CN110199363B - 芯片电阻器 - Google Patents

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Abstract

芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。

Description

芯片电阻器
技术领域
本发明涉及芯片电阻器。
背景技术
专利文献1中公开的现有的芯片电阻器具备：绝缘基板，由氧化铝构成；玻璃层，被设置于该绝缘基板的上表面的中央部；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面的两端部；和电阻体，被设置于玻璃层的上表面，并且形成于一对电极之间。在该芯片电阻器中，在将电阻体烧成时电阻体可能从玻璃层剥落。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开平6-53005号公报
发明内容
芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。
在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。
附图说明
图1是实施方式中的芯片电阻器的剖视图。
图2是表示构成实施方式中的芯片电阻器的玻璃釉层的玻璃的软化点与电阻体的紧贴性的关系的图。
具体实施方式
图1是实施方式中的芯片电阻器501的剖视图。芯片电阻器501具备：由氧化铝构成的绝缘基板1、被设置于绝缘基板1的上表面101的两端部的一对电极12、22、被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部的玻璃釉层3、被设置于玻璃釉层3的上表面的电阻体4、覆盖一对电极12、22的一部分和电阻体4的保护膜5、分别设置于绝缘基板1的两端面的一对端面电极16、26、和分别形成于一对端面电极16、26的表面的镀层17、27。电阻体4形成于一对电极12、22之间并连接于电极12、22。端面电极16、26分别电连接于一对电极12、22。
绝缘基板1由氧化铝(Al2O3)构成，具有矩形形状。
一对电极12、22通过在绝缘基板1的上表面101印刷并烧成包含银、银钯或者铜的厚膜材料而形成。另外，也可以在绝缘基板1的下表面201的两端部形成一对下表面电极12a、22a。
玻璃釉层3由玻璃3a、和分散于玻璃3a的填料3b构成，被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部。玻璃釉层3的厚度为5μm以上。
玻璃釉层3也可以形成于绝缘基板1的上表面101整面。玻璃釉层3也可以不与一对电极12、22重叠。
玻璃3a的软化点为580℃～760℃，能够适合使用包含碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-ZnO-R2O系玻璃或者SiO2-B2O3-R2O系玻璃。
对于填料3b，为了使玻璃釉层3的热膨胀系数接近于绝缘基板1，氧化铝粉末是适合的，其含量相对于玻璃釉层3整体优选为15vol％～40vol％。
电阻体4被设置于玻璃釉层3的上表面103，并且形成于一对电极12、22之间。电阻体4由CuNi构成，印刷多次含有CuNi的电阻糊膏，在氮气环境中以950℃进行烧成而形成。此外，电阻体4的厚度为50μm以上以使得电阻值变低。
覆盖电阻体4的保护玻璃层5a包含预涂玻璃。保护玻璃层5a也可以不设置。进一步地，也可以在电阻体4设置电阻值调整用的修整(trimming)槽。
此外，保护膜5通过包含玻璃或者环氧树脂的厚膜材料而被设置，以使得被设置于保护玻璃层5a的上表面105a上并覆盖一对电极12、22的一部分和电阻体4。
进一步地，一对端面电极16、26被设置于绝缘基板1的两端部，通过印刷包含Ag和树脂的材料而形成，以使得电连接于从一对电极12、22的保护膜5露出的部分。在一对端面电极16、26的表面，分别形成包含镀镍层、镀锡层的镀层17、27。
在实施方式中，将玻璃3a的软化点设为580℃以上，因此能够防止玻璃釉层3以比原本的图案广阔的形态流动。此外，由于将玻璃3a的软化点设为760℃以下，因此能够防止产生电阻体4从绝缘基板1的剥落。
即，通过在电阻体4的下表面设置玻璃釉层3，从而在电阻体4的烧成中玻璃釉层3软化，电阻体4的下表面的整面与绝缘基板1稳固地熔融。因此，电阻体4整体不会从绝缘基板1剥落。此外，通过由玻璃3a和填料3b来构成玻璃釉层3，能够在电阻体4的烧成中抑制电阻体4的形状的变化。
若玻璃3a的软化点低于580℃，则在印刷并烧制玻璃釉层3时，玻璃熔化且粘性过于降低，因此玻璃釉层3以比原本的图案广阔的形态流动。若玻璃釉层3中的玻璃3a的熔液在绝缘基板1的整面流动，则不能使玻璃釉层3、电阻体4的形状稳定化，导致外观不良。
另一方面，若玻璃3a的软化点高于760℃，则越过软化点而熔化的玻璃3a的粘性过高，因此不能很好地润湿电阻体4的下表面整面，由此，不能使电阻体4的下表面整面与绝缘基板1稳固地熔融，其结果，产生电阻体4的剥落。
此外，若为了降低电阻值而加厚电阻体4，则向电阻体4，在与绝缘基板1的上表面101平行的平面方向上施加使电阻体4收缩的较大的力。即使要在平面方向收缩电阻体4的力增加，通过将构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点设为580℃～760℃，能够如上所述，防止电阻体4剥离。
一般地，厚膜芯片电阻器的电阻体膜厚为10μm～20μm左右，但为了实现低电阻化，若增加电阻体膜厚特别是设为50μm以上，则电阻体在平面方向也要收缩的收缩力增加。在电阻体与绝缘基板的紧贴不可抗拒该收缩力的情况下，将电阻体烧成之后，电阻体的周边部可能隆起并从玻璃层剥落。
为了确保电阻体与绝缘基板的紧贴性，即使在电阻体的下方设置玻璃层，若玻璃层中包含的玻璃的软化点过低，则在烧制预先印刷的玻璃糊膏时，熔融的玻璃的粘性过于降低，因此玻璃层流动为比原本的印刷的图案更广阔。
相反地，若玻璃的软化点过高，则越过软化点而熔化的玻璃的粘性过高，因此不能很好地润湿电阻体的下表面整面，由此，不能使电阻体的下表面整面与由氧化铝构成的绝缘基板稳固地熔接，因此产生电阻体的剥落。
图2表示构成实施方式中的芯片电阻器501的试料1～5的玻璃釉层3的玻璃3a的组成和软化点与电阻体4的紧贴性的关系。试料1的玻璃3a包含PbO-B2O3-SiO2系玻璃。试料2、3的玻璃3a包含含有碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-ZnO-R2O系玻璃。试料4的玻璃3a包含含有碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-R2O系玻璃。试料5的玻璃3a包含SiO2-CaO-BaO系玻璃。
试料1～5的玻璃釉层3不包含填料3b。在试料1～5中，对以950℃烧成电阻体4之后的电阻体4的紧贴程度进行确认。特别地，试料2、3的玻璃3a通过改变组成比、碱金属的种类，从而软化点相互不同。
构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点分别为580℃、630℃、760℃的试料2～4的芯片电阻器501的电阻体4不剥离而呈现电阻体4与绝缘基板1的良好的紧贴性。玻璃3a的软化点为490℃的试料1的玻璃釉层3中的玻璃3a的熔液流向绝缘基板1，难以将玻璃釉层3形成为目标的图案。在玻璃3a的软化点为840℃的试料5中，在电阻体4的烧成中电阻体4从绝缘基板1剥离。
因此，通过将构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点设为580℃～760℃，从而玻璃釉层3不会流动为比原本的图案广阔，能够提高玻璃釉层3与电阻体4的紧贴性，能够防止产生电阻体4从绝缘基板1的剥落。
进一步地，如上所述通过向玻璃釉层3添加填料3b，能够抑制电阻体4的变形。通过填料3b，能够在将玻璃釉层3的微观的高温粘性保持得较低的情况下，玻璃釉层3整体的宏观的高温粘性不会过于降低，其结果，能够抑制电阻体4的变形。
在实施方式中，“上表面”等表示方向的用语表示仅由基板、电阻体等的芯片部件的结构部件的相对位置关系决定的相对方向，不表示铅垂方向等绝对方向。
-符号说明-
1 绝缘基板
12、22 电极
3 玻璃釉层
3a 玻璃
3b 填料
4 电阻体

Claims (4)

1.一种芯片电阻器，具备：
绝缘基板，由氧化铝构成；
一对电极，被设置于所述绝缘基板的上表面；
玻璃釉层，被设置于所述绝缘基板的所述上表面并由包含碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-R2O系玻璃构成；和
电阻体，被设置于所述玻璃釉层的上表面，并且形成于所述一对电极之间，
所述玻璃釉层的所述玻璃的软化点为580℃～760℃，
所述玻璃釉层含有由氧化铝粉末构成的填料。
2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其中，
所述玻璃釉层含有15vol％～40vol％的所述填料。
3.一种芯片电阻器，具备：
绝缘基板，由氧化铝构成；
一对电极，被设置于所述绝缘基板的上表面；
玻璃釉层，被设置于所述绝缘基板的所述上表面并由玻璃构成；和
电阻体，被设置于所述玻璃釉层的上表面，并且形成于所述一对电极之间，
所述玻璃釉层的所述玻璃的软化点为580℃～630℃，
所述玻璃釉层含有由氧化铝粉末构成的填料。
4.根据权利要求3所述的芯片电阻器，其中，
所述玻璃釉层含有15vol％～40vol％的所述填料。
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