JPS61245501A - 高電圧用抵抗器 - Google Patents
高電圧用抵抗器Info
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- JPS61245501A JPS61245501A JP60086679A JP8667985A JPS61245501A JP S61245501 A JPS61245501 A JP S61245501A JP 60086679 A JP60086679 A JP 60086679A JP 8667985 A JP8667985 A JP 8667985A JP S61245501 A JPS61245501 A JP S61245501A
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- glass
- resistor
- glass film
- resin
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- H01C—RESISTORS
- H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カラーＴＶ等の高電圧回路に用いられる高電
圧用抵抗器に関する。
圧用抵抗器に関する。
高電圧で使用されるセラミック部品１例えば高圧抵抗や
高圧コンデンサなどは、空気中で電圧を印加すると放電
を起こしてしまうため９通常は熱硬化性樹脂等によシ樹
脂モールドされて使用される。例えば高圧抵抗の場合、
アルミナ磁器よジ酸る絶縁体表面上に、 Ａｇ／Ｐｄ
、 Ａｇ等からなる端子電極を設け、これに酸化ルテニ
ウム等のペースト状抵抗材料をＶ字状に蛇行させて付着
した後、焼成して被膜抵抗体を形成し、しかる後に全体
を樹脂モールドしている。
高圧コンデンサなどは、空気中で電圧を印加すると放電
を起こしてしまうため９通常は熱硬化性樹脂等によシ樹
脂モールドされて使用される。例えば高圧抵抗の場合、
アルミナ磁器よジ酸る絶縁体表面上に、 Ａｇ／Ｐｄ
、 Ａｇ等からなる端子電極を設け、これに酸化ルテニ
ウム等のペースト状抵抗材料をＶ字状に蛇行させて付着
した後、焼成して被膜抵抗体を形成し、しかる後に全体
を樹脂モールドしている。
しかしながら、このように樹脂モールドされた場合には
、高電圧に伴なう電界の作用によシア樹脂中のある種の
成分がイオン電導の形で移行する。
、高電圧に伴なう電界の作用によシア樹脂中のある種の
成分がイオン電導の形で移行する。
所謂マイグレーション現象が発生する。このマイグレー
ション現象が抵抗体にダメージを与え１例えば抵抗値の
ドリフトというような問題が生ずる０このため、被膜抵
抗体への樹脂中不純物イオンの拡散防止をはかることが
必要であシ、この一例として抵抗被膜であるメタルグレ
ーズ抵抗や端子電極の表面を、ガラス膜で被覆した高圧
抵抗器が提案されている。（実公昭５５−２７２０３号
公報参照）第６図は、この例である。なお第６図（ロ）
は、第６図（イ）のＢ−Ｈに沿った断面図である。第６
図において、１はアルミナ磁器基板であり、この上にメ
タルグレーズ抵抗膜２が設けられている。メタルグレー
ズの抵抗膜２はアルミナ基板１の表面に蛇行して設けら
れておシ、必要な抵抗値となる長さに設計される。この
抵抗膜２０表面部分および端子電極２′部分を覆って低
融点のガラス膜５が塗布焼結されて形成されている。さ
らにガラス膜５の上に樹脂モールドによる樹脂４による
被膜が形成される。ガラス膜５の表面は、非常に滑かな
ため、樹脂４との接着力は弱く、その界面に間隙が生ず
ることがあるので、ガラス膜５を抵抗膜２および端子電
極２′上のみに限定して設け、蛇行状の抵抗膜２，２間
にはガラス膜５の存在しない、アルミナ基板１と被覆用
の樹脂４が直接接触する部分６を設けなければならない
。
ション現象が抵抗体にダメージを与え１例えば抵抗値の
ドリフトというような問題が生ずる０このため、被膜抵
抗体への樹脂中不純物イオンの拡散防止をはかることが
必要であシ、この一例として抵抗被膜であるメタルグレ
ーズ抵抗や端子電極の表面を、ガラス膜で被覆した高圧
抵抗器が提案されている。（実公昭５５−２７２０３号
公報参照）第６図は、この例である。なお第６図（ロ）
は、第６図（イ）のＢ−Ｈに沿った断面図である。第６
図において、１はアルミナ磁器基板であり、この上にメ
タルグレーズ抵抗膜２が設けられている。メタルグレー
ズの抵抗膜２はアルミナ基板１の表面に蛇行して設けら
れておシ、必要な抵抗値となる長さに設計される。この
抵抗膜２０表面部分および端子電極２′部分を覆って低
融点のガラス膜５が塗布焼結されて形成されている。さ
らにガラス膜５の上に樹脂モールドによる樹脂４による
被膜が形成される。ガラス膜５の表面は、非常に滑かな
ため、樹脂４との接着力は弱く、その界面に間隙が生ず
ることがあるので、ガラス膜５を抵抗膜２および端子電
極２′上のみに限定して設け、蛇行状の抵抗膜２，２間
にはガラス膜５の存在しない、アルミナ基板１と被覆用
の樹脂４が直接接触する部分６を設けなければならない
。
以上に述べた従来例の場合、抵抗膜２と樹脂４が直接接
触することがなくなるので、マイグレーションの発生や
樹脂中の不純物イオンの拡散が防止されると共に、ガラ
ス膜５を抵抗膜２．端子電極２′部分のみに限定したの
で、樹脂４とアルミナ基板１が大部分の個所で直接強固
に接着し、ガラス膜と樹脂表面の界面の分離に基づく沿
面放電も防止できたが、ガラス膜を抵抗膜部分の周囲に
のみに限定して設は寿ければなら力いという問題点があ
る。これは９例えば小型化した高圧抵抗のように、金属
電極が詳かいパターンになる場合、ガラス膜の塗布にも
精密な塗布装置が必要になシ。
触することがなくなるので、マイグレーションの発生や
樹脂中の不純物イオンの拡散が防止されると共に、ガラ
ス膜５を抵抗膜２．端子電極２′部分のみに限定したの
で、樹脂４とアルミナ基板１が大部分の個所で直接強固
に接着し、ガラス膜と樹脂表面の界面の分離に基づく沿
面放電も防止できたが、ガラス膜を抵抗膜部分の周囲に
のみに限定して設は寿ければなら力いという問題点があ
る。これは９例えば小型化した高圧抵抗のように、金属
電極が詳かいパターンになる場合、ガラス膜の塗布にも
精密な塗布装置が必要になシ。
抵抗の原価が高くなることに加え、あまりに細かいパタ
ーンの抵抗体を作成できないので小型化が実現できない
という欠点になる。
ーンの抵抗体を作成できないので小型化が実現できない
という欠点になる。
上記の問題点を解決するため１本発明では、抵抗膜等の
表面を覆うオーバーコートガラスの表面粗さを大きくす
ることを特徴とし、これによりガラス表面と樹脂との接
着力を大きくする。オーバーコートガラスの表面粗さを
大きくするには９例えばアルミナ（＃２０．）粉末等の
酸化物磁器粉末を混入してガラス膜とする。結晶化ガラ
スを用いる等による。
表面を覆うオーバーコートガラスの表面粗さを大きくす
ることを特徴とし、これによりガラス表面と樹脂との接
着力を大きくする。オーバーコートガラスの表面粗さを
大きくするには９例えばアルミナ（＃２０．）粉末等の
酸化物磁器粉末を混入してガラス膜とする。結晶化ガラ
スを用いる等による。
これにより、マイグレーションのない、樹脂中の不純物
イオンが抵抗体中に拡散することもなく。
イオンが抵抗体中に拡散することもなく。
かつ耐電圧特性の良好ガ高圧抵抗を得ることができる。
以下、第１図、第２図、第３図、第４図、第５図を参照
してこの発明の詳細な説明する０第１図、第２図は本発
明の第１の実施例を示す図、第３図は第１の実施例の作
用を説明するだめの図。
してこの発明の詳細な説明する０第１図、第２図は本発
明の第１の実施例を示す図、第３図は第１の実施例の作
用を説明するだめの図。
第４図は他の実施例を示す図、第５図はさらに他の実施
例を示す図である。各図において、同一の部材には同一
の番号を付与しである。
例を示す図である。各図において、同一の部材には同一
の番号を付与しである。
まず本発明の第１の実施例を第１図、第２図を参照して
説明する。なお第２図は製造方法を説明するための図で
ある。
説明する。なお第２図は製造方法を説明するための図で
ある。
第１図および第２図において、１はアルミナ等のセラミ
ック基板であり、その上に９例えば酸化ルテニュウムよ
シ構成された厚膜の抵抗膜２が形成されている。抵抗膜
２にはＡｇ／Ｐｄ等の端子電極Ｐが設けられる。３は磁
器粉末入りのガラス膜であって本発明の特徴的な部分で
あシ、抵抗膜２上及びセラミック基板１上に全面的に被
着されている。ここで磁器粉末としては１例えばアルミ
ナ（Ａ４０ｓ ）を使用する。
ック基板であり、その上に９例えば酸化ルテニュウムよ
シ構成された厚膜の抵抗膜２が形成されている。抵抗膜
２にはＡｇ／Ｐｄ等の端子電極Ｐが設けられる。３は磁
器粉末入りのガラス膜であって本発明の特徴的な部分で
あシ、抵抗膜２上及びセラミック基板１上に全面的に被
着されている。ここで磁器粉末としては１例えばアルミ
ナ（Ａ４０ｓ ）を使用する。
第３図は、アルミナの混入量（重量％）と、アルミナ混
入ガラス膜の表面粗さの関係を示す図である。アルミナ
の混入量を０から６０（ｗｔ％）に変化させると表面粗
さＲｍａｘは１ （ｌｉ）〜７ω）まで変化する。アル
ミナの量を増大させると、膜自体の強度が低下するので
２０〜６５重量部、即ちガラス１００部に対しアルミナ
２０部〜６５部程度の範囲が実用に供し得る。実験では
４４〜５０重量部のものが好結果を示した。
入ガラス膜の表面粗さの関係を示す図である。アルミナ
の混入量を０から６０（ｗｔ％）に変化させると表面粗
さＲｍａｘは１ （ｌｉ）〜７ω）まで変化する。アル
ミナの量を増大させると、膜自体の強度が低下するので
２０〜６５重量部、即ちガラス１００部に対しアルミナ
２０部〜６５部程度の範囲が実用に供し得る。実験では
４４〜５０重量部のものが好結果を示した。
本発明では、まずアルミナ等のセラミック基板１上に例
えばスクリーン印刷等の厚膜技術により端子電極Ｐを形
成後、抵抗ペーストを印刷し、これを焼成して酸化ルテ
ニュウム等の抵抗膜２を形成する。次にガラス材に大き
さが数μ程度のアルミナ粉末を混入してペースト化した
ものを作り。
えばスクリーン印刷等の厚膜技術により端子電極Ｐを形
成後、抵抗ペーストを印刷し、これを焼成して酸化ルテ
ニュウム等の抵抗膜２を形成する。次にガラス材に大き
さが数μ程度のアルミナ粉末を混入してペースト化した
ものを作り。
これを前記抵抗膜２等の上面に印刷等により塗布する。
そしてこれを焼成して、第２図（イ）に示す如き、アル
ミナ混入ガラス膜３をセラミック基板１および抵抗膜２
上に形成する。それから第２図（ロ）に示すように９周
知の適渦な方法によシ、樹脂被膜４を形成する。アルミ
ナ混入ガラス膜３０表面には１図に拡大して示すように
微細な凹凸が形成されているので、この面と樹脂層との
接着は非常に強固なものとなる。
ミナ混入ガラス膜３をセラミック基板１および抵抗膜２
上に形成する。それから第２図（ロ）に示すように９周
知の適渦な方法によシ、樹脂被膜４を形成する。アルミ
ナ混入ガラス膜３０表面には１図に拡大して示すように
微細な凹凸が形成されているので、この面と樹脂層との
接着は非常に強固なものとなる。
混入する磁器粉末としては、アルミナに限らずジルコニ
ア、マグネシア等の酸化物磁器粉末で良い。また実際の
ペーストを作る例としてはガラスフリット１００重量部
に対しラッカー９重量部（エチルセルロースＮ −５０
ヲ２０重量部、 ：ｒ−ｆルセルロースＮ−２００を１
０重量部、α−テルピネオールを２７０重量部混入し溶
解したもの）。
ア、マグネシア等の酸化物磁器粉末で良い。また実際の
ペーストを作る例としてはガラスフリット１００重量部
に対しラッカー９重量部（エチルセルロースＮ −５０
ヲ２０重量部、 ：ｒ−ｆルセルロースＮ−２００を１
０重量部、α−テルピネオールを２７０重量部混入し溶
解したもの）。
アルミナ５０重量部の割合で混入したものが良い結果を
得た。
得た。
また、第１の実施例と同じ構造であるが、ガラス膜３と
してホウケイ酸鉛系のガラス、例えばＰｂＯ−Ｓ ｔｏ
２− Ｂ、Ｏｓ等の結晶化ガラスを用いた場合にも、第
１の実施例同様ガラス膜表面を粗にすることができた。
してホウケイ酸鉛系のガラス、例えばＰｂＯ−Ｓ ｔｏ
２− Ｂ、Ｏｓ等の結晶化ガラスを用いた場合にも、第
１の実施例同様ガラス膜表面を粗にすることができた。
その外の結晶化ガラスには、 Ｐｂ０−ＢｚＯ３−Ｚｎ
Ｏ，ＰｂＯ−＆Ｏｓ、 ＰｂＯ８ｉ０＊ Ｂ２Ｏ３Ｋ
＊０等があシ、いずれも膜面を粗にすることができる。
Ｏ，ＰｂＯ−＆Ｏｓ、 ＰｂＯ８ｉ０＊ Ｂ２Ｏ３Ｋ
＊０等があシ、いずれも膜面を粗にすることができる。
ＰｂＯ−８ｉ０ｚ−Ｂ２ｕｓ−ＫｚＯ系のガラスを用い
た場合。
た場合。
基板の熱膨張系数７０ Ｘ １０−’／ ｄｅｇに対し
、このガラスの熱膨張系数は、わずかに小さい６０〜６
５×１０−７／ｄｅｇであシ、密着の度合に優れかつ熱
膨張率の差に基づくはく離現象もない優れた高電圧用抵
抗を得ることができた。
、このガラスの熱膨張系数は、わずかに小さい６０〜６
５×１０−７／ｄｅｇであシ、密着の度合に優れかつ熱
膨張率の差に基づくはく離現象もない優れた高電圧用抵
抗を得ることができた。
次に第４図を用いて、第３の実施例を説明する。
第１の実施例と同じ部材には同じ番号が付与されている
ので、これについての詳細な説明は省略する。この第３
の実施例に於ては、ガラス層を２層構造としておシ、被
膜抵抗体２の上に何も混入しないガラス膜５を設け、そ
の上に表面を粗としたガラス膜３を設ける。ガラス膜５
と表面を粗としたガラス膜３とは、双方ともガラスがベ
ースの膜であシ、その接着強度は強い。一方表面粗のガ
ラス膜３と樹脂層４との間の接着強度も、前述のとおシ
強固なものであるから、界面でのはく離にょる沿面放電
を防止できる。
ので、これについての詳細な説明は省略する。この第３
の実施例に於ては、ガラス層を２層構造としておシ、被
膜抵抗体２の上に何も混入しないガラス膜５を設け、そ
の上に表面を粗としたガラス膜３を設ける。ガラス膜５
と表面を粗としたガラス膜３とは、双方ともガラスがベ
ースの膜であシ、その接着強度は強い。一方表面粗のガ
ラス膜３と樹脂層４との間の接着強度も、前述のとおシ
強固なものであるから、界面でのはく離にょる沿面放電
を防止できる。
また、被膜抵抗体上に粗な表面をもつガラス膜を形成し
た高圧抵抗を、容器に収容し、ボッティング材を充てん
する場合にも、ガラス膜とボッティング材との接着強度
を高めることができるので。
た高圧抵抗を、容器に収容し、ボッティング材を充てん
する場合にも、ガラス膜とボッティング材との接着強度
を高めることができるので。
このタイプのも゛のにおいても同様の効果を奏すること
ができる。第５図は、この例であシ、被膜抵抗体２の上
に表面が粗のガラス膜３が設けられた高圧抵抗は、その
基板と共に容器８内に収容され。
ができる。第５図は、この例であシ、被膜抵抗体２の上
に表面が粗のガラス膜３が設けられた高圧抵抗は、その
基板と共に容器８内に収容され。
ポツテング材７が充てんされる。なお、９．９’はボリ
ウム調整用つまみであシ抵抗膜体２′、２″上をスライ
ドする短絡片を有する。詳細は示してないが従来公知の
もので良い。この抵抗膜体２′、２″にガラス膜を被覆
しないことはいうまでもない。
ウム調整用つまみであシ抵抗膜体２′、２″上をスライ
ドする短絡片を有する。詳細は示してないが従来公知の
もので良い。この抵抗膜体２′、２″にガラス膜を被覆
しないことはいうまでもない。
以上述べたように９本発明によれば、抵抗膜のみならず
これが形成された基板上にガラス膜を設けると共に、こ
のガラス膜に強固に接着する樹脂をモールド形成できる
ので、マイグレーションの防止と同時に界面のはく離に
よる放電を防止できる。また、ガラス膜は特に抵抗体部
分のみを覆うように設ける必要がなく、基板上全体にわ
たって形成しても良いので、抵抗体のパターンがどんな
に細かいものであっても良く、また特に精密な塗布機械
をも必要としないので、高電圧用抵抗を小型化できると
共に、その製造コストを下ることができる。
これが形成された基板上にガラス膜を設けると共に、こ
のガラス膜に強固に接着する樹脂をモールド形成できる
ので、マイグレーションの防止と同時に界面のはく離に
よる放電を防止できる。また、ガラス膜は特に抵抗体部
分のみを覆うように設ける必要がなく、基板上全体にわ
たって形成しても良いので、抵抗体のパターンがどんな
に細かいものであっても良く、また特に精密な塗布機械
をも必要としないので、高電圧用抵抗を小型化できると
共に、その製造コストを下ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図はその製
造方法を説明するだめの図、第３図は第１の実施例の作
用を説明するだめの図、第４図。 第５図は他の実施例を示す図、第６図は従来例を示す図
である。 １・・・セラミック基板 ２・・・抵抗膜３・・・表
面を粗としたガラス膜 ４・・・樹脂モールド ５・・・ガラス膜７・・・
ポツテング材料層 ８・・・容器 ９，９′・・・ボリウム特許
出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第２図 →アルミナ（ｉ量％） 第３図 第４図 第５図 第６図
造方法を説明するだめの図、第３図は第１の実施例の作
用を説明するだめの図、第４図。 第５図は他の実施例を示す図、第６図は従来例を示す図
である。 １・・・セラミック基板 ２・・・抵抗膜３・・・表
面を粗としたガラス膜 ４・・・樹脂モールド ５・・・ガラス膜７・・・
ポツテング材料層 ８・・・容器 ９，９′・・・ボリウム特許
出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 第２図 →アルミナ（ｉ量％） 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (5)
- （１）セラミック基板上に抵抗素子となる被膜抵抗体を
形成し、全体を樹脂モールドした高電圧用抵抗器におい
て、被膜抵抗体とモールド樹脂の間に、表面が粗のガラ
ス膜を形成したことを特徴とする高電圧用抵抗器。 - （２）前記表面が粗のガラス膜として酸化物粉末を混入
したガラスを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の高電圧用抵抗器。 - （３）前記表面が粗のガラス膜として結晶化ガラスを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高電
圧用抵抗器。 - （４）前記表面が粗のガラス膜として、被膜抵抗体側を
通常のガラスとし、その上に表面が粗となるような二重
構造の膜を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の高電圧用抵抗器。 - （５）前記酸化物磁器粉末の混入量を２０〜６５重量パ
ーセントとしたことを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の高電圧用抵抗器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086679A JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
| KR1019860002472A KR920001451B1 (ko) | 1985-04-23 | 1986-04-01 | 고전압용 저항기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086679A JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245501A true JPS61245501A (ja) | 1986-10-31 |
| JPH0744081B2 JPH0744081B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=13893704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086679A Expired - Lifetime JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744081B2 (ja) |
| KR (1) | KR920001451B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435650U (ja) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | ||
| JPH07142203A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-02 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JPH09120904A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-05-06 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52121798A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-13 | Hitachi Ltd | Glass covered thick film resistance |
| JPS5527203U (ja) * | 1978-08-07 | 1980-02-21 | ||
| JPS55139501U (ja) * | 1979-03-26 | 1980-10-04 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60086679A patent/JPH0744081B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-01 KR KR1019860002472A patent/KR920001451B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52121798A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-13 | Hitachi Ltd | Glass covered thick film resistance |
| JPS5527203U (ja) * | 1978-08-07 | 1980-02-21 | ||
| JPS55139501U (ja) * | 1979-03-26 | 1980-10-04 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435650U (ja) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | ||
| JPH07142203A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-06-02 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JPH09120904A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-05-06 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860008575A (ko) | 1986-11-17 |
| JPH0744081B2 (ja) | 1995-05-15 |
| KR920001451B1 (ko) | 1992-02-14 |
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