JP7241261B2 - チップ抵抗器 - Google Patents

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Description

本発明は、チップ抵抗器に関する。
特許文献1に開示されている従来のチップ抵抗器は、アルミナで構成された絶縁基板と、この絶縁基板の上面の中央部に設けられたガラス層と、絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の電極と、ガラス層の上面に設けられ、かつ一対の電極間に形成された抵抗体とを備えている。このチップ抵抗器では抵抗体を焼成する際に抵抗体がガラス層から剥れる場合がある。
特開平6-53005号公報
チップ抵抗は、アルミナで構成された絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられた一対の電極と、絶縁基板の上面に設けられてガラスで構成されたガラスグレーズ層と、ガラスグレーズ層の上面に設けられた抵抗体とを備える。抵抗体は一対の電極の間に形成されている。ガラスグレーズ層のガラスの軟化点は580℃~760℃である。
このチップ抵抗では抵抗体が剥離するのを防止できる。
図1は実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。 図2は実施の形態におけるチップ抵抗器のガラスグレーズ層を構成するガラスの軟化点と、抵抗体の密着性との関係を示す図である。
図1は実施の形態におけるチップ抵抗器501の断面図である。チップ抵抗器501は、アルミナで構成された絶縁基板1と、絶縁基板1の上面101の両端部に設けられた一対の電極12、22と、絶縁基板1の上面101の中央部に設けられたガラスグレーズ層3と、ガラスグレーズ層3の上面に設けられた抵抗体4と、一対の電極12、22の一部と抵抗体4とを覆う保護膜5と、絶縁基板1の両端面にそれぞれ設けられた一対の端面電極16、26と、一対の端面電極16、26の表面にそれぞれ形成されためっき層17、27とを備えている。抵抗体4は一対の電極12、22間に形成されて電極12、22に接続されている。端面電極16、26は一対の電極12、22とそれぞれ電気的に接続されている。
絶縁基板1は、アルミナ(Al)で構成され、矩形状を有する。
一対の電極12、22は、絶縁基板1の上面101に銀、銀パラジウム、または銅からなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。なお、絶縁基板1の下面201の両端部に一対の下面電極12a、22aを形成してもよい。
ガラスグレーズ層3はガラス3aと、ガラス3aに分散するフィラー3bとで構成され、絶縁基板1の上面101の中央部に設けられている。ガラスグレーズ層3の厚みは5μm以上である。
ガラスグレーズ層3は絶縁基板1の上面101全面に形成してもよい。ガラスグレーズ層3は一対の電極12、22と重ならなくてもよい。
ガラス3aの軟化点は580℃~760℃であり、アルカリ金属酸化物ROを含むSiO-B-ZnO-RO系ガラス、またはSiO-B-RO系ガラスが好適に使用できる。
フィラー3bは、ガラスグレーズ層3の熱膨張係数を絶縁基板1に近づけるためにアルミナ粉末が好適であり、その含有量は、ガラスグレーズ層3全体に対して15vol%~40vol%とするのが好ましい。
抵抗体4はガラスグレーズ層3の上面103に設けられ、かつ一対の電極12、22の間に形成されている。抵抗体4はCuNiで構成され、CuNiを含有する抵抗ペーストを複数回印刷し、窒素雰囲気中950℃で焼成して形成する。また、抵抗値が低くなるように、抵抗体4の厚みは50μm以上である。
抵抗体4を覆う保護ガラス層5aはプリコートガラスよりなる。保護ガラス層5aは設けなくてもよい。さらに、抵抗体4に抵抗値調整用のトリミング溝を設けてもよい。
また、保護膜5は、保護ガラス層5aの上面105a上に設けられて一対の電極12、22の一部と抵抗体4とを覆うように、ガラスまたはエポキシ樹脂からなる厚膜材料により設けられている。
さらに、一対の端面電極16、26は絶縁基板1の両端部に設けられ、一対の電極12、22の保護膜5から露出した部分と電気的に接続されるように、Agと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。一対の端面電極16、26の表面には、ニッケルめっき層、すずめっき層からなるめっき層17、27がそれぞれ形成されている。
実施の形態においては、ガラス3aの軟化点を580℃以上としているため、ガラスグレーズ層3がもとのパターンよりも広がる形で流れてしまうのを防ぐことができる。また、ガラス3aの軟化点を760℃以下としているため、抵抗体4の絶縁基板1からの剥れを生じてしまうのを防ぐことができる。
すなわち、抵抗体4の下面にガラスグレーズ層3を設けることで、抵抗体4の焼成中にガラスグレーズ層3が軟化し、抵抗体4の下面の全面が絶縁基板1と強固に融着する。したがって、抵抗体4全体が絶縁基板1から剥れることはない。また、ガラスグレーズ層3をガラス3aとフィラー3bとで構成することで、抵抗体4の焼成中に抵抗体4の形状の変化を抑制することができる。
ガラス3aの軟化点が580℃より低いと、ガラスグレーズ層3を印刷し、焼き付ける際に、ガラスが溶けて粘性が下がり過ぎるため、ガラスグレーズ層3がもとのパターンよりも広がる形で流れてしまう。ガラスグレーズ層3中のガラス3aの融液が絶縁基板1の全面に流れると、ガラスグレーズ層3や抵抗体4の形状を安定化させることができず、外観不良を招いてしまう。
一方、ガラス3aの軟化点が760℃より高いと、軟化点を越えて溶けたガラス3aの粘性が高すぎるため、抵抗体4の下面全面をうまく濡らすことができず、これにより、抵抗体4の下面全面を絶縁基板1と強固に融着させることができず、この結果、抵抗体4の剥れを生じてしまう。
また、抵抗値を低くするために抵抗体4を厚くすると、抵抗体4には絶縁基板1の上面101と平行な平面方向に抵抗体4を縮ませる大きな力がかかる。抵抗体4の平面方向に縮もうとする力が増しても、ガラスグレーズ層3を構成するガラス3aの軟化点を580℃~760℃にすることで、上述したように抵抗体4が剥離するのを防止することが可能となる。
一般に厚膜チップ抵抗器の抵抗体膜厚は10μm~20μm程度であるが、低抵抗化を図るために抵抗体膜厚を増していって特に50μm以上にすると、抵抗体が平面方向にも縮もうとする収縮力が増す。その収縮力に抵抗体と絶縁基板との密着が抗し切れずに、抵抗体を焼成した後に、抵抗体の周縁部が持ち上がってガラス層から剥れる場合がある。
抵抗体と絶縁基板の密着性を確保するために、抵抗体の下にガラス層を設けたとしても、ガラス層に含まれるガラスの軟化点が低過ぎると、あらかじめ印刷されたガラスペーストを焼き付ける際に、溶けたガラスの粘性が下がり過ぎるため、もとの印刷のパターンよりもガラス層が広がるように流れてしまう。
逆に、ガラスの軟化点が高過ぎると、軟化点を越えて溶けたガラスの粘性が高すぎるため、抵抗体の下面全面をうまく濡らすことができず、これにより、抵抗体の下面全面をアルミナで構成された絶縁基板と強固に融着させることができないため、抵抗体の剥れを生じてしまう。
図2は、実施の形態におけるチップ抵抗器501の試料1~5のガラスグレーズ層3を構成するガラス3aの組成と軟化点と、抵抗体4の密着性との関係を示す。試料1のガラス3aはPbO-B-SiO系ガラスよりなる。試料2、3のガラス3aは、アルカリ金属酸化物ROを含むSiO-B-ZnO-RO系ガラスよりなる。試料4のガラス3aは、アルカリ金属酸化物ROを含むSiO-B-RO系ガラスよりなる。試料5のガラス3aはSiO-CaO-BaO系ガラスよりなる。
試料1~5のガラスグレーズ層3はフィラー3bを含まない。試料1~5において、抵抗体4を950℃で焼成した後の抵抗体4の密着度合いを確認した。特に、試料2、3のガラス3aは、組成比やアルカリ金属の種類を変えることで軟化点が互いに異なるようにしている。
ガラスグレーズ層3を構成するガラス3aの軟化点がそれぞれ580℃、630℃、760℃である試料2~4のチップ抵抗器501は抵抗体4が剥離せずに抵抗体4と絶縁基板1との良好な密着性を呈する。ガラス3aの軟化点が490℃である試料1は、ガラスグレーズ層3中のガラス3aの融液が絶縁基板1に流れてしまい、ガラスグレーズ層3を狙いのパターンに形成するのが困難であった。ガラス3aの軟化点が840℃である試料5では、抵抗体4の焼成中に抵抗体4が絶縁基板1から剥離した。
したがって、ガラスグレーズ層3を構成するガラス3aの軟化点を580℃~760℃にすることで、ガラスグレーズ層3がもとのパターンより広がるように流れてしまうことはなく、ガラスグレーズ層3と抵抗体4との密着性を向上させて、抵抗体4の絶縁基板1からの剥れを生じてしまうのを防ぐことがでる。
さらに、上述したようにガラスグレーズ層3にフィラー3bを添加することによって、抵抗体4の変形を抑制させることができる。フィラー3bにより、ガラスグレーズ層3のミクロな高温粘性を低く保ったまま、ガラスグレーズ層3全体のマクロな高温粘性が下がり過ぎないようにすることができ、その結果、抵抗体4の変形を抑制させることができる。
実施の形態において、「上面」等の方向を示す用語は基板や抵抗体等のチップ部品の構成部材の相対的な位置関係でのみ決まる相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
1 絶縁基板
12,22 電極
3 ガラスグレーズ層
3a ガラス
3b フィラー
4 抵抗体

Claims (1)

  1. アルミナで構成された絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の電極と、前記絶縁基板の上面の中央部に設けられたガラスグレーズ層と、前記ガラスグレーズ層の上面に設けられ、かつ前記一対の電極間に形成されたCuNiを含有する抵抗体とを備え、前記ガラスグレーズ層を構成するガラスを Oをアルカリ金属酸化物として、SiO -B -ZnO-R O系とするとともに、前記ガラスの軟化点を580℃~630℃としたチップ抵抗器。
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