JPH0546242Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0546242Y2 JPH0546242Y2 JP1986089438U JP8943886U JPH0546242Y2 JP H0546242 Y2 JPH0546242 Y2 JP H0546242Y2 JP 1986089438 U JP1986089438 U JP 1986089438U JP 8943886 U JP8943886 U JP 8943886U JP H0546242 Y2 JPH0546242 Y2 JP H0546242Y2
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- Japan
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- thermistor
- resistor
- electrodes
- thermistor element
- metal
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈技術分野〉
この考案は、サーミスタ素体の電極間に抵抗体
を一体形成したサーミスタに関する。
を一体形成したサーミスタに関する。
〈従来技術とその欠点〉
感温半導体であるサーミスタは、例えば温度セ
ンサや回路の温度補償用に用いられるものとし
て、酸化物半導体に電極を形成してプリント基板
等に実装可能に小形化したチツプサーミスタが知
られている。このサーミスタは、例えば、Mn−
Ni−Co系の酸化物半導体あるいはBaTiO3系半
導体からなるサーミスタ素体を略直方体に成形
し、このサーミスタ素体の両端にAg等の電極を
形成して負もしくは正特性サーミスタを構成して
いる。ところがこの種のサーミスタは、抵抗−温
度特性が第2図および第3図Aに示されるように
急峻で、しかもリニア性が無いため安定した動作
領域に限界があつた。そこで、この難点を克服し
リニア性を向上させるため、前記酸化物半導体か
らなるサーミスタ素体に、第2図および第3図B
に示す特性の固定抵抗を並べてマウントすること
により、サーミスタ素体と抵抗体とを並列もしく
は直列接続し、抵抗−温度特性における温度勾配
を下げて、第2図および第3図のCに示すように
リニア性を得るようにしている。
ンサや回路の温度補償用に用いられるものとし
て、酸化物半導体に電極を形成してプリント基板
等に実装可能に小形化したチツプサーミスタが知
られている。このサーミスタは、例えば、Mn−
Ni−Co系の酸化物半導体あるいはBaTiO3系半
導体からなるサーミスタ素体を略直方体に成形
し、このサーミスタ素体の両端にAg等の電極を
形成して負もしくは正特性サーミスタを構成して
いる。ところがこの種のサーミスタは、抵抗−温
度特性が第2図および第3図Aに示されるように
急峻で、しかもリニア性が無いため安定した動作
領域に限界があつた。そこで、この難点を克服し
リニア性を向上させるため、前記酸化物半導体か
らなるサーミスタ素体に、第2図および第3図B
に示す特性の固定抵抗を並べてマウントすること
により、サーミスタ素体と抵抗体とを並列もしく
は直列接続し、抵抗−温度特性における温度勾配
を下げて、第2図および第3図のCに示すように
リニア性を得るようにしている。
しかしながら、このものではサーミスタ素体と
抵抗体とを並べてマウントして形成しているた
め、必然的に大きい形状となり、プリント基板等
に並べて実装する面実装形では、その占めるスペ
ースが増加するので、実装効率が低下するという
欠点があつた。また、サーミスタ素体に対し抵抗
体を1素子分マウントするため、材料の使用量が
多くなつて製作コスト高になるという難点もあつ
た。
抵抗体とを並べてマウントして形成しているた
め、必然的に大きい形状となり、プリント基板等
に並べて実装する面実装形では、その占めるスペ
ースが増加するので、実装効率が低下するという
欠点があつた。また、サーミスタ素体に対し抵抗
体を1素子分マウントするため、材料の使用量が
多くなつて製作コスト高になるという難点もあつ
た。
〈考案の目的〉
この考案は、サーミスタ素体の少なくとも両端
に形成された電極間に抵抗体を一体形成してリニ
ア性を得ることにより、サーミスタとしての小形
化を図つて配線用基板等への実装効率を高めると
共に、材料を節減して制作費を低廉にすることを
目的とする。
に形成された電極間に抵抗体を一体形成してリニ
ア性を得ることにより、サーミスタとしての小形
化を図つて配線用基板等への実装効率を高めると
共に、材料を節減して制作費を低廉にすることを
目的とする。
〈考案の構成および効果〉
この考案は、直方体状サーミスタ素体の対向す
る2端面およびその近傍にそれぞれ外部端子とし
ての電極を形成し、該サーミスタ素体の基板実装
面とは反対側の平面に、有機溶剤中にガラス材と
金属または金属酸化物を分散させてなる抵抗ペー
ストの塗布および焼き付けにより前記二つの電極
間を橋絡する抵抗体を被膜形成したことを特徴と
する。
る2端面およびその近傍にそれぞれ外部端子とし
ての電極を形成し、該サーミスタ素体の基板実装
面とは反対側の平面に、有機溶剤中にガラス材と
金属または金属酸化物を分散させてなる抵抗ペー
ストの塗布および焼き付けにより前記二つの電極
間を橋絡する抵抗体を被膜形成したことを特徴と
する。
この考案によれば、サーミスタ素体の少なくと
も両端に形成された電極間に抵抗ペーストを塗布
して焼き付け、サーミスタ素体に抵抗体を一体形
成してニリア性を得るようにしているので、抵抗
体1素子分をマウントする必要がなくなり、サー
ミスタとしての大幅な小形化を図ることができ
る。従つて、チツプサーミスタとしてプリント基
板などに実装する場合従来のサーミスタ1素子分
のスペースで搭載できるので、実装効率が向上す
る。また、一個のサーミスタ素体に抵抗ペースト
を塗布して形成されるので、材料を大幅に節減で
き、制作費を低廉にすることが可能となる。
も両端に形成された電極間に抵抗ペーストを塗布
して焼き付け、サーミスタ素体に抵抗体を一体形
成してニリア性を得るようにしているので、抵抗
体1素子分をマウントする必要がなくなり、サー
ミスタとしての大幅な小形化を図ることができ
る。従つて、チツプサーミスタとしてプリント基
板などに実装する場合従来のサーミスタ1素子分
のスペースで搭載できるので、実装効率が向上す
る。また、一個のサーミスタ素体に抵抗ペースト
を塗布して形成されるので、材料を大幅に節減で
き、制作費を低廉にすることが可能となる。
〈実施例〉
第1図はこの考案に係るサーミスタの斜視図で
ある。
ある。
サーミスタは、略直方体のサーミスタ素体1の
両端に電極2,3が形成され、この電極2,3間
に抵抗体4が橋絡して配設されて一体的に形成さ
ている。
両端に電極2,3が形成され、この電極2,3間
に抵抗体4が橋絡して配設されて一体的に形成さ
ている。
サーミスタ素体1は負特性サーミスタにおい
て、例えばMn−Ni−Co系の酸化物半導体が用い
られる一方、正特性サーミスタにおいては、例え
ばBaTiO3系の半導体が用いられる。電極2,3
は、例えばAg等の金属粉を混入して導電性を持
たせた導電性ペーストを、前記サーミスタ素体1
の両端に塗布して焼き付けることにより形成され
る。抵抗体4は、RuO2、Ag−Pd等の導電物質
と、PbO−B2O3−SiO2等のガラス材と、これら
を軟化させる有機溶剤とを混練した抵抗ペースト
を、前記サーミスタ素体1の電極2,3間に略一
定幅で塗布して形成される。そして、この抵抗ペ
ーストが塗布されたサーミスタ素体1は、全体が
700℃ないし900℃の高温で加熱されて焼成される
ことにより、第2図および第3図のCに示すリニ
ア性を有する負もしくは正特性のサーミスタを得
ることができる。すなわち、サーミスタ素体1に
対し固定抵抗である抵抗体4が一体的に形成され
て並列接続となつているので、急峻であつたサー
ミスタの抵抗−温度特性が改善され、サーミスタ
素体1に固定抵抗を併用した場合と同様のリニア
性を得ることが可能となる。
て、例えばMn−Ni−Co系の酸化物半導体が用い
られる一方、正特性サーミスタにおいては、例え
ばBaTiO3系の半導体が用いられる。電極2,3
は、例えばAg等の金属粉を混入して導電性を持
たせた導電性ペーストを、前記サーミスタ素体1
の両端に塗布して焼き付けることにより形成され
る。抵抗体4は、RuO2、Ag−Pd等の導電物質
と、PbO−B2O3−SiO2等のガラス材と、これら
を軟化させる有機溶剤とを混練した抵抗ペースト
を、前記サーミスタ素体1の電極2,3間に略一
定幅で塗布して形成される。そして、この抵抗ペ
ーストが塗布されたサーミスタ素体1は、全体が
700℃ないし900℃の高温で加熱されて焼成される
ことにより、第2図および第3図のCに示すリニ
ア性を有する負もしくは正特性のサーミスタを得
ることができる。すなわち、サーミスタ素体1に
対し固定抵抗である抵抗体4が一体的に形成され
て並列接続となつているので、急峻であつたサー
ミスタの抵抗−温度特性が改善され、サーミスタ
素体1に固定抵抗を併用した場合と同様のリニア
性を得ることが可能となる。
なお、このチツプ形のサーミスタは、使用目的
に応じてガラス材もしくは樹脂材等によりオーバ
ーコートするようになつている。
に応じてガラス材もしくは樹脂材等によりオーバ
ーコートするようになつている。
以上説明したようにこの考案によれば、サーミ
スタ素体1の少なくとも両端に形成された電極
2,3間に抵抗ペーストを塗布して焼き付けるこ
とにより、サーミスタ素体1に対し抵抗体4を一
体形成してリニア性を得るようにしているので、
従来のように抵抗体を1素子分マウントする必要
がなくなり、サーミスタの小形化を図ることがで
きる。また材料の使用量を大幅に節減できるの
で、製作費を低廉にできる効果がある。
スタ素体1の少なくとも両端に形成された電極
2,3間に抵抗ペーストを塗布して焼き付けるこ
とにより、サーミスタ素体1に対し抵抗体4を一
体形成してリニア性を得るようにしているので、
従来のように抵抗体を1素子分マウントする必要
がなくなり、サーミスタの小形化を図ることがで
きる。また材料の使用量を大幅に節減できるの
で、製作費を低廉にできる効果がある。
第1図はこの考案の実施例に係るサーミスタの
斜視図、第2図は負特性サーミスタの抵抗−温度
特性図、第3図は正特性サーミスタの抵抗−温度
特性図である。 1……サーミスタ素体、2,3……電極、4…
…抵抗体。
斜視図、第2図は負特性サーミスタの抵抗−温度
特性図、第3図は正特性サーミスタの抵抗−温度
特性図である。 1……サーミスタ素体、2,3……電極、4…
…抵抗体。
Claims (1)
- 直方体状サーミスタ素体の対向する2端面およ
びその近傍にそれぞれ外部端子としての電極を形
成し、該サーミスタ素体の基板実装面とは反対側
の平面に、有機溶剤中にガラス材と金属または金
属酸化物を分散させてなる抵抗ベーストの塗布お
よび焼き付けにより前記二つの電極間を橋絡する
抵抗体を被膜形成したことを特徴とするチツプ状
サーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986089438U JPH0546242Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986089438U JPH0546242Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62199903U JPS62199903U (ja) | 1987-12-19 |
JPH0546242Y2 true JPH0546242Y2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=30948423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986089438U Expired - Lifetime JPH0546242Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0546242Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101451554B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2014-10-17 | 스마트전자 주식회사 | 회로 보호 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011585A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-02-06 | ||
JPS5524681A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-21 | Ishida Scales Mfg Co Ltd | Electronic balance |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP1986089438U patent/JPH0546242Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011585A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-02-06 | ||
JPS5524681A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-21 | Ishida Scales Mfg Co Ltd | Electronic balance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62199903U (ja) | 1987-12-19 |
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