JPH02276202A - 抵抗体素子 - Google Patents
抵抗体素子Info
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- JPH02276202A JPH02276202A JP1098244A JP9824489A JPH02276202A JP H02276202 A JPH02276202 A JP H02276202A JP 1098244 A JP1098244 A JP 1098244A JP 9824489 A JP9824489 A JP 9824489A JP H02276202 A JPH02276202 A JP H02276202A
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- resistor
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に使用される抵抗体素子に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
構造中にルテニウムを含有する化合物、およびその他の
抵抗特性改善用の金属化合物を主成分とするペーストを
絶縁基板上に塗布、焼成することによって形成される、
いわゆる熱分解法による酸化ルテニウム系抵抗体が製造
されている。上記の方法によって形成された抵抗体層は
微細な結晶粒からなっており、その厚みが１μｍ以下で
、アルミナの表面粗度±５μｍに比して薄いので、抵抗
体層が平滑な膜表面を得るために絶縁基板と抵抗体層の
間にガラス層を介在させる構成をなしている。
抵抗特性改善用の金属化合物を主成分とするペーストを
絶縁基板上に塗布、焼成することによって形成される、
いわゆる熱分解法による酸化ルテニウム系抵抗体が製造
されている。上記の方法によって形成された抵抗体層は
微細な結晶粒からなっており、その厚みが１μｍ以下で
、アルミナの表面粗度±５μｍに比して薄いので、抵抗
体層が平滑な膜表面を得るために絶縁基板と抵抗体層の
間にガラス層を介在させる構成をなしている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記抵抗体層は酸化ルテニウムの焼結性
、密着性を向上させるために焼成温度を上昇させると、
酸化ルテニウムが揮散しやす（なり、抵抗値のバラツキ
が急激に大きくなるという問題点を有していた。
、密着性を向上させるために焼成温度を上昇させると、
酸化ルテニウムが揮散しやす（なり、抵抗値のバラツキ
が急激に大きくなるという問題点を有していた。
本発明は上記の問題点を解決するもので、抵抗体層の主
要構成成分の揮散を抑制させ、抵抗値のバラツキの小さ
い抵抗体素子を提供することを目的とするものである。
要構成成分の揮散を抑制させ、抵抗値のバラツキの小さ
い抵抗体素子を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、７００°Ｃ以下の
温度の軟化点を有するガラス層を絶縁基板上に形成する
構成としたものである。
温度の軟化点を有するガラス層を絶縁基板上に形成する
構成としたものである。
作用
以上の構成として抵抗体層の基本成分が揮散する温度以
下で下地のガラス層を軟化させることによって、抵抗体
層とガラス層とが密着し、その結果膜厚の減少を防ぎ、
抵抗値のバラツキの小さい抵抗体素子が得られることに
なる。
下で下地のガラス層を軟化させることによって、抵抗体
層とガラス層とが密着し、その結果膜厚の減少を防ぎ、
抵抗値のバラツキの小さい抵抗体素子が得られることに
なる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面第１図を用いて説明
する。
する。
第１図において、１はアルミナなどの絶縁基板で、この
絶縁基板１の上面に軟化点が７００℃以下のホウケイ酸
鉛などのガラス層２を形成し、このガラス層２上に酸化
ルテニウムを主要構成成分とする抵抗体層３が所定のパ
ターンに形成し、この抵抗体層３の両端に電極４を設け
て抵抗体素子を構成している。
絶縁基板１の上面に軟化点が７００℃以下のホウケイ酸
鉛などのガラス層２を形成し、このガラス層２上に酸化
ルテニウムを主要構成成分とする抵抗体層３が所定のパ
ターンに形成し、この抵抗体層３の両端に電極４を設け
て抵抗体素子を構成している。
以下、具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
アビエチン酸とデカン酸のイソプロピルアミン塩をモル
比で１：１に混合し、調整した増粘剤１００ｇに２−エ
チルへキサン酸ルテニウム７．５ｇと２−エチルヘキサ
ン酸コバルト２．５ｇを添加し、溶剤としてブチルカル
ピトールを３０ｇ加えて混練し、抵抗体形成用ペースト
を製造した。
比で１：１に混合し、調整した増粘剤１００ｇに２−エ
チルへキサン酸ルテニウム７．５ｇと２−エチルヘキサ
ン酸コバルト２．５ｇを添加し、溶剤としてブチルカル
ピトールを３０ｇ加えて混練し、抵抗体形成用ペースト
を製造した。
このペーストをあらかじめ軟化点６００℃のホウケイ酸
鉛よりなるガラス層を設けであるアルミナ基板上に幅２
、５ ｍ 、長さ５．０Ｍのパターンにスクリーン印
刷を行った。ここで使用したスクリーン版は乳剤厚１６
μｍ、３００メツシュであった。このようにして印刷し
た被印刷物を１５０℃、３０分間乾燥後、大気中で６５
０℃にて３０分間加熱して抵抗体を形成した。次に、こ
の抵抗体の両端に電極形成用銀ペーストを印刷、６５０
℃で１５分間焼成して電極を形成した抵抗体素子を１０
０００個得た。上記抵抗体は抵抗体層の膜厚８００±５
０Ａ１面積抵抗値１００±３Ω、温度係数ｌＯ±１０ｐ
ｐｍ／℃を示し、緒特性のバラツキが非常に小さい抵抗
体が得られた。
鉛よりなるガラス層を設けであるアルミナ基板上に幅２
、５ ｍ 、長さ５．０Ｍのパターンにスクリーン印
刷を行った。ここで使用したスクリーン版は乳剤厚１６
μｍ、３００メツシュであった。このようにして印刷し
た被印刷物を１５０℃、３０分間乾燥後、大気中で６５
０℃にて３０分間加熱して抵抗体を形成した。次に、こ
の抵抗体の両端に電極形成用銀ペーストを印刷、６５０
℃で１５分間焼成して電極を形成した抵抗体素子を１０
０００個得た。上記抵抗体は抵抗体層の膜厚８００±５
０Ａ１面積抵抗値１００±３Ω、温度係数ｌＯ±１０ｐ
ｐｍ／℃を示し、緒特性のバラツキが非常に小さい抵抗
体が得られた。
なお、軟化点の低いガラスには耐水性の悪い修飾イオン
が多く含まれているためガラス層の耐湿性を考慮すると
５００℃以上の軟化点を持つガラス層を用いることが望
ましい。
が多く含まれているためガラス層の耐湿性を考慮すると
５００℃以上の軟化点を持つガラス層を用いることが望
ましい。
（実施例２）
実施例１において、軟化点６５０℃のガラス層に代えて
軟化点７００℃のガラス層を使用し、７３０℃で焼成し
た場合、抵抗体層の膜厚８００±８０Ａ９面積抵抗値１
００±５Ω、温度係数２０±１０ｐｐｍ／℃である抵抗
体が得られた。上記範囲以内の抵抗値のバラツキであれ
ば製造工程上問題な（使用することができる。
軟化点７００℃のガラス層を使用し、７３０℃で焼成し
た場合、抵抗体層の膜厚８００±８０Ａ９面積抵抗値１
００±５Ω、温度係数２０±１０ｐｐｍ／℃である抵抗
体が得られた。上記範囲以内の抵抗値のバラツキであれ
ば製造工程上問題な（使用することができる。
しかしながら、精密級の抵抗体素子の要求特性を満たす
ためにはガラス層の軟化点は５００℃から６５０℃まで
の範囲内が最適である。
ためにはガラス層の軟化点は５００℃から６５０℃まで
の範囲内が最適である。
なお、具体的な実施例１において抵抗体層としては酸化
ルテニウム膜についてのみ記載しているが、熱分解法に
よって、形成される焼成温度の上昇に伴い揮散しやすい
酸化物および金属皮膜からなる抵抗体層にも本発明の構
成は適用することができる。
ルテニウム膜についてのみ記載しているが、熱分解法に
よって、形成される焼成温度の上昇に伴い揮散しやすい
酸化物および金属皮膜からなる抵抗体層にも本発明の構
成は適用することができる。
発明の効果
以上の実施例から判るように本発明によれば、絶縁基板
上に軟化点７００℃以下のガラス層を設けることにより
抵抗体層の基本成分の揮散を抑制し、抵抗値のバラツキ
の小さい抵抗体素子が得ることができ、その産業上の効
果は多大なものである。
上に軟化点７００℃以下のガラス層を設けることにより
抵抗体層の基本成分の揮散を抑制し、抵抗値のバラツキ
の小さい抵抗体素子が得ることができ、その産業上の効
果は多大なものである。
第１図は本発明の抵抗体素子の一実施例を示す断面図で
ある。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・ガラス層、３
・・・・・・抵抗体層、４・・・・・・電極。
ある。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・ガラス層、３
・・・・・・抵抗体層、４・・・・・・電極。
Claims (1)
- 絶縁基板上に軟化点が７００℃以下のガラス層を設け
、上記ガラス層上に抵抗体層を形成してなる抵抗体素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098244A JPH02276202A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 抵抗体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098244A JPH02276202A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 抵抗体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276202A true JPH02276202A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14214547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098244A Pending JPH02276202A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 抵抗体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110199363A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-09-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1098244A patent/JPH02276202A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110199363A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-09-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
| CN110199363B (zh) * | 2017-04-14 | 2022-05-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 芯片电阻器 |
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