JP2002213935A - 膜厚測定方法 - Google Patents
膜厚測定方法Info
- Publication number
- JP2002213935A JP2002213935A JP2001006689A JP2001006689A JP2002213935A JP 2002213935 A JP2002213935 A JP 2002213935A JP 2001006689 A JP2001006689 A JP 2001006689A JP 2001006689 A JP2001006689 A JP 2001006689A JP 2002213935 A JP2002213935 A JP 2002213935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electromagnetic wave
- substrate
- fluorescent
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒子線または電磁波を用いて基板上の膜の厚
みを測定するにあたり、測定自体の異常あるいは試料の
異常を同時に検出することができる膜厚測定方法を得
る。 【解決手段】 基板５上に薄膜４が形成されている構造
において薄膜４をＸ線管球１からＸ線を照射することに
より検出するにあたり、薄膜４から発した第１の蛍光Ｘ
線６の強度と、基板５から発し薄膜４を通過してきた第
２の蛍光Ｘ線７の強度を同時に測定し、これらの強度差
が予め定められた規格値範囲内か否かにより正常か否か
を検出する。
みを測定するにあたり、測定自体の異常あるいは試料の
異常を同時に検出することができる膜厚測定方法を得
る。 【解決手段】 基板５上に薄膜４が形成されている構造
において薄膜４をＸ線管球１からＸ線を照射することに
より検出するにあたり、薄膜４から発した第１の蛍光Ｘ
線６の強度と、基板５から発し薄膜４を通過してきた第
２の蛍光Ｘ線７の強度を同時に測定し、これらの強度差
が予め定められた規格値範囲内か否かにより正常か否か
を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に膜が形成
されている構造における該膜の厚みを測定する方法に関
し、より詳細には、非破壊的に膜の厚みを測定する方法
に関する。
されている構造における該膜の厚みを測定する方法に関
し、より詳細には、非破壊的に膜の厚みを測定する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に薄膜が形成されている構
造体における薄膜の厚みを測定する方法として、蛍光Ｘ
線などの粒子線や電磁波を用いた測定方法が知られてい
る。これらの粒子線や電磁波を用いた測定方法では、非
破壊的に測定を行うことができ、膜厚を高精度に測定す
ることができる。
造体における薄膜の厚みを測定する方法として、蛍光Ｘ
線などの粒子線や電磁波を用いた測定方法が知られてい
る。これらの粒子線や電磁波を用いた測定方法では、非
破壊的に測定を行うことができ、膜厚を高精度に測定す
ることができる。
【０００３】図５は、この種の膜厚測定方法を説明する
ための模式的正面図である。膜厚の測定に際し、Ｘ線管
球１１からＸ線が試料１２に照射される。試料１２は、
基板上に薄膜が形成されている構造を有し、該薄膜の外
表面側に、Ｘ線１３が照射される。Ｘ線１３が照射され
ると、試料１２から蛍光Ｘ線１４が発し、この蛍光Ｘ線
１４が検出器１５により検出される。
ための模式的正面図である。膜厚の測定に際し、Ｘ線管
球１１からＸ線が試料１２に照射される。試料１２は、
基板上に薄膜が形成されている構造を有し、該薄膜の外
表面側に、Ｘ線１３が照射される。Ｘ線１３が照射され
ると、試料１２から蛍光Ｘ線１４が発し、この蛍光Ｘ線
１４が検出器１５により検出される。
【０００４】蛍光Ｘ線１４の強度により、試料１２にお
ける薄膜の厚みを求めることができる。もっとも、上記
Ｘ線管球１１及び検出器１５を用いた膜厚測定方法で
は、Ｘ線管球１１、試料１２及び検出器１５の位置関係
が正確に設定されていなければ、正確な測定を行うこと
はできない。従って、従来、試料１２の向きや高さを自
動調整するような構造を備えた測定装置が用いられてい
る。
ける薄膜の厚みを求めることができる。もっとも、上記
Ｘ線管球１１及び検出器１５を用いた膜厚測定方法で
は、Ｘ線管球１１、試料１２及び検出器１５の位置関係
が正確に設定されていなければ、正確な測定を行うこと
はできない。従って、従来、試料１２の向きや高さを自
動調整するような構造を備えた測定装置が用いられてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、試料１
２の向きや高さを自動調整したとしても、該調整が不十
分な場合があった。その場合には、正常な測定が行われ
ず、異常な測定値が得られる。しかしながら、測定時
に、得られた測定値が異常か否かを判別することはでき
なかった。
２の向きや高さを自動調整したとしても、該調整が不十
分な場合があった。その場合には、正常な測定が行われ
ず、異常な測定値が得られる。しかしながら、測定時
に、得られた測定値が異常か否かを判別することはでき
なかった。
【０００６】よって、本発明の目的は、上述した従来技
術の欠点を解消し、粒子線や電磁波の照射により非破壊
的に膜の厚みを測定する方法において、測定段階におい
て、測定自体が異常であるか否かを知ることを可能とす
る膜厚測定方法を提供することにある。
術の欠点を解消し、粒子線や電磁波の照射により非破壊
的に膜の厚みを測定する方法において、測定段階におい
て、測定自体が異常であるか否かを知ることを可能とす
る膜厚測定方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、基板上に膜が形成されている構造における膜の厚み
を粒子線または電磁波（例えばＸ線）を照射することに
より測定する膜厚測定方法において、前記粒子線または
電磁波を膜表面から照射した際に膜から発した粒子線ま
たは電磁波と、前記基板から発し膜を通過してきた粒子
線または電磁波とを同時に測定することにより異常か否
かを検出することを特徴とする、膜厚測定方法が提供さ
れる。
ば、基板上に膜が形成されている構造における膜の厚み
を粒子線または電磁波（例えばＸ線）を照射することに
より測定する膜厚測定方法において、前記粒子線または
電磁波を膜表面から照射した際に膜から発した粒子線ま
たは電磁波と、前記基板から発し膜を通過してきた粒子
線または電磁波とを同時に測定することにより異常か否
かを検出することを特徴とする、膜厚測定方法が提供さ
れる。
【０００８】すなわち、本発明に係る膜厚測定方法で
は、従来の粒子線または電磁波を用いた膜厚測定方法と
同様に、膜から発した粒子線または電磁波を測定するこ
とにより、膜の厚みが求められるが、さらに、膜から発
した粒子線または電磁波と、基板から発し、膜を通過し
てきた粒子線または電磁波をも同時に測定することによ
り、膜から発した粒子線または電磁波と、前記基板から
発し膜を通過してきた粒子線または電磁波の強度から異
常が検出される。
は、従来の粒子線または電磁波を用いた膜厚測定方法と
同様に、膜から発した粒子線または電磁波を測定するこ
とにより、膜の厚みが求められるが、さらに、膜から発
した粒子線または電磁波と、基板から発し、膜を通過し
てきた粒子線または電磁波をも同時に測定することによ
り、膜から発した粒子線または電磁波と、前記基板から
発し膜を通過してきた粒子線または電磁波の強度から異
常が検出される。
【０００９】なお、上記異常とは、測定の異常、及び膜
が基板上に形成された構造自体の異常の双方を含むもの
とする。すなわち、本発明によれば、測定自体の異常を
検出することもでき、さらに、膜が基板上に形成された
構造自体の異常をも検出することができる。
が基板上に形成された構造自体の異常の双方を含むもの
とする。すなわち、本発明によれば、測定自体の異常を
検出することもでき、さらに、膜が基板上に形成された
構造自体の異常をも検出することができる。
【００１０】本発明の特定の局面では、膜から発した粒
子線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過してき
た粒子線または電磁波の強度が求められ、膜から発した
粒子線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過して
きた粒子線または電磁波の強度差が予め定められた規格
値範囲内か否かにより、正常か異常かが検出される。
子線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過してき
た粒子線または電磁波の強度が求められ、膜から発した
粒子線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過して
きた粒子線または電磁波の強度差が予め定められた規格
値範囲内か否かにより、正常か異常かが検出される。
【００１１】また、本発明の別の特定の局面では、膜か
ら発した粒子線または電磁波の強度から求められた膜厚
と、前記基板から発し膜を通過してきた粒子線または電
磁波の強度から求められた膜厚との差が、予め定められ
た規格値範囲内か否かにより、正常か異常かが検出され
る。
ら発した粒子線または電磁波の強度から求められた膜厚
と、前記基板から発し膜を通過してきた粒子線または電
磁波の強度から求められた膜厚との差が、予め定められ
た規格値範囲内か否かにより、正常か異常かが検出され
る。
【００１２】本発明の他の特定の局面では、前記照射し
た粒子線または電磁波がＸ線であり、膜から発した粒子
線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過してきた
粒子線または電磁波が、蛍光Ｘ線である。
た粒子線または電磁波がＸ線であり、膜から発した粒子
線または電磁波と、前記基板から発し膜を通過してきた
粒子線または電磁波が、蛍光Ｘ線である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
説明することにより、本発明を明らかにする。
説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１４】図１は、本発明の一実施例における膜厚測
定方法を説明するための模式的正面図である。本実施例
では、Ｘ線を照射する線源として、Ｘ線管球１が用いら
れる。なお、粒子線または電磁波としては、本実施例で
はＸ線管球１より発せられるＸ線が用いられるが、Ｘ線
以外の粒子線または電磁波を用いてもよい。
定方法を説明するための模式的正面図である。本実施例
では、Ｘ線を照射する線源として、Ｘ線管球１が用いら
れる。なお、粒子線または電磁波としては、本実施例で
はＸ線管球１より発せられるＸ線が用いられるが、Ｘ線
以外の粒子線または電磁波を用いてもよい。
【００１５】Ｘ線管球１の下方に、試料２が配置されて
いる。試料２は、基板５上に薄膜４が形成されている構
造を有する。試料２の薄膜４が形成されている面側から
Ｘ線３を照射するように、本実施例ではＸ線が薄膜４の
表面に直交する方向に入射されるようにＸ線管球１が配
置されている。
いる。試料２は、基板５上に薄膜４が形成されている構
造を有する。試料２の薄膜４が形成されている面側から
Ｘ線３を照射するように、本実施例ではＸ線が薄膜４の
表面に直交する方向に入射されるようにＸ線管球１が配
置されている。
【００１６】他方、試料２にＸ線３が照射されると、薄
膜４を構成している元素が蛍光Ｘ線を発し、薄膜４から
外部に第１の蛍光Ｘ線６が発せられる。他方、Ｘ線が基
板５にも至り、基板５において基板５を構成する構成元
素が第２の蛍光Ｘ線７を発する。この第２の蛍光Ｘ線７
が、薄膜４を通過し、薄膜４の外部に進行する。
膜４を構成している元素が蛍光Ｘ線を発し、薄膜４から
外部に第１の蛍光Ｘ線６が発せられる。他方、Ｘ線が基
板５にも至り、基板５において基板５を構成する構成元
素が第２の蛍光Ｘ線７を発する。この第２の蛍光Ｘ線７
が、薄膜４を通過し、薄膜４の外部に進行する。
【００１７】本実施例では、上記第１，第２の蛍光Ｘ線
６，７を検出するために、検出器８が配置されている。
検出器８は、蛍光Ｘ線強度を検出し得る適宜の構造によ
り構成されている。
６，７を検出するために、検出器８が配置されている。
検出器８は、蛍光Ｘ線強度を検出し得る適宜の構造によ
り構成されている。
【００１８】本実施例の特徴は、上記第１，第２の蛍光
Ｘ線６，７の強度が検出器８により同時に測定され、そ
れによって薄膜４の厚みだけでなく、測定自体の異常あ
るいは試料２の異常が検出される。これをより具体的に
説明する。
Ｘ線６，７の強度が検出器８により同時に測定され、そ
れによって薄膜４の厚みだけでなく、測定自体の異常あ
るいは試料２の異常が検出される。これをより具体的に
説明する。
【００１９】Ｘ線を照射し、蛍光Ｘ線強度を測定する膜
厚測定方法では、前述したように、試料、Ｘ線管球及び
検出器の位置関係が所定の位置関係に高精度に定められ
なければ、正常な測定値を得ることかできない。例え
ば、図４に示すように、試料２の位置が、測定の位置よ
りも高くなっている場合（図４では正常な位置にある試
料が試料２Ａとして破線で示されている）、正確な膜厚
を蛍光Ｘ線強度から求めることはできない。
厚測定方法では、前述したように、試料、Ｘ線管球及び
検出器の位置関係が所定の位置関係に高精度に定められ
なければ、正常な測定値を得ることかできない。例え
ば、図４に示すように、試料２の位置が、測定の位置よ
りも高くなっている場合（図４では正常な位置にある試
料が試料２Ａとして破線で示されている）、正確な膜厚
を蛍光Ｘ線強度から求めることはできない。
【００２０】他方、図１において、薄膜４から発せられ
た蛍光Ｘ線の強度と薄膜４の膜厚とには、図２に示す関
係が存在する。また、基板５から発せられた蛍光Ｘ線強
度と薄膜４の膜厚との間には、図３に示す関係が存在す
る。
た蛍光Ｘ線の強度と薄膜４の膜厚とには、図２に示す関
係が存在する。また、基板５から発せられた蛍光Ｘ線強
度と薄膜４の膜厚との間には、図３に示す関係が存在す
る。
【００２１】すなわち、薄膜４から発せられた蛍光Ｘ線
強度は、膜厚の大きさが大きくなるにつれて大きくな
る。他方、基板５から発せられた第２の蛍光Ｘ線は、薄
膜４において減衰するので、薄膜４の膜厚が大きくなる
につれて第２の蛍光Ｘ線の強度は低下する。
強度は、膜厚の大きさが大きくなるにつれて大きくな
る。他方、基板５から発せられた第２の蛍光Ｘ線は、薄
膜４において減衰するので、薄膜４の膜厚が大きくなる
につれて第２の蛍光Ｘ線の強度は低下する。
【００２２】従って、第１，第２の蛍光Ｘ線強度のいず
れによっても、薄膜４の膜厚を検出し得ることがわか
る。いま、図４に示したように、試料２が本来の位置よ
りも高い場合、第１，第２の蛍光Ｘ線強度はいずれも大
きくなる。
れによっても、薄膜４の膜厚を検出し得ることがわか
る。いま、図４に示したように、試料２が本来の位置よ
りも高い場合、第１，第２の蛍光Ｘ線強度はいずれも大
きくなる。
【００２３】しかしながら、元素により、蛍光Ｘ線強度
の位置依存性は異なる。従って、試料２が、正常な位置
から図４に示す位置に変化した場合の蛍光Ｘ線強度の変
化の度合いは、第１，第２の蛍光Ｘ線において異なる。
そこで、上記のように、第１，第２の蛍光Ｘ線強度を検
出し、第１の蛍光Ｘ線強度と、第２の蛍光Ｘ線強度の差
を求め、該差が、予め定められた規格値範囲内か否かに
より、正常に測定されているか、あるいは異常測定であ
るかを検出することができる。
の位置依存性は異なる。従って、試料２が、正常な位置
から図４に示す位置に変化した場合の蛍光Ｘ線強度の変
化の度合いは、第１，第２の蛍光Ｘ線において異なる。
そこで、上記のように、第１，第２の蛍光Ｘ線強度を検
出し、第１の蛍光Ｘ線強度と、第２の蛍光Ｘ線強度の差
を求め、該差が、予め定められた規格値範囲内か否かに
より、正常に測定されているか、あるいは異常測定であ
るかを検出することができる。
【００２４】なお、上記第１，第２の蛍光Ｘ線強度の差
に代えて、各Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚の差
を求め、膜厚の差が予め定められた膜厚差についての規
格値範囲内か否かにより、正常測定か異常測定であるか
を検出することもできる。
に代えて、各Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚の差
を求め、膜厚の差が予め定められた膜厚差についての規
格値範囲内か否かにより、正常測定か異常測定であるか
を検出することもできる。
【００２５】よって、本実施例によれば、第１，第２の
蛍光Ｘ線強度を同時に測定することにより、測定に際
し、測定自体が異常であるか否かを直ちに知ることがで
きる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
蛍光Ｘ線強度を同時に測定することにより、測定に際
し、測定自体が異常であるか否かを直ちに知ることがで
きる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
【００２６】表１は、ＳｉＯ2 からなる基板上に、３５
０ｎｍ程度の膜厚のＴａからなる薄膜４を形成した試料
について、本実施例に従って３回の測定を行った場合の
第１の蛍光Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚、第２
の蛍光Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚及び第１，
第２の蛍光Ｘ線強度から求められた膜厚の差を示す。こ
の場合、予め定められた膜厚差の規格値範囲は、第１の
膜厚値−第２の膜厚値＜０である。
０ｎｍ程度の膜厚のＴａからなる薄膜４を形成した試料
について、本実施例に従って３回の測定を行った場合の
第１の蛍光Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚、第２
の蛍光Ｘ線強度から求められた薄膜４の膜厚及び第１，
第２の蛍光Ｘ線強度から求められた膜厚の差を示す。こ
の場合、予め定められた膜厚差の規格値範囲は、第１の
膜厚値−第２の膜厚値＜０である。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１から明らかなように、この３回の測定
では、１回目の測定及び２回目の測定では測定が異常で
あり、３回目の測定のみが正常であると判断される。従
って、３回目の測定に基づき、薄膜４の膜厚が、３５
３．８ｎｍ（第２の蛍光Ｘ線強度を参照した場合）とさ
れる。
では、１回目の測定及び２回目の測定では測定が異常で
あり、３回目の測定のみが正常であると判断される。従
って、３回目の測定に基づき、薄膜４の膜厚が、３５
３．８ｎｍ（第２の蛍光Ｘ線強度を参照した場合）とさ
れる。
【００２９】なお、予め定められた膜厚差の規格値範囲
あるいは第１，第２の蛍光Ｘ線強度の差の規格値範囲
は、例えば図２及び図３に示す結果を予め得ておき、そ
れらの結果から両者の膜厚差もしくは強度差の許容範囲
を明確化することにより定めればよい。
あるいは第１，第２の蛍光Ｘ線強度の差の規格値範囲
は、例えば図２及び図３に示す結果を予め得ておき、そ
れらの結果から両者の膜厚差もしくは強度差の許容範囲
を明確化することにより定めればよい。
【００３０】なお、上記実施例では、図４に示す試料の
ように試料２の位置、ひいては試料とＸ線管球１及び検
出器８との位置関係が異常である場合を検出し得る膜厚
測定方法を示したが、本発明においては、上記位置関係
が高精度に制御されている場合であっても、薄膜４の組
成や基板５の反りなどの試料自体の異常も検出すること
ができる。すなわち、これらの試料自体の異常が存在す
る場合にも、第１，第２の蛍光Ｘ線強度は変化し、これ
らの変化量は第１，第２の蛍光Ｘ線おいて異なる。従っ
て、上記実施例のように第１，第２の蛍光Ｘ線強度を測
定し、第１，第２の蛍光Ｘ線強度もしくはこれらから求
められた膜厚の差を求め、この差が、試料異常について
の規格値範囲内か否かを判別することにより、試料が正
常か否かを検出することもできる。
ように試料２の位置、ひいては試料とＸ線管球１及び検
出器８との位置関係が異常である場合を検出し得る膜厚
測定方法を示したが、本発明においては、上記位置関係
が高精度に制御されている場合であっても、薄膜４の組
成や基板５の反りなどの試料自体の異常も検出すること
ができる。すなわち、これらの試料自体の異常が存在す
る場合にも、第１，第２の蛍光Ｘ線強度は変化し、これ
らの変化量は第１，第２の蛍光Ｘ線おいて異なる。従っ
て、上記実施例のように第１，第２の蛍光Ｘ線強度を測
定し、第１，第２の蛍光Ｘ線強度もしくはこれらから求
められた膜厚の差を求め、この差が、試料異常について
の規格値範囲内か否かを判別することにより、試料が正
常か否かを検出することもできる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る膜厚測定方法では、粒子線
または電磁波を用いた非破壊的な測定方法により膜厚を
測定することができるだけでなく、膜から発した第１の
蛍光Ｘ線と基板から発し、膜を通過してきた第２の蛍光
Ｘ線とを同時に測定するため、これらの蛍光Ｘ線に基づ
いて測定が正常か否か、あるいは基板上に膜が形成され
ている構造自体が正常か否かを検出することができる。
または電磁波を用いた非破壊的な測定方法により膜厚を
測定することができるだけでなく、膜から発した第１の
蛍光Ｘ線と基板から発し、膜を通過してきた第２の蛍光
Ｘ線とを同時に測定するため、これらの蛍光Ｘ線に基づ
いて測定が正常か否か、あるいは基板上に膜が形成され
ている構造自体が正常か否かを検出することができる。
【００３２】従って、上記のように測定異常を定時に直
ちに知ることができ、基板上に形成された膜の厚みを高
精度にかつ迅速に求めることができる。この場合、正常
か否かの検出は、第１，第２の蛍光Ｘ線の強度差が予め
定められた規格値範囲内に正常か否かにより、あるいは
第１の蛍光Ｘ線強度から求められた膜厚と、第２の蛍光
Ｘ線強度から求められた膜厚との差が予め定められた膜
厚の規格値範囲内か否かを判別することにより容易に把
握することができる。
ちに知ることができ、基板上に形成された膜の厚みを高
精度にかつ迅速に求めることができる。この場合、正常
か否かの検出は、第１，第２の蛍光Ｘ線の強度差が予め
定められた規格値範囲内に正常か否かにより、あるいは
第１の蛍光Ｘ線強度から求められた膜厚と、第２の蛍光
Ｘ線強度から求められた膜厚との差が予め定められた膜
厚の規格値範囲内か否かを判別することにより容易に把
握することができる。
【図１】本発明の一実施例において膜厚を測定するとと
もに、異常を検出する工程を説明するための模式的正面
図。
もに、異常を検出する工程を説明するための模式的正面
図。
【図２】第１の蛍光Ｘ線強度と薄膜の膜厚との関係を示
す図。
す図。
【図３】第２の蛍光Ｘ線強度と薄膜の膜厚との関係を示
す図。
す図。
【図４】試料の位置が異常である場合の状態を説明する
ための模式的正面図。
ための模式的正面図。
【図５】従来の蛍光Ｘ線を用いた膜厚測定方法を説明す
るための模式的正面図。
るための模式的正面図。
１…Ｘ線管球 ２…試料 ２Ａ…試料 ３…Ｘ線 ４…薄膜 ５…基板 ６…第１の蛍光Ｘ線 ７…第２の蛍光Ｘ線 ８…検出器
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に膜が形成されている構造におけ
る膜の厚みを粒子線または電磁波を照射することにより
測定する膜厚測定方法において、 前記粒子線または電磁波を膜表面から照射した際に膜か
ら発した粒子線または電磁波と、前記基板から発し膜を
通過してきた粒子線または電磁波とを同時に測定するこ
とにより異常か否かを検出することを特徴とする、膜厚
測定方法。 - 【請求項２】 前記異常として、測定の異常を検出する
ことを特徴とする、請求項１に記載の膜厚測定方法。 - 【請求項３】 前記異常として、膜が基板上に形成され
ている構造自体の異常を検出することを特徴とする、請
求項１に記載の膜厚測定方法。 - 【請求項４】 前記膜から発した粒子線または電磁波
と、前記基板から発し膜を通過してきた粒子線または電
磁波の強度差が、予め定められた規格値範囲内か否かに
より、正常か異常かを検出する、請求項１〜３のいずれ
かに記載の膜厚測定方法。 - 【請求項５】 前記膜から発した粒子線または電磁波か
ら求められた膜厚と、前記基板から発し膜を通過してき
た粒子線または電磁波から求められた膜厚との差が、予
め定められた規格値範囲内か否かにより、正常か異常か
を検出する、請求項１〜３のいずれかに記載の膜厚測定
方法。 - 【請求項６】 前記照射した粒子線または電磁波はＸ線
であり、前記膜から発した粒子線または電磁波と、前記
基板から発し膜を通過してきた粒子線または電磁波は、
蛍光Ｘ線であることを特徴とする、請求項１〜５のいず
れかに記載の膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006689A JP2002213935A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006689A JP2002213935A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002213935A true JP2002213935A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18874542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006689A Pending JP2002213935A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002213935A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012153462A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハのｓｏｉ層の膜厚測定方法 |
| KR101241007B1 (ko) | 2012-10-26 | 2013-03-11 | 나노씨엠에스(주) | 엑스선을 이용한 박막층의 두께 측정 방법 및 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119348A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Method of and apparatus for measuring film over steel plate |
| JPS5954912A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | けい光ｘ線メツキ厚み計 |
| JPS61250508A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 膜厚測定装置 |
| JPH0861943A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Nippon Steel Corp | Ｘ線測定装置 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006689A patent/JP2002213935A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119348A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sumitomo Metal Ind | Method of and apparatus for measuring film over steel plate |
| JPS5954912A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | けい光ｘ線メツキ厚み計 |
| JPS61250508A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 膜厚測定装置 |
| JPH0861943A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Nippon Steel Corp | Ｘ線測定装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012153462A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハのｓｏｉ層の膜厚測定方法 |
| US8981291B2 (en) | 2011-05-10 | 2015-03-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for measuring film thickness of SOI layer of SOI wafer |
| KR101241007B1 (ko) | 2012-10-26 | 2013-03-11 | 나노씨엠에스(주) | 엑스선을 이용한 박막층의 두께 측정 방법 및 장치 |
| WO2014065473A1 (ko) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 나노씨엠에스(주) | 엑스선을 이용한 박막층의 두께 측정 방법 및 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5722861B2 (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
| KR102070263B1 (ko) | 스침 입사 엑스선 형광 분석(ｇｉｘｒｆ)을 위한 각도 교정 | |
| US6041096A (en) | Method and apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectroscopy | |
| JP3889851B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPH07103919A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法 | |
| US6611577B1 (en) | X-ray fluorescence analysis and apparatus therefor | |
| TWI329736B (en) | X-ray scattering with a polychromatic source | |
| JP2002213935A (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JP2005140767A (ja) | ３次元表面分析方法 | |
| JP2906924B2 (ja) | ウエーハの表面粗さ測定方法 | |
| CN109839398B (zh) | 一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法 | |
| JP2007078616A (ja) | 複数層からなる薄膜の各構成層の膜厚測定方法および膜厚測定装置 | |
| JPH05209847A (ja) | 蛍光ｘ線分析方法および装置 | |
| JP4677606B2 (ja) | 蛍光ｘ線分析法 | |
| JP3195046B2 (ja) | 全反射状態の検出方法および微量元素の測定装置 | |
| JPH02107952A (ja) | 粉末のｘ線回析測定方法 | |
| JP2003028816A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP2006133000A (ja) | 微小部積層構造検査装置 | |
| JPS6353457A (ja) | 二次元走査型状態分析装置 | |
| JPH08304308A (ja) | Ｘ線試験・検査装置 | |
| JPH052057U (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置における高さ調節用ダミー | |
| JP4966160B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPH0421821B2 (ja) | ||
| JP2000275193A (ja) | 表面密度の測定方法および測定装置 | |
| JPH0552777A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置の入射角補正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100803 |