JP3229473B2 - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
チップ抵抗器の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として高密度実装技
術を要求される電子機器に使用するチップ抵抗器の製造
方法に関するものである。
術を要求される電子機器に使用するチップ抵抗器の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ抵抗器の絶縁基板として分
割用スリットが形成された９６％アルミナ基板を用い、
この絶縁基板上に電極、抵抗体および保護膜を形成し、
その後チップサイズに分割し、チップ両側面に端面電極
を形成する製造方法が採用されていた。
割用スリットが形成された９６％アルミナ基板を用い、
この絶縁基板上に電極、抵抗体および保護膜を形成し、
その後チップサイズに分割し、チップ両側面に端面電極
を形成する製造方法が採用されていた。
【０００３】上記の製造方法により得られる従来のチッ
プ抵抗器の構造体においては、チップ抵抗器の抵抗体で
発生する熱は両側面部の端面電極から回路基板への熱伝
達によって放熱する形態となって高電力でチップ抵抗器
を用いることに限界があり、これに対処するためにはチ
ップ抵抗器のサイズを大きくせざるを得ないといった問
題があった。
プ抵抗器の構造体においては、チップ抵抗器の抵抗体で
発生する熱は両側面部の端面電極から回路基板への熱伝
達によって放熱する形態となって高電力でチップ抵抗器
を用いることに限界があり、これに対処するためにはチ
ップ抵抗器のサイズを大きくせざるを得ないといった問
題があった。
【０００４】上記従来の問題点を解決する方法として、
図５に示すように、チップ抵抗器の絶縁基板の下面中央
部に良熱伝導膜を形成したチップ抵抗器の構造体が提案
されている（実開昭６４−６００６号公報）。
図５に示すように、チップ抵抗器の絶縁基板の下面中央
部に良熱伝導膜を形成したチップ抵抗器の構造体が提案
されている（実開昭６４−６００６号公報）。
【０００５】以下、図５を参照しながら上述した従来の
放熱対策が施されたチップ抵抗器の製造方法およびチッ
プ抵抗器の一例について、その概略を説明する。
放熱対策が施されたチップ抵抗器の製造方法およびチッ
プ抵抗器の一例について、その概略を説明する。
【０００６】まず、絶縁基板としては、あらかじめ分割
用スリットが形成された９６％アルミナ焼結基板１が用
いられる。この絶縁基板１上に複数個のチップ抵抗器に
相当する電極３、抵抗体４および保護膜５を各々形成す
る。さらに、抵抗体４を形成した絶縁基板１の裏面に良
熱伝導膜１２を形成する。その後、分割用スリットに沿
って、個別のチップ抵抗器に分割し、チップ側面に端面
電極８を形成して、図５に示すように、絶縁基板１の上
面には上面電極３、抵抗体４および保護膜５、両側面に
は端面電極８、下面には良熱伝導膜１２が形成されたチ
ップ抵抗器の構造体を得るものである。
用スリットが形成された９６％アルミナ焼結基板１が用
いられる。この絶縁基板１上に複数個のチップ抵抗器に
相当する電極３、抵抗体４および保護膜５を各々形成す
る。さらに、抵抗体４を形成した絶縁基板１の裏面に良
熱伝導膜１２を形成する。その後、分割用スリットに沿
って、個別のチップ抵抗器に分割し、チップ側面に端面
電極８を形成して、図５に示すように、絶縁基板１の上
面には上面電極３、抵抗体４および保護膜５、両側面に
は端面電極８、下面には良熱伝導膜１２が形成されたチ
ップ抵抗器の構造体を得るものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たチップ抵抗器の製造方法および構造体において以下に
示すいくつかの課題がある。
たチップ抵抗器の製造方法および構造体において以下に
示すいくつかの課題がある。
【０００８】第１は、分割用スリットが形成された９６
％アルミナ基板を絶縁基板として用いることである。
％アルミナ基板を絶縁基板として用いることである。
【０００９】アルミナ基板に設けられた分割用スリット
はあらかじめ焼成後の収縮を考慮して基板焼成前に形成
されるが、焼成後の寸法バラツキが大きいために、チッ
プ抵抗器を製造する際に寸法バラツキを考慮した電極、
抵抗体および保護膜を多数用意しなければならない。
はあらかじめ焼成後の収縮を考慮して基板焼成前に形成
されるが、焼成後の寸法バラツキが大きいために、チッ
プ抵抗器を製造する際に寸法バラツキを考慮した電極、
抵抗体および保護膜を多数用意しなければならない。
【００１０】また、電極、抵抗体および保護膜の印刷時
において、分割用スリットに印刷パタ−ンが重なるとき
にはぺ−ストのスリットへの流れこみが起こり、高精度
な印刷が得られない。
において、分割用スリットに印刷パタ−ンが重なるとき
にはぺ−ストのスリットへの流れこみが起こり、高精度
な印刷が得られない。
【００１１】第２は、絶縁基板の下面の中央部に良熱伝
導膜を形成した構造である。
導膜を形成した構造である。
【００１２】前記構造では、チップ抵抗器を回路基板に
実装する際に良熱伝導膜に半田が接触して所望の抵抗値
を得られない可能性がある。
実装する際に良熱伝導膜に半田が接触して所望の抵抗値
を得られない可能性がある。
【００１３】また、絶縁基板の下面に良熱伝導膜が形成
され、抵抗体との間に距離があるため、絶縁基板の上面
の抵抗体で発生する熱の放熱性が不十分である。
され、抵抗体との間に距離があるため、絶縁基板の上面
の抵抗体で発生する熱の放熱性が不十分である。
【００１４】その結果、チップ抵抗器の製造方法におい
て絶縁基板の寸法バラツキに起因する管理コストの増
大、チップ抵抗器の構造において放熱性に起因するチッ
プ抵抗器の性能劣化など多くの課題を有していた。
て絶縁基板の寸法バラツキに起因する管理コストの増
大、チップ抵抗器の構造において放熱性に起因するチッ
プ抵抗器の性能劣化など多くの課題を有していた。
【００１５】本発明は上記課題に鑑み、チップ抵抗器を
寸法精度よく製造し、かつ、信頼性能の高いチップ抵抗
器を得ることのできるチップ抵抗器の製造方法とその構
造体であるチップ抵抗器を提供するものである。
寸法精度よく製造し、かつ、信頼性能の高いチップ抵抗
器を得ることのできるチップ抵抗器の製造方法とその構
造体であるチップ抵抗器を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のチップ抵
抗器の製造方法は、アルミナ基板の表面に、電極、抵抗
体および保護膜を形成し、裏面に前記アルミナ基板より
硬度の低い絶縁体層を形成する工程と、この工程の後に
前記絶縁体層に所望サイズの分割溝を形成してチップ片
に分割する工程とを含むことを特徴とする。
抗器の製造方法は、アルミナ基板の表面に、電極、抵抗
体および保護膜を形成し、裏面に前記アルミナ基板より
硬度の低い絶縁体層を形成する工程と、この工程の後に
前記絶縁体層に所望サイズの分割溝を形成してチップ片
に分割する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】本発明の第２のチップ抵抗器の製造方法
は、アルミナ基板の表面に、アルミナ基板より熱伝導率
の高い絶縁体層を形成し、この絶縁体層上に電極、抵抗
体および保護膜を形成し、裏面に前記アルミナ基板より
硬度の低い絶縁体層を形成する工程と、この工程の後に
前記硬度の低い絶縁体層に所望サイズの分割溝を形成し
てチップ片に分割する工程とを含むことを特徴とする。
は、アルミナ基板の表面に、アルミナ基板より熱伝導率
の高い絶縁体層を形成し、この絶縁体層上に電極、抵抗
体および保護膜を形成し、裏面に前記アルミナ基板より
硬度の低い絶縁体層を形成する工程と、この工程の後に
前記硬度の低い絶縁体層に所望サイズの分割溝を形成し
てチップ片に分割する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
【００１９】
【作用】本発明の製造方法によれば、アルミナ基板上に
抵抗体、保護膜等を形成した後に所望のチップサイズに
分割溝を形成してチップ片に分割することが可能とな
り、チップ抵抗器の製造管理コストの低減とともにその
寸法精度の向上が図れる。
抵抗体、保護膜等を形成した後に所望のチップサイズに
分割溝を形成してチップ片に分割することが可能とな
り、チップ抵抗器の製造管理コストの低減とともにその
寸法精度の向上が図れる。
【００２０】さらに、アルミナ基板の裏面にそのアルミ
ナ基板より低硬度の絶縁体層を形成し、その絶縁体層を
有する面に分割溝を形成することで、これに用いる装置
の加工刃の寿命が大幅に延びて製造コストの低減が図れ
る。
ナ基板より低硬度の絶縁体層を形成し、その絶縁体層を
有する面に分割溝を形成することで、これに用いる装置
の加工刃の寿命が大幅に延びて製造コストの低減が図れ
る。
【００２１】また、本発明の方法により製造されたチッ
プ抵抗器は、抵抗体の下面に熱伝導率の高い絶縁体層を
形成し、その絶縁体層を端面電極に接続した構造である
ために、高電力でチップ抵抗器を用いる場合においても
抵抗体で発生する熱の放熱性が良好となり、信頼性能の
高いチップ抵抗器が実現できる。
プ抵抗器は、抵抗体の下面に熱伝導率の高い絶縁体層を
形成し、その絶縁体層を端面電極に接続した構造である
ために、高電力でチップ抵抗器を用いる場合においても
抵抗体で発生する熱の放熱性が良好となり、信頼性能の
高いチップ抵抗器が実現できる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例のチップ抵抗器の製
造方法について、図面を参照しながら説明する。
造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】まず、図１、図２を用いて本発明の第１の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００２４】まず、９６％アルミナ焼結基板１の裏面に
絶縁ぺ−ストをスクリ−ン印刷し、ベルト炉によって９
００℃の温度で、ピーク時間１０分、ＩＮ−ＯＵＴ時間
６０分のプロファイルによって焼成し、低硬度の絶縁体
層２Ａを形成する工程を行った。絶縁体ペ−ストは、無
機成分としてホウ珪酸鉛ガラス粉体とアルミナ焼結基板
に用いるアルミナ粉体とを混合した粉体を用い、それ
に、エチルセルロ−スをタピ−ネオ−ルに溶かしたビフ
ィクルを混合して得た。ガラスとアルミナの混合比率は
４０／６０、５０／５０、６０／４０、１００／０の４
種類とした。焼成後の絶縁体層２Ａの厚みを測定したと
ころ約４０μｍであった。
絶縁ぺ−ストをスクリ−ン印刷し、ベルト炉によって９
００℃の温度で、ピーク時間１０分、ＩＮ−ＯＵＴ時間
６０分のプロファイルによって焼成し、低硬度の絶縁体
層２Ａを形成する工程を行った。絶縁体ペ−ストは、無
機成分としてホウ珪酸鉛ガラス粉体とアルミナ焼結基板
に用いるアルミナ粉体とを混合した粉体を用い、それ
に、エチルセルロ−スをタピ−ネオ−ルに溶かしたビフ
ィクルを混合して得た。ガラスとアルミナの混合比率は
４０／６０、５０／５０、６０／４０、１００／０の４
種類とした。焼成後の絶縁体層２Ａの厚みを測定したと
ころ約４０μｍであった。
【００２５】次に前記低硬度の絶縁体層２Ａを形成した
アルミナ基板１の表面にＡｇ／Ｐｄ系の電極ペーストを
スクリーン印刷し、ベルト炉によって８５０℃の温度
で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロフ
ァイルによって焼成し、上面電極３を形成する工程を行
った。
アルミナ基板１の表面にＡｇ／Ｐｄ系の電極ペーストを
スクリーン印刷し、ベルト炉によって８５０℃の温度
で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロフ
ァイルによって焼成し、上面電極３を形成する工程を行
った。
【００２６】次に、この上面電極３を覆うようにＲｕＯ
2 系抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト炉によっ
て８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時
間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗体４を形
成する工程を行った。
2 系抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト炉によっ
て８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時
間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗体４を形
成する工程を行った。
【００２７】次に、この抵抗体４保護のために、抵抗体
４を完全に覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト炉によって６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、保護膜５を形成する工程を行った。
４を完全に覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト炉によって６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、保護膜５を形成する工程を行った。
【００２８】次に、個別のチップ抵抗器に分割するため
の準備工程として、アルミナ基板１よりも硬度が高く、
かつ、鋭利な角度形状を有する加工刃により縦方向及び
横方向の分割溝６を形成する工程を行った。加工方法
は、刃先が１３０°の角度で算盤珠形状を有するダイヤ
モンド製の回転加工刃を用いて０. ５〜１. ０kg／cm2
の圧力を刃先に加え、基板表面に刃先を回転させながら
加工した。評価基板として、抵抗体４が形成されている
アルミナ基板１面に分割溝６を形成したものとアルミナ
基板１上に形成した低硬度の絶縁体層２Ａ面に分割溝６
を形成したものとの２種類作成し、個片に分割して寸法
精度を測定した結果、どちらも寸法精度の良いものであ
った。また、分割溝６の形成は低硬度の絶縁体層２Ａを
形成した面に行う方が、加工刃の寿命が大幅に伸びるこ
とがわかった。これは、低硬度の絶縁体層２Ａを構成す
る材料がアルミナ焼結基板材料に用いるアルミナとガラ
スとの混合物であるため、その絶縁体層２Ａはアルミナ
より低硬度のガラスを含むことにより硬度が低く、これ
により加工刃の摩耗が小さくなると考える。
の準備工程として、アルミナ基板１よりも硬度が高く、
かつ、鋭利な角度形状を有する加工刃により縦方向及び
横方向の分割溝６を形成する工程を行った。加工方法
は、刃先が１３０°の角度で算盤珠形状を有するダイヤ
モンド製の回転加工刃を用いて０. ５〜１. ０kg／cm2
の圧力を刃先に加え、基板表面に刃先を回転させながら
加工した。評価基板として、抵抗体４が形成されている
アルミナ基板１面に分割溝６を形成したものとアルミナ
基板１上に形成した低硬度の絶縁体層２Ａ面に分割溝６
を形成したものとの２種類作成し、個片に分割して寸法
精度を測定した結果、どちらも寸法精度の良いものであ
った。また、分割溝６の形成は低硬度の絶縁体層２Ａを
形成した面に行う方が、加工刃の寿命が大幅に伸びるこ
とがわかった。これは、低硬度の絶縁体層２Ａを構成す
る材料がアルミナ焼結基板材料に用いるアルミナとガラ
スとの混合物であるため、その絶縁体層２Ａはアルミナ
より低硬度のガラスを含むことにより硬度が低く、これ
により加工刃の摩耗が小さくなると考える。
【００２９】次に、端面電極８を形成するための準備工
程として、横方向の分割溝６に沿って、アルミナ基板１
を短冊状に分割し、短冊状基板７を得る一次分割工程を
行った。
程として、横方向の分割溝６に沿って、アルミナ基板１
を短冊状に分割し、短冊状基板７を得る一次分割工程を
行った。
【００３０】次に、この短冊状基板７の側面に、前記上
面電極３の一部を覆うように厚膜Ａｇペーストを塗布
し、ベルト炉を用いて６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、端面電極８を形成する工程を行った。
面電極３の一部を覆うように厚膜Ａｇペーストを塗布
し、ベルト炉を用いて６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、端面電極８を形成する工程を行った。
【００３１】次に、この短冊状基板７にメッキを施すた
めの準備工程として、端面電極８を形成した短冊状基板
７を、縦方向の分割溝６に沿って、チップ片９に分割す
る二次分割工程を行った。
めの準備工程として、端面電極８を形成した短冊状基板
７を、縦方向の分割溝６に沿って、チップ片９に分割す
る二次分割工程を行った。
【００３２】最後に、露出している前記上面電極３と端
面電極８の半田付け時に起こる電極食割れの防止および
半田付け時の信頼性確保のため、電解メッキによってＮ
ｉ、Ｓｎ−Ｐｂのメッキ膜１０を形成する工程を行っ
た。
面電極８の半田付け時に起こる電極食割れの防止および
半田付け時の信頼性確保のため、電解メッキによってＮ
ｉ、Ｓｎ−Ｐｂのメッキ膜１０を形成する工程を行っ
た。
【００３３】このようにして得られたチップ抵抗器は、
アルミナ基板１上に電極３、抵抗体４及び保護膜５を形
成した後に所望のチップサイズに分割溝６を形成して分
割するので、寸法精度の高いものが得られる。また、ア
ルミナ基板１の裏面に形成した低硬度の絶縁体層２Ａを
備えた面に分割溝６を形成する方法を採ることにより、
これに用いる装置の加工刃の寿命が大幅に延びて低コス
トに製造できる。
アルミナ基板１上に電極３、抵抗体４及び保護膜５を形
成した後に所望のチップサイズに分割溝６を形成して分
割するので、寸法精度の高いものが得られる。また、ア
ルミナ基板１の裏面に形成した低硬度の絶縁体層２Ａを
備えた面に分割溝６を形成する方法を採ることにより、
これに用いる装置の加工刃の寿命が大幅に延びて低コス
トに製造できる。
【００３４】本発明の第２の実施例について図３、図４
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００３５】まず、９６％アルミナ基板１の表面に高熱
伝導用絶縁ぺ−ストをスクリ−ン印刷し、乾燥後、裏面
に低硬度用絶縁ペーストを印刷し、乾燥後、ベルト炉に
よって１０００℃の温度で、ピーク時間１０分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間６０分のプロファイルによって焼成し、高熱
伝導の絶縁体層１１と低硬度の絶縁体層２Ｂを形成する
工程を行った。絶縁体ペ−ストは、無機成分としてホウ
珪酸鉛ガラス粉体と炭化珪素粉体を混合した粉体を用
い、それに、エチルセルロ−スをタピ−ネオ−ルに溶か
したビフィクルを混合して得た。ガラスと炭化珪素の混
合比率は、高熱伝導用の絶縁ペーストは３０／７０、低
硬度用の絶縁ペーストは６０／４０とした。焼成後の両
絶縁体層１１、２Ｂの厚みは夫々約２０μｍであった。
伝導用絶縁ぺ−ストをスクリ−ン印刷し、乾燥後、裏面
に低硬度用絶縁ペーストを印刷し、乾燥後、ベルト炉に
よって１０００℃の温度で、ピーク時間１０分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間６０分のプロファイルによって焼成し、高熱
伝導の絶縁体層１１と低硬度の絶縁体層２Ｂを形成する
工程を行った。絶縁体ペ−ストは、無機成分としてホウ
珪酸鉛ガラス粉体と炭化珪素粉体を混合した粉体を用
い、それに、エチルセルロ−スをタピ−ネオ−ルに溶か
したビフィクルを混合して得た。ガラスと炭化珪素の混
合比率は、高熱伝導用の絶縁ペーストは３０／７０、低
硬度用の絶縁ペーストは６０／４０とした。焼成後の両
絶縁体層１１、２Ｂの厚みは夫々約２０μｍであった。
【００３６】次に、前記高熱伝導の絶縁体層１１の上に
Ａｇ／Ｐｄ系の電極ペーストをスクリーン印刷し、ベル
ト炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ
−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、上
面電極３を形成する工程を行った。
Ａｇ／Ｐｄ系の電極ペーストをスクリーン印刷し、ベル
ト炉によって８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ
−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成し、上
面電極３を形成する工程を行った。
【００３７】次に、この上面電極３を覆うようにＲｕＯ
2 系抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト炉によっ
て８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時
間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗体４を形
成する工程を行った。
2 系抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト炉によっ
て８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時
間４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗体４を形
成する工程を行った。
【００３８】次に、この抵抗体保護のために、抵抗体４
を完全に覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト炉によって６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、保護膜５を形成する工程を行った。
を完全に覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷
し、ベルト炉によって６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、保護膜５を形成する工程を行った。
【００３９】次に、個別のチップ抵抗器に分割するため
の準備工程として、アルミナ基板１の硬度よりも硬度が
高く、かつ、鋭利な角度形状を有する加工刃により縦方
向及び横方向の分割溝６を形成する工程を行った。加工
方法は、刃先が１３０°の角度で算盤珠形状を有するダ
イヤモンド製の回転加工刃を用いて０. ５〜１. ０kg／
cm2 の圧力を刃先に加え、基板表面に刃先を回転させな
がら加工した。評価基板として、分割溝６を抵抗体４が
形成されている炭化珪素の多い高熱伝導の絶縁体層１１
側の面に形成したものと炭化珪素の少ない低硬度の絶縁
体層２Ｂ側の面に形成したものとの２種類作成し、チッ
プ片に分割して寸法精度を測定した結果、どちらも寸法
精度の良いものであった。また、分割溝６の形成は、炭
化珪素の少ない低硬度の絶縁体層１１側の面に行う方
が、加工刃の摩耗が少ないことが確認できた。しかし、
炭化珪素の多い高熱伝導の絶縁体層１１側の面において
も、アルミナ基板１に直接分割溝を形成する時よりも加
工刃の摩耗が少ないことが確認できた。
の準備工程として、アルミナ基板１の硬度よりも硬度が
高く、かつ、鋭利な角度形状を有する加工刃により縦方
向及び横方向の分割溝６を形成する工程を行った。加工
方法は、刃先が１３０°の角度で算盤珠形状を有するダ
イヤモンド製の回転加工刃を用いて０. ５〜１. ０kg／
cm2 の圧力を刃先に加え、基板表面に刃先を回転させな
がら加工した。評価基板として、分割溝６を抵抗体４が
形成されている炭化珪素の多い高熱伝導の絶縁体層１１
側の面に形成したものと炭化珪素の少ない低硬度の絶縁
体層２Ｂ側の面に形成したものとの２種類作成し、チッ
プ片に分割して寸法精度を測定した結果、どちらも寸法
精度の良いものであった。また、分割溝６の形成は、炭
化珪素の少ない低硬度の絶縁体層１１側の面に行う方
が、加工刃の摩耗が少ないことが確認できた。しかし、
炭化珪素の多い高熱伝導の絶縁体層１１側の面において
も、アルミナ基板１に直接分割溝を形成する時よりも加
工刃の摩耗が少ないことが確認できた。
【００４０】次に、端面電極８を形成するための準備工
程として、横方向の分割溝６に沿ってアルミナ基板１を
短冊状に分割し、短冊状基板７を得る一次分割工程を行
った。
程として、横方向の分割溝６に沿ってアルミナ基板１を
短冊状に分割し、短冊状基板７を得る一次分割工程を行
った。
【００４１】次に、この短冊状基板７の側面に、前記上
面電極３の一部を覆うように厚膜Ａｇペーストを塗布
し、ベルト炉を用いて６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、端面電極８を形成する工程を行った。
面電極３の一部を覆うように厚膜Ａｇペーストを塗布
し、ベルト炉を用いて６００℃の温度で、ピーク時間６
分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼
成し、端面電極８を形成する工程を行った。
【００４２】次に、この短冊状基板７にメッキを施すた
めの準備工程として、端面電極８を形成した短冊状基板
７を、縦方向の分割溝６に沿ってチップ片９に分割する
二次分割工程を行った。
めの準備工程として、端面電極８を形成した短冊状基板
７を、縦方向の分割溝６に沿ってチップ片９に分割する
二次分割工程を行った。
【００４３】最後に、露出している前記上面電極３と端
面電極８の半田付け時に起こる電極食割れの防止および
半田付け時の信頼性確保のため、電解メッキによってＮ
ｉ、Ｓｎ−Ｐｂのメッキ膜１０を形成する工程を行っ
た。
面電極８の半田付け時に起こる電極食割れの防止および
半田付け時の信頼性確保のため、電解メッキによってＮ
ｉ、Ｓｎ−Ｐｂのメッキ膜１０を形成する工程を行っ
た。
【００４４】このようにして得られたチップ抵抗器は、
チップ抵抗器の抵抗体４の下面に熱伝導率の高い炭化珪
素を含む絶縁体層１１を有し、その絶縁体層１１は端面
電極８に接続された構造であるために、高電力でチップ
抵抗器を用いる場合においても抵抗体４で発生する熱の
放熱性が良好となり、信頼性能の高いチップ抵抗器が実
現できる。
チップ抵抗器の抵抗体４の下面に熱伝導率の高い炭化珪
素を含む絶縁体層１１を有し、その絶縁体層１１は端面
電極８に接続された構造であるために、高電力でチップ
抵抗器を用いる場合においても抵抗体４で発生する熱の
放熱性が良好となり、信頼性能の高いチップ抵抗器が実
現できる。
【００４５】なお、上記実施例では高熱伝導の絶縁体層
１１の高熱伝導材料として炭化珪素を用いたが、窒化ア
ルミナなどの熱伝導率の高いものであればいかなるもの
でもよい。また、低硬度の絶縁体層２Ｂのガラスと混合
するセラミック材料にアルミナ又は炭化珪素を用いた
が、マグネシア、ジルコニアでもよい。
１１の高熱伝導材料として炭化珪素を用いたが、窒化ア
ルミナなどの熱伝導率の高いものであればいかなるもの
でもよい。また、低硬度の絶縁体層２Ｂのガラスと混合
するセラミック材料にアルミナ又は炭化珪素を用いた
が、マグネシア、ジルコニアでもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のチップ抵抗
器の製造方法によれば、アルミナ基板上に抵抗体、保護
膜等を形成した後に、所望のチップサイズに分割溝を形
成してチップ片に分割することが可能となり、チップ抵
抗器の製造管理コストの低減とともにその寸法精度の向
上が図れる。さらに、アルミナ基板の裏面に形成した低
硬度の絶縁体層上に分割溝を形成することで、これに用
いる装置の加工刃の寿命が大幅に延びて低コスト化が図
れる。
器の製造方法によれば、アルミナ基板上に抵抗体、保護
膜等を形成した後に、所望のチップサイズに分割溝を形
成してチップ片に分割することが可能となり、チップ抵
抗器の製造管理コストの低減とともにその寸法精度の向
上が図れる。さらに、アルミナ基板の裏面に形成した低
硬度の絶縁体層上に分割溝を形成することで、これに用
いる装置の加工刃の寿命が大幅に延びて低コスト化が図
れる。
【００４７】また、本発明の方法により製造されたチッ
プ抵抗器は、抵抗体の下面に高熱伝導の絶縁体層を有
し、その絶縁体層を端面電極に接続した構造であるため
に、高電力でチップ抵抗器を用いる場合においても抵抗
体で発生する熱の放熱性が良好となり、信頼性能の高い
チップ抵抗器が実現できる。
プ抵抗器は、抵抗体の下面に高熱伝導の絶縁体層を有
し、その絶縁体層を端面電極に接続した構造であるため
に、高電力でチップ抵抗器を用いる場合においても抵抗
体で発生する熱の放熱性が良好となり、信頼性能の高い
チップ抵抗器が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるチップ抵抗器の
製造方法を説明する工程図。
製造方法を説明する工程図。
【図２】本発明の第１の実施例におけるチップ抵抗器の
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施例におけるチップ抵抗器の
製造方法を説明する工程図。
製造方法を説明する工程図。
【図４】本発明の第２の実施例におけるチップ抵抗器の
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図５】従来のチップ抵抗器を示す断面図。
１ アルミナ基板 ２Ａ 低硬度の絶縁体層 ２Ｂ 低硬度の絶縁体層 ３ 電極 ４ 抵抗体 ５ 保護膜 ６ 分割溝 ８ 端面電極 １１ 高熱伝導の絶縁体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板垣 峰広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 箱谷 靖彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 礒崎 康人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 須山 あゆみ 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−282801（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−73501（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 17/00 - 17/30 H01C 7/00
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミナ基板の表面に、電極、抵抗体お
よび保護膜を形成し、裏面に前記アルミナ基板より硬度
の低い絶縁体層を形成する工程と、この工程の後に前記
絶縁体層に所望サイズの分割溝を形成してチップ片に分
割する工程とを含むことを特徴とするチップ抵抗器の製
造方法。 - 【請求項２】 絶縁体層がガラスもしくはガラスとアル
ミナの混合物で構成されていることを特徴とする請求項
１記載のチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項３】 アルミナ基板の表面に、アルミナ基板よ
り熱伝導率の高い絶縁体層を形成し、この絶縁体層上に
電極、抵抗体および保護膜を形成し、裏面に前記アルミ
ナ基板より硬度の低い絶縁体層を形成する工程と、この
工程の後に前記硬度の低い絶縁体層に所望サイズの分割
溝を形成してチップ片に分割する工程とを含むことを特
徴とするチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】 アルミナ基板より硬度の低い絶縁体層が
ガラスとセラミックの混合物で、セラミック成分がアル
ミナ、炭化珪素もしくはこれらの混合物であることを特
徴とする請求項３記載のチップ抵抗器の製造方法。 - 【請求項５】 アルミナ基板より熱伝導率の高い絶縁体
層がガラスもしくはガラスと炭化珪素の混合物であるこ
とを特徴とする請求項３記載のチップ抵抗器の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33046793A JP3229473B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33046793A JP3229473B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192901A JPH07192901A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3229473B2 true JP3229473B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=18232957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33046793A Expired - Fee Related JP3229473B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229473B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201401305A (zh) * | 2012-06-25 | 2014-01-01 | Ralec Electronic Corp | 微型金屬片電阻的量產方法 |
| EP3647296B1 (en) | 2017-06-29 | 2024-04-03 | Kyocera Corporation | Alumina substrate and resistor using same |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33046793A patent/JP3229473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07192901A (ja) | 1995-07-28 |
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