JPH04188603A - 抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
抵抗体およびその製造方法Info
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- JPH04188603A JPH04188603A JP2313558A JP31355890A JPH04188603A JP H04188603 A JPH04188603 A JP H04188603A JP 2313558 A JP2313558 A JP 2313558A JP 31355890 A JP31355890 A JP 31355890A JP H04188603 A JPH04188603 A JP H04188603A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種エレクトロニクス機器に使用される抵抗体
およびその製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関するものである。
従来の技術
酸化ルテニウムおよびその化合物は化学的に安定であっ
て、それを導電性主成分とする抵抗体は広域に利用され
ている。その構造は、導電性粒子かガラスなど絶縁粒子
のマトリックス中に網目状に配置された形であり、抵抗
値はそれら三者の比率を変化させることによって決まる
。この抵抗体は印刷と焼成によって低コストで製造する
ことか出来るが、前述のような複雑な構造であるため、
絶縁粒子の比率が大きい2kohm/sq 以上の高
抵抗領域ではノイズ特性がOdBから+20dBと、金
属皮膜などを用いたいわゆる薄膜抵抗体に比べて劣って
いる。
て、それを導電性主成分とする抵抗体は広域に利用され
ている。その構造は、導電性粒子かガラスなど絶縁粒子
のマトリックス中に網目状に配置された形であり、抵抗
値はそれら三者の比率を変化させることによって決まる
。この抵抗体は印刷と焼成によって低コストで製造する
ことか出来るが、前述のような複雑な構造であるため、
絶縁粒子の比率が大きい2kohm/sq 以上の高
抵抗領域ではノイズ特性がOdBから+20dBと、金
属皮膜などを用いたいわゆる薄膜抵抗体に比べて劣って
いる。
そこで、最近低コストでかつノイズ特性の優れた抵抗体
として、構造中にルテニウムを含有する化合物、および
その他の抵抗温度特性を改善するための金属化合物を主
成分とする溶液を基板上に塗布、焼成することによって
形成される、いわゆる熱分解法によって絶縁基板上に金
属酸化物の混合体を形成すると、ノイズ特性の良好な抵
抗体が得られることを見いだした。第1図はこのように
して得られた抵抗体を用いた部品の一例である角型チッ
プ固定抵抗器の上面図、第2図fal、 fb)はそれ
ぞれ前記抵抗器の抵抗体粒子を示す説明図である。先ず
、第1図においてアルミナなどの絶縁基板1上にアンダ
ーグレーズガラスを形成し、このアンダーグレーズガラ
ス2の両側に銀−パラジウム(Ag−Pd)電極3を形
成し、このアンダーグレーズガラス2および銀−パラジ
ウム電極3の一部に重なるように抵抗体4を形成した抵
抗器を示している。但し、第1図において抵抗体4を保
護する目的のオーバーグレーズガラスについては省略し
た。
として、構造中にルテニウムを含有する化合物、および
その他の抵抗温度特性を改善するための金属化合物を主
成分とする溶液を基板上に塗布、焼成することによって
形成される、いわゆる熱分解法によって絶縁基板上に金
属酸化物の混合体を形成すると、ノイズ特性の良好な抵
抗体が得られることを見いだした。第1図はこのように
して得られた抵抗体を用いた部品の一例である角型チッ
プ固定抵抗器の上面図、第2図fal、 fb)はそれ
ぞれ前記抵抗器の抵抗体粒子を示す説明図である。先ず
、第1図においてアルミナなどの絶縁基板1上にアンダ
ーグレーズガラスを形成し、このアンダーグレーズガラ
ス2の両側に銀−パラジウム(Ag−Pd)電極3を形
成し、このアンダーグレーズガラス2および銀−パラジ
ウム電極3の一部に重なるように抵抗体4を形成した抵
抗器を示している。但し、第1図において抵抗体4を保
護する目的のオーバーグレーズガラスについては省略し
た。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の方法によって形成された酸化ルテ
ニウムをベースとする従来の抵抗体は第2図(alに示
すように、微細な導電粒子4aからなっているが、高抵
抗を得るために固有抵抗の高いルテニウムと鉛の複合酸
化物すなわちルテニウムと鉛に対するルテニウムの含を
量が50モル%である化合物をベースとする抵抗体は第
2図(blに示すように抵抗体1を構成する導電粒子4
bか孤立し、互いの接触がとれなくなり、ノイズ特性が
良くないという課題があった。
ニウムをベースとする従来の抵抗体は第2図(alに示
すように、微細な導電粒子4aからなっているが、高抵
抗を得るために固有抵抗の高いルテニウムと鉛の複合酸
化物すなわちルテニウムと鉛に対するルテニウムの含を
量が50モル%である化合物をベースとする抵抗体は第
2図(blに示すように抵抗体1を構成する導電粒子4
bか孤立し、互いの接触がとれなくなり、ノイズ特性が
良くないという課題があった。
本発明の目的は以上のような従来の欠点を除去し、温度
特性およびノイズ特性の良好な高抵抗組成のルテニウム
と鉛の複合酸化物をベースとした抵抗体の製造方法を提
供しようとするものである。
特性およびノイズ特性の良好な高抵抗組成のルテニウム
と鉛の複合酸化物をベースとした抵抗体の製造方法を提
供しようとするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、構造中にルテニウ
ムを含有する化合物と鉛を含有する化合物とをルテニウ
ムと鉛に対するルテニウムの含有量を10モル%以上4
0モル%以下の範囲内で混合し、有機溶媒に溶解した溶
液を絶縁基板上に塗布し、焼成してルテニウムと鉛の複
合酸化物からなる抵抗体を形成することを特徴とするも
のである。
ムを含有する化合物と鉛を含有する化合物とをルテニウ
ムと鉛に対するルテニウムの含有量を10モル%以上4
0モル%以下の範囲内で混合し、有機溶媒に溶解した溶
液を絶縁基板上に塗布し、焼成してルテニウムと鉛の複
合酸化物からなる抵抗体を形成することを特徴とするも
のである。
作用
本発明の構成によれば、生成する化合物の1次焼結時の
凝集力が小さくなるので粒子が成長する素となる種結晶
が生成しなくなる。さらにこの化合物は気相焼結により
粒成長することが知られており、物質固有の蒸気圧が小
さくなるので粒子がより大きくなることを防止すること
かできる。そのため−様な大きさの導電粒子が抵抗体全
体に均一に分布し、粒子間の導電パスが切断されること
なく、2kohm/sq、以上の高抵抗値を与えるルテ
;、ウムと鉛との複合酸化物からなる抵抗体を得ること
ができる。
凝集力が小さくなるので粒子が成長する素となる種結晶
が生成しなくなる。さらにこの化合物は気相焼結により
粒成長することが知られており、物質固有の蒸気圧が小
さくなるので粒子がより大きくなることを防止すること
かできる。そのため−様な大きさの導電粒子が抵抗体全
体に均一に分布し、粒子間の導電パスが切断されること
なく、2kohm/sq、以上の高抵抗値を与えるルテ
;、ウムと鉛との複合酸化物からなる抵抗体を得ること
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例の抵抗体の製造方法を説明する
。
。
実施例1
第1表に示すペーストについてルテニウム化合物、鉛の
化合物、またそれ以外の化合物を表示した組成比で混合
して総量10gを4−メチル2−ペンタノン100gに
混合溶解して粘度0,5Pa−8の塗布液とした。
化合物、またそれ以外の化合物を表示した組成比で混合
して総量10gを4−メチル2−ペンタノン100gに
混合溶解して粘度0,5Pa−8の塗布液とした。
第1表
(表示値 mo1%)
従来例との比較としてルテニウムと鉛に対するルテニウ
ムの含有量が50モル%である場合についても記載した
。その試料はペースト&5,10゜15〜17.19で
ある。そして各試料について、それぞれバリウムホウケ
イ酸ガラス(コーニング社製#7059)基板にスピン
コータを用いて3000回転で塗布し、乾燥した後、大
気中において電気炉で熱分解し、焼成し膜を形成した。
ムの含有量が50モル%である場合についても記載した
。その試料はペースト&5,10゜15〜17.19で
ある。そして各試料について、それぞれバリウムホウケ
イ酸ガラス(コーニング社製#7059)基板にスピン
コータを用いて3000回転で塗布し、乾燥した後、大
気中において電気炉で熱分解し、焼成し膜を形成した。
この時の焼成温度を700℃とした。このようにして得
られた抵抗体の評価は、抵抗体中の巨大導電粒子生成の
有無と面積抵抗値で行い、それぞれ第2表に示す。
られた抵抗体の評価は、抵抗体中の巨大導電粒子生成の
有無と面積抵抗値で行い、それぞれ第2表に示す。
(以 下 余 白)
第2表
抵抗体の構成粒子の観察は走査型電子顕微鏡によって行
った。観察倍率1万倍もしくは3万倍にて成長粒子の有
無を確認した。
った。観察倍率1万倍もしくは3万倍にて成長粒子の有
無を確認した。
また、これらの試料凪1〜20の抵抗体を形成した基板
を幅0.8胴の短冊状にダイアモンドカッターにて切断
し、市販の金ペーストを用いて厚さ1μm以下の電極を
形成して、0.8岨X0.8mmの大きさの抵抗体を存
する抵抗器を作製した。さらに抵抗体表面に市販のガラ
スペーストを塗布して焼き付けることによってアンダー
グレーズガラス層を設け、また金電極にニッケルメッキ
、半田メツキをして、これらの抵抗器の電流ノイズをフ
ァンチック(Quan−Te ch)社製の電流ノイズ
測定器を使って測定した。この際の印加電圧は抵抗器の
定格電力を0.IWとして算出した。
を幅0.8胴の短冊状にダイアモンドカッターにて切断
し、市販の金ペーストを用いて厚さ1μm以下の電極を
形成して、0.8岨X0.8mmの大きさの抵抗体を存
する抵抗器を作製した。さらに抵抗体表面に市販のガラ
スペーストを塗布して焼き付けることによってアンダー
グレーズガラス層を設け、また金電極にニッケルメッキ
、半田メツキをして、これらの抵抗器の電流ノイズをフ
ァンチック(Quan−Te ch)社製の電流ノイズ
測定器を使って測定した。この際の印加電圧は抵抗器の
定格電力を0.IWとして算出した。
この結果も第2表に示す。
以上のように本実施例の結果から、本発明の抵抗器が2
k o h m / s q 、以上の高抵抗領域に
おいても巨大導電粒子の生成も無く非常に優れたノイズ
特性を有することがわかった。
k o h m / s q 、以上の高抵抗領域に
おいても巨大導電粒子の生成も無く非常に優れたノイズ
特性を有することがわかった。
なお抵抗体の面積抵抗値は焼成温度を変化させることに
よって変えることができ、それを低下させると抵抗値は
減少し、上昇させると抵抗値は増大する。また得られた
抵抗体は塗布液中の金属化合物の濃度、塗布液の粘度お
よび塗布液を塗布する際のスピンコータの回転数によっ
てもその膜厚が変わり、それに応じて、面積抵抗値が変
化する。
よって変えることができ、それを低下させると抵抗値は
減少し、上昇させると抵抗値は増大する。また得られた
抵抗体は塗布液中の金属化合物の濃度、塗布液の粘度お
よび塗布液を塗布する際のスピンコータの回転数によっ
てもその膜厚が変わり、それに応じて、面積抵抗値が変
化する。
このように本発明の抵抗体は化学組成、膜厚および処理
温度を調整することによって幅広い抵抗値を実現するこ
とができるが、本実施例においては全ての試料について
一定の溶液粘度の塗布液を一定の回転数で基板上に塗布
し、かつ一定の焼成温度で抵抗体を形成したが、適宜前
記条件を選べば目的の抵抗値を得ることができる。
温度を調整することによって幅広い抵抗値を実現するこ
とができるが、本実施例においては全ての試料について
一定の溶液粘度の塗布液を一定の回転数で基板上に塗布
し、かつ一定の焼成温度で抵抗体を形成したが、適宜前
記条件を選べば目的の抵抗値を得ることができる。
また、抵抗体の結晶構造はX線回折によって調べた。焼
成温度が500℃以上の全組成において立方晶のバイロ
クロア型であり、焼成温度を変えてもX線回折の回折ビ
ーク強度に変化がみられないことから、熱に対して安定
な物質であることが明らかとなった。
成温度が500℃以上の全組成において立方晶のバイロ
クロア型であり、焼成温度を変えてもX線回折の回折ビ
ーク強度に変化がみられないことから、熱に対して安定
な物質であることが明らかとなった。
実施例2
次に本発明の他の実施例を説明する。実施例1と同じよ
うに第1表に示す金属化合物を表示した組成比で混合し
て総量5gをα−テルピネオール100gに溶解し、こ
の溶液に2量化ロジンを添加し、140℃以上の温度で
加熱還流して2量化ロジンを溶解させてペーストを作製
した。
うに第1表に示す金属化合物を表示した組成比で混合し
て総量5gをα−テルピネオール100gに溶解し、こ
の溶液に2量化ロジンを添加し、140℃以上の温度で
加熱還流して2量化ロジンを溶解させてペーストを作製
した。
第1図に示した本発明により作製した角板型チップ固定
抵抗器の製造方法について記す。分割のためのスリット
が設けられた96%アルミナ基板上にアンダーグレーズ
ガラスとして軟化点750℃のガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、900℃で焼き付けた後、電極として銀−
パラジウムペーストを同様な方法でアンダーグレーズガ
ラス6の両端に前述の各試料ペースト魔1〜20をスク
リーン印刷し、乾燥した後、大気中700℃で熱分解し
て抵抗体8を形成した。この抵抗体中に存在する巨大な
導電粒子の有無と面積抵抗値を第3表に示す。
抵抗器の製造方法について記す。分割のためのスリット
が設けられた96%アルミナ基板上にアンダーグレーズ
ガラスとして軟化点750℃のガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、900℃で焼き付けた後、電極として銀−
パラジウムペーストを同様な方法でアンダーグレーズガ
ラス6の両端に前述の各試料ペースト魔1〜20をスク
リーン印刷し、乾燥した後、大気中700℃で熱分解し
て抵抗体8を形成した。この抵抗体中に存在する巨大な
導電粒子の有無と面積抵抗値を第3表に示す。
第3表
さらにこの抵抗体の上面に保護用のアンダーグレーズガ
ラスを印刷、焼成によって形成し、最後に分割して端面
電極を焼き付けて、本実施例の角板型チップ固定抵抗器
を作製した。これらの各チップ抵抗器に対し実施例1と
同様の測定を行い、抵抗器の面積抵抗値と電流ノイズの
結果を第3表に示す。
ラスを印刷、焼成によって形成し、最後に分割して端面
電極を焼き付けて、本実施例の角板型チップ固定抵抗器
を作製した。これらの各チップ抵抗器に対し実施例1と
同様の測定を行い、抵抗器の面積抵抗値と電流ノイズの
結果を第3表に示す。
結果よりペーストの組成および膜厚に応じた面積抵抗値
を有する抵抗器が得られることがわかった。そして巨大
導電粒子の生成もなくノイズ特性に関しては面積抵抗値
2kohm/sq、以上の試料については全て良好であ
った。
を有する抵抗器が得られることがわかった。そして巨大
導電粒子の生成もなくノイズ特性に関しては面積抵抗値
2kohm/sq、以上の試料については全て良好であ
った。
なお、本実施例において抵抗体の利用例として角板型チ
ップ抵抗器のみ記載したが、本実施例で作製したペース
トを用いてハイブリッドICや抵抗ネットワーク、RC
ネットワーク、各種可変抵抗器などの抵抗体、およびサ
ーマルヘッドの発熱抵抗体に用いることができ、これら
の素子は前述のチップ抵抗器と同等の性能を有するもの
が得られる。
ップ抵抗器のみ記載したが、本実施例で作製したペース
トを用いてハイブリッドICや抵抗ネットワーク、RC
ネットワーク、各種可変抵抗器などの抵抗体、およびサ
ーマルヘッドの発熱抵抗体に用いることができ、これら
の素子は前述のチップ抵抗器と同等の性能を有するもの
が得られる。
以上のように実施例1および2によって作製した抵抗体
のノイズ特性が良好であるのは、抵抗体を構成する導電
粒子が−様な大きさでかつ均一に分布し、導電バスが3
次元の方向全て分断されていないためである。
のノイズ特性が良好であるのは、抵抗体を構成する導電
粒子が−様な大きさでかつ均一に分布し、導電バスが3
次元の方向全て分断されていないためである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ルテニウムと鉛に対する
ルテニウムの含有量を10モル%以上40モル%以下の
範囲内で配合されたルテニウムと鉛の複合酸化物からな
る抵抗体を作製することにより、巨大導電粒子の無い、
均一な抵抗体を得ることができ、高抵抗領域におけるノ
イズ特性に優れた抵抗体を実現できるものであり、その
産業上の効果は多大なものである。
ルテニウムの含有量を10モル%以上40モル%以下の
範囲内で配合されたルテニウムと鉛の複合酸化物からな
る抵抗体を作製することにより、巨大導電粒子の無い、
均一な抵抗体を得ることができ、高抵抗領域におけるノ
イズ特性に優れた抵抗体を実現できるものであり、その
産業上の効果は多大なものである。
第1図は本発明の一実施例の抵抗体を用いた角1・・・
・・・絶縁基板、2・・・・・・アンダーグレーズガラ
ス、3・・・・・・銀−パラジウム電極、4・・・・・
・抵抗体、4a、4b・・・・・・導電粒子。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか2名第1図 / −−一肥#f基板 2−−−アンターフし一ズガラス 3−勺−Pd’tt麺 4−−一抵11本 第2図 → ■ 鞄−S電粒子
・・・絶縁基板、2・・・・・・アンダーグレーズガラ
ス、3・・・・・・銀−パラジウム電極、4・・・・・
・抵抗体、4a、4b・・・・・・導電粒子。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか2名第1図 / −−一肥#f基板 2−−−アンターフし一ズガラス 3−勺−Pd’tt麺 4−−一抵11本 第2図 → ■ 鞄−S電粒子
Claims (3)
- (1)少なくとも構造中にルテニウムを含有する化合物
と鉛を含有する化合物とを、ルテニウムと鉛に対するル
テニウムの含有量を10モル%以上40以下モル%の範
囲内で混合し、有機溶媒に溶解した溶液を絶縁基板上に
塗布し、焼成してルテニウムと鉛の複合酸化物からなる
抵抗体を形成することを特徴とする抵抗体の製造方法。 - (2)請求項1記載の抵抗体の製造方法により得られる
ルテニウムと鉛の複合酸化物からなる抵抗体。 - (3)請求項2記載の抵抗体の結晶層が立方晶のバイロ
クロア型単相である抵抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2313558A JPH04188603A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 抵抗体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2313558A JPH04188603A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 抵抗体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04188603A true JPH04188603A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18042763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2313558A Pending JPH04188603A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04188603A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018190057A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP2313558A patent/JPH04188603A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018190057A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
CN110199363A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-09-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
JPWO2018190057A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2020-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
US20200090843A1 (en) * | 2017-04-14 | 2020-03-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Chip resistor |
US10763018B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-09-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Chip resistor |
CN110199363B (zh) * | 2017-04-14 | 2022-05-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
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