CN101206939B - 一种片式贱金属电阻器的制造方法 - Google Patents
一种片式贱金属电阻器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101206939B CN101206939B CN2007100326400A CN200710032640A CN101206939B CN 101206939 B CN101206939 B CN 101206939B CN 2007100326400 A CN2007100326400 A CN 2007100326400A CN 200710032640 A CN200710032640 A CN 200710032640A CN 101206939 B CN101206939 B CN 101206939B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base metal
- sio
- glass dust
- resistor
- pbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种片式贱金属电阻器的制造方法,主要通过面电极、背电极、电阻体、玻璃层与端电极的形成、激光调阻步骤制得。通过丝网印刷的方法将粘接用浆料涂覆在Al2O3基板的面、背电极位置形成面电极粘接层、背电极粘接层;通过丝网印刷的方法将贱金属导电浆料印制在面、背电极粘接层上,形成贱金属面电极层与贱金属背电极层。粘接层使得贱金属电极层在电阻低温烧结、电镀后附着力强,生产成本低、电阻的电性能优异、可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及一种片式电阻器的制造方法,具体地讲是指一种采用贱金属制作电阻器的方法。
背景技术
随着IT、3C(通讯,电子整机,计算机)等产业的技术提升及发展,对片式电阻器的需求量越来越大、要求也越来越趋向于小型化、高可靠性特点及低生产成本的方向发展。而一直以来片式电阻器的电极材料主要是银金属,随着银价格的不断上涨,片式电阻器生产成本提高很快,加上Ag离子迁移作用对电阻性能的影响,令传统银电极的应用越来越受到限制。目前,市场和文献上的信息均表明杜邦、TDK、昆贵所等公司均在积极开发用于片式电阻器的铜、镍、锌等贱金属电极导电浆料,但由于无法解决贱金属电极在低烧后与Al2O3基板的镀后附着力低等技术瓶颈,均未能成功地将贱金属电极应用在片式电阻器上。
发明内容
本发明需解决的问题是贱多属电阻器一经低温烧结及电极镀后附着力低下的问题,从而提供一种该电阻器的制造方法。
本发明所采用的技术方案是:一种片式贱金属电阻器的制造方法,通过在Al2O3基板上形成电阻体及附着在Al2O3基板正面和背面的面电极和背电极、附着在电阻体上的玻璃层和包覆在Al2O3基板及面电极和背电极两端的端电极的形成及激光调阻步骤制得,在制造过程中,a.通过丝网印刷的方法将粘接用浆料涂覆在Al2O3基板上设定的面、背电极位置处,然后在氮气氛中,400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成面电极粘接层、背电极粘接层;b.通过丝网印刷的方法将贱金属导电浆料印制在面、背电极粘接层上,印制在面电极粘接层处的贱金属导电浆料并与电阻体(4)形成保证电气连接的搭接,然后在氮气保护气氛中,400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成贱金属面电极层与贱金属背电极层。
在上述生产方法中,丝网印刷是常规电阻器的生产方法。
进一步:在上述方法中,粘接用浆料的组成是:玻璃粉50~70wt%,无机 颜料0.3~8.0wt%,高分子树脂0.5~6wt%,溶剂10~48wt%。玻璃粉的组成是(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系玻璃粉,该体系中各组份的重量百分比为:SiO2 5-30wt%,B2O3 35~28wt%,PbO 18~70wt%,TiO2 5~15wt%,Al2O3 0~5wt%,ZnO 0~10wt%,CuO 0~10wt%,AgO 0~5%。玻璃粉的组成还可以是(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系玻璃粉,该体系中各组份的重量百分比为:B2O3 5~30wt%,SiO2 11~30wt%,Bi2O3 0~10wt%,Al2O3 3~10wt%,CuO 5~20wt%,ZnO 5-20wt%,ZrO 0~15wt%,BaO 0~5wt%,CaO 0~5wt%,SrO 0~10wt%,Nb2O5 0~5wt%,TiO20~8wt%。所述的无机颜料是指Cr2O3、CuO、Cr2O3或Co中的一种或几种的组合;所述的高分子树脂是指乙基纤维素、氢化松香树脂、聚乙烯、聚氨酯中的一种或几种的组合;所述的溶剂是指乙醇、异辛醇、松油醇、四甲苯溶剂中的一种或几种的组合。粘接用浆料优选的配方方案如表1及相关优选玻璃粉配方表如4与表5所示。
再进一步:贱金属导电浆料按重量百分比的组成为:贱金属材料60~75wt%,高分子树脂0.5~5wt%,溶剂5~35wt%,玻璃粉7~17wt%,其中玻璃粉的组成为:
(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2玻璃体系:它占贱金属导电浆料0~5wt%。
(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3玻璃体系:它占贱金属导电浆料7~14wt
在玻璃粉(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各组份的重量百分比为:SiO25-30wt%,B2O3 35~28wt%,PbO 18~70wt%,TiO2 5~15wt%,Al2O3 0~5wt%,ZnO 0~10wt%,CuO 0~10wt%,AgO 0~5wt%。
在玻璃粉(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,该玻璃粉体系中各组份的重量百分比为:B2O3 10~30wt%,SiO2 15~32wt%,PbO 20~40wt%,Al2O33~10wt%,ZnO 3~18wt%,ZrO2 0~10wt%,BaO 0~5wt%。该贱金属导电浆料优选的配方如表2及相关的优选玻璃配方如表4和表6所示
或者:
在贱金属导电浆料按重量百分比的组成为:贱金属材料60~75wt%,高分子树脂0.5~5wt%,溶剂5~35wt%,玻璃粉6~16wt%,其中玻璃粉的组成为:
(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO玻璃体系:它占贱金属导电浆料0~9wt%
(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3玻璃体系:它占贱金属导电浆料6~13wt。
在玻璃粉(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系中:各组份的重量百分比为:B2O3 5~30wt%,SiO2 11~30wt%,Bi2O3 15~83wt%,Al2O3 3~10wt%,ZnO 0~18wt%,ZrO 0~10wt%,BaO 0~5wt%,T1O2 0~8wt%;
在玻璃粉(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3体系中,各组份的重量百分比为:B2O3 5~30wt%,SiO2 11~30wt%,Bi2O3 15~83wt%,Al2O3 3~10wt%,ZnO 0~18wt%,ZrO 0~10wt%,BaO 0~5wt%,TiO2 0~8wt%;
所述的贱金属材料是铜粉、镍粉或锌粉中一种或几种的组合;
所述的贱金属导电浆料中的高分子树脂是乙基纤维素、氢化松香树脂、聚乙烯、聚氨酯中的一种或几种的组合;
所述的贱金属导电浆料中的溶剂是指乙醇、异辛醇、松油醇、四甲苯溶剂一种或几种的组合。
该贱金属导电浆料优选的配方如表3及相关玻璃粉优选配方如表5和表7所示。
本发明制造方法的过程中,在Al2O3基板与贱金属电极层之间形成一个粘接层,该粘接用浆料能有效解决贱金属导电浆料低温烧结后电极镀后附着力差的问题,使得贱金属电极层通过该粘接用浆料与Al2O3基板有机地粘结在一起形成粘接层,粘接层与贱金属导电浆料层整体形成面背电极层;在本发明所用的电极浆料中,贱金属材料(铜、镍、锌等)代替传统的贵金属银材料,大幅度降低了产品成本,提高质量保证,还避免了银电极中的银迁移所引起的片式电阻器性能变化,并且该粘接层可直接取代一次玻璃,对于片式电阻器起保护作用,用该方法生产的贱金属电阻器电极附着力强,电性能优异、可靠性高。
表1、本发明粘接用浆料优选的重量百分组成:
4 | 55 | ------ | Cr2O3:1.0 | 氢化松香树脂:2.0 | 四甲苯:42 |
5 | ------ | 70 | Cr2O3:3.0 | 聚乙烯:4.0 | 松油醇:23 |
6 | ------ | 65 | CuO:3.0 | 聚乙烯:4.0 | 松油醇:28 |
7 | ------ | 60 | CuO:3.0 | 聚乙烯:4.0 | 乙醇:34 |
8 | ------ | 55 | Cr2O3和或 Co:3.0 | 聚氨酯:4.0 | 四甲苯:38 |
表2本发明贱金属导电浆料优选的重量百分组成如下:
表3本发明贱金属导电浆料另一种配方的优选的重量百分组成如下:
8 | 锌68 | 7 | 8 | 聚乙烯:2.0 | 松油醇:16 |
9 | 锌60 | 7 | 8 | 聚乙烯:4.0 | 松油醇:22 |
表4、本发明玻璃粉(I)体系各组分重量百分组成:
表5、本发明玻璃粉(II)体系各组分重量百分组成:
表6、本发明中玻璃粉(III)体系各组分的重量百分组成:
表7、本发明玻璃粉(IV)体系各组分的重量百分组成:
附图说明
图1是本发明片式贱金属膜电阻器的正截面示意图,图中:1面电极粘接层、1’背电极粘接层、2贱金属面电极层、2’贱金属背电极层、3 Al2O3 基板、4电阻体、5玻璃层、6端电极。
具体实施方式
实施例1
一种片式贱金属电阻器的制造方法,通过在Al2O3基板3形成电阻体4,附着在Al2O3基板3正面和背面的面电极和背电极、附着在电阻体4上的玻璃层5与包覆在Al2O3基板3及面电极和背电极两端的端电极6的形成及激光调阻步骤制得,在制造过程中,
a.通过丝网印刷的方法将粘接用浆料涂覆在Al2O3基板3上设定的面、背电极位置处,然后在氮气氛中,400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成面电极粘接层1、背电极粘接层1’;
b.通过丝网印刷的方法将贱金属导电浆料印制在面、背电极的粘接层1与1’上,印制在面电极粘接层1处的贱金属导电浆料并与电阻体4形成保证电气连接的搭接,然后在氮气保护气氛压力、400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成贱金属面电极层2与贱金属背电极层2’。
在上述方法中,用常规的丝网印刷的方法生产该片式电阻器,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为1%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为2%,溶剂是异辛醇,重量百分含量为32%,玻璃粉为(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系玻璃粉,重量百分含量为65%,各化合物的重量百分组成为B2O3 26%、SiO6%、PbO 40%、TiO2 12%、ZnO 10%、Al2O35%、AgO5%。
在上述方法中,贱金属导电浆料中贱金属铜粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为1%,溶剂是异辛醇,重量百分含量为24%,玻璃粉为(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系,重量百分含量为7%,在(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、、SiO2 15%、PbO40%、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例2
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为1%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为2%,醇类溶剂是异辛 醇,重量百分含量为32%,玻璃粉为(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系玻璃粉,重量百分含量为65%,该体系中各组份的重量百分比为:各化合物的重量百分组成为B2O3 26%、SiO6%、PbO 40%、TiO2 12%、ZnO 10%、Al2O35%、AgO5%。。
贱金属导电浆料中贱金属锌粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是氢化松香树脂,重量百分含量为2%,溶剂是乙醇,重量百分含量为18%,玻璃粉为(I)与(III)的混合体系,其中重量百分含量(I)是5%(III)是7%,在(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各化合物的重量百分组成为B2O324%、SiO210%、PbO47%、TiO24%、ZnO8%、Al2O34%、AgO3%;在(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、、SiO215%、PbO40%、、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例3
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为1%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为2%,醇类溶剂是异辛醇,重量百分含量为32%,玻璃粉为(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系玻璃粉,该体系中各组份的重量百分比为:重量百分含量为65%,各化合物的重量百分组成为B2O3 26%、SiO6%、PbO 40%、TiO2 12%、ZnO 10%、Al2O35%、AgO5%;
贱金属导电浆料中贱金属镍粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是聚乙烯,重量百分含量为2%,溶剂是松油醇,重量百分含量为16%,玻璃粉为(I)与(III)的混合体系,其中重量百分含量(I)是4%,(III)是10%,在(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各化合物的重量百分组成为B2O324%、SiO210%、PbO47%、TiO24%、ZnO8%、Al2O34%、AgO3%;在(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO215%、PbO40%、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例4
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为1%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为2%,溶剂是异辛醇,重量百分含量为32%,玻璃粉为(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系,重量百分含量为65%,在(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各化合物的重量百分组成为B2O326%、SiO6%、PbO 40%、TiO2 12%、ZnO 10%、Al2O35%、AgO5%;
贱金属导电浆料中贱金属铜粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为1%,溶剂是异辛醇,重量百分含量为24%,玻璃粉为(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3玻璃体系,重量百分含量为12%,在(IV)玻璃体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO26%、Bi2O3 43%、ZnO19%、Al2O310%、ZrO23%、BaO 5%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例5
在实施例1的方法中,粘接用浆料的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为1%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为2%,醇类溶剂是异辛醇,重量百分含量为32%,玻璃粉为(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系,重量百分含量为65%,在(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各化合物的重量百分组成为B2O3 26%、SiO6%、PbO 40%、TiO2 12%、ZnO 10%、Al2O35%、AgO5%;
贱金属导电浆料中贱金属锌粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是聚乙稀,重量百分含量为2%,溶剂是松香醇,重量百分含量为16%,玻璃粉为在(II)与(IV)混合体系,其中重量百分含量(II)是7%,(IV)是8%,在(II)体系中,各组份的重量百分比为:B2O329wt%,SiO2 22wt%,CuO 26%、ZnO 19%、Al2O3 4wt%;在(IV)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO26%、Bi2O3 43%、ZnO19%、Al2O310%、ZrO23%、BaO 5%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例6
在实施例1中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为3%, 高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为4%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为28%,玻璃粉为(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系,重量百分含量为65%,在(II)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O3 8%、SiO2 27%、CuO 17%、ZnO 17%、Bi2O3 12%Al2O3 3%、ZrO27%、BaO 4%Nb2O51% TiO23%;
在上述方法中,贱金属导电浆料中贱金属铜粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为1%,溶剂是异辛醇,重量百分含量为24%,玻璃粉为(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系,重量百分含量为7%,在(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO215%、PbO40%、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%、
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例7
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为3%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为4%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为28%,玻璃粉为(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系,重量百分含量为65%,在(II)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O38%、SiO2 27%、CuO 17%、ZnO 17%、Bi2O3 12% Al2O3 3%、ZrO2 7%、BaO 4%Nb2O51%TiO23%;
贱金属导电浆料中贱金属镍粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是氢化松香树脂,重量百分含量为2%,醇类溶剂是乙醇,重量百分含量为18%,玻璃粉为(I)与(III)的混合体系,其中重量百分含量(I)是5%,(III)是7%,在(I)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O324%、SiO210%、PbO47%、TiO24%、ZnO8%、Al2O34%、AgO3%;在(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、、SiO215%、PbO40%、、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例8
实施例1的方法中,粘接用浆料的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为 3%,高分子树脂是聚乙烯,重量百分含量为4%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为28%,玻璃粉为(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系,重量百分含量为65%,在(II)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O3 8%、SiO2 27%、CuO 17%、ZnO 17%、Bi2O3 12%Al2O3 3%、ZrO27%、BaO 4% Nb2O51% TiO23%;
贱金属导电浆料中贱金属镍粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是聚乙稀,重量百分含量为2%,溶剂是松油醇,重量百分含量为16%,玻璃粉为(I)与(III)的混合体系,其中重量百分含量(I)是10%,(III)是4%,在(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各化合物的重量百分组成为B2O324%、SiO210%、PbO47%、TiO24%、ZnO8%、Al2O34%、AgO3%;在(HI)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO215%、PbO40%、Al2O33%、ZnO16%、ZrO210%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例9
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含量为3%,高分子树脂是聚乙烯,重量百分含量为4%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为28%,玻璃粉为(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系,重量百分含量为65%,在(II)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O3 8%、SiO2 27%、CuO 17%、ZnO 17%、Bi2O3 12% Al2O3 3%、ZrO27%、BaO 4% Nb2O51%TiO23%;
贱金属导电浆料中贱金属铜粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是乙基纤维素,重量百分含量为1%,醇类溶剂是异辛醇,重量百分含量为24%,玻璃粉为(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3玻璃体系,重量百分含量为12%,在(IV)玻璃体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO26%、Bi2O3 43%、ZnO19%、Al2O310%、ZrO23%、BaO 5%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
实施例10
在实施例1的方法中,粘接用浆料中的无机颜料是Cr2O3,重量百分含 量为3%,高分子树脂是聚乙烯,重量百分含量为4%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为28%,玻璃粉为(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系,重量百分含量为65%,在(II)体系中,各化合物的重量百分组成为B2O3 8%、SiO2 27%、CuO 17%、ZnO 17%、Bi2O3 12%Al2O3 3%、ZrO27%、BaO 4%Nb2O51%TiO23%;
贱金属导电浆料中贱金属镍粉的重量百分含量为68%,高分子树脂是聚乙烯,重量百分含量为2%,醇类溶剂是松油醇,重量百分含量为16%,玻璃粉为在(IV)与(II)体系中,其中重量百分含量(II)是7%,(IV)是8%,在(II)体系中各组份的重量百分比为:B2O329wt%,SiO222wt%,CuO26%、ZnO 19%、Al2O3 4wt%;在(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3玻璃体系中,各化合物的重量百分组成为B2O315%、SiO26%、Bi2O3 43%、ZnO19%、Al2O310%、ZrO23%、BaO 5%。
用上述方法制造的电阻器镀后附着力好,阻值误差±0.5%,TCR值≤±100ppm,电性能精度高。
通过以上的检测结果得知,按上述的配方形成粘接用浆料与贱金属导电浆料,利用常规丝网印刷的方式将粘接用浆料与贱金属导电浆料印刷在Al2O3基板上的面、背电极位置形成面、背粘接层(1、1’)和贱金属面、背电极层(2、2’),在氮气氛600~800℃下烧结,再通过电阻体(4)、玻璃层(5)与端电极(6)的形成、激光调阻步骤制得的片式电阻器,粘接层使得贱金属电极层在电阻低温烧结、电镀后附着力强,并且该粘接层可直接取代一次玻璃,对于片式电阻器起保护作用,同时贱金属电极浆料由于性价比低,能有效降低片式电阻器的生产成本,且不受Ag离子迁移影响产品性能,生产出的电阻电性能优异、可靠性高。
Claims (9)
1.一种片式贱金属电阻器的制造方法,通过在Al2O3基板(3)上形成电阻体(4)及附着在Al2O3基板(3)正面和背面的面电极和背电极、附着在电阻体(4)上的玻璃层(5)和包覆在Al2O3基板(3)及面电极和背电极两端的端电极(6)的形成及激光调阻步骤制得,在制造过程中,
a.通过丝网印刷的方法将粘接用浆料涂覆在Al2O3基板(3)上设定的面、背电极位置处,然后在氮气氛中,400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成面电极粘接层(1)、背电极粘接层(1’);
b.通过丝网印刷的方法将贱金属导电浆料印制在面、背电极粘接层(1与1’)上,印制在面电极粘接层(1)处的贱金属导电浆料并与电阻体(4)形成保证电气连接的搭接,然后在氮气保护气氛中,400~700L/min的流量、600~800℃的温度下烧结,形成贱金属面电极层(2)与贱金属背电极层(2’)。
2.如权利要求1所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于粘接用浆料的组成是:玻璃粉50~70wt%,无机颜料0.3~8.0wt%,高分子树脂0.5~6wt%,溶剂10~48wt%,上述各组份之和等于100%。
3.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于玻璃粉的组成是(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系玻璃粉,该体系中各组份的重量百分比为:
SiO2 5-30wt%,B2O3 35~28wt%,PbO 18~70wt%,TiO2 5~15wt%,Al2O3 0~5wt%,ZnO 0~10wt%,CuO 0~10wt%,AgO 0~5wt%,上述各组份之和等于100%。
4.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于玻璃粉的组成是(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO体系玻璃粉,该体系中各组份的重量百分比为:
B2O3 5~30wt%,SiO2 11~30wt%,Bi2O3 0~10wt%,Al2O3 3~10wt%,CuO 5~20wt%,ZnO 5-20wt%,ZrO 0~15wt%,BaO 0~5wt%,CaO0~5wt%,SrO 0~10wt%,Nb2O5 0~5wt%,TiO2 0~8wt%。
5.如权利要求3或4所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于所述的无机颜料是指Cr2O3、CuO、Cr2O3或Co中的一种或几种的组合;所述的高分子树脂是指乙基纤维素、氢化松香树脂、聚乙烯、聚氨酯中的一种或几种的组合;所述的溶剂是指乙醇、异辛醇、松油醇、四甲苯溶剂中的一种或几种的组合。
6.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于贱金属导电浆料按重量百分比的组成为:贱金属材料60~75wt%,高分子树脂0.5~5wt%,溶剂5~35wt%,玻璃粉7~17wt%,上述各组份之和等于100%,其中玻璃粉的组成为:
(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2玻璃体系:它占贱金属导电浆料0~5wt%(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3玻璃体系:它占贱金属导电浆料7~14wt%。
7.如权利要求6所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于:
在玻璃粉(I)SiO2-B2O3-PbO-TiO2体系中,各组份的重量百分比为:SiO2 5-30wt%,B2O3 35~28wt%,PbO 18~70wt%,TiO2 5~15wt%,Al2O30~5wt%,ZnO 0~10wt%,CuO 0~10wt%,AgO 0~5%,上述各组份之和等于100%;
在玻璃粉(III)B2O3-SiO2-PbO-Al2O3体系中,该玻璃粉体系中各组份的重量百分比为:B2O3 10~30wt%,SiO2 15~32wt%,PbO 20~40wt%,Al2O33~10wt%,ZnO 3~18wt%,ZrO2 0~10wt%,BaO 0~5wt%。
8.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于贱金属导电浆料按重量百分比的组成为:贱金属材料60~75wt%,高分子树脂0.5~5wt%,溶剂5~35wt%,玻璃粉6~16wt%,上述各组份之和等于100%,其中玻璃粉的组成为:
(II)B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO-CuO玻璃体系:它占贱金属导电浆料0~9wt%
(IV)B2O3-SiO2-Bi2O3-Al2O3玻璃体系:它占贱金属导电浆料6~13wt。
9.如权利要求7所述的片式贱金属电阻器的制造方法,其特征在于所述的贱金属材料是铜粉、镍粉或锌粉中一种或几种的组合;
所述的贱金属导电浆料中的高分子树脂是乙基纤维素、氢化松香树脂、聚乙烯、聚氨酯中的一种或几种的组合;
所述的贱金属导电浆料中的溶剂是指乙醇、异辛醇、松油醇、四甲苯溶剂一种或几种的组合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2007100326400A CN101206939B (zh) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 一种片式贱金属电阻器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2007100326400A CN101206939B (zh) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 一种片式贱金属电阻器的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101206939A CN101206939A (zh) | 2008-06-25 |
CN101206939B true CN101206939B (zh) | 2011-11-09 |
Family
ID=39567030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007100326400A Expired - Fee Related CN101206939B (zh) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 一种片式贱金属电阻器的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101206939B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101364455B (zh) * | 2008-09-26 | 2011-09-28 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种贱金属铜电极浆料及所得电容器的制备方法 |
CN102903422B (zh) * | 2012-10-23 | 2015-06-17 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种电容用可丝印全银端电极浆料 |
JP5856038B2 (ja) | 2012-10-31 | 2016-02-09 | 三ツ星ベルト株式会社 | スクリーン印刷用導電性接着剤並びに無機素材の接合体及びその製造方法 |
JP7241261B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2023-03-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
CN111785827A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-16 | 深圳振华富电子有限公司 | 一种压电驱动器的制作方法 |
CN112011291B (zh) * | 2020-08-13 | 2022-06-24 | 深圳振华富电子有限公司 | 耐高温胶及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0016263A1 (de) * | 1979-03-21 | 1980-10-01 | BBC Brown Boveri AG | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN1180906A (zh) * | 1996-09-11 | 1998-05-06 | 松下电器产业株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
CN1226067A (zh) * | 1998-01-08 | 1999-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 电阻器及其制造方法 |
-
2007
- 2007-12-14 CN CN2007100326400A patent/CN101206939B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0016263A1 (de) * | 1979-03-21 | 1980-10-01 | BBC Brown Boveri AG | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN1180906A (zh) * | 1996-09-11 | 1998-05-06 | 松下电器产业株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
CN1226067A (zh) * | 1998-01-08 | 1999-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 电阻器及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101206939A (zh) | 2008-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101206939B (zh) | 一种片式贱金属电阻器的制造方法 | |
EP2306522B1 (en) | Method for the manfacture of solar cell electrodes | |
CN1873837B (zh) | 厚膜导电组合物及其应用、多层电路及其形成方法 | |
CN101681702B (zh) | 片式电阻器 | |
KR100749009B1 (ko) | 후막 저항체 및 그 제조 방법, 후막 저항체용 유리 조성물및 후막 저항체 페이스트 | |
JP5426241B2 (ja) | チップ抵抗器の表電極および裏電極 | |
CN101067981A (zh) | 一种片式热敏电阻器的制造方法 | |
CN103294313B (zh) | Ogs电容式触摸屏及其制作方法 | |
CN101990522A (zh) | 具有氧化钌的无铅电阻器组合物 | |
CN101369478A (zh) | 镍或镍基合金电极片式电阻器及其制造方法 | |
CN104112490A (zh) | 电极浆料及其制备方法 | |
CN102082017B (zh) | 贴片电阻器的制造方法 | |
EP0645784A2 (en) | A varistor and its manufacturing method | |
CN101593587B (zh) | 片式熔断电阻器的制造方法 | |
WO2004055836A1 (ja) | 抵抗材料、抵抗体、抵抗器、および抵抗器の製造方法 | |
US10115505B2 (en) | Chip resistor | |
CN102122553B (zh) | 卧式结构的低阻值片式负温度系数热敏电阻及其制造方法 | |
KR100686533B1 (ko) | 후막저항체 페이스트용 유리조성물, 후막저항체 페이스트,후막저항체 및 전자부품 | |
CN201233778Y (zh) | 镍或镍基合金电极片式电阻器 | |
CN102129899B (zh) | 立式结构的低阻值片式负温度系数热敏电阻及其制造方法 | |
CN114360762A (zh) | 一种片式电阻用抗银迁移银导体浆料及其制备方法 | |
CN110246605B (zh) | 一种抗氧化型导电浆料组合物和导电涂层及其制备方法 | |
CN101295569B (zh) | 一种片式电阻器及其制备方法 | |
CN100463078C (zh) | 电阻器 | |
CN113690003B (zh) | 一种厚膜片式电阻器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20111109 Termination date: 20171214 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |