JPH0744081B2 - 高電圧用抵抗器 - Google Patents
高電圧用抵抗器Info
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- JPH0744081B2 JPH0744081B2 JP60086679A JP8667985A JPH0744081B2 JP H0744081 B2 JPH0744081 B2 JP H0744081B2 JP 60086679 A JP60086679 A JP 60086679A JP 8667985 A JP8667985 A JP 8667985A JP H0744081 B2 JPH0744081 B2 JP H0744081B2
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- resin
- resistor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，カラーTV等の高電圧回路に用いられる高電圧
用抵抗器に関する。
用抵抗器に関する。
高電圧で使用されるセラミツク部品，例えば高圧抵抗や
高圧コンデンサなどは，空気中で電圧を印加すると放電
を起こしてしまうため，通常は熱硬化性樹脂等により樹
脂モールドされて使用される。例えば高圧抵抗の場合，
アルミナ磁器より成る絶縁体表面上に,Ag/Pd,Ag等から
なる端子電極を設け，これは酸化ルテニウム等のペース
ト状抵抗材料をＶ字状に蛇行させて付着した後，焼成し
て膜抵抗体を形成し，しかる後に全体を樹脂モールドし
ている。
高圧コンデンサなどは，空気中で電圧を印加すると放電
を起こしてしまうため，通常は熱硬化性樹脂等により樹
脂モールドされて使用される。例えば高圧抵抗の場合，
アルミナ磁器より成る絶縁体表面上に,Ag/Pd,Ag等から
なる端子電極を設け，これは酸化ルテニウム等のペース
ト状抵抗材料をＶ字状に蛇行させて付着した後，焼成し
て膜抵抗体を形成し，しかる後に全体を樹脂モールドし
ている。
しかしながら，このように樹脂モールドされた場合に
は，高電圧に伴なう電界の作用により，樹脂中のある種
の成分がイオン電導の形で移行する，所謂マイグレーシ
ヨン現象が発生する。このマイグレーシヨン現象が抵抗
体にダメージを与え，例えば抵抗値のドリフトというよ
うな問題が生ずる。このため，膜抵抗体への樹脂中不純
物イオンの拡散防止をはかることが必要であり，この一
例として抵抗被膜であるメタルグレーズ抵抗や端子電極
の表面を，ガラス膜で被覆した高圧抵抗器が提案されて
いる。（実公昭55−27203号公報参照） 第６図は，この例である。なお第６図（ロ）は，第６図
（イ）のＢ−Ｂに沿つた断面図である。第６図におい
て,1はアルミナ磁器基板であり，この上にメタルグレー
ズ抵抗膜２が設けられている。メタルグレーズの抵抗膜
２はアルミナ基板１の表面に蛇行して設けられており，
必要な抵抗値となる長さに設計される。この抵抗膜２の
表面部分および端子電極２′部分を覆つて低融点のガラ
ス膜５が塗布焼結されて形成されている。さらにガラス
膜５の上に樹脂モールドによる樹脂４による被膜が形成
される。ガラス膜５の表面は，非常に滑かなため，樹脂
４との接着力は弱く，その界面に間隙が生ずることがあ
るので，ガラス膜５を抵抗膜２および端子電極２′上の
みに限定して設け，蛇行状の抵抗膜2,2間にはガラス膜
５の存在しない，アルミナ基板１と被覆用の樹脂４が直
接接触する部分６を設けなければならない。
は，高電圧に伴なう電界の作用により，樹脂中のある種
の成分がイオン電導の形で移行する，所謂マイグレーシ
ヨン現象が発生する。このマイグレーシヨン現象が抵抗
体にダメージを与え，例えば抵抗値のドリフトというよ
うな問題が生ずる。このため，膜抵抗体への樹脂中不純
物イオンの拡散防止をはかることが必要であり，この一
例として抵抗被膜であるメタルグレーズ抵抗や端子電極
の表面を，ガラス膜で被覆した高圧抵抗器が提案されて
いる。（実公昭55−27203号公報参照） 第６図は，この例である。なお第６図（ロ）は，第６図
（イ）のＢ−Ｂに沿つた断面図である。第６図におい
て,1はアルミナ磁器基板であり，この上にメタルグレー
ズ抵抗膜２が設けられている。メタルグレーズの抵抗膜
２はアルミナ基板１の表面に蛇行して設けられており，
必要な抵抗値となる長さに設計される。この抵抗膜２の
表面部分および端子電極２′部分を覆つて低融点のガラ
ス膜５が塗布焼結されて形成されている。さらにガラス
膜５の上に樹脂モールドによる樹脂４による被膜が形成
される。ガラス膜５の表面は，非常に滑かなため，樹脂
４との接着力は弱く，その界面に間隙が生ずることがあ
るので，ガラス膜５を抵抗膜２および端子電極２′上の
みに限定して設け，蛇行状の抵抗膜2,2間にはガラス膜
５の存在しない，アルミナ基板１と被覆用の樹脂４が直
接接触する部分６を設けなければならない。
以上に述べた従来例の場合，抵抗膜２と樹脂４が直接接
触することがなくなるので，マイグレーシヨンの発生や
樹脂中の不純物イオンの拡散が防止されると共に，ガラ
ス膜５を抵抗膜2,端子電極２′部分のみに限定したの
で，樹脂４とアルミナ基板１が大部分の個所で直接強固
に接着し，ガラス膜と樹脂表面の界面の分離に基づく沿
面放電も防止できたが，ガラス膜を抵抗膜部分の周囲に
のみに限定して設けなければならないという問題点があ
る。これは，例えば小型化した高圧抵抗のように，金属
電極が詳かいパターンになる場合，ガラス膜の塗布にも
精密な塗布装置が必要になり，抵抗の原価が高くなるこ
とに加え，あまりに細かいパターンの抵抗体を作成でき
ないので小型化が実現できないという欠点になる。
触することがなくなるので，マイグレーシヨンの発生や
樹脂中の不純物イオンの拡散が防止されると共に，ガラ
ス膜５を抵抗膜2,端子電極２′部分のみに限定したの
で，樹脂４とアルミナ基板１が大部分の個所で直接強固
に接着し，ガラス膜と樹脂表面の界面の分離に基づく沿
面放電も防止できたが，ガラス膜を抵抗膜部分の周囲に
のみに限定して設けなければならないという問題点があ
る。これは，例えば小型化した高圧抵抗のように，金属
電極が詳かいパターンになる場合，ガラス膜の塗布にも
精密な塗布装置が必要になり，抵抗の原価が高くなるこ
とに加え，あまりに細かいパターンの抵抗体を作成でき
ないので小型化が実現できないという欠点になる。
上記の問題点を解決するため、本発明では、セラミック
基板上に抵抗素子となる膜抵抗体を形成し、全体を樹脂
モールドした高電圧用抵抗器において、前記膜抵抗体と
モールド樹脂間に、ガラスにアルミナ、ジルコニア、及
びマグネシアの内の一種以上の酸化物磁器粉末が20〜65
重量パーセント混入された表面が粗のガラス膜を形成し
たことを特徴とするものである。
基板上に抵抗素子となる膜抵抗体を形成し、全体を樹脂
モールドした高電圧用抵抗器において、前記膜抵抗体と
モールド樹脂間に、ガラスにアルミナ、ジルコニア、及
びマグネシアの内の一種以上の酸化物磁器粉末が20〜65
重量パーセント混入された表面が粗のガラス膜を形成し
たことを特徴とするものである。
これにより、ガラス表面と樹脂との接着力を大きくし
て、マイグレーションがなく、樹脂中の不純物イオンが
抵抗体中に拡散することもない耐電圧特性が良好な小型
化及び低コスト化可能な高圧抵抗を得ることができる。
て、マイグレーションがなく、樹脂中の不純物イオンが
抵抗体中に拡散することもない耐電圧特性が良好な小型
化及び低コスト化可能な高圧抵抗を得ることができる。
以下，第１図，第２図，第３図，第４図，第５図を参照
してこの発明の実施例を説明する。第１図，第２図は本
発明の第１の実施例を示す図，第３図は第１の実施例の
作用を説明するための図，第４図は他の実施例を示す
図，第５図はさらに他の実施例を示す図である。各図に
おいて，同一の部材には同一の番号を付与してある。
してこの発明の実施例を説明する。第１図，第２図は本
発明の第１の実施例を示す図，第３図は第１の実施例の
作用を説明するための図，第４図は他の実施例を示す
図，第５図はさらに他の実施例を示す図である。各図に
おいて，同一の部材には同一の番号を付与してある。
まず本発明の第１の実施例を第１図，第２図を参照して
説明する。なお第２図は製造方法を説明するための図で
ある。
説明する。なお第２図は製造方法を説明するための図で
ある。
第１図および第２図において,1はアルミミナ等のセラミ
ツク基板であり，その上に，例えば酸化ルテニウムより
構成された厚膜の抵抗膜２が形成されている。抵抗膜２
にはAg/Pd等の端子電極Ｐが設けられる。３は磁器粉末
入りのガラス膜であつて本発明の特徴的な部分であり，
抵抗膜２上及びセラミツク基板１上に全面的に被着され
ている。ここで磁器粉末としては，例えばアルミナ（Al
2O3）を使用する。
ツク基板であり，その上に，例えば酸化ルテニウムより
構成された厚膜の抵抗膜２が形成されている。抵抗膜２
にはAg/Pd等の端子電極Ｐが設けられる。３は磁器粉末
入りのガラス膜であつて本発明の特徴的な部分であり，
抵抗膜２上及びセラミツク基板１上に全面的に被着され
ている。ここで磁器粉末としては，例えばアルミナ（Al
2O3）を使用する。
第３図は，アルミナの混入量（重量％）と，アルミナ混
入ガラス膜の表面粗さの関係を示す図である。アルミナ
の混入量を０から60（wt％）に変化させると表面粗さRm
axは１（μ）〜７（μ）まで変化する。アルミナの量を
増大させると，膜自体の強度が低下するので20〜65重量
部，即ちガラス100部に対しアルミナ20部〜65部程度の
範囲が実用に供し得る。実験では44〜50重量部のものが
好結果を示した。
入ガラス膜の表面粗さの関係を示す図である。アルミナ
の混入量を０から60（wt％）に変化させると表面粗さRm
axは１（μ）〜７（μ）まで変化する。アルミナの量を
増大させると，膜自体の強度が低下するので20〜65重量
部，即ちガラス100部に対しアルミナ20部〜65部程度の
範囲が実用に供し得る。実験では44〜50重量部のものが
好結果を示した。
本発明では，まずアルミナ等のセラミツク基板１上に例
えばスクリーン印刷等の厚膜技術により端子電極Ｐを形
成後、抵抗ペーストを印刷し，これを焼成して酸化ルテ
ニユウム等の抵抗膜２を形成する。次にガラス材に大き
さが数μ程度のアルミナ粉末を混入してペースト化した
ものを作り，これを前記抵抗膜２等の上面に印刷等によ
り塗布する。そしてこれを焼成して，第２図（イ）に示
す如き，アルミナ混入ガラス膜３をセラミツク基板１お
よび抵抗膜２上に形成する。それから第２図（ロ）に示
すように，周知の適当な方法により，樹脂被膜４を形成
する。アルミナ混入ガラス膜３の表面には，図に拡大し
て示すように微細な凹凸な形成されているので，この面
と樹脂層との接着は非常に強固なものとなる。
えばスクリーン印刷等の厚膜技術により端子電極Ｐを形
成後、抵抗ペーストを印刷し，これを焼成して酸化ルテ
ニユウム等の抵抗膜２を形成する。次にガラス材に大き
さが数μ程度のアルミナ粉末を混入してペースト化した
ものを作り，これを前記抵抗膜２等の上面に印刷等によ
り塗布する。そしてこれを焼成して，第２図（イ）に示
す如き，アルミナ混入ガラス膜３をセラミツク基板１お
よび抵抗膜２上に形成する。それから第２図（ロ）に示
すように，周知の適当な方法により，樹脂被膜４を形成
する。アルミナ混入ガラス膜３の表面には，図に拡大し
て示すように微細な凹凸な形成されているので，この面
と樹脂層との接着は非常に強固なものとなる。
混入する磁器粉末としては，アルミナに限らずジルコニ
ア，マグネシア等の酸化物磁器粉末で良い。また実際の
ペーストを作る例としてはガラスフリツト100重量部に
対しラツカー９重量部（エチルセルロースＮ−50を20重
量部，エチルセルロースＮ−200を10重量部，α−テル
ピネオールを270重量部混入し溶解したもの），アルミ
ナ50重量部の割合で混入したものが良い結果を得た。
ア，マグネシア等の酸化物磁器粉末で良い。また実際の
ペーストを作る例としてはガラスフリツト100重量部に
対しラツカー９重量部（エチルセルロースＮ−50を20重
量部，エチルセルロースＮ−200を10重量部，α−テル
ピネオールを270重量部混入し溶解したもの），アルミ
ナ50重量部の割合で混入したものが良い結果を得た。
次に第４図を用いて，第２の実施例を説明する。第１の
実施例と同じ部材には同じ番号が付与されているので，
これについての詳細な説明は省略する。この第３の実施
例に於ては，ガラス層を２層構造としており，膜抵抗体
２の上に何も混入しないガラス膜５を設け，その上に表
面を粗としたガラス膜３を設ける。ガラス膜５と表面を
粗としたガラス膜３とは，双方ともガラスがベースの膜
であり，その接着強度は強い。一方表面粗のガラス膜３
と樹脂層４との間の接着強度も，前述のとおり強固なも
のであるから，界面でのはく離による沿面放電を防止で
きる。
実施例と同じ部材には同じ番号が付与されているので，
これについての詳細な説明は省略する。この第３の実施
例に於ては，ガラス層を２層構造としており，膜抵抗体
２の上に何も混入しないガラス膜５を設け，その上に表
面を粗としたガラス膜３を設ける。ガラス膜５と表面を
粗としたガラス膜３とは，双方ともガラスがベースの膜
であり，その接着強度は強い。一方表面粗のガラス膜３
と樹脂層４との間の接着強度も，前述のとおり強固なも
のであるから，界面でのはく離による沿面放電を防止で
きる。
また，膜抵抗体上に粗な表面をもつガラス膜を形成した
高圧抵抗を，容器に収容し，ポツテイング材を充てんす
る場合にも、ガラス膜とポツテイング材との接着強度を
高めることができるので，このタイプのものにおいても
同様の効果を奏することができる。第５図は，この例で
あり，膜抵抗体２の上に表面が粗のガラス膜３が設けら
れた高圧抵抗は，その基板と共に容器８内に収容され，
ポツテイング材７が充てんされる。なお,9,9′はボリウ
ム調整用つまみであり抵抗膜体２′,2″上をスライドす
る短絡片を有する。詳細は示してないが従来公知のもの
で良い。この抵抗膜体２′,2″にガラス膜を被覆しない
ことはいうまでもない。
高圧抵抗を，容器に収容し，ポツテイング材を充てんす
る場合にも、ガラス膜とポツテイング材との接着強度を
高めることができるので，このタイプのものにおいても
同様の効果を奏することができる。第５図は，この例で
あり，膜抵抗体２の上に表面が粗のガラス膜３が設けら
れた高圧抵抗は，その基板と共に容器８内に収容され，
ポツテイング材７が充てんされる。なお,9,9′はボリウ
ム調整用つまみであり抵抗膜体２′,2″上をスライドす
る短絡片を有する。詳細は示してないが従来公知のもの
で良い。この抵抗膜体２′,2″にガラス膜を被覆しない
ことはいうまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、膜抵抗体のみなら
ずこれが形成された基板上にアルミナ、ジルコニア、及
びマグネシアの内の一種以上の酸化物磁器粉末が混入し
た表面で粗のガラス膜を設けるとともに、この表面が粗
のガラス膜に強固に接着する樹脂をモールド形成できる
ので、マイグレーションの防止と同時に界面での剥離に
よる沿面放電を防止できる。また、樹脂を表面が粗のガ
ラス膜に強固に接着したモールド形成ができるので、表
面が粗のガラス膜は特に膜抵抗体部分のみを覆うように
設ける必要がなく、基板上全体にわたって形成してもよ
いので、膜抵抗体のパターンがどんなに細かいものであ
ってもよく、また特に精密な塗布機械をも必要としない
ので、高圧用抵抗を小型化できるとともに、その製造コ
ストを下げることができる。
ずこれが形成された基板上にアルミナ、ジルコニア、及
びマグネシアの内の一種以上の酸化物磁器粉末が混入し
た表面で粗のガラス膜を設けるとともに、この表面が粗
のガラス膜に強固に接着する樹脂をモールド形成できる
ので、マイグレーションの防止と同時に界面での剥離に
よる沿面放電を防止できる。また、樹脂を表面が粗のガ
ラス膜に強固に接着したモールド形成ができるので、表
面が粗のガラス膜は特に膜抵抗体部分のみを覆うように
設ける必要がなく、基板上全体にわたって形成してもよ
いので、膜抵抗体のパターンがどんなに細かいものであ
ってもよく、また特に精密な塗布機械をも必要としない
ので、高圧用抵抗を小型化できるとともに、その製造コ
ストを下げることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図，第２図はその製
造方法を説明するための図，第３図は第１の実施例の作
用を説明するための図，第４図，第５図は他の実施例を
示す図，第６図は従来例を示す図である。 １……セラミツク基板、２……抵抗膜 ３……表面を粗としたガラス膜 ４……樹脂モールド、５……ガラス膜 ７……ポツテイング材料層 ８……容器、9,9′……ボリウム
造方法を説明するための図，第３図は第１の実施例の作
用を説明するための図，第４図，第５図は他の実施例を
示す図，第６図は従来例を示す図である。 １……セラミツク基板、２……抵抗膜 ３……表面を粗としたガラス膜 ４……樹脂モールド、５……ガラス膜 ７……ポツテイング材料層 ８……容器、9,9′……ボリウム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−121798（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−139501（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭55−27203（ＪＰ，Ｙ２)
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック基板上に抵抗素子となる膜抵抗
体を形成し、全体を樹脂モールドした高電圧用抵抗器に
おいて、前記膜抵抗体とモールド樹脂の間に、ガラスに
アルミナ、ジルコニア、及びマグネシアの内の一種以上
の酸化物磁器粉末が20〜65重量パーセント混入された表
面が粗のガラス膜を形成したことを特徴とする高電圧用
抵抗器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086679A JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
| KR1019860002472A KR920001451B1 (ko) | 1985-04-23 | 1986-04-01 | 고전압용 저항기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086679A JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245501A JPS61245501A (ja) | 1986-10-31 |
| JPH0744081B2 true JPH0744081B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=13893704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086679A Expired - Lifetime JPH0744081B2 (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用抵抗器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744081B2 (ja) |
| KR (1) | KR920001451B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740295Y2 (ja) * | 1987-08-27 | 1995-09-13 | 株式会社東芝 | 陰極線管 |
| JP2806802B2 (ja) * | 1994-07-11 | 1998-09-30 | 北陸電気工業株式会社 | チップ抵抗器 |
| JP3110677B2 (ja) * | 1996-05-20 | 2000-11-20 | 北陸電気工業株式会社 | チップ抵抗器 |
| JP2022012055A (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 抵抗器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52121798A (en) * | 1976-04-07 | 1977-10-13 | Hitachi Ltd | Glass covered thick film resistance |
| JPS5527203U (ja) * | 1978-08-07 | 1980-02-21 | ||
| JPS5832244Y2 (ja) * | 1979-03-26 | 1983-07-18 | 株式会社日立製作所 | 耐湿性のすぐれた厚膜素子 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60086679A patent/JPH0744081B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-01 KR KR1019860002472A patent/KR920001451B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860008575A (ko) | 1986-11-17 |
| JPS61245501A (ja) | 1986-10-31 |
| KR920001451B1 (ko) | 1992-02-14 |
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