JP2007220858A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、低抵抗で、かつTCRの低い特性を満足することができる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】絶縁基板11と、前記絶縁基板11の上面の両端部に位置する一対の上面電極13と、前記絶縁基板11の上面に前記一対の上面電極13と接続されないように形成された抵抗体14とを有し、前記一対の上面電極13と前記抵抗体14を焼成温度が前記一対の上面電極13と前記抵抗体14の焼成温度よりも低い導電性ペースト15を用いて電気的に接続したものである。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁基板11と、前記絶縁基板11の上面の両端部に位置する一対の上面電極13と、前記絶縁基板11の上面に前記一対の上面電極13と接続されないように形成された抵抗体14とを有し、前記一対の上面電極13と前記抵抗体14を焼成温度が前記一対の上面電極13と前記抵抗体14の焼成温度よりも低い導電性ペースト15を用いて電気的に接続したものである。
【選択図】図1
Description
本発明は特に低抵抗で、かつTCRが良好な抵抗器およびその製造方法に関するものである。
以下、従来の抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
図9は従来の抵抗器の断面図を示したもので、この図9において、1は純度96%のアルミナからなる矩形状の絶縁基板、2は前記絶縁基板1の裏面両端部に設けられた一対の裏面電極、3は前記絶縁基板1の上面両端部に設けられた一対の上面電極である。4は前記一対の上面電極3を橋絡するように形成された抵抗体、5は前記抵抗体4の全面と一対の上面電極3の一部を覆う保護層である。6は前記一対の裏面電極2および一対の上面電極3と電気的に接続されるように絶縁基板1の両端面に設けられた一対の端面電極である。7は前記一対の裏面電極2、上面電極3および端面電極6の表面に形成されたニッケルめっき層、8は前記ニッケルめっき層7の表面に形成されたはんだめっき層である。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2003−347102号公報
上記した従来の抵抗器においては、上面電極3と抵抗体4を形成する場合、上面電極3と抵抗体4が互いに電気的に接続されるように両者を厚膜印刷で形成した後に高温で焼成するため、抵抗体4にTCRの低い材料を用いても、高温焼成時に拡散反応が生じてTCRの高い上面電極3の影響を受けることになり、これにより、抵抗器のTCRが悪化するという課題を有していた。
一方、特許文献1には抵抗体ペーストの組成を検討して低抵抗で、かつ低TCRの抵抗器を製造する技術が開示されているが、低抵抗と低TCRの2つの特性を同時に満足するためには抵抗体ペーストに多種類の添加剤を加えて組成を厳しく制御する必要があり、そのため、物づくりが困難となるものであった。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、低抵抗で、かつTCRの低い特性を満足することができる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に位置する一対の上面電極と、前記絶縁基板の上面に前記一対の上面電極と接続されないように形成された抵抗体とを有し、前記一対の上面電極と前記抵抗体を焼成温度が前記一対の上面電極と前記抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続したもので、この構成によれば、一対の上面電極と抵抗体を焼成温度が一対の上面電極と抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続しているため、抵抗体と上面電極との間で拡散反応が生じて抵抗体のTCRが悪化するということはなく、これにより、低抵抗で、かつTCRの低い抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
本発明の請求項2に記載の発明は、シート状の絶縁基板に複数の上面電極を印刷して焼成する工程と、前記絶縁基板の上面に前記複数の上面電極と接続されないように複数の抵抗体を印刷して焼成する工程と、前記複数の上面電極と複数の抵抗体を、焼成温度が上面電極と抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、複数の上面電極と複数の抵抗体を、焼成温度が上面電極と抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続する工程を備えているため、抵抗体と上面電極との間で拡散反応が生じて抵抗体のTCRが悪化するということはなく、これにより、低抵抗で、かつTCRの低い抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
本発明の請求項3に記載の発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された抵抗体と、前記絶縁基板の上面の両端部に位置する一対の上面電極とを有し、前記一対の上面電極を焼成温度が前記抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストで構成し、かつこの導電性ペーストを用いて前記抵抗体と電気的に接続したもので、この構成によれば、一対の上面電極を焼成温度が抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストで構成し、かつこの導電性ペーストを用いて前記抵抗体と電気的に接続しているため、抵抗体と上面電極との間で拡散反応が生じて抵抗体のTCRが悪化するということはなく、これにより、低抵抗で、かつTCRの低い抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
本発明の請求項4に記載の発明は、シート状の絶縁基板の上面に複数の抵抗体を印刷して焼成する工程と、前記複数の抵抗体の両端部に、焼成温度が抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストからなる上面電極を電気的に接続されるように印刷して焼成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、焼成温度が抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストからなる上面電極を前記抵抗体の両端部に電気的に接続されるように印刷して焼成するようにしているため、抵抗体と上面電極との間で拡散反応が生じて抵抗体のTCRが悪化するということはなく、これにより、低抵抗で、かつTCRの低い抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明の抵抗器は、一対の上面電極と抵抗体を焼成温度が一対の上面電極と抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続しているため、抵抗体と上面電極との間で拡散反応が生じて抵抗体のTCRが悪化するということはなく、これにより、低抵抗で、かつTCRの低い抵抗器が得られるという優れた効果を奏するものである。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2に記載の発明について説明する。
図1は本発明の実施の形態1における抵抗器の断面図、図2(a)〜(e)および図3(a)〜(e)は同抵抗器の製造方法を示す製造工程図である。
以下に、その製造方法を図2(a)〜(e)および図3(a)〜(e)に示す製造工程図に基づいて説明する。
まず、図2(a)に示すように、一次分割溝11aと二次分割溝11bを有し、かつ純度96%のアルミナからなるシート状の絶縁基板11cの裏面に、一次分割溝11aを跨ぐように銀、銀パラジウム合金、銅等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極12をスクリーン印刷し、ピーク温度850℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極12を安定な膜とする。
次に、図2(b)に示すように、シート状の絶縁基板11cの上面に、一次分割溝11aを跨ぐように銀、銀パラジウム合金、銅等の厚膜導電性ペーストからなる上面電極13をスクリーン印刷し、ピーク温度850℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極13を安定な膜とする。なお、ここで裏面電極12と上面電極13は同時に印刷し、そして同時に焼成しても良いものである。
次に、図2(c)に示すように、シート状の絶縁基板11cの上面に、上面電極13と電気的に接続されないように銀パラジウム合金、銅ニッケル合金等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体14をスクリーン印刷して焼成する。この場合、前記上面電極13と抵抗体14は互いに接触せず別々に印刷して焼成されるため、上面電極13の成分が抵抗体14に拡散して抵抗体14の特性(低抵抗・低TCR)が損なわれることはないものである。
次に、図2(d)に示すように、上面電極13と抵抗体14を導電性ペースト15を用いて接続し、ピーク温度150〜200℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極13と抵抗体14を電気的に接続する。この場合、前記上面電極13と抵抗体14の接続に用いる導電性ペースト15は焼成温度が上面電極13と抵抗体14の焼成温度よりも低いため、上面電極13から抵抗体14への拡散の影響は低減されることになり、これにより、抵抗体14の特性(低抵抗・低TCR)が損なわれることはないものである。なお、導電性ペースト15の焼成温度は上面電極13と抵抗体14の焼成温度よりも低ければ良いが、より好ましいのは300℃以下である。
また、導電性ペースト15は銀、銅、金、ニッケル、白金、パラジウム、アルミニウム等の金属あるいはそれらの合金の金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、酸化金属粒子、有機金属粒子またはこれらの混合物を主成分とするものである。
次に、図2(e)に示すように、抵抗体14にレーザー等を用いてトリミング溝16を形成し、抵抗体14の抵抗値を所望の値に調整する。なお、抵抗体14は、トリミング溝16を形成する前に、プリコートガラス層(図示せず)で覆ってもよいものである。
次に、図3(a)に示すように、抵抗体14、導電性ペースト15、トリミング溝16を覆うように保護層17を形成する。
次に、図3(b)に示すように、一次分割溝11aに沿ってシート状の絶縁基板11cを分割することにより、短冊状基板11dを得る。
次に、図3(c)に示すように、上面電極13と裏面電極(図示せず)を電気的に接続するように、短冊状基板11dの側面に側面電極18を薄膜スパッタや導電性樹脂ペースト等により形成する。
次に、図3(d)に示すように、二次分割溝11bに沿って短冊状基板11dを分割することにより、個片状基板11eを得る。
最後に、図3(e)に示すように、上面電極13と裏面電極(図示せず)を側面電極18の表面に、銅めっき層(図示せず)とニッケルめっき層(図示せず)と錫めっき層21を形成することにより、本発明の実施の形態1における抵抗器を得ることができる。
上記した本発明の実施の形態1における抵抗器と従来の抵抗器を、10mΩの抵抗値でそれぞれ1000個ずつ作製して両者のTCRを測定したところ、従来の抵抗器ではTCRの平均値が450ppm/℃であったが、本発明の実施の形態1における抵抗器ではTCRの平均値が114ppm/℃となり、目標値の250ppm/℃を下回る良好な結果が得られた。
なお、上記本発明の実施の形態1においては、絶縁基板11の上面のみに抵抗体14を形成する例について説明したが、この構成に限定されるものではなく、図4に示すように、絶縁基板11の裏面にも、上面と同様の工程で裏面電極12と抵抗体14を形成し、そして裏面電極12と抵抗体14を導電性ペースト15で接続しても良いものである。このように絶縁基板11の両面に抵抗体14を形成し、そし側面電極18と銅めっき層19とニッケルめっき層20と錫めっき層21をかさ上げすると、抵抗値がより低くなって、バルク実装にも対応する効果を有するものである。
(実施の形態2)
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項3,4に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項3,4に記載の発明について説明する。
図5は本発明の実施の形態2における抵抗器の断面図、図6(a)〜(d)および図7(a)〜(e)は同抵抗器の製造方法を示す製造工程図である。
以下に、その製造方法を図6(a)〜(d)および図7(a)〜(e)に示す製造工程図に基づいて説明する。
まず、図6(a)に示すように、一次分割溝11aと二次分割溝11bを有し、かつ純度96%のアルミナからなるシート状の絶縁基板11cの裏面に、一次分割溝11aを跨ぐように銀、銀パラジウム合金、銅等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極12をスクリーン印刷し、ピーク温度850℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極12を安定な膜とする。
次に、図6(b)に示すように、シート状の絶縁基板11cの上面に、一次分割溝11aと二次分割溝11bを跨がないように銀パラジウム合金、銅ニッケル合金等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体14をスクリーン印刷し、ピーク温度850℃のプロファイルで焼成することにより、抵抗体14を安定な膜とする。
次に、図6(c)に示すように、シート状の絶縁基板11cの上面に、抵抗体14と電気的に接続されるように導電性ペーストからなる上面電極13を印刷し、ピーク温度150〜200℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極13を安定な膜とする。この場合、導電性ペーストからなる上面電極13は焼成温度が抵抗体14の焼成温度よりも低いため、上面電極13から抵抗体14への拡散の影響が低減されることになり、これにより、抵抗体14の特性(低抵抗・低TCR)が損なわれることはないものである。なお、導電性ペーストからなる上面電極13の焼成温度は抵抗体14の焼成温度よりも低ければ良いが、より好ましいのは300℃以下である。
なお、導電性ペーストからなる上面電極13は銀、銅、金、ニッケル、白金、パラジウム、アルミニウム等の金属あるいはそれらの合金の金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、酸化金属粒子、有機金属粒子またはこれらの混合物を主成分とするものである。
次に、図6(d)に示すように、抵抗体14にレーザー等を用いてトリミング溝16を形成し、抵抗体14の抵抗値を所望の値に調整する。なお、抵抗体14は、トリミング溝16を形成する前に、プリコートガラス層(図示せず)で覆ってもよいものである。
次に、図7(a)に示すように、抵抗体14とトリミング溝16を覆うように保護層17を形成する。
次に、図7(b)に示すように、一次分割溝11aに沿ってシート状の絶縁基板11cを分割することにより、短冊状基板11dを得る。
次に、図7(c)に示すように、上面電極13と裏面電極(図示せず)を電気的に接続するように、短冊状基板11dの側面に側面電極18を薄膜スパッタや導電性樹脂ペースト等により形成する。
次に、図7(d)に示すように、二次分割溝11bに沿って短冊状基板11dを分割することにより、個片状基板11eを得る。
最後に、図7(e)に示すように、上面電極13と裏面電極(図示せず)と側面電極18の表面に、銅めっき層(図示せず)とニッケルめっき贈(図示せず)と錫めっき層21を形成することにより、本発明の実施の形態2における抵抗器を得ることができる。
上記した本発明の実施の形態2における抵抗器と従来の抵抗器を、10mΩの抵抗値でそれぞれ1000個ずつ作製して両者のTCRを測定したところ、従来の抵抗器ではTCRの平均値が450ppm/℃であったが、本発明の実施の形態2における抵抗器ではTCRの平均値が144ppm/℃となり、目標値の250ppm/℃を下回る良好な結果が得られた。
なお、上記本発明の実施の形態2においては、絶縁基板11の上面のみに抵抗体14を形成する例について説明したが、この構成に限定されるものではなく、図8に示すように、絶縁基板11の裏面にも、上面と同様の工程で裏面電極12と抵抗体14を形成しても良いものである。このように絶縁基板11の両面に抵抗体14を形成し、そして側面電極18と銅めっき層19とニッケルめっき層20と錫めっき層21をかさ上げすると、抵抗値がより低くなってバルク実装に対応する効果を有するものである。
本発明に係る抵抗器およびその製造方法は、上面電極の成分が拡散して抵抗体に悪影響を及ぼすということは少なくなるという効果を有するものであり、特に低い抵抗値で高精度が要求される角形チップ抵抗器に適用することにより有用となるものである。
11 絶縁基板
11c シート状の絶縁基板
11d 短冊状基板
11e 個片状基板
13 上面電極
14 抵抗体
15 導電性ペースト
11c シート状の絶縁基板
11d 短冊状基板
11e 個片状基板
13 上面電極
14 抵抗体
15 導電性ペースト
Claims (4)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に位置する一対の上面電極と、前記絶縁基板の上面に前記一対の上面電極と接続されないように形成された抵抗体とを有し、前記一対の上面電極と前記抵抗体を焼成温度が前記一対の上面電極と前記抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続した抵抗器。
- シート状の絶縁基板に複数の上面電極を印刷して焼成する工程と、前記絶縁基板の上面に前記複数の上面電極と接続されないように複数の抵抗体を印刷して焼成する工程と、前記複数の上面電極と複数の抵抗体を、焼成温度が上面電極と抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストを用いて電気的に接続する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された抵抗体と、前記絶縁基板の上面の両端部に位置する一対の上面電極とを有し、前記一対の上面電極を焼成温度が前記抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストで構成し、かつこの導電性ペーストを用いて前記抵抗体と電気的に接続した抵抗器。
- シート状の絶縁基板の上面に複数の抵抗体を印刷して焼成する工程と、前記複数の抵抗体の両端部に、焼成温度が抵抗体の焼成温度よりも低い導電性ペーストからなる上面電極を電気的に接続されるように印刷して焼成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
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JP2006039008A JP2007220858A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | 抵抗器およびその製造方法 |
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JP2006039008A JP2007220858A (ja) | 2006-02-16 | 2006-02-16 | 抵抗器およびその製造方法 |
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JP2019102795A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ抵抗器の抵抗層形成用ペースト及びチップ抵抗器 |
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2006
- 2006-02-16 JP JP2006039008A patent/JP2007220858A/ja active Pending
Cited By (2)
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JP2019102795A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ抵抗器の抵抗層形成用ペースト及びチップ抵抗器 |
JP7380980B2 (ja) | 2017-11-28 | 2023-11-15 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ抵抗器の抵抗層形成用ペースト及びチップ抵抗器 |
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