JPH08204302A - グレーズド基板 - Google Patents
グレーズド基板Info
- Publication number
- JPH08204302A JPH08204302A JP1350595A JP1350595A JPH08204302A JP H08204302 A JPH08204302 A JP H08204302A JP 1350595 A JP1350595 A JP 1350595A JP 1350595 A JP1350595 A JP 1350595A JP H08204302 A JPH08204302 A JP H08204302A
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- Japan
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- thin film
- glass layer
- metal
- metal thin
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ファインラインでファインピッチの微細な回
路パターンに対してパターン切れを起こすことなく金属
薄膜を形成でき、金属薄膜の密着性が高い。 【構成】 Ａｌ2Ｏ3基板、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、タ
ングステン基板、モリブデン基板、銅基板等の基板１１
上のガラス層１２の表面に貴金属有機化合物を含むペー
ストを塗布し焼成してなる金属薄膜１３が形成される。
路パターンに対してパターン切れを起こすことなく金属
薄膜を形成でき、金属薄膜の密着性が高い。 【構成】 Ａｌ2Ｏ3基板、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、タ
ングステン基板、モリブデン基板、銅基板等の基板１１
上のガラス層１２の表面に貴金属有機化合物を含むペー
ストを塗布し焼成してなる金属薄膜１３が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板表面に金属薄膜を有
するガラスグレーズド基板に関する。更に詳しくはサー
マルヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用い
たマルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適す
る貴金属薄膜付きグレーズド基板に関するものである。
するガラスグレーズド基板に関する。更に詳しくはサー
マルヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用い
たマルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適す
る貴金属薄膜付きグレーズド基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のセラミック基板は、基板
表面に金属薄膜を形成する前に、セラミック基板を表面
研磨して鏡面仕上げを施すか、或いは基板の平滑性及び
化学安定性を高めるために鏡面仕上げの代わりに基板を
グレーズ処理している。薄膜回路を形成する場合、鏡面
仕上げした基板表面やグレーズ処理した基板表面にＣ
ｒ，Ｔｉ等をスパッタリングした後、Ｃｕをスパッタリ
ングすることにより金属薄膜が形成される。
表面に金属薄膜を形成する前に、セラミック基板を表面
研磨して鏡面仕上げを施すか、或いは基板の平滑性及び
化学安定性を高めるために鏡面仕上げの代わりに基板を
グレーズ処理している。薄膜回路を形成する場合、鏡面
仕上げした基板表面やグレーズ処理した基板表面にＣ
ｒ，Ｔｉ等をスパッタリングした後、Ｃｕをスパッタリ
ングすることにより金属薄膜が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、鏡面仕上げし
た基板は表面のセラミックスの結晶粒子が脱落している
ため、金属薄膜をファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンで形成した場合、パターン切れを起こ
すことがあった。またグレーズ処理した基板はパターン
切れを起こさない反面、表面平滑度が高過ぎ、スパッタ
リング法等によりガラス層上に金属薄膜を形成した場
合、金属薄膜のガラス層に対する密着性が良好でなかっ
た。本発明の目的は、金属薄膜をファインラインでファ
インピッチの微細な回路パターンに対してパターン切れ
を起こすことなく形成でき、金属薄膜の密着性が高いグ
レーズド基板を提供することにある。
た基板は表面のセラミックスの結晶粒子が脱落している
ため、金属薄膜をファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンで形成した場合、パターン切れを起こ
すことがあった。またグレーズ処理した基板はパターン
切れを起こさない反面、表面平滑度が高過ぎ、スパッタ
リング法等によりガラス層上に金属薄膜を形成した場
合、金属薄膜のガラス層に対する密着性が良好でなかっ
た。本発明の目的は、金属薄膜をファインラインでファ
インピッチの微細な回路パターンに対してパターン切れ
を起こすことなく形成でき、金属薄膜の密着性が高いグ
レーズド基板を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】図１に示すように、本発
明のグレーズド基板１０は、基板１１上にガラス層１２
を備えたグレーズド基板１０の改良である。その特徴あ
る構成は、ガラス層１２上に貴金属有機化合物を含むペ
ーストを塗布し焼成してなる金属薄膜１３が形成された
ことにある。
明のグレーズド基板１０は、基板１１上にガラス層１２
を備えたグレーズド基板１０の改良である。その特徴あ
る構成は、ガラス層１２上に貴金属有機化合物を含むペ
ーストを塗布し焼成してなる金属薄膜１３が形成された
ことにある。
【０００５】以下、本発明を詳述する。本発明の基板１
１は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）基板、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）基板、ＳｉＣ（炭化珪素）基板等の絶縁性セラ
ミック基板、又はタングステン基板、モリブデン基板、
銅基板等の金属基板の中から選ばれる。また本発明のガ
ラス層１２を構成するガラス成分は、例えばＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系にＡｌ2Ｏ3、アルカリ土類金属、アル
カリ金属等が添加された系である。このガラス層１２
は、熱膨張係数が基板の熱膨張係数に近いことが、ガラ
ス層形成時にクラック等の欠陥を生じないため、好まし
い。例えば基板がＡｌＮ基板の場合、ガラス層の熱膨張
係数はこの基板の熱膨張係数に近い４．４±１．０×１
０-6／℃であることが好ましい。ガラス層１２は、上記
ガラス粉末を溶剤と混合してガラスペーストとし、この
ガラスペーストを基板の表面にスクリーン印刷、スプレ
ーコーティング、ディップコーティング、スピンコーテ
ィング等の方法により塗布して乾燥した後、焼成しガラ
スを軟化させることにより形成される。ガラス層１２は
０．１μｍ〜１００μｍの厚さを有することが好まし
い。０．１μｍ未満では基板の表面平滑性が十分でな
く、１００μｍを越えると基板全体の熱伝導性を極端に
低下させる不具合がある。
１は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）基板、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）基板、ＳｉＣ（炭化珪素）基板等の絶縁性セラ
ミック基板、又はタングステン基板、モリブデン基板、
銅基板等の金属基板の中から選ばれる。また本発明のガ
ラス層１２を構成するガラス成分は、例えばＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系にＡｌ2Ｏ3、アルカリ土類金属、アル
カリ金属等が添加された系である。このガラス層１２
は、熱膨張係数が基板の熱膨張係数に近いことが、ガラ
ス層形成時にクラック等の欠陥を生じないため、好まし
い。例えば基板がＡｌＮ基板の場合、ガラス層の熱膨張
係数はこの基板の熱膨張係数に近い４．４±１．０×１
０-6／℃であることが好ましい。ガラス層１２は、上記
ガラス粉末を溶剤と混合してガラスペーストとし、この
ガラスペーストを基板の表面にスクリーン印刷、スプレ
ーコーティング、ディップコーティング、スピンコーテ
ィング等の方法により塗布して乾燥した後、焼成しガラ
スを軟化させることにより形成される。ガラス層１２は
０．１μｍ〜１００μｍの厚さを有することが好まし
い。０．１μｍ未満では基板の表面平滑性が十分でな
く、１００μｍを越えると基板全体の熱伝導性を極端に
低下させる不具合がある。
【０００６】更に本発明のガラス層１２上に形成される
金属薄膜１３は、貴金属有機化合物を含むペーストを塗
布し焼成してなる金属薄膜である。この金属薄膜１３に
含まれる貴金属はＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ又はこれらの
合金であって、貴金属はペースト中に１５〜７５重量％
含まれることが好ましい。２０〜５０重量％が更に好ま
しい。貴金属の含有量が１５重量％未満では連続した緻
密な薄膜が得難く、７５重量％を越えるとガラス層に対
する密着力が劣るようになる。貴金属以外の金属ペース
トを用いると焼成時に金属が酸化されるため、貴金属で
あることが必要である。特に貴金属としてＡｕ系を用い
ると、電気的抵抗がＣｕと同程度で低く、緻密な連続膜
を形成し易い。従来の金属ペーストと異なり、本発明の
ペーストは貴金属が粉末の状態でなく、貴金属成分及び
微量の他の金属成分が有機成分と化合物を形成し、液状
になっているため、１μｍ以下の厚さの連続した薄膜も
得られる特長がある。この液状の貴金属有機化合物に、
例えばα−テレピネオール、エチルセルロース等の有機
物を添加し、ペースト化する。この有機物はペーストに
粘性を付与して塗工性を高めるとともに、焼成後のバイ
ンダとしての機能を有する。他の金属成分としてはＰ
ｂ，Ｂｉ，Ｓｉ等が挙げられる。金属薄膜１３は、貴金
属有機化合物ペーストをガラス層１２の表面にスクリー
ン印刷、スプレーコーティング、ディップコーティン
グ、スピンコーティング等の方法により塗布して乾燥し
た後、焼成することにより形成される。この金属薄膜１
３の厚さは、グレーズド基板の用途に応じて、０．１μ
ｍ〜１０μｍの厚さに形成される。この金属薄膜１３が
Ａｕ系薄膜である場合に、金属薄膜１３の上に更にＡｕ
めっきを施せば、電気的特性がより向上し好ましい。
金属薄膜１３は、貴金属有機化合物を含むペーストを塗
布し焼成してなる金属薄膜である。この金属薄膜１３に
含まれる貴金属はＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ又はこれらの
合金であって、貴金属はペースト中に１５〜７５重量％
含まれることが好ましい。２０〜５０重量％が更に好ま
しい。貴金属の含有量が１５重量％未満では連続した緻
密な薄膜が得難く、７５重量％を越えるとガラス層に対
する密着力が劣るようになる。貴金属以外の金属ペース
トを用いると焼成時に金属が酸化されるため、貴金属で
あることが必要である。特に貴金属としてＡｕ系を用い
ると、電気的抵抗がＣｕと同程度で低く、緻密な連続膜
を形成し易い。従来の金属ペーストと異なり、本発明の
ペーストは貴金属が粉末の状態でなく、貴金属成分及び
微量の他の金属成分が有機成分と化合物を形成し、液状
になっているため、１μｍ以下の厚さの連続した薄膜も
得られる特長がある。この液状の貴金属有機化合物に、
例えばα−テレピネオール、エチルセルロース等の有機
物を添加し、ペースト化する。この有機物はペーストに
粘性を付与して塗工性を高めるとともに、焼成後のバイ
ンダとしての機能を有する。他の金属成分としてはＰ
ｂ，Ｂｉ，Ｓｉ等が挙げられる。金属薄膜１３は、貴金
属有機化合物ペーストをガラス層１２の表面にスクリー
ン印刷、スプレーコーティング、ディップコーティン
グ、スピンコーティング等の方法により塗布して乾燥し
た後、焼成することにより形成される。この金属薄膜１
３の厚さは、グレーズド基板の用途に応じて、０．１μ
ｍ〜１０μｍの厚さに形成される。この金属薄膜１３が
Ａｕ系薄膜である場合に、金属薄膜１３の上に更にＡｕ
めっきを施せば、電気的特性がより向上し好ましい。
【０００７】
【作用】ガラス層１２の上に貴金属有機化合物ペースト
を塗布して乾燥した後、焼成すると、このペースト中の
Ｐｂ，Ｃｒ，Ｓｉが酸化物となり、これらがガラス層１
２のガラス成分と化学的に結合する。これにより金属薄
膜でファインラインでファインピッチの微細な回路パタ
ーンを形成したときにも、パターン切れを起こすことな
くガラス層の表面に金属薄膜を形成できるとともに、ガ
ラス層の表面に高い密着力で金属薄膜を形成できる。
を塗布して乾燥した後、焼成すると、このペースト中の
Ｐｂ，Ｃｒ，Ｓｉが酸化物となり、これらがガラス層１
２のガラス成分と化学的に結合する。これにより金属薄
膜でファインラインでファインピッチの微細な回路パタ
ーンを形成したときにも、パターン切れを起こすことな
くガラス層の表面に金属薄膜を形成できるとともに、ガ
ラス層の表面に高い密着力で金属薄膜を形成できる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 ＜実施例＞まず、形状が７６×７６×１ｍｍのＡｌ2Ｏ3
基板を準備した。この基板はＡｌ2Ｏ3焼結体であって、
表面平均粗さＲａが０．５μｍであり、表面に直径２０
〜３０μｍの欠陥が多数存在していた。この焼結体の表
面全体に軟化点が７５０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3
系ガラス粒子を含むペーストをスクリーン印刷法により
塗布した。ペーストを塗布したＡｌ2Ｏ3基板を１５０℃
で１０分間乾燥した後、大気中で１０００℃で１時間焼
成することにより厚さ約１０μｍのガラス層を表面に有
するグレーズド基板を得た。このＡｌ2Ｏ3基板及びガラ
ス層の各熱膨張係数はそれぞれ６．８×１０-6／℃及び
７．０×１０-6／℃で互いに近似していたため、１００
０℃に焼成してガラス成分を軟化し冷却したときに、Ａ
ｌ2Ｏ3基板もガラス層と同様に挙動し、ガラス層には全
くクラック等の欠陥は生じなかった。
基板を準備した。この基板はＡｌ2Ｏ3焼結体であって、
表面平均粗さＲａが０．５μｍであり、表面に直径２０
〜３０μｍの欠陥が多数存在していた。この焼結体の表
面全体に軟化点が７５０℃のＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3
系ガラス粒子を含むペーストをスクリーン印刷法により
塗布した。ペーストを塗布したＡｌ2Ｏ3基板を１５０℃
で１０分間乾燥した後、大気中で１０００℃で１時間焼
成することにより厚さ約１０μｍのガラス層を表面に有
するグレーズド基板を得た。このＡｌ2Ｏ3基板及びガラ
ス層の各熱膨張係数はそれぞれ６．８×１０-6／℃及び
７．０×１０-6／℃で互いに近似していたため、１００
０℃に焼成してガラス成分を軟化し冷却したときに、Ａ
ｌ2Ｏ3基板もガラス層と同様に挙動し、ガラス層には全
くクラック等の欠陥は生じなかった。
【０００９】次にこのＡｌ2Ｏ3基板のガラス層上に２ｍ
ｍ□パッドの形状で厚さ１．０μｍの金属薄膜を形成し
た。これらの金属薄膜は、貴金属成分としてＡｕ，Ｐ
ｔ，Ｐｄを２７重量％含み、他の金属成分としてＰｂ，
Ｂｉ，Ｓｉを３重量％含む有機化合物と、残部がα−テ
レピネオール、エチルセルロース等の有機物からなる貴
金属有機化合物ペーストをスクリーン印刷法により塗布
して乾燥した後、大気中で７００℃で１０分間焼成する
ことにより得た。得られたパッド上に１ｍｍφのＣｕ線
をそれぞれ固定し、５０Ｉｎ−５０Ｐｂはんだを用いて
はんだ付けを行い、薄膜のピーリング試験を行った。な
お、試料数ｎ＝１０とした。この密着強度の平均値は
４．０ｋｇｆ／２ｍｍ□であり、その破断モードは全て
基板内であった。
ｍ□パッドの形状で厚さ１．０μｍの金属薄膜を形成し
た。これらの金属薄膜は、貴金属成分としてＡｕ，Ｐ
ｔ，Ｐｄを２７重量％含み、他の金属成分としてＰｂ，
Ｂｉ，Ｓｉを３重量％含む有機化合物と、残部がα−テ
レピネオール、エチルセルロース等の有機物からなる貴
金属有機化合物ペーストをスクリーン印刷法により塗布
して乾燥した後、大気中で７００℃で１０分間焼成する
ことにより得た。得られたパッド上に１ｍｍφのＣｕ線
をそれぞれ固定し、５０Ｉｎ−５０Ｐｂはんだを用いて
はんだ付けを行い、薄膜のピーリング試験を行った。な
お、試料数ｎ＝１０とした。この密着強度の平均値は
４．０ｋｇｆ／２ｍｍ□であり、その破断モードは全て
基板内であった。
【００１０】＜比較例＞一方、比較のために、実施例と
同一のＡｌ2Ｏ3基板に実施例と同様にガラス層を形成し
た後、スパッタリング法を用いて２ｍｍ□パッドの形状
で、Ｃｒを厚さ０．１μｍ、Ｃｕを厚さ５μｍだけ成膜
して金属薄膜を形成した。これらのパッド上に実施例と
同様に１ｍｍφのＣｕ線をはんだ付けし、薄膜のピーリ
ング試験を行った。なお、試料数ｎ＝１０とした。この
密着強度の平均値は１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□であり、そ
の破断モードは１０％が基板内で、残り９０％が薄膜／
基板界面であった。この結果より、実施例のＡｌ2Ｏ3基
板と金属薄膜との密着性は、比較例よりも非常に優れて
いることが判明した。
同一のＡｌ2Ｏ3基板に実施例と同様にガラス層を形成し
た後、スパッタリング法を用いて２ｍｍ□パッドの形状
で、Ｃｒを厚さ０．１μｍ、Ｃｕを厚さ５μｍだけ成膜
して金属薄膜を形成した。これらのパッド上に実施例と
同様に１ｍｍφのＣｕ線をはんだ付けし、薄膜のピーリ
ング試験を行った。なお、試料数ｎ＝１０とした。この
密着強度の平均値は１．０ｋｇｆ／２ｍｍ□であり、そ
の破断モードは１０％が基板内で、残り９０％が薄膜／
基板界面であった。この結果より、実施例のＡｌ2Ｏ3基
板と金属薄膜との密着性は、比較例よりも非常に優れて
いることが判明した。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のグレーズド
基板では、基板上のガラス層上に貴金属有機化合物を含
むペーストを塗布し焼成することにより金属薄膜が形成
されているので、金属薄膜でファインラインでファイン
ピッチの微細な回路パターンを形成したときにも、パタ
ーン切れを起こすことなくガラス層の表面に金属薄膜を
形成できるとともに、ガラス層の表面に高い密着力で金
属薄膜を形成できる。特に従来、スパッタリング法や蒸
着法でＣｕ等の金属薄膜を形成する場合に先ずガラス層
表面にＣｒ，Ｔｉ等の活性金属を成膜する必要があった
ものが、本発明ではそのような成膜をしなくても信頼性
の高い金属薄膜が形成されたグレーズド基板が得られる
利点もある。更に本発明のグレーズド基板は、サーマル
ヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用いたマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適し、そ
の利用価値は絶大である。また本発明の金属薄膜を薄膜
コンデンサの下部電極層にすれば、信頼性の高い薄膜コ
ンデンサが得られる。
基板では、基板上のガラス層上に貴金属有機化合物を含
むペーストを塗布し焼成することにより金属薄膜が形成
されているので、金属薄膜でファインラインでファイン
ピッチの微細な回路パターンを形成したときにも、パタ
ーン切れを起こすことなくガラス層の表面に金属薄膜を
形成できるとともに、ガラス層の表面に高い密着力で金
属薄膜を形成できる。特に従来、スパッタリング法や蒸
着法でＣｕ等の金属薄膜を形成する場合に先ずガラス層
表面にＣｒ，Ｔｉ等の活性金属を成膜する必要があった
ものが、本発明ではそのような成膜をしなくても信頼性
の高い金属薄膜が形成されたグレーズド基板が得られる
利点もある。更に本発明のグレーズド基板は、サーマル
ヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用いたマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適し、そ
の利用価値は絶大である。また本発明の金属薄膜を薄膜
コンデンサの下部電極層にすれば、信頼性の高い薄膜コ
ンデンサが得られる。
【図１】本発明のグレーズド基板の部分拡大断面図。
１０ グレーズド基板 １１ 基板 １２ ガラス層 １３ 金属薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、鏡面仕上げし
た基板は表面のセラミックスの結晶粒子が脱落している
ため、金属薄膜をファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンで形成した場合、パターン切れを起こ
すことがあった。またグレーズ処理した基板はパターン
切れを起こさない反面、表面平滑度が高過ぎ、スパッタ
リング法等によりガラス層上に金属薄膜を形成した場
合、金属薄膜のガラス層に対する密着性が良好でなかっ
た。本発明の目的は、ファインラインでファインピッチ
の微細な回路パターンに対してパターン切れを起こすこ
となく金属薄膜を形成でき、金属薄膜の密着性が高いグ
レーズド基板を提供することにある。
た基板は表面のセラミックスの結晶粒子が脱落している
ため、金属薄膜をファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンで形成した場合、パターン切れを起こ
すことがあった。またグレーズ処理した基板はパターン
切れを起こさない反面、表面平滑度が高過ぎ、スパッタ
リング法等によりガラス層上に金属薄膜を形成した場
合、金属薄膜のガラス層に対する密着性が良好でなかっ
た。本発明の目的は、ファインラインでファインピッチ
の微細な回路パターンに対してパターン切れを起こすこ
となく金属薄膜を形成でき、金属薄膜の密着性が高いグ
レーズド基板を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【作用】ガラス層１２の上に貴金属有機化合物ペースト
を塗布して乾燥した後、焼成すると、このペースト中の
Ｐｂ，Ｃｒ，Ｓｉが酸化物となり、これらがガラス層１
２のガラス成分と化学的に結合する。これによりファイ
ンラインでファインピッチの微細な回路パターンを金属
薄膜で形成したときにも、パターン切れを起こすことな
くガラス層の表面に金属薄膜を形成できるとともに、ガ
ラス層の表面に高い密着力で金属薄膜を形成できる。
を塗布して乾燥した後、焼成すると、このペースト中の
Ｐｂ，Ｃｒ，Ｓｉが酸化物となり、これらがガラス層１
２のガラス成分と化学的に結合する。これによりファイ
ンラインでファインピッチの微細な回路パターンを金属
薄膜で形成したときにも、パターン切れを起こすことな
くガラス層の表面に金属薄膜を形成できるとともに、ガ
ラス層の表面に高い密着力で金属薄膜を形成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のグレーズド
基板では、基板上のガラス層上に貴金属有機化合物を含
むペーストを塗布し焼成することにより金属薄膜が形成
されているので、ファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンを金属薄膜で形成したときにも、パタ
ーン切れを起こすことなくガラス層の表面に金属薄膜を
形成できるとともに、ガラス層の表面に高い密着力で金
属薄膜を形成できる。特に従来、スパッタリング法や蒸
着法でＣｕ等の金属薄膜を形成する場合に先ずガラス層
表面にＣｒ，Ｔｉ等の活性金属を成膜する必要があった
ものが、本発明ではそのような成膜をしなくても信頼性
の高い金属薄膜が形成されたグレーズド基板が得られる
利点もある。更に本発明のグレーズド基板は、サーマル
ヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用いたマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適し、そ
の利用価値は絶大である。また本発明の金属薄膜を薄膜
コンデンサの下部電極層にすれば、信頼性の高い薄膜コ
ンデンサが得られる。
基板では、基板上のガラス層上に貴金属有機化合物を含
むペーストを塗布し焼成することにより金属薄膜が形成
されているので、ファインラインでファインピッチの微
細な回路パターンを金属薄膜で形成したときにも、パタ
ーン切れを起こすことなくガラス層の表面に金属薄膜を
形成できるとともに、ガラス層の表面に高い密着力で金
属薄膜を形成できる。特に従来、スパッタリング法や蒸
着法でＣｕ等の金属薄膜を形成する場合に先ずガラス層
表面にＣｒ，Ｔｉ等の活性金属を成膜する必要があった
ものが、本発明ではそのような成膜をしなくても信頼性
の高い金属薄膜が形成されたグレーズド基板が得られる
利点もある。更に本発明のグレーズド基板は、サーマル
ヘッド用基板、薄膜回路用基板又は薄膜技術を用いたマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ−Ｄ）用基板に適し、そ
の利用価値は絶大である。また本発明の金属薄膜を薄膜
コンデンサの下部電極層にすれば、信頼性の高い薄膜コ
ンデンサが得られる。
フロントページの続き (72)発明者 中林 明 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板(11)上にガラス層(12)を備えたグレ
ーズド基板(10)において、 前記ガラス層(12)上に貴金属有機化合物を含むペースト
を塗布し焼成してなる金属薄膜(13)が形成されたことを
特徴とするグレーズド基板。 - 【請求項２】 基板(11)がＡｌ2Ｏ3基板、ＡｌＮ基板、
ＳｉＣ基板、タングステン基板、モリブデン基板又は銅
基板である請求項１記載のグレーズド基板。 - 【請求項３】 金属薄膜(13)に含まれる貴金属がＡｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ又はこれらの合金であって、前記貴金
属がペースト中に１５〜７５重量％含まれる請求項１記
載のグレーズド基板。 - 【請求項４】 ガラス層(12)の厚さが０．１μｍ〜１０
０μｍである請求項１記載のグレーズド基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1350595A JPH08204302A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | グレーズド基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1350595A JPH08204302A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | グレーズド基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204302A true JPH08204302A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11835003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1350595A Withdrawn JPH08204302A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | グレーズド基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204302A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229144A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
| JP2016066798A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 山村フォトニクス株式会社 | 光デバイス装置および光デバイスを覆うための保護カバー |
| US9793011B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-10-17 | Hitachi, Ltd. | Structure, electronic element module, heat exchanger, fuel rod, and fuel assembly |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP1350595A patent/JPH08204302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229144A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JP4703212B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-06-15 | 京セラ株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
| US9793011B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-10-17 | Hitachi, Ltd. | Structure, electronic element module, heat exchanger, fuel rod, and fuel assembly |
| JP2016066798A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 山村フォトニクス株式会社 | 光デバイス装置および光デバイスを覆うための保護カバー |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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