−計算する。
ｐ）０ｇＸ’Ｘ’（−μｔｅｔｓ）−一一一一 ■ 工８＝工、 ｏｏ、 ｇ Ｘ１’ （−（ｔｌ ＋を雪
） ｓμ、）、＠ＸＦ（−μ番 、ｔｐ）
−−−−−（２Ｉ Ｄ ＝ 工 、ｏｏ、
（１−ａＸＰ （／４１ ＊ｔ＊）） ＋１
，００、（１−ａＸＰ （１１＊ ５ｅｔ）−ＩＩｘ
Ｐ（１’鵞−ｔｐ）、ｅＸＰ （−山 ・ｔｘ） −一一一一 の） ただし、 工、ｏｏ：礎性体飽和厚Ｘ線強度μ重：１ｉ
Ｂ性体の磁性体に対する吸 収係数 ｔ、 ｓｇｉ性体表体表面さ ｔ、：磁性体裏面の厚さ ｔｐ：高分子層の厚さ μ、：高分子、嘆の磁性体ケイ光エ ネルギーに対する吸収係数 工、ｏｏ：下地金属飽和厚Ｘ線強度 μ、：＠表体の下地金属エネルギ ーに対する吸収係数 μ４：高分子膜の下地金属エネル ギーに対する吸収係数 工人：磁性体Ｘ線強度（第２図］ より：磁性体Ｘ綜強度（第４図］ 工８：下地金属Ｘ線強度（第３図ン ここで、厚さの各々異なる８個の厚み既知高分子痕上の
片面に塗布さｒした磁性物質の厚さを有する標準試料ｆ
、磁性物質塗布面をＸ線源に向けた状態で第１図の配置
をもって磁性物質のケイ光Ｘ線強度：工Ａ及び下地金属
のケイ光Ｘ ！’ｉｆ強度：強度金工８する。咳データ
をもとに０式においてｔ２＝０として連立させ、工、ｏ
ｏ及びμ、ｔ−計算する。
又、０式において１．＝０として連立させ、μ畠及びμ
、４及び工、ｏｏｌ計算する０次に、該標準試料ｔ−磁
磁性分質布面金地地金属同けた状態で第１図の配置をも
って磁性物質のケイ光χ線強度：工ゎを測定し、ｔｘ＝
ｏとして■式を連立させ、μ。
、４及び工、ｏｏｌ計算する０次に、該標準試料ｔ−磁
磁性分質布面金地地金属同けた状態で第１図の配置をも
って磁性物質のケイ光χ線強度：工ゎを測定し、ｔｘ＝
ｏとして■式を連立させ、μ。
を計算する。
以下図面とともに本発明の好適な実施例について説明す
ると、第１図は本発明のブロックダイヤグラムである。
ると、第１図は本発明のブロックダイヤグラムである。
図中、符号１で示さｎるものはＸ線管であり、ここより
放射さｎる一次Ｘ線８が；リメータ２によって収束さｎ
試料台６上の磁性体試料４及び下地金、蜆５に照射さｎ
る。磁性体試料４及び下地金属から発生するケイ光Ｘ線
７はＸ線検出器８によって、Ｘ線エネルギー及びＸ線強
度が検出さ３．その電気信号がプリアンプ９及びリリア
了ンブ１０によって増幅さｎ１増幅された電気信号が波
高弁別器１１によって波高弁別さ）Ｌ％磁性体試料及び
下地金属から発生する各々のケイ光Ｘ線強度ｔ−ＯＦ
Ｕ １２に入力さｒＬる。第２図から第４図は試料測定
のための詳細図である。未知試料測定時はまず第１図の
装置配置にした状態で第２図の様に未知試料をセットし
、−次Ｘｍｔ−照射すると、第２図中の符号１４及び１
６で示さしる凪表体層各々からケイ光Ｉ線が発生し、那
算さｒＬｆｃＸ線強度：工Ａ１７としてＸ線検出器に検
出さｎる。又、同時に第８図中の符号１８で示さｎる下
地金属から発生するケイ光Ｘ線が磁性体層１４及び１６
と高分子層１５ｔ−透過、減衰し、下地ｘｌｓ強度：工
８１８として検出さｎる。次に該試料の界面、裏面を反
転させたのちに一次Ｘｉ！１Ｉｔ−照射すると第４図中
の符号１６及び１４で示さｎる磁性体層の各々からケイ
光Ｘ線が発生し、刀ａ算さｎｆｃＸ線強度：工！＋１９
とじて検出さｎる。ＯＦＵではＸ線強度のデータ工人。
放射さｎる一次Ｘ線８が；リメータ２によって収束さｎ
試料台６上の磁性体試料４及び下地金、蜆５に照射さｎ
る。磁性体試料４及び下地金属から発生するケイ光Ｘ線
７はＸ線検出器８によって、Ｘ線エネルギー及びＸ線強
度が検出さ３．その電気信号がプリアンプ９及びリリア
了ンブ１０によって増幅さｎ１増幅された電気信号が波
高弁別器１１によって波高弁別さ）Ｌ％磁性体試料及び
下地金属から発生する各々のケイ光Ｘ線強度ｔ−ＯＦ
Ｕ １２に入力さｒＬる。第２図から第４図は試料測定
のための詳細図である。未知試料測定時はまず第１図の
装置配置にした状態で第２図の様に未知試料をセットし
、−次Ｘｍｔ−照射すると、第２図中の符号１４及び１
６で示さしる凪表体層各々からケイ光Ｉ線が発生し、那
算さｒＬｆｃＸ線強度：工Ａ１７としてＸ線検出器に検
出さｎる。又、同時に第８図中の符号１８で示さｎる下
地金属から発生するケイ光Ｘ線が磁性体層１４及び１６
と高分子層１５ｔ−透過、減衰し、下地ｘｌｓ強度：工
８１８として検出さｎる。次に該試料の界面、裏面を反
転させたのちに一次Ｘｉ！１Ｉｔ−照射すると第４図中
の符号１６及び１４で示さｎる磁性体層の各々からケイ
光Ｘ線が発生し、刀ａ算さｎｆｃＸ線強度：工！＋１９
とじて検出さｎる。ＯＦＵではＸ線強度のデータ工人。
Ｉｎ、工８を（１）式から（０式に代入し、ｑ）式から
（８）式を連立させ、未知試料の各層の厚さ：１．，１
意 ｅｅ’Ｐを演算し、表示部１３に出力する。
（８）式を連立させ、未知試料の各層の厚さ：１．，１
意 ｅｅ’Ｐを演算し、表示部１３に出力する。
本発明は高分子膜の両面に塗布した磁性体試料の下に金
属をおき、磁性体から発生するケイ光Ｘ線と下地金属か
ら発生するケイ光ＸｃＡに層目した検量線演算式を用い
ることにより、高分子膜厚及び両面の磁性体膜厚をより
精匿よく測定できるとともに、磁性体膜厚が厚い領域と
なっても正確な膜厚測定ができる効果がある。
属をおき、磁性体から発生するケイ光Ｘ線と下地金属か
ら発生するケイ光ＸｃＡに層目した検量線演算式を用い
ることにより、高分子膜厚及び両面の磁性体膜厚をより
精匿よく測定できるとともに、磁性体膜厚が厚い領域と
なっても正確な膜厚測定ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例である。第２図から第４図は
試料測定詳細図である。 α）０．Ｘ線管 ＜８） 、 、 Ｘ’１ｆｉＡ険
出Ｂ■０．コリメータ （９） 、 、ブリ、アンプの
）１．−次Ｘａ （１０，、リニ了、了ンブ■０．
磁性体試料 ａｌｌ、波高弁別器■０．下地金！！ｉ
（１２） 、 、 ＯＰσ（６）。。試料台
（１３） 、 、戎示部■、。ケイ光Ｘ線 （１４） 、 、硼表体層ム（厚み：ｔ１）（１５）
、 、高分子層（厚み”−ｔｐ）（１６） 、 、磁性
体層Ｂ（厚み＝ｔ、ン（１７） 、 、磁性体Ｘ線強度
：工人（１８） 、 、下地金属Ｘ線強度 （１９） 、 、磁性体Ｘ線強度：工１以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図
試料測定詳細図である。 α）０．Ｘ線管 ＜８） 、 、 Ｘ’１ｆｉＡ険
出Ｂ■０．コリメータ （９） 、 、ブリ、アンプの
）１．−次Ｘａ （１０，、リニ了、了ンブ■０．
磁性体試料 ａｌｌ、波高弁別器■０．下地金！！ｉ
（１２） 、 、 ＯＰσ（６）。。試料台
（１３） 、 、戎示部■、。ケイ光Ｘ線 （１４） 、 、硼表体層ム（厚み：ｔ１）（１５）
、 、高分子層（厚み”−ｔｐ）（１６） 、 、磁性
体層Ｂ（厚み＝ｔ、ン（１７） 、 、磁性体Ｘ線強度
：工人（１８） 、 、下地金属Ｘ線強度 （１９） 、 、磁性体Ｘ線強度：工１以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図
Claims (1)
- 薄い高分子基部の表面及び裏面に被測定物質層が形成さ
れている被測定材料の前記表面の被測定物質層及び裏面
の被測定物質層の膜厚を測定する方法において、被測定
試料中の磁性物質及び被測定試料の下じきとなる下地金
属からの各々のケイ光Ｘ線強度を測定し、さらに被測定
試料を反転させた状態での被測定物質層からのケイ光Ｘ
線強度を測定することにより、高分子膜の両面に塗布さ
れた磁性物質の両面の各々の膜厚と高分子膜厚を演算測
定することを特徴とする高分子膜上の磁性体膜厚方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274485A JPS61250509A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274485A JPS61250509A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250509A true JPS61250509A (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=14062922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274485A Pending JPS61250509A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61250509A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000292141A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 蛍光ｘ線を用いた膜厚測定方法 |
| JP2003506701A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | コラス・アルミニウム・バルツプロドウクテ・ゲーエムベーハー | 金属シートの厚み測定用のｘ線蛍光センサー |
| US7362454B2 (en) | 2005-01-21 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and system for measuring overcoat layer thickness on a thin film disk |
| CN108226201A (zh) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | 马尔文帕纳科公司 | 用xrf分析层状样品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119348A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Method of and apparatus for measuring film over steel plate |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9274485A patent/JPS61250509A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119348A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Method of and apparatus for measuring film over steel plate |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000292141A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 蛍光ｘ線を用いた膜厚測定方法 |
| JP2003506701A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | コラス・アルミニウム・バルツプロドウクテ・ゲーエムベーハー | 金属シートの厚み測定用のｘ線蛍光センサー |
| US7362454B2 (en) | 2005-01-21 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and system for measuring overcoat layer thickness on a thin film disk |
| CN108226201A (zh) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | 马尔文帕纳科公司 | 用xrf分析层状样品 |
| JP2018105859A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | マルバーン パナリティカル ビー ヴィ | 層状サンプルのｘｒｆによる分析 |
| US10705035B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-07-07 | Malvern Panalytical B.V. | Analysis of layered samples with XRF |
| CN108226201B (zh) * | 2016-12-22 | 2021-07-27 | 马尔文帕纳科公司 | 用xrf分析层状样品 |
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