JPS6228607A - 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 - Google Patents
高分子膜上の磁性体膜厚測定方法Info
- Publication number
- JPS6228607A JPS6228607A JP16838085A JP16838085A JPS6228607A JP S6228607 A JPS6228607 A JP S6228607A JP 16838085 A JP16838085 A JP 16838085A JP 16838085 A JP16838085 A JP 16838085A JP S6228607 A JPS6228607 A JP S6228607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- magnetic material
- thickness
- measuring
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はケイ光Ｘ線を用いた膜厚計に関し、特に高分子
膜上の磁性体の膜厚の測定に関するものである。
膜上の磁性体の膜厚の測定に関するものである。
本発明はケイ光Ｘ線を用いた膜厚計において、高分子膜
上の両面に塗布された磁性体試料に一次Ｘ線を照射し、
該試料中の磁性物質から発生するケイ光Ｘ線強度を測定
することにより、両面の磁性体膜厚を等しいと仮定する
事で、任意の一面の測定のみから表面及び裏面の磁性体
膜厚を測定できるようにしたものである。
上の両面に塗布された磁性体試料に一次Ｘ線を照射し、
該試料中の磁性物質から発生するケイ光Ｘ線強度を測定
することにより、両面の磁性体膜厚を等しいと仮定する
事で、任意の一面の測定のみから表面及び裏面の磁性体
膜厚を測定できるようにしたものである。
高分子膜上の磁性体試料の磁性体膜厚の測定は、試料の
表面から一次放射線を照射し、磁性体から発生するケイ
光Ｘ線の測定を行うと、該試料裏面磁性体から発生する
ケイ光Ｘ線の影響を受けるため、磁性体膜厚の正確な測
定ができなかった。
表面から一次放射線を照射し、磁性体から発生するケイ
光Ｘ線の測定を行うと、該試料裏面磁性体から発生する
ケイ光Ｘ線の影響を受けるため、磁性体膜厚の正確な測
定ができなかった。
従来は、公開特許公報５７−１９７４０９に記載されて
いるように裏面の磁性体から発生するケイ光Ｘ線強度を
補正するため、表面及び裏面の両面から一次放射線を照
射し、各ケイ光ＸｖＡ強度を測定し、磁性体膜厚と磁性
体Ｘ線強度の関係（−検量線）は直線であると近似して
、補正演算式から両面の磁性体膜厚を計算していた。
いるように裏面の磁性体から発生するケイ光Ｘ線強度を
補正するため、表面及び裏面の両面から一次放射線を照
射し、各ケイ光ＸｖＡ強度を測定し、磁性体膜厚と磁性
体Ｘ線強度の関係（−検量線）は直線であると近似して
、補正演算式から両面の磁性体膜厚を計算していた。
該磁性体試料の両面に一次放射線を照射し、正確な膜厚
測定を行う場合、該試料の表面及び裏面の同一ポイント
に一次放射線を照射する事が必要となるが、実際、高分
子膜上の両面に塗布された磁性体試料（例えば、フロッ
ピーディスクや磁気テープ等）上に任意の一点を定め、
その点の裏面を正確に捜し出す事は事実上能しいため、
生産ラインで測定においては迅速さが損なわれていた。
測定を行う場合、該試料の表面及び裏面の同一ポイント
に一次放射線を照射する事が必要となるが、実際、高分
子膜上の両面に塗布された磁性体試料（例えば、フロッ
ピーディスクや磁気テープ等）上に任意の一点を定め、
その点の裏面を正確に捜し出す事は事実上能しいため、
生産ラインで測定においては迅速さが損なわれていた。
又、高分子膜の片面の磁性体については、検量線は直線
であるとしているため、磁性体膜が厚い領域にある場合
は、正確な磁性体膜厚が求められないという問題がある
。
であるとしているため、磁性体膜が厚い領域にある場合
は、正確な磁性体膜厚が求められないという問題がある
。
以上の問題点を解決するために、該磁性体試料の表面及
び裏面の磁性体膜厚が等しく、高分子膜の厚さは非常に
よく管理されているので、平均値Ｔ、を使用する検量線
（１＋弐を使用して、磁性体膜厚を求める。
び裏面の磁性体膜厚が等しく、高分子膜の厚さは非常に
よく管理されているので、平均値Ｔ、を使用する検量線
（１＋弐を使用して、磁性体膜厚を求める。
［＝（ｒ” ｒｏｉ（１ｅｘＰ（−／’＋Ｘ））”（
ｒ” ＩｏＬ（１−ｅｘｐ（−、ＩＪＩＸ）） ・ｅ
ｘｐ（−μｚＸ） ・Ｋ＋Ｉ。
ｒ” ＩｏＬ（１−ｅｘｐ（−、ＩＪＩＸ）） ・ｅ
ｘｐ（−μｚＸ） ・Ｋ＋Ｉ。
・・・・・＋１ま
ただし、ｌＯｏ：磁性体飽和厚Ｘ線強度！ｏ：バンクグ
ラウンド μｍ ：Ｍ１磁性の磁性体ケイ光Ｘ線エネルギーに対す
る吸収係数 Ｘ：磁性体層の厚さ に：高分子膜での磁性体ケイ光Ｘ線の 減衰を示す定数 μ２：自己吸収係数 ここで、高分子膜の片面に塗布された磁性物質の厚さの
各々異なる３個の厚み既知の標準試料を磁性物１を塗布
面を放射線源に向けた状態で第１図の配置をもって、磁
性物質のケイ光Ｘ線強度：Ｉを測定する。該データをも
とに（１１式において右辺第２項のＸをＸ＝Ｏとして連
立させ、Ｉ”−１ｏ及びμｍを計算する。次に、該標準
試料を反転させ磁性物質塗布面が試料台を向くようにし
た状態で第１図の配置をもって磁性物質のケイ光）１強
度を測定し、（１１式を右辺第１項のＸをＸ−０、第２
項のｅｘｐ （−μｚＸ）＝１として連立させ減衰を表
す定数Ｋを計算する。
ラウンド μｍ ：Ｍ１磁性の磁性体ケイ光Ｘ線エネルギーに対す
る吸収係数 Ｘ：磁性体層の厚さ に：高分子膜での磁性体ケイ光Ｘ線の 減衰を示す定数 μ２：自己吸収係数 ここで、高分子膜の片面に塗布された磁性物質の厚さの
各々異なる３個の厚み既知の標準試料を磁性物１を塗布
面を放射線源に向けた状態で第１図の配置をもって、磁
性物質のケイ光Ｘ線強度：Ｉを測定する。該データをも
とに（１１式において右辺第２項のＸをＸ＝Ｏとして連
立させ、Ｉ”−１ｏ及びμｍを計算する。次に、該標準
試料を反転させ磁性物質塗布面が試料台を向くようにし
た状態で第１図の配置をもって磁性物質のケイ光）１強
度を測定し、（１１式を右辺第１項のＸをＸ−０、第２
項のｅｘｐ （−μｚＸ）＝１として連立させ減衰を表
す定数Ｋを計算する。
次に、表面及び裏面の磁性体が既知の標準試料のケイ光
Ｘ線強度を測定し、（１１式よりμ２を計算する。
Ｘ線強度を測定し、（１１式よりμ２を計算する。
以下図面とともに本発明の好適な実施例について説明す
ると、第１図は本発明のブロックダイヤグラムである。
ると、第１図は本発明のブロックダイヤグラムである。
図中、符号１で示されるものは放射線源であり、ここよ
り放射される一次放射３がコリメータ２によって収束さ
れ試料台５上のｔｆｉ性体試料４に照射される。磁性体
試料から発生するケイ光Ｘ線６は放射線検出器７によっ
て、Ｘ線強度が検出され、その電気信号がプリアンプ８
及びリニアアンプ９によって増幅され、増幅された電気
信号が波高弁別器１０によって波高弁別され、Ｘ線強度
のデータとしてＣＰＵＩ １に入力される。
り放射される一次放射３がコリメータ２によって収束さ
れ試料台５上のｔｆｉ性体試料４に照射される。磁性体
試料から発生するケイ光Ｘ線６は放射線検出器７によっ
て、Ｘ線強度が検出され、その電気信号がプリアンプ８
及びリニアアンプ９によって増幅され、増幅された電気
信号が波高弁別器１０によって波高弁別され、Ｘ線強度
のデータとしてＣＰＵＩ １に入力される。
第２図は試料測定のための詳細図である。未知試料測定
時はまず第１図の装置配置にした状態で第２図のように
試料を置き、該試料へ一次放射線を照射すると、第２図
中の符号１３及び１５で示される磁性体層から各々ケイ
光線が発生し、加算されて放射線検出器７に検出され、
ＣＰＵＩＩへＸ線強度のデータとして入力され、＋１１
式より磁性体膜の厚さＸを演算し、表示部１２に表示さ
れる。
時はまず第１図の装置配置にした状態で第２図のように
試料を置き、該試料へ一次放射線を照射すると、第２図
中の符号１３及び１５で示される磁性体層から各々ケイ
光線が発生し、加算されて放射線検出器７に検出され、
ＣＰＵＩＩへＸ線強度のデータとして入力され、＋１１
式より磁性体膜の厚さＸを演算し、表示部１２に表示さ
れる。
本発明による膜厚演算結果を表に示す。
（表）膜厚演算結果
〔効果〕
本発明は高分子膜の両面に塗布した磁性体試料の厚さを
等しいとみなすことにより、磁性体から発生するケイ光
Ｘ線強度から検量線演算式を用いる事により、両面の磁
性体膜厚を１回のみの測定で迅速に求められるとともに
、磁性体膜厚が厚い領域となっても正確な測定ができる
効果がある。
等しいとみなすことにより、磁性体から発生するケイ光
Ｘ線強度から検量線演算式を用いる事により、両面の磁
性体膜厚を１回のみの測定で迅速に求められるとともに
、磁性体膜厚が厚い領域となっても正確な測定ができる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。
第２図は試料測定詳細断面図である。
１・・・放射線源
２・・・コリメータ
３・・・一次放射線
４・・・磁性体試料
５・・・試料台
６・・・ケイ光Ｘ線
７・・・放射線検出器
８・・・プリアンプ
９・・・リニアアンプ
１０・・・波高弁別器
１１・・・ＣＰＵ
１２・・・表示部
１３・・・磁性体層
１４・・・高分子膜
１５・・・磁性体層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 薄く高分子基部の表面及び裏面に被測定物質層が形成さ
れている被測定材料の前記被測定物質の両面の層厚が同
じ試料を測定する方法において、下に示す検量線演算式
（１）式を用いて、一次放射線を被測定試料に照射し、
該試料の表面及び裏面から発生するケイ光Ｘ線を測定す
る事により、高分子膜の両面に塗布された磁性物質層の
両面の膜厚を１回の測定で演算する事を特徴とする高分
子膜上の磁性体膜厚測定方法。 Ｉ＝（Ｉ∞−Ｉ＿０）・（１−ｅｘｐ（−μ＿１Ｘ））
＋（Ｉ∞−Ｉ＿０）・（１−ｅｘｐ（−μ＿１Ｘ））・
Ｋ・ｅｘｐ（−μ＿２Ｘ）＋Ｉ＿０・・・（１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16838085A JPS6228607A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16838085A JPS6228607A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228607A true JPS6228607A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15867025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16838085A Pending JPS6228607A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228607A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197409A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Rigaku Denki Kogyo Kk | Measuring method for film thickness of magnetic substance coated on both sides of high polymer film |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16838085A patent/JPS6228607A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197409A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Rigaku Denki Kogyo Kk | Measuring method for film thickness of magnetic substance coated on both sides of high polymer film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2535214B2 (ja) | 放射線療法用の治療機械からの放射電磁界をチェックするための測定装置 | |
| US4402614A (en) | Method and apparatus for measuring the motility of sperm cells | |
| JPH02228515A (ja) | コーティング厚さ測定方法 | |
| JPS6228607A (ja) | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 | |
| JP2906924B2 (ja) | ウエーハの表面粗さ測定方法 | |
| JP3373698B2 (ja) | Ｘ線分析方法およびｘ線分析装置 | |
| JPS61250509A (ja) | 高分子膜上の磁性体膜厚測定方法 | |
| JPH0288952A (ja) | 組織を分析する方法および装置 | |
| Bulavskaya et al. | Measurement of electron beam transverse flux density distribution | |
| JPS6253044B2 (ja) | ||
| Mayer et al. | A scintillation counter technique for the X-ray determination of bone mineral content | |
| JP2591911Y2 (ja) | 塗工量計 | |
| JPS61250508A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JPS63168545A (ja) | Ｘ線ｃｔ装置による欠陥測定方法 | |
| JP3018043B2 (ja) | 膜厚測定用検量線作成方法 | |
| JP3399861B2 (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| JPH0422283Y2 (ja) | ||
| JP2002213935A (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPH02107952A (ja) | 粉末のｘ線回析測定方法 | |
| JPS6228606A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JPH0346325Y2 (ja) | ||
| JP3234716B2 (ja) | Ｘ線分析に用いる面積測定方法 | |
| SU1597703A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол распределени @ -излучающего нуклида в образцах | |
| JPH03148056A (ja) | 全反射螢光ｘ線分析装置 | |
| SU935756A1 (ru) | Устройство дл определени размеров дефекта |