JP2001185409A - 厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度係数特性を変えることなく、抵抗値設定
のトリミング前の初抵抗値を高くして、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。 【解決手段】 導電材料およびガラス粉末にアルミナを
混合した厚膜抵抗体１の被膜を基体２の表面に形成す
る。厚膜抵抗体１のアルミナの含有量は０．００５質量
％ないし１０質量％とする。
のトリミング前の初抵抗値を高くして、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。 【解決手段】 導電材料およびガラス粉末にアルミナを
混合した厚膜抵抗体１の被膜を基体２の表面に形成す
る。厚膜抵抗体１のアルミナの含有量は０．００５質量
％ないし１０質量％とする。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、リニア正温度係数
特性を有する厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器
の製造方法に関する。
特性を有する厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜抵抗器は、導電材料とガラス
粉末とを配合したペースト状の厚膜抵抗体を基体に印刷
塗布して焼成し、この焼成された厚膜抵抗体をレーザー
トリミングにより切り上げて抵抗値を設定する方法が採
られていた。
粉末とを配合したペースト状の厚膜抵抗体を基体に印刷
塗布して焼成し、この焼成された厚膜抵抗体をレーザー
トリミングにより切り上げて抵抗値を設定する方法が採
られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の厚膜抵抗器
は、導電材料とガラス粉末との配合比によって温度係数
（ＴＣＲ）とレーザーの初抵抗値が決定されるため、レ
ーザートリミングによって厚膜抵抗体にて形成されてい
る被膜を切り上げて抵抗器の抵抗値を設定するとき、同
一温度係数を保つ範囲は初抵抗値から２０倍程度の範囲
に限られ、抵抗値の設定範囲が狭く、高い抵抗値に設定
するために、トリミングの倍率を大きくすると、過負荷
特性が悪化してばらつきが生じる問題を有している。
は、導電材料とガラス粉末との配合比によって温度係数
（ＴＣＲ）とレーザーの初抵抗値が決定されるため、レ
ーザートリミングによって厚膜抵抗体にて形成されてい
る被膜を切り上げて抵抗器の抵抗値を設定するとき、同
一温度係数を保つ範囲は初抵抗値から２０倍程度の範囲
に限られ、抵抗値の設定範囲が狭く、高い抵抗値に設定
するために、トリミングの倍率を大きくすると、過負荷
特性が悪化してばらつきが生じる問題を有している。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、温度係数特性を変えることなく、抵抗値設定のトリ
ミング前の初抵抗値を高くして、抵抗値の設定範囲を拡
げることのできる厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵
抗器の製造方法を提供するものである。
で、温度係数特性を変えることなく、抵抗値設定のトリ
ミング前の初抵抗値を高くして、抵抗値の設定範囲を拡
げることのできる厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵
抗器の製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決する手段】請求項１記載の発明の厚膜抵抗
体は、酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およ
びガラス粉末にアルミナを混合したものである。
体は、酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およ
びガラス粉末にアルミナを混合したものである。
【０００６】そして、導電材料は酸化銅および酸化ルテ
ニウムを含むため温度係数が安定し、さらに、導電材料
とガラス粉末の厚膜抵抗体材料にアルミナを含有させた
ので、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値を高くする
ことができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
ニウムを含むため温度係数が安定し、さらに、導電材料
とガラス粉末の厚膜抵抗体材料にアルミナを含有させた
ので、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値を高くする
ことができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
【０００７】請求項２記載の発明の厚膜抵抗体は、請求
項１記載の厚膜抵抗体において、アルミナの含有量は導
電材料およびガラス粉末に対し０．００５質量％ないし
１０質量％としたものである。
項１記載の厚膜抵抗体において、アルミナの含有量は導
電材料およびガラス粉末に対し０．００５質量％ないし
１０質量％としたものである。
【０００８】そして、厚膜抵抗体材料は導電材料および
ガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％の
アルミナを含有させることにより、厚膜抵抗体の抵抗値
設定前の初抵抗値を約２．５倍程度高くすることがで
き、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
ガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％の
アルミナを含有させることにより、厚膜抵抗体の抵抗値
設定前の初抵抗値を約２．５倍程度高くすることがで
き、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
【０００９】請求項３記載の発明の厚膜抵抗器は、酸化
銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およびガラス粉
末にアルミナを混合した厚膜抵抗体被膜を基体の表面に
形成したものである。
銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およびガラス粉
末にアルミナを混合した厚膜抵抗体被膜を基体の表面に
形成したものである。
【００１０】そして、導電材料は酸化銅および酸化ルテ
ニウムを含むため温度係数が安定し、さらに、導電材料
とガラス粉末の厚膜抵抗体にアルミナを含有させたの
で、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値を高くするこ
とができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
ニウムを含むため温度係数が安定し、さらに、導電材料
とガラス粉末の厚膜抵抗体にアルミナを含有させたの
で、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値を高くするこ
とができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
【００１１】請求項４記載の発明の厚膜抵抗器は、請求
項３記載の厚膜抵抗器において、厚膜抵抗体のアルミナ
の含有量は導電材料およびガラス粉末に対し０．００５
質量％ないし１０質量％としたものである。
項３記載の厚膜抵抗器において、厚膜抵抗体のアルミナ
の含有量は導電材料およびガラス粉末に対し０．００５
質量％ないし１０質量％としたものである。
【００１２】そして、厚膜抵抗体の導電材料およびガラ
ス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％のアル
ミナを含有させることにより、厚膜抵抗器の抵抗値設定
前の初抵抗値を約２．５倍程度高くすることができ、抵
抗値の設定範囲を拡げることができる。
ス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％のアル
ミナを含有させることにより、厚膜抵抗器の抵抗値設定
前の初抵抗値を約２．５倍程度高くすることができ、抵
抗値の設定範囲を拡げることができる。
【００１３】請求項５記載の発明の厚膜抵抗器の製造方
法は、酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およ
びガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％
のアルミナを添加して混練したペースト状の厚膜抵抗体
を基体の表面に印刷塗布し、この厚膜抵抗ペーストを印
刷塗布した基体を焼成し、前記基体の表面にアルミナを
含有する厚膜抵抗体を形成するものである。
法は、酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電材料およ
びガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％
のアルミナを添加して混練したペースト状の厚膜抵抗体
を基体の表面に印刷塗布し、この厚膜抵抗ペーストを印
刷塗布した基体を焼成し、前記基体の表面にアルミナを
含有する厚膜抵抗体を形成するものである。
【００１４】そして、導電材料およびガラス粉末に対し
て０．００５質量％ないし１０質量％のアルミナを添加
して混練したペースト状厚膜抵抗体を印刷塗布すること
により、温度係数を安定でき、厚膜抵抗器の抵抗値設定
前の初抵抗値を高くすることができ、抵抗値の設定範囲
を拡げることができる。
て０．００５質量％ないし１０質量％のアルミナを添加
して混練したペースト状厚膜抵抗体を印刷塗布すること
により、温度係数を安定でき、厚膜抵抗器の抵抗値設定
前の初抵抗値を高くすることができ、抵抗値の設定範囲
を拡げることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の厚膜抵抗体の一実施の形
態を図１に基いて説明する。
態を図１に基いて説明する。
【００１６】厚膜抵抗体１は酸化銅（ＣｕＯ）および酸
化ルテニウム（ＲｕＯ2）の混合物などの導電材料と硼
珪酸鉛ガラスなどのガラス粉末との混合材料にアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）を添加し、この厚膜抵抗体１の材料に有機
ビヒクル(エチルセルローズ含有ブチルセロソルブアセ
テート溶液)を加えて混練し、ペースト状の厚膜抵抗体
１とする。
化ルテニウム（ＲｕＯ2）の混合物などの導電材料と硼
珪酸鉛ガラスなどのガラス粉末との混合材料にアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）を添加し、この厚膜抵抗体１の材料に有機
ビヒクル(エチルセルローズ含有ブチルセロソルブアセ
テート溶液)を加えて混練し、ペースト状の厚膜抵抗体
１とする。
【００１７】この導電材料とガラス粉末との混合材料に
対して添加するアルミナの混合比は０．００５質量％な
いし１０質量％、好ましくは０．００５質量％ないし５
質量％である。そして、この導電材料とガラス粉末およ
びアルミナの混合比はアルミナの混合比が０．００５質
量％ないし１０質量％となる範囲で目的とする抵抗値お
よび温度係数特性に応じて調整する。
対して添加するアルミナの混合比は０．００５質量％な
いし１０質量％、好ましくは０．００５質量％ないし５
質量％である。そして、この導電材料とガラス粉末およ
びアルミナの混合比はアルミナの混合比が０．００５質
量％ないし１０質量％となる範囲で目的とする抵抗値お
よび温度係数特性に応じて調整する。
【００１８】なお、この厚膜抵抗体１の配合比は、例え
ば、導電材料とガラス粉末とは１対１の質量比とするこ
とが好ましく、設定する抵抗値に応じて配合比を調整す
る。
ば、導電材料とガラス粉末とは１対１の質量比とするこ
とが好ましく、設定する抵抗値に応じて配合比を調整す
る。
【００１９】また、このアルミナを添加した導電材料と
ガラス粉末との混合材料に加える有機ビヒクルの混合比
は５０質量％とする。
ガラス粉末との混合材料に加える有機ビヒクルの混合比
は５０質量％とする。
【００２０】次に、この厚膜抵抗体1を用いた厚膜抵抗
器の製造方法を説明する。
器の製造方法を説明する。
【００２１】前記ペースト状の厚膜抵抗体1をセラミッ
ク、例えばアルミナなどの矩形状の抵抗器の基体２の表
面にパターン印刷塗布して厚膜抵抗体1の被膜を形成す
る。この基体２には両端部に端子電極３,３が形成され
ており、この端子電極３,３と前記印刷塗布したペース
ト状の厚膜抵抗体1の両端部とを重ね合わせて端子電極
３,３と厚膜抵抗体１とが接続されている。
ク、例えばアルミナなどの矩形状の抵抗器の基体２の表
面にパターン印刷塗布して厚膜抵抗体1の被膜を形成す
る。この基体２には両端部に端子電極３,３が形成され
ており、この端子電極３,３と前記印刷塗布したペース
ト状の厚膜抵抗体1の両端部とを重ね合わせて端子電極
３,３と厚膜抵抗体１とが接続されている。
【００２２】そして、この基体２に印刷塗布した厚膜抵
抗体１を焼成し、この焼成した厚膜抵抗体をレーザーに
てトリミングすることにより所望の抵抗値の厚膜抵抗器
４を製造できる。
抗体１を焼成し、この焼成した厚膜抵抗体をレーザーに
てトリミングすることにより所望の抵抗値の厚膜抵抗器
４を製造できる。
【００２３】なお、前記基体１は、セラミック、例えば
アルミナなどの基板の表面にこの基体１の大きさに合わ
せて形成した縦横方向の切り溝に沿って分割して構成す
る。
アルミナなどの基板の表面にこの基体１の大きさに合わ
せて形成した縦横方向の切り溝に沿って分割して構成す
る。
【００２４】そして、基板には例えば、表面に縦方向の
切り溝に跨って基体１の両端部分に対応する位置に端子
電極３,３を印刷塗布するとともに基板の裏面に表面の
端子電極３,３に対応する位置に端子電極を印刷塗布し
て８５０℃程度で加熱焼成する。さらに、この基板の表
面には各基体１に対応する部分の両端子電極３,３に両
端部を重ねて厚膜抵抗体1を印刷塗布して８００℃ない
し９００℃、好ましくは平均８５０℃程度で加熱焼成す
る。また、必要に応じて、前記各基体１には、厚膜抵抗
体１の全体と端子電極３,３の一部とをガラスまたはエ
ポキシ樹脂などの樹脂にて形成した保護膜にて被覆す
る。この保護膜は必要に応じて複数層を積層する。
切り溝に跨って基体１の両端部分に対応する位置に端子
電極３,３を印刷塗布するとともに基板の裏面に表面の
端子電極３,３に対応する位置に端子電極を印刷塗布し
て８５０℃程度で加熱焼成する。さらに、この基板の表
面には各基体１に対応する部分の両端子電極３,３に両
端部を重ねて厚膜抵抗体1を印刷塗布して８００℃ない
し９００℃、好ましくは平均８５０℃程度で加熱焼成す
る。また、必要に応じて、前記各基体１には、厚膜抵抗
体１の全体と端子電極３,３の一部とをガラスまたはエ
ポキシ樹脂などの樹脂にて形成した保護膜にて被覆す
る。この保護膜は必要に応じて複数層を積層する。
【００２５】次いで、端子電極３,３が跨って形成され
た縦溝に沿って基板を短冊状に分割し、この分割した端
面に沿って基板の表裏面に形成された端子電極３,３を
接続するようにスパッタリングによりニッケルクロム合
金などの薄膜電極の端子電極３,３または印刷塗布によ
る銀およびエポキシ樹脂の厚膜電極を加熱焼成して端子
電極３,３を形成する。そして、短冊状の基板を横溝に
沿って各基体２に分割して厚膜抵抗器４を形成する。さ
らに、この端子電極３,３にニッケルめっき層を形成
し、さらに、このニッケルめっき層の上に半田めっき層
を形成する。
た縦溝に沿って基板を短冊状に分割し、この分割した端
面に沿って基板の表裏面に形成された端子電極３,３を
接続するようにスパッタリングによりニッケルクロム合
金などの薄膜電極の端子電極３,３または印刷塗布によ
る銀およびエポキシ樹脂の厚膜電極を加熱焼成して端子
電極３,３を形成する。そして、短冊状の基板を横溝に
沿って各基体２に分割して厚膜抵抗器４を形成する。さ
らに、この端子電極３,３にニッケルめっき層を形成
し、さらに、このニッケルめっき層の上に半田めっき層
を形成する。
【００２６】次に、実施の形態の作用を説明する。
【００２７】厚膜抵抗体１は、厚膜抵抗体１の導電材料
は酸化銅（ＣｕＯ）および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）
を含むので温度係数が安定し、導電材料とガラス粉末の
厚膜抵抗体材料にアルミナを含有させることにより、ト
リミングによる抵抗値設定前の初抵抗値を高くすること
ができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
は酸化銅（ＣｕＯ）および酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）
を含むので温度係数が安定し、導電材料とガラス粉末の
厚膜抵抗体材料にアルミナを含有させることにより、ト
リミングによる抵抗値設定前の初抵抗値を高くすること
ができ、抵抗値の設定範囲を拡げることができる。
【００２８】そして、この厚膜抵抗体材料に含有するア
ルミの含有量は導電材料とガラス粉末に対して０．００
５質量％ないし１０質量％とすることにより、厚膜抵抗
体１の抵抗値設定前の初抵抗値を約２．５倍程度高くす
ることができる。
ルミの含有量は導電材料とガラス粉末に対して０．００
５質量％ないし１０質量％とすることにより、厚膜抵抗
体１の抵抗値設定前の初抵抗値を約２．５倍程度高くす
ることができる。
【００２９】また、０．００５質量％ないし１０質量％
のアルミナを導電材料およびガラス粉末に対して添加し
て混練したペースト状の厚膜抵抗体１を印刷塗布するこ
とにより、厚膜抵抗器４の抵抗値設定前の初抵抗値を高
くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることがで
きる。
のアルミナを導電材料およびガラス粉末に対して添加し
て混練したペースト状の厚膜抵抗体１を印刷塗布するこ
とにより、厚膜抵抗器４の抵抗値設定前の初抵抗値を高
くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることがで
きる。
【００３０】
【実施例】次に実験例について説明する。
【００３１】この実験例は、図１に示す基体２の表面に
縦横１.０mm×１.０mmの大きさで１mm2の面積に厚さ１
０μmの厚膜抵抗体１を形成し、抵抗値と温度係数とを
測定した。
縦横１.０mm×１.０mmの大きさで１mm2の面積に厚さ１
０μmの厚膜抵抗体１を形成し、抵抗値と温度係数とを
測定した。
【００３２】
【表１】 そして、厚膜抵抗体材料は、酸化銅および酸化ルテニウ
ムの混合物の導電材料と硼珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
との混合比を質量％で５.０対５.０対０から４.５対４.
５対１.０の範囲で変化させ、この厚膜抵抗体材料と有
機ビヒクルとの配合比は質量比で２対１とした。
ムの混合物の導電材料と硼珪酸鉛ガラス粉末とアルミナ
との混合比を質量％で５.０対５.０対０から４.５対４.
５対１.０の範囲で変化させ、この厚膜抵抗体材料と有
機ビヒクルとの配合比は質量比で２対１とした。
【００３３】この実験例から、アルミナの添加量と抵抗
値設定のトリミング前の初抵抗値との関係は、表１およ
び図２に示すように、アルミナの添加量が増加すれば、
初抵抗値は高くなることが確認できた。
値設定のトリミング前の初抵抗値との関係は、表１およ
び図２に示すように、アルミナの添加量が増加すれば、
初抵抗値は高くなることが確認できた。
【００３４】また、アルミナの添加量と温度係数特性と
の関係は、図３に示すように、アルミナの添加量が０．
００５質量％から５.０質量％までは変化がなく、アル
ミナの添加量が５.０質量％を超えると、温度係数は低
下する傾向となった。
の関係は、図３に示すように、アルミナの添加量が０．
００５質量％から５.０質量％までは変化がなく、アル
ミナの添加量が５.０質量％を超えると、温度係数は低
下する傾向となった。
【００３５】そして、アルミナを添加しない厚膜抵抗体
材料では、温度係数を変化しない範囲でトリミングによ
り設定できる抵抗値の範囲は３３Ωから６２０Ωの範囲
であったが、アルミナを５質量％を添加した厚膜抵抗体
材料では、温度係数を変化しない範囲でトリミングによ
り設定できる抵抗値の範囲は７５Ωから１.５KΩの範囲
に拡げられることを確認できた。
材料では、温度係数を変化しない範囲でトリミングによ
り設定できる抵抗値の範囲は３３Ωから６２０Ωの範囲
であったが、アルミナを５質量％を添加した厚膜抵抗体
材料では、温度係数を変化しない範囲でトリミングによ
り設定できる抵抗値の範囲は７５Ωから１.５KΩの範囲
に拡げられることを確認できた。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、酸化銅お
よび酸化ルテニウムを含む導電材料とガラス粉末の厚膜
抵抗体材料にアルミナを含有させたので、温度係数を変
えることなく、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値を
高くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることが
できる。
よび酸化ルテニウムを含む導電材料とガラス粉末の厚膜
抵抗体材料にアルミナを含有させたので、温度係数を変
えることなく、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値を
高くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることが
できる。
【００３７】請求項２記載の発明によれば、温度係数を
変えることなく、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値
を約２．５倍程度高くすることができ、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。
変えることなく、厚膜抵抗体の抵抗値設定前の初抵抗値
を約２．５倍程度高くすることができ、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。
【００３８】請求項３記載の発明によれば、酸化銅およ
び酸化ルテニウムを含む導電材料とガラス粉末の厚膜抵
抗体材料にアルミナを含有させたので、温度係数を変え
ることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値を高
くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることがで
きる。
び酸化ルテニウムを含む導電材料とガラス粉末の厚膜抵
抗体材料にアルミナを含有させたので、温度係数を変え
ることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値を高
くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げることがで
きる。
【００３９】請求項４記載の発明によれば、温度係数を
変えることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値
を約２．５倍程度高くすることができ、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。
変えることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値
を約２．５倍程度高くすることができ、抵抗値の設定範
囲を拡げることができる。
【００４０】請求項５記載の発明によれば、温度係数を
変えることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値
を高くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げること
ができる。
変えることなく、厚膜抵抗器の抵抗値設定前の初抵抗値
を高くすることができ、抵抗値の設定範囲を拡げること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す厚膜抵抗器の平面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示す厚膜抵抗器の厚膜
抵抗体に混合するアルミナの添加量とトリミングによる
抵抗値設定前の初抵抗値との関係を示す図である。
抵抗体に混合するアルミナの添加量とトリミングによる
抵抗値設定前の初抵抗値との関係を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態を示す厚膜抵抗器の厚膜
抵抗体に混合するアルミナの添加量と温度係数特性との
関係を示す図である。
抵抗体に混合するアルミナの添加量と温度係数特性との
関係を示す図である。
１ 厚膜抵抗体 ２ 基体 ４ 厚膜抵抗器
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 AB01 BA07 BB01 CA02 TA11 5E033 AA18 AA25 AA27 BB02 BB05 BC01 BD01 BF05 BH01 5G301 DA23 DA33 DA34 DD09
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電
材料およびガラス粉末にアルミナを混合したことを特徴
とする厚膜抵抗体。 - 【請求項２】 アルミナの含有量は導電材料およびガラ
ス粉末に対し０．００５質量％ないし１０質量％とした
ことを特徴とする請求項１記載の厚膜抵抗体。 - 【請求項３】 酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電
材料およびガラス粉末にアルミナを混合した厚膜抵抗体
被膜を基体の表面に形成したことを特徴とする厚膜抵抗
器。 - 【請求項４】 厚膜抵抗体のアルミナの含有量は導電材
料およびガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１０
質量％であることを特徴とする請求項３記載の厚膜抵抗
器。 - 【請求項５】 酸化銅および酸化ルテニウムを含む導電
材料およびガラス粉末に対し０．００５質量％ないし１
０質量％のアルミナを添加して混練したペースト状の厚
膜抵抗体を基体の表面に印刷塗布し、この厚膜抵抗ペー
ストを印刷塗布した基体を焼成し、前記基体の表面にア
ルミナを含有する厚膜抵抗体を形成することを特徴とす
る厚膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36420499A JP2001185409A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36420499A JP2001185409A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185409A true JP2001185409A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18481238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36420499A Pending JP2001185409A (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | 厚膜抵抗体、厚膜抵抗器および厚膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185409A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8133413B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions using a Cu-containing glass frit |
| JP2017126709A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物および抵抗体ペースト |
| CN113393955A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-09-14 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种ltcc共烧匹配型电阻浆料 |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36420499A patent/JP2001185409A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8133413B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions using a Cu-containing glass frit |
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| CN113393955B (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种ltcc共烧匹配型电阻浆料 |
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