JPS58181868A - 結晶化ホ−ロ−基板 - Google Patents
結晶化ホ−ロ−基板Info
- Publication number
- JPS58181868A JPS58181868A JP57063571A JP6357182A JPS58181868A JP S58181868 A JPS58181868 A JP S58181868A JP 57063571 A JP57063571 A JP 57063571A JP 6357182 A JP6357182 A JP 6357182A JP S58181868 A JPS58181868 A JP S58181868A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- crystallized
- enamel
- substrate
- hollow
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ発明の技術分野〕
本発明は、金属基体と結晶化ホーロ一層との密着強度を
改善した結晶化ホーロー基板に関する。
改善した結晶化ホーロー基板に関する。
金属基体の表面に結晶化ホーロ一層′ｆ：形成した結晶
化ホーロー基板は、ガラスホーロー基板と比べて以下に
示す種々の利点を有していた。
化ホーロー基板は、ガラスホーロー基板と比べて以下に
示す種々の利点を有していた。
（７） ガラスホーロー基板では、ペースト焼成温度６
００〜６５０℃で繰り返し焼成を行なうことによって、
金属基体の表面のホーロ一層が軟化する場合がらるが、
結晶化ガラスホーロー基板Ｏ場合、結晶化により結晶化
ボーロ一層の参化点が上昇する。
００〜６５０℃で繰り返し焼成を行なうことによって、
金属基体の表面のホーロ一層が軟化する場合がらるが、
結晶化ガラスホーロー基板Ｏ場合、結晶化により結晶化
ボーロ一層の参化点が上昇する。
（イ） 結晶化ホーロ一層が結晶質であるため、結晶化
ホーａ一層上に印刷焼付した抵抗体をし〜デでトリミン
グしても、クラックの発生が少なく、抵抗体の信頼性が
高い。
ホーａ一層上に印刷焼付した抵抗体をし〜デでトリミン
グしても、クラックの発生が少なく、抵抗体の信頼性が
高い。
り）結晶化ホーロ一層は、ボーロー焼付時において高い
粘性を有しているため、焼付時に表面張力により金属基
体の端部に局部的な盛り上を旨Ｖすることが少なく、端
部における導体、払抗体等の印刷ペーストの印刷性が良
い。
粘性を有しているため、焼付時に表面張力により金属基
体の端部に局部的な盛り上を旨Ｖすることが少なく、端
部における導体、払抗体等の印刷ペーストの印刷性が良
い。
に）結晶化ホーロ一層はアルカリ金属酸化物を少量しか
含まないた袷、該ボーロ一層上に形成されゐ導体、抵抗
体勢への影替が少なく信頼性が高い。
含まないた袷、該ボーロ一層上に形成されゐ導体、抵抗
体勢への影替が少なく信頼性が高い。
しかしながら、結晶化ホーロー基板は、ガラスホーロー
基板と比べ罰述した種々の利点を有するものの、結晶化
ホーａ一層の金属基体ＶＣ対する密着強度が小さく、導
体中抵抗体擲の導膜イーストを形成するために前記結晶
化ボーロー基板を繰り返し焼成した場合、該ポーロ一層
が下地金属から剥離するという欠点があった。
基板と比べ罰述した種々の利点を有するものの、結晶化
ホーａ一層の金属基体ＶＣ対する密着強度が小さく、導
体中抵抗体擲の導膜イーストを形成するために前記結晶
化ボーロー基板を繰り返し焼成した場合、該ポーロ一層
が下地金属から剥離するという欠点があった。
この剥離の原因は明らかでないが、＊属基体と結晶化ホ
ーロ一層とを結びつける働きをするガラス質からなる境
界層の発達が十分でないためと推測される。このような
ことから、金属基体表面を粗面化することにより密着強
度を大きくしようとする方法が試みられているが、現在
までのところ好ましい結果が得られていない。
ーロ一層とを結びつける働きをするガラス質からなる境
界層の発達が十分でないためと推測される。このような
ことから、金属基体表面を粗面化することにより密着強
度を大きくしようとする方法が試みられているが、現在
までのところ好ましい結果が得られていない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、結晶化ホー
ロ一層の金属基体に対する密着強度の大きい結晶化ホー
ロー基板を提供することを目的とするものである。
ロ一層の金属基体に対する密着強度の大きい結晶化ホー
ロー基板を提供することを目的とするものである。
本発明の結晶化ホーロー基板は、金属基体の周囲に結晶
化ホーロ一層を、セラＺ２り層を介して機種した構造を
有している。かかる構造のホーロー基板は、次に述べる
製法により製造される。
化ホーロ一層を、セラＺ２り層を介して機種した構造を
有している。かかる構造のホーロー基板は、次に述べる
製法により製造される。
オす、金属基体上に１溶射法、ス・ヤ、り決、電着法、
静電塗装法、陽極醗化法、熱酸化法及び印刷法のいずれ
か一つを用いてセラミ、り層を形成する。これら形成法
のうち、大きい一着強度と低コストのホーロー基板が得
られる点で溶射法が優れている。前記金属１体としては
、鉄、銅等の金属又は合金が挙げられる。また、セラミ
、り層の材料としては、酸化！グネシウム、酸化アルｉ
ニウム、酸化チタン、窒化ゲロン、窒化シリコン及び窒
化アルミニウム叫の電気絶縁性並びに熱伝導性が良好な
ものが挙げられる。前記セラミ、り層Ｏ厚みは、用途に
より異なるが大体１０〜１５０岸讃が好ましい。
静電塗装法、陽極醗化法、熱酸化法及び印刷法のいずれ
か一つを用いてセラミ、り層を形成する。これら形成法
のうち、大きい一着強度と低コストのホーロー基板が得
られる点で溶射法が優れている。前記金属１体としては
、鉄、銅等の金属又は合金が挙げられる。また、セラミ
、り層の材料としては、酸化！グネシウム、酸化アルｉ
ニウム、酸化チタン、窒化ゲロン、窒化シリコン及び窒
化アルミニウム叫の電気絶縁性並びに熱伝導性が良好な
ものが挙げられる。前記セラミ、り層Ｏ厚みは、用途に
より異なるが大体１０〜１５０岸讃が好ましい。
次に、セラミ、り層表面に、ｔ５Ｉ！法、スプレー法、
静電塗装法、浸漬法、刷毛ｍｂ法、印刷法及びス・譬、
夕法等のいずれか一つ以上を用いて結晶化ホーロ一層を
形成し、焼成を行なって結晶化ホーロー基板を製造する
。なお、金属基体表面に形成する一１１！ライ、り層と
結晶化ホーロ一層との夫々の厚みの和は、ホーロー基板
の絶縁耐圧ＩＫＶ保証するためには、約５０〜１５０−
であることが％に好ましい。
静電塗装法、浸漬法、刷毛ｍｂ法、印刷法及びス・譬、
夕法等のいずれか一つ以上を用いて結晶化ホーロ一層を
形成し、焼成を行なって結晶化ホーロー基板を製造する
。なお、金属基体表面に形成する一１１！ライ、り層と
結晶化ホーロ一層との夫々の厚みの和は、ホーロー基板
の絶縁耐圧ＩＫＶ保証するためには、約５０〜１５０−
であることが％に好ましい。
本！！ｉ明の１実施例を製造方法を併記して説明する。
まず、脱炭鋼より成る金属基体１の周囲を、３０〜８０
メ、シ、のアルミナ役を用いてサンドブラストして粗面
化した。つづいて、得られた創４４ノの周囲に粒径１０
〜２０μｗ＋ Ｏｇ化マグネシウムをプラズマ溶射＊を
用いて嬉射し、厚さ３０μｍの酸化マグネシウム層２を
形成し九。
メ、シ、のアルミナ役を用いてサンドブラストして粗面
化した。つづいて、得られた創４４ノの周囲に粒径１０
〜２０μｗ＋ Ｏｇ化マグネシウムをプラズマ溶射＊を
用いて嬉射し、厚さ３０μｍの酸化マグネシウム層２を
形成し九。
次Ｋ 、Ｋ、 Ｈａ、１Ｍｇ、 Ａｊ、 （Ａｊ：、、
Ｃｒ、、８１，０．ｏ） Ｆ２３００Ｉとガラス粉末（
組成比： ！１ｉｏ２３０チ、Ｂ２０゜３０ Ｓ ％
Ｂｍｏ ４０ ％ ） １５０ ！ｌとｏａ合物ｔａ宜
混合溶融して得たガラスフリットを、電着法により前記
酸化マグネシウム層２上に形成し九。
Ｃｒ、、８１，０．ｏ） Ｆ２３００Ｉとガラス粉末（
組成比： ！１ｉｏ２３０チ、Ｂ２０゜３０ Ｓ ％
Ｂｍｏ ４０ ％ ） １５０ ！ｌとｏａ合物ｔａ宜
混合溶融して得たガラスフリットを、電着法により前記
酸化マグネシウム層２上に形成し九。
この後、８５０〜８８０℃で焼成を行なって前記酸化マ
グネシウム層２上に結晶化ホーロ一層３を形成し、酸化
マグネシウム層２と結晶化ホーロ一層３との厚みの和が
１２０μｍの結晶化ホーロー基板４を製造した。
グネシウム層２上に結晶化ホーロ一層３を形成し、酸化
マグネシウム層２と結晶化ホーロ一層３との厚みの和が
１２０μｍの結晶化ホーロー基板４を製造した。
しかして、得られた結晶化ホーロー基板４ｄ１ｔ＆′１
１４ＪＴ１の周囲に、會＆基停止に対し密着性がよく、
表面が粗面化された酸化マグネシウム層２を介してホー
ロ一層１を被うしているため、オーロ一層３け酸化マグ
ネシウム層に対して強ｎに密着され、その結果、ホーロ
一層５ＦｉｔＡ％怖１に対し強固に庇着できる。拳実、
得られた基板４に基板用Ａｇ−Ｐｄ導体％ ＲｕＯ２机
抗体ペーストを塗布し、８００℃、４５分（ピーク温度
１０分）の条件下で繰シ返し焼成を１０回行なったとこ
ろ、ホーロ一層３が剥離することはなかった。
１４ＪＴ１の周囲に、會＆基停止に対し密着性がよく、
表面が粗面化された酸化マグネシウム層２を介してホー
ロ一層１を被うしているため、オーロ一層３け酸化マグ
ネシウム層に対して強ｎに密着され、その結果、ホーロ
一層５ＦｉｔＡ％怖１に対し強固に庇着できる。拳実、
得られた基板４に基板用Ａｇ−Ｐｄ導体％ ＲｕＯ２机
抗体ペーストを塗布し、８００℃、４５分（ピーク温度
１０分）の条件下で繰シ返し焼成を１０回行なったとこ
ろ、ホーロ一層３が剥離することはなかった。
これに対し、従来の結晶化ホーロー基板についても同条
件下で焼成を行なったところ、繰り返し回数３回以内で
剥離がおこった。これにより、本発明の結晶化ホーロー
基板４が従来のそれと比べて優れていることが確動でき
る。
件下で焼成を行なったところ、繰り返し回数３回以内で
剥離がおこった。これにより、本発明の結晶化ホーロー
基板４が従来のそれと比べて優れていることが確動でき
る。
また、酸化マグネシウム岬のセラミ、りの熱伝導率はホ
ーロ一層１と比べ熱伝導率が大きいため、酸化マグネシ
ウム層（セラミックへ）２の厚みを制御することによシ
、従来のホーロー基板と比べ熱伝導率の大きいホーロー
基板を得ることができる。
ーロ一層１と比べ熱伝導率が大きいため、酸化マグネシ
ウム層（セラミックへ）２の厚みを制御することによシ
、従来のホーロー基板と比べ熱伝導率の大きいホーロー
基板を得ることができる。
更に、本発明の結晶化ホーロー基板は、ｔ４４４１とホ
ーロ一層３間に酸化マグネシウム層２を介在しているた
め、その分下地金属１上の被膜が従来の結晶化ホーロー
基板と比べて厚くなシ、基板端部、スルホールでの絶縁
耐圧が大きくなる。
ーロ一層３間に酸化マグネシウム層２を介在しているた
め、その分下地金属１上の被膜が従来の結晶化ホーロー
基板と比べて厚くなシ、基板端部、スルホールでの絶縁
耐圧が大きくなる。
更には、前記ホーロー基板４け、１述した従来の結晶化
ホーロー基板の各種の長所も有していた。即ち、第１に
、ホーロ一層３の軟化点が大きい、第２に、ホーロ一層
３上の抵抗体のレーデ−トリミングが良好である。第３
に、基板４端笥（に局部的にホーロ一層３が盛り上がる
ことなく、端部における導体、抵抗体勢の印刷に−スト
の印刷性がよい、第４に、ホーロ一層３は少量のアルカ
リ金属酸化物しか含まず、ホーロ一層３上に形成される
槽体、抵抗体等への影醤が少々い。
ホーロー基板の各種の長所も有していた。即ち、第１に
、ホーロ一層３の軟化点が大きい、第２に、ホーロ一層
３上の抵抗体のレーデ−トリミングが良好である。第３
に、基板４端笥（に局部的にホーロ一層３が盛り上がる
ことなく、端部における導体、抵抗体勢の印刷に−スト
の印刷性がよい、第４に、ホーロ一層３は少量のアルカ
リ金属酸化物しか含まず、ホーロ一層３上に形成される
槽体、抵抗体等への影醤が少々い。
以上詳述した如く本発明によれば、結晶化ボーロ一層上
の抵抗体のレーデトリミングや基板端部における導体叫
の印刷性岬が良好であることは勿論のこと、結晶化ホー
ロ一層の下地金相に対する塗着強度が大きい結晶化ホー
ロー基板を提供できるものである。
の抵抗体のレーデトリミングや基板端部における導体叫
の印刷性岬が良好であることは勿論のこと、結晶化ホー
ロ一層の下地金相に対する塗着強度が大きい結晶化ホー
ロー基板を提供できるものである。
ノ図は、本発明の１実施例である結晶化ホーロー基板の
断面図である。 １・・・金属基体、２・・・酸化マグネシウム層、３・
・・結晶化ホーロ一層、４・・・結晶化ホーロー基板。
断面図である。 １・・・金属基体、２・・・酸化マグネシウム層、３・
・・結晶化ホーロ一層、４・・・結晶化ホーロー基板。
Claims (1)
- 金輌基体の表面に結晶化ホーロ一層がセラミック層を介
して被橙されていることを特徴とする結晶化ホーロー基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063571A JPS58181868A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 結晶化ホ−ロ−基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063571A JPS58181868A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 結晶化ホ−ロ−基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181868A true JPS58181868A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13233063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063571A Pending JPS58181868A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 結晶化ホ−ロ−基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181868A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436499A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Nippon Kinzoku Co Ltd | 電気絶縁装置用絶縁基板の製造方法 |
| JPH0492486A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Ishizuka Glass Co Ltd | 電子回路形成用被覆基板 |
| DE102014105257A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Miele & Cie. Kg | Haushaltgerätebaueinrichtung |
-
1982
- 1982-04-16 JP JP57063571A patent/JPS58181868A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436499A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Nippon Kinzoku Co Ltd | 電気絶縁装置用絶縁基板の製造方法 |
| JPH0492486A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Ishizuka Glass Co Ltd | 電子回路形成用被覆基板 |
| DE102014105257A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Miele & Cie. Kg | Haushaltgerätebaueinrichtung |
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